JPS6316449A - 光磁気デイスク装置 - Google Patents
光磁気デイスク装置Info
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- JPS6316449A JPS6316449A JP15960986A JP15960986A JPS6316449A JP S6316449 A JPS6316449 A JP S6316449A JP 15960986 A JP15960986 A JP 15960986A JP 15960986 A JP15960986 A JP 15960986A JP S6316449 A JPS6316449 A JP S6316449A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 2
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- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光磁気ディスク装置の光ヘッドに係り、特に光
磁気信号再生用の光検出器とプリアンプを一体化するこ
とにより再生信号の信号対雑音比を向上するに好適な光
磁気ディスク装置に関する。
磁気信号再生用の光検出器とプリアンプを一体化するこ
とにより再生信号の信号対雑音比を向上するに好適な光
磁気ディスク装置に関する。
従来の装置は、特開昭60−20340号に記載の様に
、光磁気信号の検出方式として差動検出を採用し、検光
子としてウォラストンプリズムやローションプリズムな
ど互いに直交する偏光成分を別個に取り出すことのでき
る偏光プリズムを用い、これらのプリズムを入射偏光方
向に対し45°傾けるかあるいはプリズムの前にλ/2
板(λ:使用波長)を設置してこれをプリズムの入射偏
光方向に対し45°傾けてプリズムで2分された光束を
2分割光検出器で検出している。通常。
、光磁気信号の検出方式として差動検出を採用し、検光
子としてウォラストンプリズムやローションプリズムな
ど互いに直交する偏光成分を別個に取り出すことのでき
る偏光プリズムを用い、これらのプリズムを入射偏光方
向に対し45°傾けるかあるいはプリズムの前にλ/2
板(λ:使用波長)を設置してこれをプリズムの入射偏
光方向に対し45°傾けてプリズムで2分された光束を
2分割光検出器で検出している。通常。
2分割光検出器の出力を差動して光磁気信号を得るが、
従来の装置ではその検出手段について明言されていない
。
従来の装置ではその検出手段について明言されていない
。
上記従来技術は光磁気信号の信号対雑音比向上に関し、
最適な光検出器からの信号検出手段について配慮されて
おらず、ただ電流−電圧変換用のプリアンプを設置した
だけでは配線による浮遊容量やノイズを受けて十分な信
号対雑音比が得られないという問題があった。
最適な光検出器からの信号検出手段について配慮されて
おらず、ただ電流−電圧変換用のプリアンプを設置した
だけでは配線による浮遊容量やノイズを受けて十分な信
号対雑音比が得られないという問題があった。
本発明の目的は信号検出用の光検出器とその出力を電気
信号に変換するプリアンプを一体化することにより、信
号対雑音比を向上し、プリアンプの占有面積を小さくす
ることにある。
信号に変換するプリアンプを一体化することにより、信
号対雑音比を向上し、プリアンプの占有面積を小さくす
ることにある。
[問題点を解決するための手段〕
上記目的は、2分割光検出器のパッケージ内に信号再生
用のプリアンプを内蔵することにより、達成される。
用のプリアンプを内蔵することにより、達成される。
光検出器内にプリアンプ類を設けることにより浮遊容量
の問題、外乱の影響がなくなり、高S/Nの信号が得ら
れることになる。
の問題、外乱の影響がなくなり、高S/Nの信号が得ら
れることになる。
以下、本発明の一実施例を第1図により説明する。半導
体レーザ1から出た光はカップリングレンズ2を通りビ
ーム整形プリズム3で円形の平行光となって第一ビーム
スプリッタ4にp偏向として入射する。第1ビームスプ
リツタ4を出射した光はトラッキング用のガルバノミラ
−5および自動焦点合わせ用のボイスコイル6に取付け
られている絞り込みレンズ7を通って垂直磁化膜8が蒸
着またはスパッタリングにより形成されているディスク
9上に1μm程度のスポット状に絞り込まれる。ディス
