JP4675212B2 - 半導体検査用キャリア及び半導体の検査方法 - Google Patents
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このような半導体ウェーハは、裏面がバックグラインドされた後は、厚さや欠け等が検査されるものの、電気的特性の検査対象からは除外される。
支持基板の熱変形温度を130℃以上に設定してその表面の周縁部を除く中央部を凹み形成し、この支持基板の中央部に複数の突起を間隔をおいて配列形成し、
保持層を薄膜に形成してその可塑化温度と分解温度を130℃以上に設定し、この保持層を支持基板の表面周縁部と複数の突起とに接着支持させることにより、支持基板の中央部と保持層との間に気体を流通させる区画空間を形成し、
支持基板に、区画空間に連通してその気体を外部に排気する給排孔を穿孔し、
保持層に半導体ウェーハを保持させる場合には、平坦な保持層の表面に半導体ウェーハを押圧して密着保持させ、保持層から半導体ウェーハを取り外す場合には、区画空間の気体を給排孔から外部に排気して平坦な保持層を複数の突起に応じて変形させ、保持層と半導体ウェーハとの間に隙間を形成するようにしたことを特徴としている。
支持基板の熱変形温度を130℃以上に設定してその表面の周縁部を除く中央部を凹み形成し、
保持層を、支持基板の表面周縁部に接着される通気性の織布と、この織布に積層されて半導体ウェーハを密着保持するフッ素系あるいはシリコーン系のエラストマーとから構成し、織布の熱変形温度を130℃以上に設定するとともに、エラストマーの可塑化温度と分解温度を130℃以上とし、この保持層と支持基板の中央部との間に気体を流通させる区画空間を形成し、
支持基板に、区画空間に連通する給排孔を穿孔し、
保持層に半導体ウェーハを保持させる場合には、平坦な保持層の表面に半導体ウェーハを押圧して密着保持させ、保持層から半導体ウェーハを取り外す場合には、保持層の織布内と区画空間の気体を給排孔から外部に排気して平坦な保持層を変形させ、保持層と半導体ウェーハとの間に隙間を形成するようにしたことを特徴としている。
また、請求項3記載の発明によれば、材料の選択により支持基板の熱変形温度、及び保持層の可塑化温度と分解温度をそれぞれ130℃以上に設定するので、バックグラインドの後に薄い半導体ウェーハの電気的特性を精密に検査することができ、これによりチップの最終的な合否判定に支障を来たすおそれを排除することができるという効果がある。また、バックグラインドされた半導体ウェーハの特性を熱処理により安定化させることが可能になる。さらに、エラストマーに覆われる織布が複数の突起と略同様の支持機能を発揮するので、複数の突起を省略して支持基板の構成の簡素化や製造の容易化を図ることが可能になる。
なお、保持層10の可塑化温度と分解温度が130〜255℃以上、あるいは255℃以上と選択的なのは、支持基板1同様、電気的特性の検査が二種類の試験に分類されるのを考慮したものである。
2 中央部
3 区画空間
4 突起
5 給排孔
6 バキューム装置
10 保持層
11 織布
12 エラストマー
13 目
20 基板収納容器
21 容器本体
W 半導体ウェーハ
Claims (4)
- 剛性を有する支持基板と、この支持基板に貼り着けられてバックグラインドされた薄い半導体ウェーハを着脱自在に保持する変形可能な保持層とを備え、半導体ウェーハの熱処理工程と電気的特性の検査工程とで使用される半導体検査用キャリアであって、
支持基板の熱変形温度を130℃以上に設定してその表面の周縁部を除く中央部を凹み形成し、この支持基板の中央部に複数の突起を間隔をおいて配列形成し、
保持層を薄膜に形成してその可塑化温度と分解温度を130℃以上に設定し、この保持層を支持基板の表面周縁部と複数の突起とに接着支持させることにより、支持基板の中央部と保持層との間に気体を流通させる区画空間を形成し、
支持基板に、区画空間に連通してその気体を外部に排気する給排孔を穿孔し、
保持層に半導体ウェーハを保持させる場合には、平坦な保持層の表面に半導体ウェーハを押圧して密着保持させ、保持層から半導体ウェーハを取り外す場合には、区画空間の気体を給排孔から外部に排気して平坦な保持層を複数の突起に応じて変形させ、保持層と半導体ウェーハとの間に隙間を形成するようにしたことを特徴とする半導体検査用キャリア。 - 支持基板の熱変形温度を255℃以上に設定し、保持層をフッ素系あるいはシリコーン系のエラストマーにより形成してその可塑化温度と分解温度を255℃以上とした請求項1記載の半導体検査用キャリア。
- 剛性を有する支持基板と、この支持基板に貼り着けられてバックグラインドされた薄い半導体ウェーハを着脱自在に保持する変形可能な保持層とを備え、半導体ウェーハの熱処理工程と電気的特性の検査工程とで使用される半導体検査用キャリアであって、
支持基板の熱変形温度を130℃以上に設定してその表面の周縁部を除く中央部を凹み形成し、
保持層を、支持基板の表面周縁部に接着される通気性の織布と、この織布に積層されて半導体ウェーハを密着保持するフッ素系あるいはシリコーン系のエラストマーとから構成し、織布の熱変形温度を130℃以上に設定するとともに、エラストマーの可塑化温度と分解温度を130℃以上とし、この保持層と支持基板の中央部との間に気体を流通させる区画空間を形成し、
支持基板に、区画空間に連通する給排孔を穿孔し、
保持層に半導体ウェーハを保持させる場合には、平坦な保持層の表面に半導体ウェーハを押圧して密着保持させ、保持層から半導体ウェーハを取り外す場合には、保持層の織布内と区画空間の気体を給排孔から外部に排気して平坦な保持層を変形させ、保持層と半導体ウェーハとの間に隙間を形成するようにしたことを特徴とする半導体検査用キャリア。 - 請求項1、2、又は3記載の半導体検査用キャリアの平坦な保持層にバックグラインドされた薄い半導体ウェーハを押圧して密着保持させる工程と、この保持層に密着保持された半導体ウェーハに熱処理を施す工程と、保持層に密着保持された半導体ウェーハの電気的特性を検査する工程と、給排孔から気体を外部に排気することにより、平坦な保持層を変形させて検査の終了した半導体ウェーハを取り外す工程とを含むことを特徴とする半導体の検査方法。
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