JPS63166792A - シリコン単結晶引上装置 - Google Patents
シリコン単結晶引上装置Info
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- JPS63166792A JPS63166792A JP61315581A JP31558186A JPS63166792A JP S63166792 A JPS63166792 A JP S63166792A JP 61315581 A JP61315581 A JP 61315581A JP 31558186 A JP31558186 A JP 31558186A JP S63166792 A JPS63166792 A JP S63166792A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はシリコン単結晶引上装置の改良に関する。
半導体デバイスの基板として用いられるシリコン単結晶
は、主にチョクラルスキー法（ＣＺ法）により製造され
ている。このＣＺ法は、原理的には、チャンバー内にル
ツボを回転自在に支持し、このルツボ内でシリコン原料
を溶融し、シリコン融液に上方から回転自在に吊下され
た種結晶を浸してこれを引上げることによりシリコン単
結晶インゴットを引上げるものである。この際、ルツボ
内のシリコン原料はルツボの保護体（カーボンルツボ）
の外周に設けられた円筒状のカーボンヒータによって加
熱され、カーボンヒータ外周に設けられた保温筒によっ
て保温された状態で溶融される。
は、主にチョクラルスキー法（ＣＺ法）により製造され
ている。このＣＺ法は、原理的には、チャンバー内にル
ツボを回転自在に支持し、このルツボ内でシリコン原料
を溶融し、シリコン融液に上方から回転自在に吊下され
た種結晶を浸してこれを引上げることによりシリコン単
結晶インゴットを引上げるものである。この際、ルツボ
内のシリコン原料はルツボの保護体（カーボンルツボ）
の外周に設けられた円筒状のカーボンヒータによって加
熱され、カーボンヒータ外周に設けられた保温筒によっ
て保温された状態で溶融される。
ところで、従来、保温筒としては、カーボン繊維の織布
を円筒状に多層に巻つけたものが使用されている。 − 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかし、カーボン繊維の織布を円筒状に巻つけた保温筒
を用いた場合、その表面からカーボン繊維の小片が脱落
しやすいため、これがチャンバー内を浮遊してシリコン
融液内に落下することもある。この結果、引上げられる
シリコン単結晶中の炭素濃度が高くなり、結晶欠陥を増
大させるという問題がある。上記のようなカーボン繊維
の小片の脱落は、特に保温筒の内周面で起きた場合の問
題となる。
を円筒状に多層に巻つけたものが使用されている。 − 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかし、カーボン繊維の織布を円筒状に巻つけた保温筒
を用いた場合、その表面からカーボン繊維の小片が脱落
しやすいため、これがチャンバー内を浮遊してシリコン
融液内に落下することもある。この結果、引上げられる
シリコン単結晶中の炭素濃度が高くなり、結晶欠陥を増
大させるという問題がある。上記のようなカーボン繊維
の小片の脱落は、特に保温筒の内周面で起きた場合の問
題となる。
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであ
り、保温筒表面からのカーボン繊維の小片の脱落を防止
して、シリコン単結晶中の炭素濃度の増加を防止し、結
晶欠陥を減少させることができるシリコン単結晶引上装
置を提供することを目的とする。
り、保温筒表面からのカーボン繊維の小片の脱落を防止
して、シリコン単結晶中の炭素濃度の増加を防止し、結
晶欠陥を減少させることができるシリコン単結晶引上装
置を提供することを目的とする。
本発明のシリコン単結晶引上装置は、チャンバー内にル
ツボを回転自在に支持して該ルツボ内にシリコン原料を
装填し、該ルツボ外周に設けられたヒータにより加熱し
、該ヒータ外周に設けられた保温筒で保温しながら上記
ルツボ内のシリコン原料を溶融し、シリコン融液に上方
から回転自在に吊下された種結晶を浸してこれを引上げ
ることによりシリコン単結晶を引上げる装置において、
上記保温筒の少なくとも内周面に、カーボン繊維をワイ
ンディングしたカーボン複合材からなる円筒体を密着さ
せて設置したことを特徴とするものである。
ツボを回転自在に支持して該ルツボ内にシリコン原料を
装填し、該ルツボ外周に設けられたヒータにより加熱し
、該ヒータ外周に設けられた保温筒で保温しながら上記
ルツボ内のシリコン原料を溶融し、シリコン融液に上方
から回転自在に吊下された種結晶を浸してこれを引上げ
ることによりシリコン単結晶を引上げる装置において、
上記保温筒の少なくとも内周面に、カーボン繊維をワイ
ンディングしたカーボン複合材からなる円筒体を密着さ
せて設置したことを特徴とするものである。
本発明において、保温筒に密着して設置される円筒体を
構成するカーボン複合材は、カーボン繊維を円筒状にワ
インディングし、樹脂を含浸した後、焼成することによ
り製造される。
構成するカーボン複合材は、カーボン繊維を円筒状にワ
インディングし、樹脂を含浸した後、焼成することによ
り製造される。
なお、保温筒の内周面だけでなく、他の露出した部分も
カーボン複合材で覆ってもよい。
