JPS58104096A - 単結晶シリコン引上装置 - Google Patents
単結晶シリコン引上装置Info
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- JPS58104096A JPS58104096A JP16969981A JP16969981A JPS58104096A JP S58104096 A JPS58104096 A JP S58104096A JP 16969981 A JP16969981 A JP 16969981A JP 16969981 A JP16969981 A JP 16969981A JP S58104096 A JPS58104096 A JP S58104096A
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- Japan
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- silicon
- single crystal
- sintered body
- heat
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/14—Heating of the melt or the crystallised materials
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は単結晶シリコン引上装置の改良に関する。
半導体素子又は集積回路用単結晶シリコンは主にチ、：
Ｉツルスキー法（Ｃ２法）Ｋよって製造されている。こ
の方法は第１図に示す単結晶シリコン引上装置を用いて
行われるものである。
Ｉツルスキー法（Ｃ２法）Ｋよって製造されている。こ
の方法は第１図に示す単結晶シリコン引上装置を用いて
行われるものである。
以下、単結晶引上装置を第１図を参照して説明する。
図中１は上部と下部が開口したチャンバーである。この
チャンバーＪ内には石英ガラス製ルツ１２が載置され、
かつ峡ルッＭ２の外周面は黒鉛製保躾体３によって包囲
されている。この保映体３の底面には前記チキンパー１
の下部開口から挿入され九回転自在な支持棒４が連結さ
れている。また、前記保嚢体３の外周にＦｉ神声状７ヒ
ーター５及び筒状の保温ｆ＠ｉ 、 ｙが一次配設され
ている。さらに、チャンバー１の上部開口からは下端に
拗結晶＃を保持し友引上軸９が回転可能に吊下されてい
る。
チャンバーＪ内には石英ガラス製ルツ１２が載置され、
かつ峡ルッＭ２の外周面は黒鉛製保躾体３によって包囲
されている。この保映体３の底面には前記チキンパー１
の下部開口から挿入され九回転自在な支持棒４が連結さ
れている。また、前記保嚢体３の外周にＦｉ神声状７ヒ
ーター５及び筒状の保温ｆ＠ｉ 、 ｙが一次配設され
ている。さらに、チャンバー１の上部開口からは下端に
拗結晶＃を保持し友引上軸９が回転可能に吊下されてい
る。
上述した単結１シリコン引上装置を用い九チ習コラルス
キー法による単結晶シリコンの引上げは、ルツが２にシ
リコン原料を入れ、ヒーター５によりシリコン原料を溶
融させ、保温筒６゜１で保温しながら溶融シリコン１０
に引上軸９下端の種結晶１ｔ−浸し、引上軸＃を引上け
ることにより行う。
キー法による単結晶シリコンの引上げは、ルツが２にシ
リコン原料を入れ、ヒーター５によりシリコン原料を溶
融させ、保温筒６゜１で保温しながら溶融シリコン１０
に引上軸９下端の種結晶１ｔ−浸し、引上軸＃を引上け
ることにより行う。
ところで、従来の引上装置に用いられる保温筒はカーが
ンで形成されている。しかしながら、保温ｔ＃Ｊヲカー
ーンで形成し九場合、以下の如き欠点があった。
ンで形成されている。しかしながら、保温ｔ＃Ｊヲカー
ーンで形成し九場合、以下の如き欠点があった。
中 単結晶シリコン引上装置内では、溶融シリコンと石
英ガラス製ルツＩが下記（１）式のように反応して８１
０ガスが発生し、この８１０ガスとカーがン製保温筒が
下記（２）式のように反応してＣＯガスが生成する。
英ガラス製ルツＩが下記（１）式のように反応して８１
０ガスが発生し、この８１０ガスとカーがン製保温筒が
下記（２）式のように反応してＣＯガスが生成する。
ｓｉ＋ ｓｔｏ → ２８１０ ・
・・（１）ｓｔｏ＋ｚｃ −＋ ｓｔｃ十ｃｏ’
・・・（２）生成し九ＣＯガスは溶融シーＪ′
、、ｉ？Ｎンに取シ込まれ、単結晶シリコン中の炭素濃
度及び酸素濃度を高くする。シリコン中の炭素及び酸素
社電気的に活性であるため、単結晶シリコン中の炭素濃
度及び酸素濃度が高いと製造される半導体装置の特性を
悪化させる。
・・（１）ｓｔｏ＋ｚｃ −＋ ｓｔｃ十ｃｏ’
・・・（２）生成し九ＣＯガスは溶融シーＪ′
、、ｉ？Ｎンに取シ込まれ、単結晶シリコン中の炭素濃
度及び酸素濃度を高くする。シリコン中の炭素及び酸素
社電気的に活性であるため、単結晶シリコン中の炭素濃
度及び酸素濃度が高いと製造される半導体装置の特性を
悪化させる。
（ｉｉ）−カーーンは一般に雰囲気ガスを自由に吸脱着
できる開気孔、自由に＠、脱着できない閉気孔及び両者
の中間的な気孔を有するが、空気中に放置することＫよ
シ閉気孔及び開気孔と閉気孔の中間的な気孔にも空気岬
が充満するｅ開気孔中のガスは装置の昇温初期に放出さ
れるが、開気孔と閉気孔の中間的な気孔中のガスは昇温
とと４に徐々に放出され、単結晶シリコン引上は操作中
にも放出される。仁０ＷＩＡ放出されるガスは空気と高
温のカー？ンとの反応によル生成したＣＯガスが主であ
る。このＣＯガスにより上記（１）でも述べ九如く、製
造される半導体装置０％性が悪化する。 ・ 本発明は上記長点を解消するためになされ九□ ものてあり、保温筒を珪素化合物で形成することによシ
、単結晶シリコン中の炭素濃度及び酸素濃度を低下し得
る単結晶シリコン引上装置を提供しようとする本のであ
る。
できる開気孔、自由に＠、脱着できない閉気孔及び両者
の中間的な気孔を有するが、空気中に放置することＫよ
シ閉気孔及び開気孔と閉気孔の中間的な気孔にも空気岬
が充満するｅ開気孔中のガスは装置の昇温初期に放出さ
れるが、開気孔と閉気孔の中間的な気孔中のガスは昇温
とと４に徐々に放出され、単結晶シリコン引上は操作中
にも放出される。仁０ＷＩＡ放出されるガスは空気と高
温のカー？ンとの反応によル生成したＣＯガスが主であ
る。このＣＯガスにより上記（１）でも述べ九如く、製
造される半導体装置０％性が悪化する。 ・ 本発明は上記長点を解消するためになされ九□ ものてあり、保温筒を珪素化合物で形成することによシ
、単結晶シリコン中の炭素濃度及び酸素濃度を低下し得
る単結晶シリコン引上装置を提供しようとする本のであ
る。
以下、本発明の一実施例を図を参照して説明する。
既述した第１図図示の単結晶シリコン引上装置と同様の
構造を有し、保温筒６，１が一化珪素焼結体で形成され
ている。
構造を有し、保温筒６，１が一化珪素焼結体で形成され
ている。
上述した構造の単結晶シリコン引上装置を用いて単結晶
シリコンを製造するには石英ガラス製ルツゴ２にシリコ
ン原料を入れ、ヒーター５に工り加熱してシリコン原料
を溶融させ、窒化珪素焼結体で形成された保温筒６，１
で保温しながら、溶融シリコン１０に引上軸＃１端の種
結晶８ｔ−浸し、引上軸＃を引上げて行う。
シリコンを製造するには石英ガラス製ルツゴ２にシリコ
ン原料を入れ、ヒーター５に工り加熱してシリコン原料
を溶融させ、窒化珪素焼結体で形成された保温筒６，１
で保温しながら、溶融シリコン１０に引上軸＃１端の種
結晶８ｔ−浸し、引上軸＃を引上げて行う。
しかして上記構成によれは、保温筒を窒化珪素焼結体で
形成したことによシ、溶融シリコンと石英ガラスＩｉ！
羨ツがとの反応によシ発生した８１０ガスと保温筒とが
