JPS63174324A - 半導体ウエハ−の化学処理方法 - Google Patents
半導体ウエハ−の化学処理方法Info
- Publication number
- JPS63174324A JPS63174324A JP687987A JP687987A JPS63174324A JP S63174324 A JPS63174324 A JP S63174324A JP 687987 A JP687987 A JP 687987A JP 687987 A JP687987 A JP 687987A JP S63174324 A JPS63174324 A JP S63174324A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid
- slope
- wafer
- semiconductor wafer
- liquids
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 60
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 32
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 8
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 4
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体ウェハー（以下ウェハーと略す）の化
学処理方法に関するものである。
学処理方法に関するものである。
（従来の方法）
従来、ウヱノ）−の表向を２ｙＦＩＡｋ４以上の液体で
続けて化学処理する場合に行われてきたウェハーの化学
処理方法には次に述べるような２つの例がある。
続けて化学処理する場合に行われてきたウェハーの化学
処理方法には次に述べるような２つの例がある。
〔例１〕
ウェハーを適当な治具の上に駿せて、一つのビーカーに
入れである液体に漬けて化学処理した後、もう一つのビ
ーカーに入れである他の液体に入れて化学処理する。
入れである液体に漬けて化学処理した後、もう一つのビ
ーカーに入れである他の液体に入れて化学処理する。
〔例２〕
ウェハーをウェハー移動用のフンペアに載せて、一つの
履体がシャワー状に散布されている部分を通り、続けて
他の液体がシャワー状に散布されている部分を通して化
学処理する。
履体がシャワー状に散布されている部分を通り、続けて
他の液体がシャワー状に散布されている部分を通して化
学処理する。
（発明が解決しようとする問題点）
従来上記のようにウェハーの表面を２棟類以上の液体で
続けて化学処理する場合は、 ■ 一つの液体による化学処理が終了した後、その液体
をウェハー表面から除去する際に均一に除去されないた
めに、ウェハーの表面において化学処理のムラが生じる
。
続けて化学処理する場合は、 ■ 一つの液体による化学処理が終了した後、その液体
をウェハー表面から除去する際に均一に除去されないた
めに、ウェハーの表面において化学処理のムラが生じる
。
■ 一つの液体で化学処理した後、醜いて他の液体での
化学処理を始める際に後者の液体が均一にウェハー表面
を槍わないために化学処理のムラが生じる。
化学処理を始める際に後者の液体が均一にウェハー表面
を槍わないために化学処理のムラが生じる。
■ 一つの液体からＩｇ、の液体にウエノ１−を移動す
る際に、一時的に前者の液体がウェハー表面に表面張力
によ゛、つて憧っている状態になり、空気中の塵を吸着
してウェハー表面を汚染する。
る際に、一時的に前者の液体がウェハー表面に表面張力
によ゛、つて憧っている状態になり、空気中の塵を吸着
してウェハー表面を汚染する。
などの問題があった。
（間段点を解決するための手段）
第１図は上記の問題点を解決する本発明の一具体例であ
って、スロープ１のくは′み」の中にウニ／・−４がは
め込まれている。５は液体Ａで液溜め２の中に入れられ
ていて、ノズル３からスロープ１の上面を通ってウェハ
ー４の上面を層状に流れる。液体Ａが無くなる直前に液
溜め２中に液体Ｂを注ぐことによって順次隻数の液体で
ウェハーを化学処理する。
って、スロープ１のくは′み」の中にウニ／・−４がは
め込まれている。５は液体Ａで液溜め２の中に入れられ
ていて、ノズル３からスロープ１の上面を通ってウェハ
ー４の上面を層状に流れる。液体Ａが無くなる直前に液
溜め２中に液体Ｂを注ぐことによって順次隻数の液体で
ウェハーを化学処理する。
（作用）
第１図の具体例で本発明の詳細な説明する。
必要な量の液体Ａを２の液溜めに投入すると適当な隙間
をもったノズル３を通ってスロープ１上面に沿って均一
な層となって流れる。こ−でウェハー４はスロープ上面
に設けられたくぼみにはめ込まれていて、ウェハー表面
とスロープ面が同一平面になるように工夫されている。
をもったノズル３を通ってスロープ１上面に沿って均一
な層となって流れる。こ−でウェハー４はスロープ上面
