JPS6317257Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6317257Y2 JPS6317257Y2 JP1982091397U JP9139782U JPS6317257Y2 JP S6317257 Y2 JPS6317257 Y2 JP S6317257Y2 JP 1982091397 U JP1982091397 U JP 1982091397U JP 9139782 U JP9139782 U JP 9139782U JP S6317257 Y2 JPS6317257 Y2 JP S6317257Y2
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- JP
- Japan
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- air
- cooling
- wind tunnel
- air passage
- semiconductor
- Prior art date
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- Expired
Links
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 37
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 27
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 10
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 4
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は電力用整流素子、サイリスタ等の半導
体素子の強制風冷装置に関するものである。
体素子の強制風冷装置に関するものである。
従来の半導体素子の強制風冷装置は、第１図に
説明的に示す如く、風洞カバー１の空気通路２の
中に多数の放熱翼３を有する冷却フイン４を配
し、この冷却フイン４に整流ダイオード等の半導
体素子５を取付けることによつて構成されてい
る。尚６は吸気により空気通路２内に矢印で示す
ような空気の流れを生じさせるためのフアン、７
は絶縁支持部材、８は配線バー、９はバー押えで
ある。
説明的に示す如く、風洞カバー１の空気通路２の
中に多数の放熱翼３を有する冷却フイン４を配
し、この冷却フイン４に整流ダイオード等の半導
体素子５を取付けることによつて構成されてい
る。尚６は吸気により空気通路２内に矢印で示す
ような空気の流れを生じさせるためのフアン、７
は絶縁支持部材、８は配線バー、９はバー押えで
ある。
強制風冷装置を上述の如く構成すれば、半導体
素子５で生じる熱が冷却フイン４によつて良好に
放出される。しかし、冷却フイン４の素子取付面
４ａを風洞カバー１の前面部分１ａに当接して固
定する構造であるため、十分な冷却効果を得るこ
とが出来ないという問題があつた。
素子５で生じる熱が冷却フイン４によつて良好に
放出される。しかし、冷却フイン４の素子取付面
４ａを風洞カバー１の前面部分１ａに当接して固
定する構造であるため、十分な冷却効果を得るこ
とが出来ないという問題があつた。
この問題を解決するために、半導体素子５を風
洞カバー１内の空気通路２に配置することがあ
る。
洞カバー１内の空気通路２に配置することがあ
る。
ところで、空気通路２における空気の流れの上
流側と下流側とで冷却効果に差が生じる。冷却フ
イン４の放熱能力を空気通路２の位置の変化に応
じて変えれば、冷却効果の均一化を図ることが可
能になるが、構成が複雑になり、必然的にコスト
高になる。
流側と下流側とで冷却効果に差が生じる。冷却フ
イン４の放熱能力を空気通路２の位置の変化に応
じて変えれば、冷却効果の均一化を図ることが可
能になるが、構成が複雑になり、必然的にコスト
高になる。
そこで、本考案の目的は容易に冷却効果の均一
化を図ることができる半導体素子の強制風冷装置
を提供することにある。
化を図ることができる半導体素子の強制風冷装置
を提供することにある。
上記目的を達成するための本考案は、実施例を
示す図面の符号を参照して説明すると、強制風冷
のための風洞カバー１内の空気通路２に配置され
た複数の半導体素子５を風冷するための装置にお
いて、前記風洞カバー１に前記複数の半導体素子
５に対応させて冷却効果を均一化するための空気
用貫通孔１０を複数個設け、前記空気通路２の下
流側の前記半導体素子５に対応する前記貫通孔１
０の大きさを前記空気通路２の上流側の前記半導
体素子５に対応する前記貫通孔１０の大きさより
も大きくしたことを特徴とする半導体素子の強制
風冷装置に係わるものである。
示す図面の符号を参照して説明すると、強制風冷
のための風洞カバー１内の空気通路２に配置され
た複数の半導体素子５を風冷するための装置にお
いて、前記風洞カバー１に前記複数の半導体素子
５に対応させて冷却効果を均一化するための空気
用貫通孔１０を複数個設け、前記空気通路２の下
流側の前記半導体素子５に対応する前記貫通孔１