ク9からの反射光は入射光と同一経路を通って第1ビー
ムスプリツタ4に入射し、第1ビームスプリツタで決ま
るp偏光反射率成分が反射し、光路を分離される。その
後第2ビームスプリツタ10で光は2分され、透過側は
自動焦点合わせ信号検出およびトラッキング信号検出用
のサーボ信号検出信号用光束として使用され、反射側は
光磁気信号検出用光束として使用される。透過した光束
は凸レンズ11を経て第3ビームスプリツタ12で2分
され、透過側はトラッキング信号検出用2分割光検出器
13に導かれ、反射側はシリンドリカルレンズ14、ナ
イフェツジ15を通過後、自動焦点合わせ信号検出用2
分割光検出器16に導かれる。トラッキングは案内溝付
ディスクからの回折光を差動して誤差信号を得るPu5
h−Pull方式を利用し、差動増幅器17で差動した
後、ガルバノミラ−駆動回路18を通ってガルバノミラ
−5を駆動することにより行なう。自動焦点合わせは特
開昭57−108811号に記載の像回転方式を利用し
、差動増幅器19で差動した後、ボイスコイル駆動回路
20を通ってボイスコイル6を駆動することにより行な
う。
体レーザ1から出た光はカップリングレンズ2を通りビ
ーム整形プリズム3で円形の平行光となって第一ビーム
スプリッタ4にp偏向として入射する。第1ビームスプ
リツタ4を出射した光はトラッキング用のガルバノミラ
−5および自動焦点合わせ用のボイスコイル6に取付け
られている絞り込みレンズ7を通って垂直磁化膜8が蒸
着またはスパッタリングにより形成されているディスク
9上に1μm程度のスポット状に絞り込まれる。ディス
ク9からの反射光は入射光と同一経路を通って第1ビー
ムスプリツタ4に入射し、第1ビームスプリツタで決ま
るp偏光反射率成分が反射し、光路を分離される。その
後第2ビームスプリツタ10で光は2分され、透過側は
自動焦点合わせ信号検出およびトラッキング信号検出用
のサーボ信号検出信号用光束として使用され、反射側は
光磁気信号検出用光束として使用される。透過した光束
は凸レンズ11を経て第3ビームスプリツタ12で2分
され、透過側はトラッキング信号検出用2分割光検出器
13に導かれ、反射側はシリンドリカルレンズ14、ナ
イフェツジ15を通過後、自動焦点合わせ信号検出用2
分割光検出器16に導かれる。トラッキングは案内溝付
ディスクからの回折光を差動して誤差信号を得るPu5
h−Pull方式を利用し、差動増幅器17で差動した
後、ガルバノミラ−駆動回路18を通ってガルバノミラ
−5を駆動することにより行なう。自動焦点合わせは特
開昭57−108811号に記載の像回転方式を利用し
、差動増幅器19で差動した後、ボイスコイル駆動回路
20を通ってボイスコイル6を駆動することにより行な
う。
第2ビームスプリンタ10で反射した光磁気信号検出用
光束は1/2波長板21および凸レンズ22を通ってウ
ォラストンプリズムあるいはローションプリズム23に
入射する。これらはいずれも水晶のプリズムを組合わせ
たもので、前者は境界面での複屈折によって常光線と異
常光線がちがった方向へ進むので二つの偏光を分離でき
、後者も二つの偏光が分離できるが、常光線は波長によ
らず直進するのでその分離角はウォラストンプリズムの
方が大きくなる。二つの偏光を分離する点で二つのプリ
ズムは同じ働きをするので、以下ウォラストンプリズム
を代表して説明する。ウォラストンプリズム23に入射
する偏光方向を1/2波長板21により45°に設定す
ると分離される2光束の光量を等しくすることができる
。また1/2波長板を用いずに、ウォラストンプリズム
自身を451回転しても同様の効果が得られる。ウォラ
ストンプリズム23で二分された光束は2分割光検出器
24にて独立に検出される。2分割光検出器24の受光
素子241,242は各々電流−電圧変換器251,2
52で光電変換された後増幅器253,254を通り(
但し、251゜252の出力が十分ある場合は不用)、
差動増幅器26へ入力して光磁気信号を得、また和動増
幅器27へ入力されてディスク9上にあらかじめ凹凸ピ
ットの形成されているID信号(セクタマーク、番地情
報、CRC信号など)を得る。光磁気信号は通常のID
信号に比べて1〜2桁小さいために使用するプリアンプ
のアンプノイズが問題となる。例えば、プリアンプ類(
251,252゜253.254)を光ヘツド上に配置
したプリアンプ基板に部品単体を組合ねて形成した場合
、光検出器から電流−電圧変換器251,252までの