に設けられたくぼみにはめ込まれていて、ウェハー表面
とスロープ面が同一平面になるように工夫されている。
このことによってウェハー上面を液体Ａが均一な層とな
って流れる。液体Ａの水位が／スル３付近に近づいてき
たら、必要な量の液体Ｂを液溜め２に保々に投入する。
って流れる。液体Ａの水位が／スル３付近に近づいてき
たら、必要な量の液体Ｂを液溜め２に保々に投入する。
このとき液溜めのノズル付近の容積は小さく設計されて
いて、液体Ａと液体Ｂが九合するのを防いでいる。また
液体Ｂを徐々に注ぐことによって液体Ａと液体Ｂの切替
え後に、液体Ａが残留するのを防ぐ。
いて、液体Ａと液体Ｂが九合するのを防いでいる。また
液体Ｂを徐々に注ぐことによって液体Ａと液体Ｂの切替
え後に、液体Ａが残留するのを防ぐ。
このようにして２棟類以上の液体がウェハーの表面をと
ぎれることなく一定して流れることによって、 ■ 液の切替時に生じるウェハー表面の化学処理のムラ
がなくなる。
ぎれることなく一定して流れることによって、 ■ 液の切替時に生じるウェハー表面の化学処理のムラ
がなくなる。
■ 液体切替時にウェハー表面に液体が静止することが
ないので、塵の付着がない。
ないので、塵の付着がない。
■ 常に新しい液体がウェハー表面を流れるために、ウ
ェハー表面の汚れ、皺の付着がない。
ェハー表面の汚れ、皺の付着がない。
等の作用効果がある。
（実施例）
本発明の具体例に示した手段を、ウェハー表面をエツチ
ングした後、停止、洗浄する場合を本発明の実施例とし
て説明する。
ングした後、停止、洗浄する場合を本発明の実施例とし
て説明する。
第２図において、ノズル３を７のノズル調整用ねじによ
って、およびスロープ１の角度を６のスロープ調整用支
え棒で変えることによって、ウェハー４の上面を流れる
液体の流量と流速を調整する。スロープ下部の廃液槽８
でスロープを流れた後の液体すなわち廃液９を受ける。
って、およびスロープ１の角度を６のスロープ調整用支
え棒で変えることによって、ウェハー４の上面を流れる
液体の流量と流速を調整する。スロープ下部の廃液槽８
でスロープを流れた後の液体すなわち廃液９を受ける。
まず、欣溜め２にエツチング液を入れ、ウェハー表面を
エツチングする。次にエツチング液の液面が目盛１０ま
で下がったら、停止、洗浄液を液溜め２に徐々に入れる
。後は具体例第１図の通りの処理をする（要するに液溜
め２の液体５はエツチング液、液体Ａ１液体Ｂに順次変
る）。
エツチングする。次にエツチング液の液面が目盛１０ま
で下がったら、停止、洗浄液を液溜め２に徐々に入れる
。後は具体例第１図の通りの処理をする（要するに液溜
め２の液体５はエツチング液、液体Ａ１液体Ｂに順次変
る）。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明はウェハー表面を均一に、
かつ塵の付着がないようなウェハーの化学処理方法であ
るから、ＬＳＩの製造の分野においては、微細な構造を
もったデバイスを歩留りよく製造するのに効果的である
。またウェハーの上に薄膜をエピタキシャル成長をさせ
る分野においては結晶性がよく、均一な薄膜を成長させ
ることができる。
かつ塵の付着がないようなウェハーの化学処理方法であ
るから、ＬＳＩの製造の分野においては、微細な構造を
もったデバイスを歩留りよく製造するのに効果的である
。またウェハーの上に薄膜をエピタキシャル成長をさせ
る分野においては結晶性がよく、均一な薄膜を成長させ
ることができる。
第１図は本発明の半導体ウェハーの化学処理方法を行う
ための装置の具体例側面図、第２図は本発明の実施例の
側面図である。 １・・・スロープ、２・・・液溜め、３・・・ノズル、
４・・・ウェハー、５・・・液体、６・・・スロープ支
えｋ、７．、−ノズル調整ねじ、８・・・廃液槽、９・
・・廃液、１０・・・目盛。
ための装置の具体例側面図、第２図は本発明の実施例の
側面図である。 １・・・スロープ、２・・・液溜め、３・・・ノズル、
４・・・ウェハー、５・・・液体、６・・・スロープ支
えｋ、７．、−ノズル調整ねじ、８・・・廃液槽、９・
・・廃液、１０・・・目盛。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体ウェハーの表面を２種類以上の液体で続けて
化学的に処理する場合に、半導体ウェハーを適当な傾斜
を有するスロープ上面に固定して、スロープ上部より液
体をスロープ上面に沿つて半導体ウェハー上面をとぎれ
ることなく連続して流すことによつて行うことを特徴と
する半導体ウェハーの化学処理方法。 ２、半導体ウェハーの表面をエッチングした後、停止、
洗浄することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
