JP3101219B2 - シリコン単結晶引上げ装置の分割した保温筒 - Google Patents
シリコン単結晶引上げ装置の分割した保温筒Info
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- JP3101219B2 JP3101219B2 JP08353295A JP35329596A JP3101219B2 JP 3101219 B2 JP3101219 B2 JP 3101219B2 JP 08353295 A JP08353295 A JP 08353295A JP 35329596 A JP35329596 A JP 35329596A JP 3101219 B2 JP3101219 B2 JP 3101219B2
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Description
わり、特にその部品である保温筒に関する。
シリコンウエハーはシリコン単結晶から切出し加工によ
り製造される。シリコン単結晶引き上げ装置は、主にチ
ョクラルスキー法(CZ法)が用いられている。このC
Z法は原理的には、チャンバー内にルツボを回転自在に
支持し、このルツボ内でシリコン原料を溶融し、シリコ
ン融液に上方から回転自在に吊り下げされた種結晶を浸
してこれを引き上げることにより、シリコン単結晶イン
ゴットを引き上げるものである。
の保護体の外周に設けられた円筒状のカーボンヒーター
によって加熱され、カーボンヒーター外周に設けられた
保温筒によって保温された状態で溶融される。
鉛材が炭素繊維断熱材のインナーシールドとして用いら
れ、最近は炭素繊維強化炭素(以下C/C)も利用され
てきている。
コン単結晶引上げ装置内において、温度とガス流の影響
により、局部的にSiC化消耗、Si蒸着による消耗な
どの化学消耗が発生しやすい。
あつてもその機能が維持できなくなりライフエンドとな
る。C/C材は高温、高強度のすぐれた材料だが、高価
なため、局部的な消耗により取り換えることは、コスト
高となる。
ーター外周にカーボン繊維を円筒状にワインディングし
たカーボン複合材からなる保温筒を複数設置したシリコ
ン単結晶引上げ装置が開示されている。
け、ヒーターに近い消耗した保温筒のみを交換すること
が記載されている。しかし保温筒の局部的な消耗の現象
は高さ方向にて分布がみられるので、上記のような交換
方法はなおコスト低減の課題を有する。
は、シリコン単結晶引上げ装置において、C/C製保温
筒を得率よく、より低コスト化できるよう構成した装置
を提供する。
が提供するのは、CZ法によるシリコン単結晶を引き上
げる装置において、ヒーター外周に設けられる保温筒の
内周材を上下方向に複数個に分割した炭素繊維強化炭素
材で構成し、消耗箇所の内周部を部分的に交換できるよ
うに構成したことを特徴とするシリコン単結晶引き上げ
装置の分割した保温筒である。
シリコン単結晶引上げ装置は、チャンバー内にルツボを
回転自在に支持して該ルツボ内にシリコン原料を装填
し、該ルツボ外周に設けられたヒーターにより加熱し、
該ヒーター外周に設けられた保温筒で保温しながら上記
ルツボ内のシリコン原料を溶融し、シリコン融液に上方
から回転自在に吊り下げされた種結晶を浸して、これを
引き上げることによりシリコン単結晶を引き上げる。
について、外周部の断熱材は通常、炭素繊維断熱材で構
成されるが、本発明では、特に内周部を上下方向に複数
個に分割したC/C材を挿入した構成を特徴とする。
置内において、温度とガス流の影響により、局部的にS
iC化消耗、あるいはSi蒸着等の化学消耗が発生する
現象につき、特に保温筒の高さ方向に分布が見られるこ
とに着眼した。
方向で消耗の著しい部位のみ取り換え可能に構成した。
に2分割〜4分割に構成することが適当である。
宜選択可能にしておく。肉厚が厚い場合は、インロー継
ぎによる構造が好ましく、肉厚が薄い場合は、分割部に
黒鉛材またはC/C材のリングを挿入し、リングを介し
て積み上げることが適当である。
用装置においてC/C製保温筒の内周部を化学消耗の発
生に応じて局部的に交換できる。従って製造得率が良く
低コスト化につながる。製品の原単位で削減効果をみる
と、n分割品の場合、原単位(C/C製保温筒価格/シ
リコン単位重量)が(1−1/n)×100%)削減可
能となる。
様である。
様である。
施態様である。
Claims (1)
- 【請求項1】CZ法によるシリコン単結晶を引き上げる
装置において、ヒーター外周に設けられる保温筒の内周
材を上下方向に複数個に分割した炭素繊維強化炭素材で
構成し、消耗箇所の内周部を部分的に交換できるように
構成したことを特徴とするシリコン単結晶引上げ装置の
分割した保温筒。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP08353295A JP3101219B2 (ja) | 1996-12-17 | 1996-12-17 | シリコン単結晶引上げ装置の分割した保温筒 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP08353295A JP3101219B2 (ja) | 1996-12-17 | 1996-12-17 | シリコン単結晶引上げ装置の分割した保温筒 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10167890A JPH10167890A (ja) | 1998-06-23 |
JP3101219B2 true JP3101219B2 (ja) | 2000-10-23 |
Family
ID=18429877
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP08353295A Expired - Fee Related JP3101219B2 (ja) | 1996-12-17 | 1996-12-17 | シリコン単結晶引上げ装置の分割した保温筒 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3101219B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002036861A1 (fr) * | 2000-10-31 | 2002-05-10 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Appareil et procede de production de monocristal semi-conducteur de silicium |
KR20030037054A (ko) * | 2001-11-02 | 2003-05-12 | 주식회사 실트론 | 실리콘 단결정 잉곳 성장 장치 |
CN109306512B (zh) * | 2018-11-27 | 2024-03-15 | 上海骐杰碳素材料有限公司 | 一种固化保温筒 |
-
1996
- 1996-12-17 JP JP08353295A patent/JP3101219B2/ja not_active Expired - Fee Related
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---|---|
JPH10167890A (ja) | 1998-06-23 |
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