JP3101219B2 - シリコン単結晶引上げ装置の分割した保温筒 - Google Patents
シリコン単結晶引上げ装置の分割した保温筒Info
- Publication number
- JP3101219B2 JP3101219B2 JP08353295A JP35329596A JP3101219B2 JP 3101219 B2 JP3101219 B2 JP 3101219B2 JP 08353295 A JP08353295 A JP 08353295A JP 35329596 A JP35329596 A JP 35329596A JP 3101219 B2 JP3101219 B2 JP 3101219B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- silicon single
- crystal pulling
- cylinder
- pulling device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【０００１】
【技術分野】本発明はシリコン単結晶引上げ装置にかか
わり、特にその部品である保温筒に関する。
わり、特にその部品である保温筒に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの基盤として用いられる
シリコンウエハーはシリコン単結晶から切出し加工によ
り製造される。シリコン単結晶引き上げ装置は、主にチ
ョクラルスキー法（ＣＺ法）が用いられている。このＣ
Ｚ法は原理的には、チャンバー内にルツボを回転自在に
支持し、このルツボ内でシリコン原料を溶融し、シリコ
ン融液に上方から回転自在に吊り下げされた種結晶を浸
してこれを引き上げることにより、シリコン単結晶イン
ゴットを引き上げるものである。
シリコンウエハーはシリコン単結晶から切出し加工によ
り製造される。シリコン単結晶引き上げ装置は、主にチ
ョクラルスキー法（ＣＺ法）が用いられている。このＣ
Ｚ法は原理的には、チャンバー内にルツボを回転自在に
支持し、このルツボ内でシリコン原料を溶融し、シリコ
ン融液に上方から回転自在に吊り下げされた種結晶を浸
してこれを引き上げることにより、シリコン単結晶イン
ゴットを引き上げるものである。
【０００３】この際、ルツボ内のシリコン原料はルツボ
の保護体の外周に設けられた円筒状のカーボンヒーター
によって加熱され、カーボンヒーター外周に設けられた
保温筒によって保温された状態で溶融される。
の保護体の外周に設けられた円筒状のカーボンヒーター
によって加熱され、カーボンヒーター外周に設けられた
保温筒によって保温された状態で溶融される。
【０００４】この保温筒の内周材料として、従来より黒
鉛材が炭素繊維断熱材のインナーシールドとして用いら
れ、最近は炭素繊維強化炭素（以下Ｃ／Ｃ）も利用され
てきている。
鉛材が炭素繊維断熱材のインナーシールドとして用いら
れ、最近は炭素繊維強化炭素（以下Ｃ／Ｃ）も利用され
てきている。
【０００５】しかしながら，このＣ／Ｃ製保温筒はシリ
コン単結晶引上げ装置内において、温度とガス流の影響
により、局部的にＳｉＣ化消耗、Ｓｉ蒸着による消耗な
どの化学消耗が発生しやすい。
コン単結晶引上げ装置内において、温度とガス流の影響
により、局部的にＳｉＣ化消耗、Ｓｉ蒸着による消耗な
どの化学消耗が発生しやすい。
【０００６】この時、Ｃ／Ｃ製保温筒は局部的な消耗で
あつてもその機能が維持できなくなりライフエンドとな
る。Ｃ／Ｃ材は高温、高強度のすぐれた材料だが、高価
なため、局部的な消耗により取り換えることは、コスト
高となる。
あつてもその機能が維持できなくなりライフエンドとな
る。Ｃ／Ｃ材は高温、高強度のすぐれた材料だが、高価
なため、局部的な消耗により取り換えることは、コスト
高となる。
【０００７】例えば特開昭６３−１６６７９５号にはヒ
ーター外周にカーボン繊維を円筒状にワインディングし
たカーボン複合材からなる保温筒を複数設置したシリコ
ン単結晶引上げ装置が開示されている。
ーター外周にカーボン繊維を円筒状にワインディングし
たカーボン複合材からなる保温筒を複数設置したシリコ
ン単結晶引上げ装置が開示されている。
【０００８】この装置においては、保温筒を複数層設
け、ヒーターに近い消耗した保温筒のみを交換すること
が記載されている。しかし保温筒の局部的な消耗の現象
は高さ方向にて分布がみられるので、上記のような交換
方法はなおコスト低減の課題を有する。
け、ヒーターに近い消耗した保温筒のみを交換すること
が記載されている。しかし保温筒の局部的な消耗の現象
は高さ方向にて分布がみられるので、上記のような交換
方法はなおコスト低減の課題を有する。
【０００９】
【発明の課題】以上のような問題点に鑑み、本発明者ら
は、シリコン単結晶引上げ装置において、Ｃ／Ｃ製保温
筒を得率よく、より低コスト化できるよう構成した装置
を提供する。
は、シリコン単結晶引上げ装置において、Ｃ／Ｃ製保温
筒を得率よく、より低コスト化できるよう構成した装置
を提供する。
【００１０】
【課題解決の手段】上記の課題を解決するため本発明者
が提供するのは、ＣＺ法によるシリコン単結晶を引き上
げる装置において、ヒーター外周に設けられる保温筒の
内周材を上下方向に複数個に分割した炭素繊維強化炭素
材で構成し、消耗箇所の内周部を部分的に交換できるよ
うに構成したことを特徴とするシリコン単結晶引き上げ
装置の分割した保温筒である。
が提供するのは、ＣＺ法によるシリコン単結晶を引き上