反応しない丸めＣＯガスが生成しない、壕九、窒化珪素
焼結体はカーｌンと異なり開気孔と閉気孔の中間的な気
孔會は゛とんど含まず、単結晶シリコン原料げ操作中に
ＣＯガスが放出されることはほとんどないφこのため、
単結晶シリコン中の縦索濃度及び酸素濃度が低下した。
形成したことによシ、溶融シリコンと石英ガラスＩｉ！
羨ツがとの反応によシ発生した８１０ガスと保温筒とが
反応しない丸めＣＯガスが生成しない、壕九、窒化珪素
焼結体はカーｌンと異なり開気孔と閉気孔の中間的な気
孔會は゛とんど含まず、単結晶シリコン原料げ操作中に
ＣＯガスが放出されることはほとんどないφこのため、
単結晶シリコン中の縦索濃度及び酸素濃度が低下した。
なお、保温筒は上記実施例の如く窒化珪素焼結体で形成
した屯のに限らず、窒化珪素焼結体の少なくとも表面の
一部に緻密質の窒化珪素膜を被覆したもの、炭化珪素焼
結体、又は炭化珪素焼結体の少なくとも表面の一部に緻
密質の炭化珪素＊を横機した屯ので形成して吃よい・窒
化珪素焼結体の少なくとも表面の一部に緻密質の窒化珪
素膜を被覆したものあるいは炭化珪素焼結体の少なくと
も表面の一部に緻密質の炭化珪素膜を機種したもので形
成した保温筒を用いれば、焼結体の表面に存−在する。
した屯のに限らず、窒化珪素焼結体の少なくとも表面の
一部に緻密質の窒化珪素膜を被覆したもの、炭化珪素焼
結体、又は炭化珪素焼結体の少なくとも表面の一部に緻
密質の炭化珪素＊を横機した屯ので形成して吃よい・窒
化珪素焼結体の少なくとも表面の一部に緻密質の窒化珪
素膜を被覆したものあるいは炭化珪素焼結体の少なくと
も表面の一部に緻密質の炭化珪素膜を機種したもので形
成した保温筒を用いれば、焼結体の表面に存−在する。
雰囲気ガス管自由に吸脱着できる開気孔がほとんどなく
なる丸め、雰囲鼻ガスの吸脱着が少なくな夛、単結晶シ
リコンの特性にとってより望ましい。
なる丸め、雰囲鼻ガスの吸脱着が少なくな夛、単結晶シ
リコンの特性にとってより望ましい。
事実、以下の実験例によりても単結晶シリコン中の炭素
１１１度及び酸素濃度が低下し、さらに消費電力本低減
することが確められ丸。
１１１度及び酸素濃度が低下し、さらに消費電力本低減
することが確められ丸。
実験例！
３２５φ以下に粉砕した９９．９９５’ｊ以下−ノシリ
コン粉末に３参４リビニルアルコール水溶液を５％添加
して混練し、造粒し、乾燥した後う゛パープレス法によ
）円筒状に成型し、窒化処理を行い窒化珪素焼結体製保
温筒を造った。窒化処理は、１４００℃までは毎時２０
０℃の率で昇温し、１４００℃に３時間保持することＫ
より有った。窒化珪素焼結体の特性は、見掛は比＊２．
４３ｇ／ｃ♂、気孔率１８−１曲げ強度１０００ｋｇ／
ＣＩＬ２、熱伝導率２．３ｋｃａｌ／ｍ、ｈｒ、℃テあ
っり、得られた保温筒を開いて単結晶シリコン引上げｔ
打い、引上けられた単結晶シリコンの特性を下記表に示
す、 ′ 実験例２ ′・ 実験例１と同様にして樽）た円筒状窪化珪素焼・山 給体’１１３５０℃のＣＶＤ反応装置内に載置し、３５
Ｔｏｒｒの減圧下で８１ＣＬ４ｔ−毎分０．６ ｅｅ
、アンモニアガスを毎分８０ ｅｃ ＳＨ２ガスを毎分
１５００ｅｃ導入し、表面に９０μｍの緻密質の窒化珪
素膜を被覆して保温筒を造った。得られた保温”筒を用
いて単結晶シリコン引上げを行い、引上げられた単結晶
シリコンの特性を下記表に示す。
コン粉末に３参４リビニルアルコール水溶液を５％添加
して混練し、造粒し、乾燥した後う゛パープレス法によ
）円筒状に成型し、窒化処理を行い窒化珪素焼結体製保
温筒を造った。窒化処理は、１４００℃までは毎時２０
０℃の率で昇温し、１４００℃に３時間保持することＫ
より有った。窒化珪素焼結体の特性は、見掛は比＊２．
４３ｇ／ｃ♂、気孔率１８−１曲げ強度１０００ｋｇ／
ＣＩＬ２、熱伝導率２．３ｋｃａｌ／ｍ、ｈｒ、℃テあ
っり、得られた保温筒を開いて単結晶シリコン引上げｔ