０の大きさを前記空気通路２の上流側の前記半導
体素子５に対応する前記貫通孔１０の大きさより
も大きくしたことを特徴とする半導体素子の強制
風冷装置に係わるものである。
上記考案によれば、風洞カバー１に設けた貫通
孔１０の大きさによつて導入空気量を調整し、半
導体素子５の冷却効果の均一化即ち温度の均一化
を図ることができる。従つて冷却効果の均一化を
極めて容易に達成することができる。
孔１０の大きさによつて導入空気量を調整し、半
導体素子５の冷却効果の均一化即ち温度の均一化
を図ることができる。従つて冷却効果の均一化を
極めて容易に達成することができる。
次に、第２図及び第３図を参照して本考案の実
施例に係わる電力用整流素子の強制風冷装置につ
いて述べる。但し、第２図及び第３図で符号１〜
９で示すものは、第１図で同一符号で示すものと
実質的に同一であるので、その説明を省略する。
施例に係わる電力用整流素子の強制風冷装置につ
いて述べる。但し、第２図及び第３図で符号１〜
９で示すものは、第１図で同一符号で示すものと
実質的に同一であるので、その説明を省略する。
第２図及び第３図から明らかなように、本実施
例では冷却フイン４の素子取付面４ａが矢印で示
すように空気が流れる空気通路２中に配置され、
且つ半導体素子５の本体部分５ａも空気通路２の
中に配置されている。本体部分５ａは、PN接合
を有する半導体チツプが装着されているコツプ状
金属電極ケース部分であり、この一部が冷却フイ
ン４に埋め込まれている。１０は風洞内空気通路
２に通じる貫通孔であつて、各半導体素子５の本
体部分５ａに対応して設けられ、矢印１１で示す
如く外気を風洞内部に導入するように形成されて
いる。尚、空気通路２に於ける上流側よりも下流
側で冷却効果が悪くなるので、下流側（左側）に
於いて貫通孔１０の大きさが大になつている。半
導体素子５の一対のリード線１２，１３は、第３
図のように導出され、この実施例では風洞内で
夫々の配線バー８に夫々結されている。
例では冷却フイン４の素子取付面４ａが矢印で示
すように空気が流れる空気通路２中に配置され、
且つ半導体素子５の本体部分５ａも空気通路２の
中に配置されている。本体部分５ａは、PN接合
を有する半導体チツプが装着されているコツプ状
金属電極ケース部分であり、この一部が冷却フイ
ン４に埋め込まれている。１０は風洞内空気通路
２に通じる貫通孔であつて、各半導体素子５の本
体部分５ａに対応して設けられ、矢印１１で示す
如く外気を風洞内部に導入するように形成されて
いる。尚、空気通路２に於ける上流側よりも下流
側で冷却効果が悪くなるので、下流側（左側）に
於いて貫通孔１０の大きさが大になつている。半
導体素子５の一対のリード線１２，１３は、第３
図のように導出され、この実施例では風洞内で
夫々の配線バー８に夫々結されている。
上述の如く構成すれば、素子取付面４ａ及び素
子本体部分５ａが風洞内に位置するので、第１図
の従来装置に比較して3m／ｓ強制風冷条件で素
子取付面４ａと素子本体部分５ａとに於ける放熱
量が約3.7倍になつた。従つて、放熱量を従来と
同一に構成すれば、冷却フイン４の大きさ及び重
量を大幅に小さくすることが出来る。
子本体部分５ａが風洞内に位置するので、第１図
の従来装置に比較して3m／ｓ強制風冷条件で素
子取付面４ａと素子本体部分５ａとに於ける放熱
量が約3.7倍になつた。従つて、放熱量を従来と
同一に構成すれば、冷却フイン４の大きさ及び重
量を大幅に小さくすることが出来る。
また、第１図の従来装置に於いて、風洞内に複
数の冷却フイン４を配し、同時に複数の半導体素
子５を冷却する場合に、各半導体素子５を同一温
度に冷却することが困難であつた。即ち、場所の
変化による冷却効果の変化を補正するために複数
の冷却フイン４の大きさを変えること等が必要に
なり、複数の半導体素子５の温度の均一化を図る
ことが困難であつた。これに対し、本実施例では
貫通孔１０を設けるので、この孔１０の大きさを
変えて導入空気量を調整し、各半導体素子５の温
度の均一化を図ることが可能になる。
数の冷却フイン４を配し、同時に複数の半導体素
子５を冷却する場合に、各半導体素子５を同一温
度に冷却することが困難であつた。即ち、場所の
変化による冷却効果の変化を補正するために複数
の冷却フイン４の大きさを変えること等が必要に
なり、複数の半導体素子５の温度の均一化を図る
ことが困難であつた。これに対し、本実施例では
貫通孔１０を設けるので、この孔１０の大きさを
変えて導入空気量を調整し、各半導体素子５の温
度の均一化を図ることが可能になる。
以上、本考案の実施例について述べたが、本考
案はこれに限定されるものでなく、更に変形可能
なものである。例えば、第４図に示す如く、風洞
の同一断面内に複数の冷却フイン４を配してもよ
い。またこの場合、各冷却フイン４の相互間に絶
縁性の保持部材１４を配し、これで配線バー８を
保持すると共に、冷却フイン４を保持してもよ
い。また、貫通孔１０を通してリード線１２を風
洞外に導出し、これを配線バー８に結合してもよ
い。又、サイリスタの強制風冷装置としても使用
可能である。また、実施例では吸気によつて風洞
内に空気の流れを生じさせているが、送風によつ
て空気の流れを生じさせてもよい。
案はこれに限定されるものでなく、更に変形可能