げる装置において、ヒーター外周に設けられる保温筒の
内周材を上下方向に複数個に分割した炭素繊維強化炭素
材で構成し、消耗箇所の内周部を部分的に交換できるよ
うに構成したことを特徴とするシリコン単結晶引き上げ
装置の分割した保温筒である。
【００１１】以下に本発明を詳細に説明する。本発明の
シリコン単結晶引上げ装置は、チャンバー内にルツボを
回転自在に支持して該ルツボ内にシリコン原料を装填
し、該ルツボ外周に設けられたヒーターにより加熱し、
該ヒーター外周に設けられた保温筒で保温しながら上記
ルツボ内のシリコン原料を溶融し、シリコン融液に上方
から回転自在に吊り下げされた種結晶を浸して、これを
引き上げることによりシリコン単結晶を引き上げる。
シリコン単結晶引上げ装置は、チャンバー内にルツボを
回転自在に支持して該ルツボ内にシリコン原料を装填
し、該ルツボ外周に設けられたヒーターにより加熱し、
該ヒーター外周に設けられた保温筒で保温しながら上記
ルツボ内のシリコン原料を溶融し、シリコン融液に上方
から回転自在に吊り下げされた種結晶を浸して、これを
引き上げることによりシリコン単結晶を引き上げる。
【００１２】上記のヒーターの外周に設けられた保温筒
について、外周部の断熱材は通常、炭素繊維断熱材で構
成されるが、本発明では、特に内周部を上下方向に複数
個に分割したＣ／Ｃ材を挿入した構成を特徴とする。
について、外周部の断熱材は通常、炭素繊維断熱材で構
成されるが、本発明では、特に内周部を上下方向に複数
個に分割したＣ／Ｃ材を挿入した構成を特徴とする。
【００１３】本発明においては、シリコン単結晶引上装
置内において、温度とガス流の影響により、局部的にＳ
ｉＣ化消耗、あるいはＳｉ蒸着等の化学消耗が発生する
現象につき、特に保温筒の高さ方向に分布が見られるこ
とに着眼した。
置内において、温度とガス流の影響により、局部的にＳ
ｉＣ化消耗、あるいはＳｉ蒸着等の化学消耗が発生する
現象につき、特に保温筒の高さ方向に分布が見られるこ
とに着眼した。
【００１４】そこで、消耗の発生の程度に応じて、上下
方向で消耗の著しい部位のみ取り換え可能に構成した。
方向で消耗の著しい部位のみ取り換え可能に構成した。
【００１５】本発明のＣ／Ｃ製保温筒内周部は上下方向
に２分割〜４分割に構成することが適当である。
に２分割〜４分割に構成することが適当である。
【００１６】分割面の構造はＣ／Ｃ材の肉厚等により適
宜選択可能にしておく。肉厚が厚い場合は、インロー継
ぎによる構造が好ましく、肉厚が薄い場合は、分割部に
黒鉛材またはＣ／Ｃ材のリングを挿入し、リングを介し
て積み上げることが適当である。
宜選択可能にしておく。肉厚が厚い場合は、インロー継
ぎによる構造が好ましく、肉厚が薄い場合は、分割部に
黒鉛材またはＣ／Ｃ材のリングを挿入し、リングを介し
て積み上げることが適当である。
【００１７】
【発明の効果】本発明によると、シリコン単結晶引上げ
用装置においてＣ／Ｃ製保温筒の内周部を化学消耗の発
生に応じて局部的に交換できる。従って製造得率が良く
低コスト化につながる。製品の原単位で削減効果をみる
と、ｎ分割品の場合、原単位（Ｃ／Ｃ製保温筒価格／シ
リコン単位重量）が（１−１／ｎ）×１００％）削減可
能となる。
用装置においてＣ／Ｃ製保温筒の内周部を化学消耗の発
生に応じて局部的に交換できる。従って製造得率が良く
低コスト化につながる。製品の原単位で削減効果をみる
と、ｎ分割品の場合、原単位（Ｃ／Ｃ製保温筒価格／シ
リコン単位重量）が（１−１／ｎ）×１００％）削減可
能となる。
【図１】 本発明の３分割のＣ／Ｃ製保温筒の一実施態
様である。
様である。
【図２】 本発明の４分割のＣ／Ｃ製保温筒の一実施態
様である。
様である。
【図３】 本発明の２分割の薄肉Ｃ／Ｃ製保温筒の一実
施態様である。
施態様である。
【符号の説明】 繊維断熱材 Ｃ／Ｃ製保温筒内周部
Claims (1)
- 【請求項１】ＣＺ法によるシリコン単結晶を引き上げる
装置において、ヒーター外周に設けられる保温筒の内周
材を上下方向に複数個に分割した炭素繊維強化炭素材で
構成し、消耗箇所の内周部を部分的に交換できるように
構成したことを特徴とするシリコン単結晶引上げ装置の
分割した保温筒。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08353295A JP3101219B2 (ja) | 1996-12-17 | 1996-12-17 | シリコン単結晶引上げ装置の分割した保温筒 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08353295A JP3101219B2 (ja) | 1996-12-17 | 1996-12-17 | シリコン単結晶引上げ装置の分割した保温筒 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10167890A JPH10167890A (ja) | 1998-06-23 |
| JP3101219B2 true JP3101219B2 (ja) | 2000-10-23 |
Family
