JPS63172720A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents

半導体封止用エポキシ樹脂組成物

Info

Publication number
JPS63172720A
JPS63172720A JP404287A JP404287A JPS63172720A JP S63172720 A JPS63172720 A JP S63172720A JP 404287 A JP404287 A JP 404287A JP 404287 A JP404287 A JP 404287A JP S63172720 A JPS63172720 A JP S63172720A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
epoxy resin
layer
resin composition
thermoplastic resin
plasticizing temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP404287A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigeru Koshibe
茂 越部
Makoto Yamagata
誠 山縣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Bakelite Co Ltd filed Critical Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority to JP404287A priority Critical patent/JPS63172720A/ja
Publication of JPS63172720A publication Critical patent/JPS63172720A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は熱衝撃を受けた場合の耐クランク性及び耐湿性
に優れる半導体封止用のエポキシ樹脂組成物に関するも
のである。
〔従  来  技  術〕
従来の耐熱衝撃エポキシ樹脂組成物に関する技術として
は、合成ゴムもしくはこれらの変性品を添加する方法や
シリコーン類もしくはこれらの変性品を添加する方法が
知られている。しかしながら、成形性や耐湿性等に問題
を存しており特殊な用途にしか用いられていないのが現
状である。さらに、シリコーン類を使用する場合には価
格が高くなりすぎ汎用として使用できないという問題を
有していた。
従来技術の問題点を具体的に示すと、例えば合成ゴム類
を用いる方法(特開昭53−144958.57−18
0626.5B −174416)では、合成ゴムの溶
出による成形時のパリ発生や合成ゴムの耐熱劣化が問題
である。シリコーン類を用いる方法(特開昭56−12
9246.5B −47014)ではシリコーンの透水
性の影響で耐湿性劣化やコストが高いことが問題である
さらに、従来技術では表面実装時の熱衝撃には対応でき
ない、最近半導体の実装方法として半田浸漬、半田リフ
ロー、vPSといった表面自動実装方法が汎用化してき
ており、市場では半田熱衝撃に対応する材料の開発が最
も強く要求されている。
耐湿性や耐半田熱衝撃性を抜本的に改良した半導体封止
用エポキシ樹脂組成物を得んとして研究した結果、熱衝
撃時に可塑化し熱衝撃を吸収させる方法が有効との知見
を得、さらに熱可塑性樹脂の可塑化温度、組合せ等につ
いて種々研究を進めて本発明を完成するに至ったもので
ある。
〔発明の構成〕
本発明は内部が可塑化温度50〜150℃、外部が可塑
化温度170〜260℃の熱可塑性樹脂より成る2層構
造熱可塑性樹脂を0.5〜lO重量%含むことを特徴と
する半導体封止用エポキシ樹脂組成物である。
本発明でいうところのエポキシ樹脂組成物は、エポキシ
樹脂、硬化促進剤及び本発明の2層構造熱可塑性樹脂を
含むものであり、一般的には、硬化剤、充填材さらには
処理剤、離型剤、顔料、難燃側等が添加される場合が多
い。
エポキシ樹脂は、ビスフェノール型、フェノールノボラ
ック型、タレゾールノボラック型等のエポキシ樹脂全般
のことをいう。
硬化促進剤はエポキシ樹脂を硬化させる触媒類のことを
いい、例えば、イミダゾール類・第3級アミン類・有機
ホスフィン類・有機アルミニウム類を挙げることができ
る。
2層構造熱可塑性樹脂は内部が可塑化温度50〜150
℃外部が可塑化温度170〜260℃で成るもので、組
成物中に0.5〜10重量%含むことが必要である。
量が少いと熱衝II緩和効果が出ないし逆に量が多いと
成形性や耐湿性で問題を発生する。
熱可塑性樹脂としては、ポリエチレン、ポリプロピレン
、ポリスチレン、ポリアセタール、ポリメチルペンテン
、ポリエチレンテレツクレート、ポリブチレンテレフタ
レート、ボリアリレート、ポリカーボネート、ポリフェ
ニレンオキサイド、ポリフェニレンサルフィド、ポリア
ミド、ポリスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポ
リイミド、ポリアミドイミド、ポリアミノビスマレイミ
ド、フッ素樹脂といった一般名を挙げることができ、こ
れら樹脂を内部/外部の2層構造にすることが必要であ
る。一層構造では、成形性、耐熱衝撃性等で問題が発生
する。又、2層構造を作る技術としては、物理機械的方
法(噴霧乾燥、気中懸濁被覆、真空蒸着被覆等)や化学
的方法(界面重合、1n−situ等)といった既知技
術を利用できる。
さらに、内部層/外部層の厚みや比率及び大きさについ
ては目的により調節することも必要である。封止加工時
の温度が高い場合には、内部層を薄くし外部層の可塑化
温度も高いものにするといった工夫も必要である。又、
組成物の外観を気にする場合には2層構造熱可塑性樹脂
の大きさを最長径で50μ儀以下にするといった工夫も
必要となる。
一最的には、内部層/外部層の比率は278〜971重
量比、大きさは最長径で300μ−以下が好ましい。
〔発明の効果〕
本発明に従うと、現在前えうる全ての熱衝撃に耐えるこ
とのできる半導体封止用エポキシ樹脂組成物が得られる
。この結果、高品質、低コストのプラスチック封止半導
体の供給が可能となり社会生活の簡便化をより一層強力
に進めることができる。
〔実  施  例〕
以下、半導体封止用成形材料での検討例で説明する。検
討例で用いた部は全て重量部であり用いた原料は次の通
りである。
工f0樹脂  Iビクa:+N−665up  大日本
インキ化学工業硬化剤      フエノールノボラツ
ク    住友ベークライト硬化促進剤  )9フエニ
ルネスフイン   ケイ ・ アイ化成充填材   F
S−892電気化学工業処理剤      S−810
チッソ NAWIM       へキス)フックス S   
 ヘキス)り!パンΦ〜■ 表−1の通り ■   合成ゴム/CTBN −1300X 8  宇
部興産0    シリコンオイル/5F−8417)−
レシリコーン検討例1〜11 エポキシ樹脂20部、硬化剤10部、充填材(70−X
)部、添加剤X部、硬化促進剤0.2部、処理剤0.5
部、離型剤0.5部を表−2のように配合し、100℃
の熱ロールで3分間混練し11種の成形材料を得、これ
ら材料の特性を調べた。結果は表−2の通りで本発明に
よる2層構造熱可塑性樹脂を適量用いた場合が抜群に優
れる。
成 形 性; 16pDIP/240キヤビテイ金型で
175℃成形した場合のエアーベントにで るパリの長さで判定 0 : 0.5 fl以下 Δ:1〜2fl ×:3fi以上 耐熱衝撃性I;模擬ICに一り5℃/30分←150℃
/15分なる熱衝撃を1000Cx5加えた時のパッケ
ージクランク不良率で 判定 耐熱衝撃性■;模擬rcを85℃/85%で72hr吸
湿処理後260℃の半田浴に10秒浸漬 した場合のパッケージクランク不 良率で判定 耐 湿 性 1;模擬ICを121 t・100%条件
で1000hr放置した時の回路不良率で判定 耐 熱 性 H:模FiJrcを85℃/85%で72
hr吸ン舅処理後260℃の半田浴に10秒浸漬 させる。この後121℃・100%条件で200hr放
置した時の回路不良率 で判定 不良率 ○:10%以下 6225〜50% ×ニア5%以上