カーボン複合材で覆ってもよい。
上述したようなシリコン単結晶引上装置によれば、保温
筒に密着して設置される円筒体自体は薄くかつ軽量であ
るにもかかわらず機械的強度が高く、その表面からカー
ボン繊維が脱落することはない。そして、この円筒体は
保温筒の表面からカーボン繊維の小片が脱落するのを防
止する作用を有する。したがって、カーボン繊維の小片
がシリコン融液に落下することもなく、シリコン単結晶
中の炭素濃度を減少させて結晶欠陥を減少させることが
できる。
筒に密着して設置される円筒体自体は薄くかつ軽量であ
るにもかかわらず機械的強度が高く、その表面からカー
ボン繊維が脱落することはない。そして、この円筒体は
保温筒の表面からカーボン繊維の小片が脱落するのを防
止する作用を有する。したがって、カーボン繊維の小片
がシリコン融液に落下することもなく、シリコン単結晶
中の炭素濃度を減少させて結晶欠陥を減少させることが
できる。
以下、本発明の実施例を第１図を参照して説明する。
第１図において、チャンバ−１上部にはプルチャンバー
２が設けられている。チャンバー１の下部開口からは回
転軸３が挿入され、この回転軸３上端にはカーボン製の
保護体４が固定され、内部の石英ガラス製のルツボ５を
保護している。上記保護体４の外周には円筒状のカーボ
ンヒータ６が設けられ、チャンバ−１下部から挿入され
た電極７．７に接続されている。また、カーボンヒータ
−６外周には保温筒８が設けられ、その内周面にはカー
ボン繊維をワインディングしたカーボン複合材からなる
円筒体９が密着して設けられている。
２が設けられている。チャンバー１の下部開口からは回
転軸３が挿入され、この回転軸３上端にはカーボン製の
保護体４が固定され、内部の石英ガラス製のルツボ５を
保護している。上記保護体４の外周には円筒状のカーボ
ンヒータ６が設けられ、チャンバ−１下部から挿入され
た電極７．７に接続されている。また、カーボンヒータ
−６外周には保温筒８が設けられ、その内周面にはカー
ボン繊維をワインディングしたカーボン複合材からなる
円筒体９が密着して設けられている。
このシリコン単結晶引上装置を用い、以下のようにして
シリコン単結晶インゴットの引上げが行なわれる。すな
わち、ルツボ５内に多結晶シリコン原料が装填され、カ
ーボンヒーター６に通電することによりルツボ５内の原
料を溶融し、シリコン融液ｌＯに、プルチャンバー２上
方から吊下された引上軸１１下端のシードチャック１２
に取付けられた種結晶１３を浸し、これを引上げること
によりシリコン単結晶インゴット１４を引上げる。
シリコン単結晶インゴットの引上げが行なわれる。すな
わち、ルツボ５内に多結晶シリコン原料が装填され、カ
ーボンヒーター６に通電することによりルツボ５内の原
料を溶融し、シリコン融液ｌＯに、プルチャンバー２上
方から吊下された引上軸１１下端のシードチャック１２
に取付けられた種結晶１３を浸し、これを引上げること
によりシリコン単結晶インゴット１４を引上げる。
このようなシリコン単結晶引上装置によれば、保温筒８
に密着して設置される円筒体９自体は機械的強度が高く
、またその表面からカーボン繊維が脱落することはない
。そして、この円筒体９は保温筒８の表面からカーボン
繊維の小片が脱落するのを防止するので、カーボン繊維
の小片がシリコン融液に落下することもない。しかも、
この円筒体は薄く、純化処理が容易で高純度が得られや
すい。したがって、シリコン単結晶１４中の炭素濃度を
減少させて結晶欠陥を減少させることができる。
に密着して設置される円筒体９自体は機械的強度が高く
、またその表面からカーボン繊維が脱落することはない
。そして、この円筒体９は保温筒８の表面からカーボン
繊維の小片が脱落するのを防止するので、カーボン繊維
の小片がシリコン融液に落下することもない。しかも、
この円筒体は薄く、純化処理が容易で高純度が得られや
すい。したがって、シリコン単結晶１４中の炭素濃度を
減少させて結晶欠陥を減少させることができる。
以上詳述したように本発明のシリコン単結晶引上装置に
よれば、シリコン単結晶中の炭素濃度の増加を防止し、
結晶欠陥を減少させることができるシリコン単結晶引上
装置を提供できるものである。
よれば、シリコン単結晶中の炭素濃度の増加を防止し、
結晶欠陥を減少させることができるシリコン単結晶引上
装置を提供できるものである。
第１図は本発明の実施例におけるシリコン単結晶引上装
置の断面図である。 ｌ・・・チャンバー、２・・・プルチャンバー、３・・
・回転軸、４・・・保護体、５・・・ルツボ、６・・・
カーボンヒータ、７・・・電極、８・・・保温筒、９・
・・円筒体、１０・・・シリコン融液、１１・・・引上
軸、１２・・・シードチャック、１３・・・種結晶、１
４・・・シリコン単結晶インゴット。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図
置の断面図である。 ｌ・・・チャンバー、２・・・プルチャンバー、３・・
・回転軸、４・・・保護体、５・・・ルツボ、６・・・
カーボンヒータ、７・・・電極、８・・・保温筒、９・
・・円筒体、１０・・・シリコン融液、１１・・・引上
軸、１２・・・シードチャック、１３・・・種結晶、１
４・・・シリコン単結晶インゴット。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図
Claims (1)
- チャンバー内にルツボを回転自在に支持して該ルツボ内
にシリコン原料を装填し、該ルツボ外周に設けられたヒ