ID=18429877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08353295A Expired - Fee Related JP3101219B2 (ja) | 1996-12-17 | 1996-12-17 | シリコン単結晶引上げ装置の分割した保温筒 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3101219B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3849639B2 (ja) * | 2000-10-31 | 2006-11-22 | 信越半導体株式会社 | シリコン半導体単結晶の製造装置及び製造方法 |
| KR20030037054A (ko) * | 2001-11-02 | 2003-05-12 | 주식회사 실트론 | 실리콘 단결정 잉곳 성장 장치 |
| CN109306512B (zh) * | 2018-11-27 | 2024-03-15 | 上海骐杰碳素材料有限公司 | 一种固化保温筒 |
-
1996
- 1996-12-17 JP JP08353295A patent/JP3101219B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10167890A (ja) | 1998-06-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9217208B2 (en) | Apparatus for producing single crystal | |
| CN110983429A (zh) | 单晶炉及单晶硅制备方法 | |
| US5196173A (en) | Apparatus for process for growing crystals of semiconductor materials | |
| US5827367A (en) | Apparatus for improving mechanical strength of the neck section of czochralski silicon crystal | |
| US5961715A (en) | Method for pulling a single crystal | |
| JP3101219B2 (ja) | シリコン単結晶引上げ装置の分割した保温筒 | |
| JP5392040B2 (ja) | 単結晶製造装置及び単結晶製造方法 | |
| JP3587155B2 (ja) | 結晶成長装置 | |
| JP3220542B2 (ja) | 半導体単結晶棒製造装置 | |
| JP2000044381A (ja) | 黒鉛坩堝 | |
| JP3203341B2 (ja) | 半導体単結晶棒製造装置 | |
| US20050126473A1 (en) | Device for pulling monocrystals | |
| JP5776587B2 (ja) | 単結晶製造方法 | |
| JP4874888B2 (ja) | シリコン単結晶引上用石英ガラスルツボおよびその製造方法 | |
| JP2000247780A (ja) | 単結晶引き上げ装置 | |
| JP2003165791A (ja) | シリコン単結晶製造方法及び装置 | |
| US20210071313A1 (en) | Crystal growth apparatus | |
| JPH09183690A (ja) | 熱遮蔽体及びその脱着用治具 | |
| JPH11292685A (ja) | シリコンナイトライド被覆により単結晶シリコン成長用のグラファイトサセプタの寿命を延長するための装置および方法 | |
| JPS63166795A (ja) | シリコン単結晶引上装置 | |
| JP2002265297A (ja) | シリコン単結晶引き上げ装置用断熱材および使用方法 | |
| JPS63285187A (ja) | シリコン単結晶引上装置 | |
| JPS63166793A (ja) | シリコン単結晶引上装置 | |
| JPH09315881A (ja) | 半導体結晶の製造方法 | |
| KR20120050675A (ko) | 잉곳 성장장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20000808 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080818 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080818 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090818 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100818 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100818 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110818 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120818 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120818 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130818 Year of fee payment: 13 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |