KR930015998A - 고전력 전자 소자에 의해 발생된 열의 소산성이 개선된 회로 팩 - Google Patents

Abstract

전자 회로의 작동에 의해 발생되는 열의 소산성은 복수의 직립 휜이 연장하는 평탄한 기부를 구비하는 히트 싱크에 의해 개선될 수 있다. 그 휜들은 서로 평행하여 복수의 채널을 형성하는바, 그 채널내로 냉각제 흐름이 유도된다. 히트 싱크의 열저항은 휜 두께 및 채널 폭을 적정값으로 설정함으로써 최적화된다.

그 히트 싱크는 열 전도 방식으로 열 발생 전자 소자에 부착될 수 있다. 이들 방열되는 하나 이상의 소자들은 회로 팩 형태의 지지체상에 직렬 또는 엇갈린 배열로서 배치될 수 있다. 냉각 유체는 여러가지 방법으로 공급되어 방열되는 소자들을 냉각시킨다.

최적의 흰 두께 및 채널 폭을 결정하는 방법은 히트 싱크의 총 열 저항과 휜 두께 및 채널 폭 파라메터 사이의 관계를 결정하는 것을 포함한다. 전술된 관계에 따라 등고선 플롯(contour plot)이 작성된다. 그 등고선 플롯은 여기에서 검증된 기하학적 배열에 따라서 히트 싱크에 대한 최적의 열 소산 영역을 보여준다.

Description

고전력 전자 소자에 의해 발생된 열의 소산성이 개선된 회로 팩

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1도는 본 발명에 따른 좁은 채널의 히트 싱크(heat sink)의 실시예를 보여주는 도면, 제5도는 제2도 내지 제4도중 어느 도면에 도시된 회로팩을 냉각하는 냉각제 공급 장치를 보여주는 도면, 제16도는 열을 발생하는 전자 소자가 합체되는 본 발명에 따른 히트 싱크의 실시예를 보여주는 도면, 제17도는 성형 또는 캡슐화된 열 발생 전자 소자 구조내에 합체된 본 발명에 따른 히트 싱크를 보여주는 도면.

Claims (24)