打い、引上けられた単結晶シリコンの特性を下記表に示
す、 ′ 実験例２ ′・ 実験例１と同様にして樽）た円筒状窪化珪素焼・山 給体’１１３５０℃のＣＶＤ反応装置内に載置し、３５
Ｔｏｒｒの減圧下で８１ＣＬ４ｔ−毎分０．６ ｅｅ
、アンモニアガスを毎分８０ ｅｃ ＳＨ２ガスを毎分
１５００ｅｃ導入し、表面に９０μｍの緻密質の窒化珪
素膜を被覆して保温筒を造った。得られた保温”筒を用
いて単結晶シリコン引上げを行い、引上げられた単結晶
シリコンの特性を下記表に示す。
実験例３ ・ 。
１８０φ８ＩＣ粉４０部、３２０φｓｔｃ粉４０部、２
００σφ８ＩＣ粉２０部の混合体に、２００す以下に微
粉砕した炭化珪素粉末（−１０部添加し、充分混合し、
アルコールで希釈した７！ノールレジン粘結剤をフェノ
ールジンとして７部添加し、混練し、造粒し死後ラバー
プレス法によシ円筒状に成形した。次に８１０．とＣの
混合粉末を１９５０℃に加熱した雰囲気下で３時間熱処
理を行い、炭化珪素□焼結体製保温筒を造りた。炭化珪
素焼結体の一特□性は、見掛は比重２．３０１１／ｘ”
気孔率２１１’曲げ強度８００にシー２、熱伝導率１２
、５ ｋｃａｌ／ｍ、ｂｔ、℃であった。得られた保温
筒を用いて単結晶シミコン引上げを行い、引上げられた
単結晶シリコンの特性を下記表に示す。
００σφ８ＩＣ粉２０部の混合体に、２００す以下に微
粉砕した炭化珪素粉末（−１０部添加し、充分混合し、
アルコールで希釈した７！ノールレジン粘結剤をフェノ
ールジンとして７部添加し、混練し、造粒し死後ラバー
プレス法によシ円筒状に成形した。次に８１０．とＣの
混合粉末を１９５０℃に加熱した雰囲気下で３時間熱処
理を行い、炭化珪素□焼結体製保温筒を造りた。炭化珪
素焼結体の一特□性は、見掛は比重２．３０１１／ｘ”
気孔率２１１’曲げ強度８００にシー２、熱伝導率１２
、５ ｋｃａｌ／ｍ、ｂｔ、℃であった。得られた保温
筒を用いて単結晶シミコン引上げを行い、引上げられた
単結晶シリコンの特性を下記表に示す。
実験例４
実験例３と同様にして得九円筒状脚化珪累焼鮎体ｔ−１
３５０℃のＣＶＤ反応装置内に載置し、３０ Ｔｏｒｒ
の減圧下でｃｕ、５ｉｃｚ、 ｙ毎分０．６Ｃｅｓ８２
、ガスを毎分１５００ ｅａＯ率で２６０分間導入し、
ｇ！面に８０μｍの緻密質の炭化珪素膜を被傍して保温
筒を造った。得られ九保温筒を用いて単結晶シリコン引
上げを行い、引上げられた単結晶シリコンの特性全下記
表に示す。
３５０℃のＣＶＤ反応装置内に載置し、３０ Ｔｏｒｒ
の減圧下でｃｕ、５ｉｃｚ、 ｙ毎分０．６Ｃｅｓ８２
、ガスを毎分１５００ ｅａＯ率で２６０分間導入し、
ｇ！面に８０μｍの緻密質の炭化珪素膜を被傍して保温
筒を造った。得られ九保温筒を用いて単結晶シリコン引
上げを行い、引上げられた単結晶シリコンの特性全下記
表に示す。
なお、比較のためにカーメン製保温筒を用いて単結晶シ
リコン引上げを行い、引上げられた単結晶シリコンの特
性を下記表に示す、この保温筒を形成するカーｌンの特
性は、見掛は比重１、６５ ｊｉ／ｃｌＬ５、気孔率２
５嗟、曲げ強度２５０ｋｇ／ｍ”、熱伝導率１５０ ｋ
＠ａｌ／ｍ、ｈｒ、ｃでありた。
リコン引上げを行い、引上げられた単結晶シリコンの特
性を下記表に示す、この保温筒を形成するカーｌンの特
性は、見掛は比重１、６５ ｊｉ／ｃｌＬ５、気孔率２
５嗟、曲げ強度２５０ｋｇ／ｍ”、熱伝導率１５０ ｋ
＠ａｌ／ｍ、ｈｒ、ｃでありた。
また、下記表にはカーｌン製保温簡を用いた場合の消費
電力量ｔ−１，００として、各実験例の消費電力比を同
時に示す。
電力量ｔ−１，００として、各実験例の消費電力比を同
時に示す。
−１←
上記表から明らかなように１実験例１〜４の珪素化合物
製保温筒を用いて単結晶シリ；ン引上げを行った場合、
従来のカーがン製保温筒を用いた場合と比較していずれ
の場合も単結晶シリコン中の炭素濃度及び酸素濃度が低
下することがわかる。これはカー−７裂保温筒には開気
