JPS63170714A - 半導体メモリ内蔵の記憶媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、半導体メモリ内蔵の記憶媒体に関し、さら
に詳しくは、バックアップ電池により半導体メモリのデ
ータを保持する半導体メモリバックにおいてそのデニタ
保護機能を向上させることができるような半導体メモリ
バックの改良に関する。

［従来の技術］ 従来のこの種の記憶媒体は、半導体メモリに記憶された
データをバックアップ電池により保持しているが、その
電池の寿命の検知には、電池電圧を検出することで行わ
れ、データ保護のために電池の交換警報を出す方法がと
られている。しかし最近では、半導体メモリのデータ保
持電流特性は、低くなる方向に著しく改善されており、
電池の消耗電気量は小さくなってきている。そのため、
電池の消耗電気量による交換よりも、電池の耐用年数を
はじめとして半導体メモリバックの耐用年数を考慮した
交換とか、廃棄がそのデータ保護の立場から必要となっ
てきた。

［解決しようとする問題点］ したがって、従来のように電池電圧を検知して電池の交
換警報を出すような方法では半導体メモリのデータ保護
に十分に対応できない問題がある。

この発明は、このような従来の電池の消耗電気量では検
知できない半導体メモリバックの使用保証期間をより簡
単に検知でき、もってデータを保護し、バックアップの
信頼性を向上させることができる半導体メモリ内蔵の記
憶媒体を提供することを目的とする。

［問題点を解決するための手段］ このような目的を速成するためにこの発明にあっては、
電池で半導体メモリのデータ保持をする半導体メモリ内
蔵の記憶媒体において、時間情報を記憶する、外部電源
に対して不揮発なメモリと、外部からの制御信号に応じ
て不揮発なメモリから時間情報を読出して外部へ送出す
る読出し回路とを備えるものである。

［作用コ このように、例えば、バックアップ電池の製造コード或
いはそれをセットした時期、その使用期限等の時間情報
を記憶したＲＯＭとか、電池でバックアップされたＲＡ
Ｍ、時期とか期限をデジタル表現するデツプスイッチ等
の不揮発なメモリを設けて、前記時間情報を外部の装置
で取り出せるようにすることにより、使用期限とか時期
を判断できるデータが簡単に得られ、しかも製造時期等
をスタート点とした形のより正確な時間情報を発生させ
ることができる。

その結果、例えば、半導体メモリバックにあっては、そ
の使用保証期間をより簡単に検知でき、期限管理され、
保証できる状態にある゛１１導体メモリバックからデー
タの読出し又は書込みが可能となり、半導体メモリに記
憶されたデータが保証される。したがって、半導体メモ
リ内蔵の記憶媒体におけるバックアップの信頼性が向上
する。

［実施例］ 以下、この発明の一実施例について図面を用いて説明す
る。

第１図は、この発明を適用した半導体メモリバックの一
実施例の回路構成を示すブロック図であり、第２図は、
他の実施例の時間情報設定機構の説明図、第３図は、そ
の時間情報を発生する内部構成の説明図である。

半導体メモリバック２０は、外部装置とのインタフェー
スの役割を果たすＩ１０バッファ１と、１個あるいは複
数のＲＡＭ等の半導体メモリを有し、外部から転送され
たデータを記憶しておく半導体メモリ群２、外部電源／
バックアップ電池の切換え制御を行うバックアップ制御
回路３、そしてバックアップ電池４とを備えていて、さ
らに、この発明の特徴である切換回路５と、バックアッ
プ電池の時間情報を生成して、それを電池情報メモリ７
に書込み、そこに書込まれたデータを読出す書込み／続
出し回路６、そしてバックアップ電池の時間情報を記憶
した電池情報メモリ７とが設けられている。

ここで、切換回路５は、外部からの制御信号に応じて半
導体メモリ群２と電池情報のパスラインの切換えをする
ものであって、外部からの制御信号がない場合には半導
体メモリ群２をイネーブルとする信号を発生する。そし
て外部から特定の制御信号を受けた状態で半導体メモリ
群２のイネーブル信号を停止し、書込み／読出し回路６
側にイネーブル信号を発生してこれを動作させる。