1. 예정된 높이 및 예정된 두께를 가지고 적어도 하나의 예정된 폭의 채널을 형성하며, 예정된 높이에 대한 예정된 두께의 비가 약 0.005 내지 약 0.055 범위이고 예정된 높이에 대한 예정된 두께의 비가 약 0.03 내지 0.13의 범위인 복수의 장방형 휜을 구비하는 히트 싱크에 부착된 열 발생 전자 디바이스를 포함하는 적어도 하나의 소자와, 냉각 공기를 히트 생크내의 채널을 통과하게 하는 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 회로 팩.
2. 제1항에 있어서, 예정된 높이에 대한 예정된 두께의 비가 약 0.005 내지 0.055이고, 예정된 높이에 대한 예정된 폭의 비가 약 0.080 내지 약 0.130인 것을 특징으로 하는 회로 팩.
3. 제1항에 있어서, 예정된 높이에 대한 예정된 두께의 비가 약 0.005 내지 약 0.055이며, 예정된 높이에 대한 예정된 폭의 비가 약 0.060 내지 약 0.110인 것을 특징으로 하는 회로 팩.
4. 제1항에 있어서, 예정된 높이에 대한 예정된 두께의 비가 약 0.005 내지 약 0.055이고, 예정된 높이에 대한 예정된 폭의 비가 약 0.040 내지 약 0.090인 것을 특징으로 하는 회로 팩.
5. 제1항에 있어서, 예정된 높이에 대한 예정된 두께의 비가 약 0.005 내지 약 0.055이고, 예정된 높이에 대한 예정된 폭의 비가 약 0.030 내지 약 0.80인 것을 특징으로 하는 회로 팩.
6. 제1항에 있어서, 예정된 높이에 대한 예정된 두께의 비가 약 0.014이고, 예정된 높이에 대한 예정된 폭의 비가 약 0.103인 것을 특징으로 하는 회로 팩.
7. 제1항에 있어서, 예정된 높이에 대한 예정된 두께의 비가 약 0.014이고, 예정된 높이에 대한 예정된 폭의 비가 약 0.077인 것을 특징으로 하는 회로 팩.
8. 제1항에 있어서, 예정된 높이에 대한 예정된 두께의 비가 약 0.014이고, 예정된 높이에 대한 예정된 폭의 비가 약 0.057인 것을 특징으로 하는 회로 팩.
9. 제1항에 있어서, 예정된 높이에 대한 예정된 두께의 비가 약 0.015이고, 예정된 높이에 대한 예정된 폭의 비가 약 0.045인 것을 특징으로 하는 회로 팩.
10. 제1항에 있어서, 휜의 두께가 약 0.4㎜이고, 채널 폭이 약 1.1㎜인 것을 특징으로 하는 회로 팩.
11. 복수의 전자 소자와, 복수의 전자소자를 지지하는 기판과, 각기 하나 이상의 전자 소자와 열 전도 관계로 기판상에 배열되고, 예정된 폭의 적어도 하나의 채널을 형성하는 예정된 두께의 휜을 가지며, 그 두께 및 폭이 열 임피던스 파라메타를 최소화 하는 복수의 히트 싱크와, 기판상에 배열된 히트 싱크를 덮는 상부 판을 구비하고 기판상의 히트 싱크를 에워싸는 수단과, 상기 에워싸는 수단내로 냉각 유체를 도입하여 그 냉각 유체가 히트 싱크내의 채널을 통해서 예정된 방향으로 흐르게 하는 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 장치.
12. 제11항에 있어서, 복수의 히트 싱크들이, 상기 에워싸는 수단내에서 예정된 냉각제 흐름 방향에 수직인 선을 따라 배열된 일열의 히트 싱크를 구비하는 것을 특징으로 하는 장치.
13. 제12항에 있어서, 히트 싱크들이 상기 에워싸는 수단내의 냉각제 흐름 방향에 평행한 선을 따라 상호 엇갈려 배치되는 것을 특징으로 하는 장치.
14. 제11항에 있어서, 상기 에워싸는 수단의 상부 판내에는 기판상의 각각의 히트 싱크에 인접하여 냉각제 도입 슬롯이 구비되어 냉각 유체가 하방으로 그 냉각제 도입 슬롯과 관계된 히트 싱크의 채널내로 도입하도록 허용하는 것을 특징으로 하는 장치.
15. 제11항에 있어서, 히트 싱크가, 각기 예정된 두께 및 예정된 높이를 가지는 복수의 휜과, 휜 사이의 예정된 폭의 적어도 하나의 채널을 구비하며, 예정된 높이에 대한 예정된 두께의 비가 약 0.005 내지 약 0.055이며, 예정된 높이에 대한 예정된 폭의 비가 약 0.03 내지 약 0.13인 것을 특징으로 하는 장치.
16. 제11항에 있어서, 예정된 높이에 대한 예정된 두께의 비가 약 0.005 내지 약 0.055이고, 예정된 높이에 대한 예정된 폭의 비가 약 0.080 내지 약 0.130인 것을 특징으로 하는 장치.
17. 제11항에 있어서, 예정된 높이에 대한 예정된 두께의 비가 약 0.005 내지 약 0.055이고, 예정된 높이에 대한 예정된 폭의 비가 약 0.060 내지 약 0.110인 것을 특징으로 하는 장치.
18. 제11항에 있어서, 예정된 높이에 대한 예정된 두께의 비가 약 0.005 내지 약 0.055이고, 예정된 높이에 대한 예정된 폭의 비가 약 0.040 내지 약 0.090인 것을 특징으로 하는 장치.
19. 제11항에 있어서, 예정된 높이에 대한 예정된 두께의 비가 약 0.005 내지 약 0.055이고, 예정된 높이에 대한 예정된 폭의 비가 약 0.030 내지 약 0.080인 것을 특징으로 하는 장치.
20. 제11항에 있어서, 예정된 높이에 대한 예정된 두께의 비가 약 0.014이고, 예정된 높이에 대한 예정된 폭의 비가 약 0.103인 것을 특징으로 하는 장치.
21. 제11항에 있어서, 예정된 높이에 대한 예정된 두께의 비가 약 0.014이고, 예정된 높이에 대한 예정된 폭의 비가 약 0.077인 것을 특징으로 하는 장치.
22. 제11항에 있어서, 예정된 높이에 대한 예정된 두께의 비가 약 0.014이고, 예정된 높이에 대한 예정된 폭의 비가 약 0.057인 것을 특징으로 하는 장치.
23. 제11항에 있어서, 예정된 높이에 대한 예정된 두께의 비가 약 0.015이고, 예정된 높이에 대한 예정된 폭의 비가 약 0.045인 것을 특징으로 하는 장치.
24. 제11항에 있어서, 휜의 두께가 약 0.4㎜이고, 채널 폭이 약 1.1㎜인 것을 특징으로 하는 장치.

    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.