孔と閉気孔の中間的な気孔が多く含まれ、単結晶シリコ
ン引上げ中にこのような気孔からＣＯガスか放出される
のに対し、窒化珪素焼結体及び炭化珪素焼結体には開気
孔と閉気孔の中間的な気孔＃ｉ＃ｔとんど含まれず、単
結晶シリコン引上げ中にＣＯガスが放出されることはほ
とんどないためであると考えられる。◆実、以下の実験
例５によってこのことが確められた。
製保温筒を用いて単結晶シリ；ン引上げを行った場合、
従来のカーがン製保温筒を用いた場合と比較していずれ
の場合も単結晶シリコン中の炭素濃度及び酸素濃度が低
下することがわかる。これはカー−７裂保温筒には開気
孔と閉気孔の中間的な気孔が多く含まれ、単結晶シリコ
ン引上げ中にこのような気孔からＣＯガスか放出される
のに対し、窒化珪素焼結体及び炭化珪素焼結体には開気
孔と閉気孔の中間的な気孔＃ｉ＃ｔとんど含まれず、単
結晶シリコン引上げ中にＣＯガスが放出されることはほ
とんどないためであると考えられる。◆実、以下の実験
例５によってこのことが確められた。
また、上記表から明らかなように実験例１〜４の珪素化
合物製保温筒を用−た場合、従来のカーダン製保温筒を
用いた場合と比較していずれの場合も消費電力が低減し
た。
合物製保温筒を用−た場合、従来のカーダン製保温筒を
用いた場合と比較していずれの場合も消費電力が低減し
た。
実験例５
Ｑ、 ｌ Ｔｏｒｒの減圧下の密閉容器内にカーがン、
窒化珪焼結体及び炭化珪素焼結体の各試片を載置し、夫
々８０℃から１４００℃まで昇温し、各温度での吸着ガ
スの放出・膨張に伴う装置内の圧力上昇ｔｌ＃ぺ第２図
に示す、ここで、第２図中ムはカーーンの特性線、Ｂは
窒化珪素焼結体及び炭化珪素焼結体の特性線である。
窒化珪焼結体及び炭化珪素焼結体の各試片を載置し、夫
々８０℃から１４００℃まで昇温し、各温度での吸着ガ
スの放出・膨張に伴う装置内の圧力上昇ｔｌ＃ぺ第２図
に示す、ここで、第２図中ムはカーーンの特性線、Ｂは
窒化珪素焼結体及び炭化珪素焼結体の特性線である。
第２図から明らかなように１カーメン（特性線Ａ）は昇
温とともに徐々に吸着ガスを放出し、単結晶シリコン引
上げ温度の１４００℃付近でもガスを放出するのに対し
、窒化珪素焼結体及び炭化珪素焼結体（４１１性１［Ｂ
）は３５０ ｔｌ：付近でほとんどの吸着ガスを放出し
、為温側ではガスの放出紘はとんどないことがわかる。
温とともに徐々に吸着ガスを放出し、単結晶シリコン引
上げ温度の１４００℃付近でもガスを放出するのに対し
、窒化珪素焼結体及び炭化珪素焼結体（４１１性１［Ｂ
）は３５０ ｔｌ：付近でほとんどの吸着ガスを放出し
、為温側ではガスの放出紘はとんどないことがわかる。
この仁とは、カーがンには開気孔と閉気孔の中間的な気
孔が多く含まれるのに対し、窒化珪素焼結体及び炭化珪
素焼結［、体にはこれらの気孔がｔｌとんどないことを
示す。＼ なお、本発明の単結晶シリコン引上装置祉、板状の単華
晶シリコンを引上げるＩＦＧ法（−ｄ＠ｆｉｎｅｄ ｆ
ｉｌｍ ｆ＠＠ｄｇｒｏｗｔｈ法）Ｋも同様に適用でき
る。また、ＧａＰ等の発光素子の単結晶引上げにも同様
に適用できる。
孔が多く含まれるのに対し、窒化珪素焼結体及び炭化珪
素焼結［、体にはこれらの気孔がｔｌとんどないことを
示す。＼ なお、本発明の単結晶シリコン引上装置祉、板状の単華
晶シリコンを引上げるＩＦＧ法（−ｄ＠ｆｉｎｅｄ ｆ
ｉｌｍ ｆ＠＠ｄｇｒｏｗｔｈ法）Ｋも同様に適用でき
る。また、ＧａＰ等の発光素子の単結晶引上げにも同様
に適用できる。
以上絆述した如く本発明によれは、消費電力を低減でき
るとともに、単結晶シリコン中の炭素＃度及び酸素濃度
を低下し得る単結晶シリコン引上装置を提供できるもの
である。
るとともに、単結晶シリコン中の炭素＃度及び酸素濃度
を低下し得る単結晶シリコン引上装置を提供できるもの
である。
４区１［１］１の簡単な駅間
５ＪＪ１図は単結晶シリコン引上装置を示す断面図、第