電池情報メモリ７は、時間情報を記憶するものであって
、占込み／読出し回路６でデータを生成して、それが書
込まれる。この情報は、外部装置カラデータバス８．Ｉ
１０バッファ１．データバス８′を介し、書込み／読出
し回路６に送られ、それが電池情報信号線１５から電池
情報メモリ７へ送出されて書込まれる。

ここでの時間情報は、例えば、バックアップ電池４の製
造コード或いは電池装着の時期、その使用期限、交換時
期等であって、時期又は期限を示す数値又はコードを使
用するか、年９月９日の各時間単位を示す１つ又は複数
の桁からなる情報とする。なお、日付については、さら
に細かく秒単位まで求めるものであっても、また、荒く
月単位のものであってもよい。

電池情報メモリ７はＦＲＯＭであるが、あらかじめ製造
コードとか交換時間等が記憶されたＲＯＭあるいは機械
的スイッチでもよく、このようなものでは別個に書込ん
であるものでもよい。なお、この場合には書込み／読出
し回路６の時間情報書込み処理は不要である。

半導体メモリバック２０は、外部装置へ接続され、セレ
クト制御信号線１１．Ｉ１０バッファ１゜セレクト制御
信号線１１′を介してセレクト制御信号を受けると、半
導体メモリ群２側への動作指定を切換で、書込み／読出
し回路６をイネーブルし、これを動作状態として、各バ
スが書込み／読出し回路６に接続される状態とする。そ
の結果、アドレスバス９．Ｉ１０バッファｌ、アドレス
バスデータバス９′を介して電池情報メモリ７に対する
アドレス情報が書込み／続出し回路８に送出され、メモ
リ制御線１０．Ｉ１０バッファ１．メモリ制御線１０′
を介して書込み／続出し等の動作に関する制御信号が書
込み／続出し回路６に送出される。また、書込み／読出
しのデータについては、外部装置からデータバス８．Ｉ
１０バッファ１．データバス８′を介して送られる。

したがって、電池情報メモリ７に書込まれた時間情報は
、セレクト制御信号線１１．Ｉ１０バッファ１．チップ
セレクト制御信号線１１′を介して得られるセレクト制
御信号によって、書込み／読出し回路６を介してリード
されて、書込み／読出し回路６から外部装置へ送出され
る。外部装置はこの時間情報に基づき、交換時期を検知
して、バックアップ交換時期あるいは半導体メモリバッ
クの寿命を判定することができる。

さらに簡便な方法として、第２図に示すように電池情報
スイッチ部材２１を第１図に見る半導体メモリバック２
０の電池情報メモリ７に代えてセットすることで、製造
コードとか交換時期のデータの書込みをすることなく、
同様な結果を得るものである。

第２図においては、半導体メモリバック２０の側面に、
日付が表示された電池情報スイッチ部材２１が装着され
る電池情報スイッチ部材受は部２２が設けられていて、
この電池情報スイッチ部材受は部２２は、第３図（ａ）
に示すようなスイッチ端子２３と、作動子側となる弾性
を持つスイッチ端子片２４とからなり、これらを半導体
メモリバック２０のプリント基板２５上に設けて構成さ
れる。一方、電池情報スイッチ部材２１は、表側に日付
が表示されていて、第３図（ｂ）に示すようにこの表示
された日付に対応するように複数のスイッチピン２６が
設けられている。

ここで、電池情報スイッチ部材２１を電池情報スイッチ
部材受は部２２に装着したときに、複数のスイッチピン
２６によりスイッチ端子片２４を押すことによって、ス
イッチ端子２３とスイッチ端子片２４とが接触して、電
池の製造コードとか使用期限等を示す時間情報を発生す
る。この時間情報は、第１図の書込み／続出し回路６に
送出される。

第３図（Ｃ）は、第３図（ｂ）の電池情報スイッチ２２
をセットしたときの等価回路である。なお、この場合、
各スイッチピン２６は、４つのピンでデジタル的に１桁
の数字を１．２，４．８の重みで表すものとなっていて
、この例では、７゜６．８の日付に対応する各数字に設
定されている。

ところで、電池情報メモリ７に使用期限を記憶した場合
には次のような回路とすることができる。

すなわち書込み／読出し回路６は、書込み／読出し回路
部と比較回路部とを設けて構成し、外部装置から時間情
報を受けて、この時間情報と電池情報メモリ７に記憶さ
れた情報との大小関係を比較し、その結果を比較回路部
から外部装置に送出する。このようにすれば、使用期限
以内かどうかを直接示す信号を発生することができ、外
部装置は使用できるか否かの結果情報のみを受け、即座
に半導体メモリバックが使用可能かどうか判定ができる
。なお、この場合の使用期限は期日等を指定するもので
はなく、何年とか、何ケ月、何年何ケ月、何日という使
用期間であってもよい。