なものである。例えば、第４図に示す如く、風洞
の同一断面内に複数の冷却フイン４を配してもよ
い。またこの場合、各冷却フイン４の相互間に絶
縁性の保持部材１４を配し、これで配線バー８を
保持すると共に、冷却フイン４を保持してもよ
い。また、貫通孔１０を通してリード線１２を風
洞外に導出し、これを配線バー８に結合してもよ
い。又、サイリスタの強制風冷装置としても使用
可能である。また、実施例では吸気によつて風洞
内に空気の流れを生じさせているが、送風によつ
て空気の流れを生じさせてもよい。
第１図は従来の半導体素子の強制風冷装置を示
す断面図、第２図は本考案の実施例に係わる半導
体素子の強制風冷装置の第３図の−線に相当
する部分の断面図、第３図は第２図の−線に
相当する部分の断面図、第４図は強制風冷装置の
変形例を示す断面図である。 尚図面に用いられている符号に於いて、１は風
洞カバー、２は空気通路、４は冷却フイン、４ａ
は取付面、５は半導体素子、５ａは本体部分、１
０は貫通孔である。
す断面図、第２図は本考案の実施例に係わる半導
体素子の強制風冷装置の第３図の−線に相当
する部分の断面図、第３図は第２図の−線に
相当する部分の断面図、第４図は強制風冷装置の
変形例を示す断面図である。 尚図面に用いられている符号に於いて、１は風
洞カバー、２は空気通路、４は冷却フイン、４ａ
は取付面、５は半導体素子、５ａは本体部分、１
０は貫通孔である。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 強制風冷のための風洞カバー１内の空気通路２
に配置された複数の半導体素子５を風冷するため
の装置において、 前記風洞カバー１に前記複数の半導体素子５に
対応させて冷却効果を均一化するための空気導入
用貫通孔１０を複数個設け、前記空気通路２の下
流側の前記半導体素子５に対応する前記貫通孔１
０の大きさを前記空気通路２の上流側の前記半導
体素子５に対応する前記貫通孔１０の大きさより
も大きくしたことを特徴とする半導体素子の強制
風冷装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9139782U JPS58193641U (ja) | 1982-06-18 | 1982-06-18 | 半導体素子の強制風冷装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9139782U JPS58193641U (ja) | 1982-06-18 | 1982-06-18 | 半導体素子の強制風冷装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58193641U JPS58193641U (ja) | 1983-12-23 |
| JPS6317257Y2 true JPS6317257Y2 (ja) | 1988-05-16 |
Family
ID=30099780
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9139782U Granted JPS58193641U (ja) | 1982-06-18 | 1982-06-18 | 半導体素子の強制風冷装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58193641U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4461584B2 (ja) * | 1999-11-16 | 2010-05-12 | パナソニック株式会社 | ヒートシンク装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS543474A (en) * | 1977-06-10 | 1979-01-11 | Hitachi Ltd | Semiconductor conversion device |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5353972U (ja) * | 1976-10-12 | 1978-05-09 | ||
| JPS54146173U (ja) * | 1978-03-31 | 1979-10-11 | ||
| JPS58193640U (ja) * | 1982-06-17 | 1983-12-23 | 株式会社明電舎 | 半導体装置 |
-
1982
- 1982-06-18 JP JP9139782U patent/JPS58193641U/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS543474A (en) * | 1977-06-10 | 1979-01-11 | Hitachi Ltd | Semiconductor conversion device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58193641U (ja) | 1983-12-23 |
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