２図は温度変化に対するカーーン、窒化珪素ＴｈＭ体及
び炭化珪素焼結体から放出されるガスの圧力変化を示す
特性図でめる・ １・・・チャンバー、２・ｉ・ルツボ、３・・パ保Ｍ体
、４・・・回転軸、５−・・・ヒータ、６．７・・・保
゛温筒、８・・・−結晶、９・・・引上軸、１０・・・
溶融クリコン、Ａ・・・カーボンの特性線、Ｂ・・・窒
化珪素焼結体及び炭化珪素焼結体の特性線。
２図は温度変化に対するカーーン、窒化珪素ＴｈＭ体及
び炭化珪素焼結体から放出されるガスの圧力変化を示す
特性図でめる・ １・・・チャンバー、２・ｉ・ルツボ、３・・パ保Ｍ体
、４・・・回転軸、５−・・・ヒータ、６．７・・・保
゛温筒、８・・・−結晶、９・・・引上軸、１０・・・
溶融クリコン、Ａ・・・カーボンの特性線、Ｂ・・・窒
化珪素焼結体及び炭化珪素焼結体の特性線。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １チヤンバー内に石英ガラス製ルツカヲ載置し、該ルツ
ｌ内にシリコン原料を入れ、周囲のヒーターから加熱し
てシリコン原料を溶融させ、保温筒で保温しながら該溶
融シリコンを種結晶ケ用いて引上けて単結晶シリコンを
造る装置において、前記保温筒管珪素化合物で形成し木
ことを％黴とする単結晶シリコン引上装置。 ２ 保温筒が窒化珪素焼結体、窒化珪素焼結体の少なく
とも表面の一部に緻密質の窒化珪素族を被後し走もの、
炭化珪素焼結体又は炭化珪素焼結体の少なくとも表面の
一部に緻密質の戻化珪素腺を植機したものからなること
ｔｌ−特徴とする特許請求の範曲第１項記載の単結晶シ
、シコン引上装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16969981A JPS58104096A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | 単結晶シリコン引上装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16969981A JPS58104096A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | 単結晶シリコン引上装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58104096A true JPS58104096A (ja) | 1983-06-21 |
Family
ID=15891241
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16969981A Pending JPS58104096A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | 単結晶シリコン引上装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58104096A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6333623U (ja) * | 1986-08-20 | 1988-03-04 | ||
| JPS63166795A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-09 | Toshiba Ceramics Co Ltd | シリコン単結晶引上装置 |
| JPS63166792A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-09 | Toshiba Ceramics Co Ltd | シリコン単結晶引上装置 |
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