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 内部が可塑化温度50〜150℃、外部が可塑化温度1
    70〜260℃の熱可塑性樹脂より成る2層構造熱可塑
    性樹脂を0.5〜10重量%含むことを特徴とする半導
    体封止用エポキシ樹脂組成物。
JP404287A 1987-01-13 1987-01-13 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 Pending JPS63172720A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP404287A JPS63172720A (ja) 1987-01-13 1987-01-13 半導体封止用エポキシ樹脂組成物

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP404287A JPS63172720A (ja) 1987-01-13 1987-01-13 半導体封止用エポキシ樹脂組成物

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS63172720A true JPS63172720A (ja) 1988-07-16

Family

ID=11573881

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP404287A Pending JPS63172720A (ja) 1987-01-13 1987-01-13 半導体封止用エポキシ樹脂組成物

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS63172720A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007123651A (ja) * 2005-10-31 2007-05-17 Shin Etsu Polymer Co Ltd 半導体検査用キャリア及び半導体の検査方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63172723A (ja) * 1987-01-12 1988-07-16 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63172723A (ja) * 1987-01-12 1988-07-16 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007123651A (ja) * 2005-10-31 2007-05-17 Shin Etsu Polymer Co Ltd 半導体検査用キャリア及び半導体の検査方法
JP4675212B2 (ja) * 2005-10-31 2011-04-20 信越ポリマー株式会社 半導体検査用キャリア及び半導体の検査方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR930002803B1 (ko) 반도체 장치의 봉지재
JP2000109709A (ja) 熱硬化性樹脂材料およびその製造方法
JP2014173063A (ja) 電子・電気部品の製造方法および電子・電気部品
KR20180037017A (ko) 에폭시 수지 조성물, 필름형 에폭시 수지 조성물 및 전자 장치
GB2291426A (en) Epoxy resin composition and resin-sealed semiconductor device
EP0385736A2 (en) Epoxy encapsulant compositions and low stress additives therefor
JPS63172720A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
KR100394080B1 (ko) 표면 개질된 실리카와 그 제조방법 및 장치
JPS6333411A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料
JPH0238417A (ja) 封止用樹脂組成物
CN108485186A (zh) 一种低气味高模流环氧树脂组成物及其应用
JPS59197154A (ja) 半導体装置およびその製造法
JPS5934649A (ja) 樹脂封止型の半導体装置
JPS5887121A (ja) エポキシ樹脂組成物
JPH0697324A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPS59108332A (ja) 電子部品の封止方法
TW200302847A (en) Curable organic resin composition
JPS62128162A (ja) 半導体装置
JPS63172723A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JPS61283649A (ja) エポキシ樹脂組成物
KR0155361B1 (ko) 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물
JPH0576490B2 (ja)
JPS62224051A (ja) 樹脂封止半導体装置
JPH011754A (ja) 半導体封止用エボキシ樹脂組成物
JPH08165331A (ja) 樹脂封止型半導体装置