半導体ウェハーの化学処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP687987A JPS63174324A (ja) | 1987-01-13 | 1987-01-13 | 半導体ウエハ−の化学処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP687987A JPS63174324A (ja) | 1987-01-13 | 1987-01-13 | 半導体ウエハ−の化学処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63174324A true JPS63174324A (ja) | 1988-07-18 |
Family
ID=11650509
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP687987A Pending JPS63174324A (ja) | 1987-01-13 | 1987-01-13 | 半導体ウエハ−の化学処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63174324A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6405399B1 (en) * | 1999-06-25 | 2002-06-18 | Lam Research Corporation | Method and system of cleaning a wafer after chemical mechanical polishing or plasma processing |
| JP2008284414A (ja) * | 2007-05-15 | 2008-11-27 | Hitachi High-Technologies Corp | 洗浄装置、フラットパネルディスプレイの製造装置及びフラットパネルディスプレイ |
-
1987
- 1987-01-13 JP JP687987A patent/JPS63174324A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6405399B1 (en) * | 1999-06-25 | 2002-06-18 | Lam Research Corporation | Method and system of cleaning a wafer after chemical mechanical polishing or plasma processing |
| JP2008284414A (ja) * | 2007-05-15 | 2008-11-27 | Hitachi High-Technologies Corp | 洗浄装置、フラットパネルディスプレイの製造装置及びフラットパネルディスプレイ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH05291228A (ja) | ウェーハ洗浄装置及び洗浄方法 | |
| JPS63174324A (ja) | 半導体ウエハ−の化学処理方法 | |
| JPS5783036A (en) | Cleaning device for semiconductor material | |
| JP4095478B2 (ja) | 基板のエッチング装置及びエッチング方法 | |
| JP2002009033A (ja) | 半導体ウエハ用洗浄装置 | |
| JP3722337B2 (ja) | ウエット処理装置 | |
| JPH03228328A (ja) | 半導体基板の水洗方法 | |
| JPH0437131A (ja) | 半導体ウエハの純水水洗槽及び水洗方法 | |
| JPS62156659A (ja) | 洗浄方法及び装置 | |
| JP3068404B2 (ja) | 半導体基板洗浄装置 | |
| JP2000126702A (ja) | 洗浄装置及び洗浄方法 | |
| JPS6386525A (ja) | 半導体シリコンウエ−ハのエツチング装置 | |
| JPH0294435A (ja) | エッチング装置 | |
| JPH06164112A (ja) | 洗浄装置 | |
| JPH0746347Y2 (ja) | 薬品処理装置 | |
| JPH03184338A (ja) | 純水引き上げ乾燥装置 | |
| JPH0562960A (ja) | 液処理槽および液処理装置 | |
| KR970009865B1 (ko) | 반도체 소자의 입자제거 방법 | |
| JPS5851972A (ja) | 薬品処理装置 | |
| JPH0661210A (ja) | 基板の洗浄方法 | |
| JPS61202411A (ja) | 液相エピタキシヤル成長法 | |
| JPH047831A (ja) | 基体乾燥方法及び基体乾燥装置 | |
| JPS63293829A (ja) | 半導体ウエハ−洗浄装置 | |
| JPH0518914B2 (ja) | ||
| JPS62165937A (ja) | 処理方法 |