ータにより加熱し、該ヒータ外周に設けられた保温筒で
保温しながら上記ルツボ内のシリコン原料を溶融し、シ
リコン融液に上方から回転自在に吊下された種結晶を浸
してこれを引上げることによりシリコン単結晶を引上げ
る装置において、上記保温筒の少なくとも内周面に、カ
ーボン繊維をワインディングしたカーボン複合材からな
る円筒体を密着させて設置したことを特徴とするシリコ
ン単結晶引上装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61315581A JPH0751474B2 (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | シリコン単結晶引上装置 |
| DE19873743952 DE3743952A1 (de) | 1986-12-26 | 1987-12-23 | Einrichtung zum ziehen von siliziumeinkristallen mit einem waermeisolierzylinder und verfahren zur herstellung des materials desselben |
| KR1019870015147A KR910009131B1 (ko) | 1986-12-26 | 1987-12-26 | 실리콘 단결정 성장(Pull-up)장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61315581A JPH0751474B2 (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | シリコン単結晶引上装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63166792A true JPS63166792A (ja) | 1988-07-09 |
| JPH0751474B2 JPH0751474B2 (ja) | 1995-06-05 |
Family
ID=18067072
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61315581A Expired - Lifetime JPH0751474B2 (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | シリコン単結晶引上装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0751474B2 (ja) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4851973A (ja) * | 1971-11-02 | 1973-07-21 | ||
| JPS58104096A (ja) * | 1981-10-23 | 1983-06-21 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 単結晶シリコン引上装置 |
| JPS5930792A (ja) * | 1982-08-10 | 1984-02-18 | Toshiba Corp | 単結晶育成装置 |
| JPS59190293A (ja) * | 1983-04-11 | 1984-10-29 | Tohoku Metal Ind Ltd | 単結晶育成装置 |
| JPS59190298A (ja) * | 1983-04-12 | 1984-10-29 | Toshiba Corp | 半導体単結晶の製造装置 |
| JPS61132597A (ja) * | 1984-11-28 | 1986-06-20 | Toshiba Corp | 化合物半導体単結晶の製造装置 |
-
1986
- 1986-12-26 JP JP61315581A patent/JPH0751474B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4851973A (ja) * | 1971-11-02 | 1973-07-21 | ||
| JPS58104096A (ja) * | 1981-10-23 | 1983-06-21 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 単結晶シリコン引上装置 |
| JPS5930792A (ja) * | 1982-08-10 | 1984-02-18 | Toshiba Corp | 単結晶育成装置 |
| JPS59190293A (ja) * | 1983-04-11 | 1984-10-29 | Tohoku Metal Ind Ltd | 単結晶育成装置 |
| JPS59190298A (ja) * | 1983-04-12 | 1984-10-29 | Toshiba Corp | 半導体単結晶の製造装置 |
| JPS61132597A (ja) * | 1984-11-28 | 1986-06-20 | Toshiba Corp | 化合物半導体単結晶の製造装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0751474B2 (ja) | 1995-06-05 |
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