なお、第２図においては、電池情報スイッチ部材に日付
を表示しているが、これは必ずしも必要なことではない
。

以上説明してきたが、実施例において時間情報を記憶す
るメモリとして電池情報メモリを特別に設けているが、
これは、半導体メモリ群２の一部の領域を割り当てても
よい。また、実施例では、半導体メモリバックを中心と
して説明しているが、これは、いわゆるメモリカートリ
ッジ一般にであってよく、半導体メモリを内蔵した記憶
媒体であればよい。

さらに、不揮発なメモリは、ＲＯＭ、ＲＡＭをはじめと
して、スイッチによるもののほか、種々の記憶形態のメ
モリを使用できることはもちろんである。

［発明の効果］ 以！−の説明から理解できるように、この発明にあって
は、例えば、バックアップ電池の製造コード或いはそれ
をセットした時期、その使用期限等の時間情報を記憶し
たＲＯＭとか、電池でバックアップされたＲＡＭ１時期
とか期限をデジタル表現するデツプスイッチ等の不揮発
なメモリを設けて、前記時間情報を外部の装置で取り出
せるようにすることにより、使用期限とか時期を判断で
きるデータが簡単に得られ、しかも製造時期等をスター
ト点とした形のより正確な時間情報を発生させることが
できる。

その結果、例えば、半導体メモリバックにあっては、そ
の使用保証期間をより簡単に検知でき、期限管理され、
保証できる状態にある半導体メモリバックからデータの
読出し又は書込みが可能となり、半導体メモリに記憶さ
れたデータが保証される。したがって、半導体メモリ内
蔵の記憶媒体におけるバックアップの信頼性が向上する
。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この発明を適用した半導体メモリバックの一
実施例の回路構成を示すブロック図、第２図は、他の実
施例の時間情報設定機構の説明図、第３図は、その時間
情報を発生する内部構成の説明図である。 １・・・Ｉ１０バッファ、２・・・半導体メモリ群、３
・・・バックアップ制御部、４・・・バックアップ電池
、５・・・切換回路、６・・・書込み／読出し回路、７
・・・電池情報メモリ、８・・・データバス、９・・・
アドレスバス、１０・・・メモリ制御線、２０・・・半
導体メモリバック、 ２１・・・電池情報スイッチ部材、 ２２・・・電池情報スイッチ部材受は都、２３・・・ス
イッチ端子、２４・・・スイッチ端子片、２５・・・プ
リント基板、２６・・・スイッチビン。。 第２図

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）電池で半導体メモリのデータ保持をする半導体メ
   モリ内蔵の記憶媒体において、時間情報を記憶する、外
   部電源に対して不揮発なメモリと、外部からの制御信号
   に応じて前記不揮発なメモリから前記時間情報を読出し
   て外部へ送出する読出し回路とを備えることを特徴とす
   る半導体メモリ内蔵の記憶媒体。
2. （２）読出し回路は外部からの制御信号に応じて不揮発
   なメモリから時間情報を読出す読出し回路部と、外部か
   ら送出された時間情報と前記不揮発なメモリから読出さ
   れた時間情報とを比較する比較回路部とを備え、前記又
   は外部からの他の制御信号に応じて前記比較回路部の比
   較結果を送出することを特徴とする特許請求の範囲第１
   項記載の半導体メモリ内蔵の記憶媒体。
3. （３）時間情報は、半導体メモリバック又は電池の製造
   時期若しくは使用期限を示すものであり、不揮発なメモ
   リはＲＯＭ又は電池でバックアップされたＲＡＭである
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項記載
   の半導体メモリ内蔵の記憶媒体。
4. （４）製造時期若しくは使用期限の時間情報は、製造時
   期又は使用期限に対応して付されるコードであることを
   特徴とする特許請求の範囲第３項記載の半導体メモリ内
   蔵の記憶媒体。
5. （５）時間情報は、電池がバックアップを開始した時期
   であることを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２
   項記載の半導体メモリ内蔵の記憶媒体。