布線による浮遊容量と帰還抵抗の浮遊容量のために周波
数特性を考慮すると帰還抵抗を大きくできない。そのた
めに信号光量成分は小さくなりノイズ成分はアンプルノ
イズが支配的となってしまい、信号対雑音比(SN比)
が低下してしまう。
光束は1/2波長板21および凸レンズ22を通ってウ
ォラストンプリズムあるいはローションプリズム23に
入射する。これらはいずれも水晶のプリズムを組合わせ
たもので、前者は境界面での複屈折によって常光線と異
常光線がちがった方向へ進むので二つの偏光を分離でき
、後者も二つの偏光が分離できるが、常光線は波長によ
らず直進するのでその分離角はウォラストンプリズムの
方が大きくなる。二つの偏光を分離する点で二つのプリ
ズムは同じ働きをするので、以下ウォラストンプリズム
を代表して説明する。ウォラストンプリズム23に入射
する偏光方向を1/2波長板21により45°に設定す
ると分離される2光束の光量を等しくすることができる
。また1/2波長板を用いずに、ウォラストンプリズム
自身を451回転しても同様の効果が得られる。ウォラ
ストンプリズム23で二分された光束は2分割光検出器
24にて独立に検出される。2分割光検出器24の受光
素子241,242は各々電流−電圧変換器251,2
52で光電変換された後増幅器253,254を通り(
但し、251゜252の出力が十分ある場合は不用)、
差動増幅器26へ入力して光磁気信号を得、また和動増
幅器27へ入力されてディスク9上にあらかじめ凹凸ピ
ットの形成されているID信号(セクタマーク、番地情
報、CRC信号など)を得る。光磁気信号は通常のID
信号に比べて1〜2桁小さいために使用するプリアンプ
のアンプノイズが問題となる。例えば、プリアンプ類(
251,252゜253.254)を光ヘツド上に配置
したプリアンプ基板に部品単体を組合ねて形成した場合
、光検出器から電流−電圧変換器251,252までの
布線による浮遊容量と帰還抵抗の浮遊容量のために周波
数特性を考慮すると帰還抵抗を大きくできない。そのた
めに信号光量成分は小さくなりノイズ成分はアンプルノ
イズが支配的となってしまい、信号対雑音比(SN比)
が低下してしまう。
本発明ではその問題を解決するために、プリアンプ類(
251,252,253,254)と差動増幅器26.
和動増幅器27を1チツプのICとして作製しく第1図
に破線で囲む部分)、2分割光検出器を収納するパッケ
ージ内に内蔵する。第2図にその様子を示す。パッケー
ジ31はTO−18あるいはTO−5という規格のケー
スを用い、ケースの中心に2分割光検出器241,24
2を配置し、その囲りにプリアンプル類をIC化したチ
ップ32を配置する(第2図において簡略のため、ワイ
ヤ、端子類は省略した)6また、以上説明では2分割光
検出器とプリアンプICをアッセンブルする方式をとっ
たが、Si基板上にモノリシックに2分割光検出器とプ
リアンプを形成することもできる。
251,252,253,254)と差動増幅器26.
和動増幅器27を1チツプのICとして作製しく第1図
に破線で囲む部分)、2分割光検出器を収納するパッケ
ージ内に内蔵する。第2図にその様子を示す。パッケー
ジ31はTO−18あるいはTO−5という規格のケー
スを用い、ケースの中心に2分割光検出器241,24
2を配置し、その囲りにプリアンプル類をIC化したチ
ップ32を配置する(第2図において簡略のため、ワイ
ヤ、端子類は省略した)6また、以上説明では2分割光
検出器とプリアンプICをアッセンブルする方式をとっ
たが、Si基板上にモノリシックに2分割光検出器とプ
リアンプを形成することもできる。
第3図にプリアンプ類をIC化して内蔵した場合とプリ
アンプをプリント基板上に部品単体で組立てた場合の周
波数特性について示す。図において、本発明の場合周波
数特性は20 M Hzまで劣化はなく、アンプノイズ
は計算によるショットノイズの値よりも小さくなり、理
想的なアンプとなっている。従来の場合は周波数特性は
3dB低下で12MHzであるが、ノイズはアンプノイ
ズが支配的となり本発明の場合の値よりも10〜15d
B低下している。以上説明した様に本発明によれば、光
磁気信号の信号対雑音比を充分確保することができる。
アンプをプリント基板上に部品単体で組立てた場合の周
波数特性について示す。図において、本発明の場合周波
数特性は20 M Hzまで劣化はなく、アンプノイズ
は計算によるショットノイズの値よりも小さくなり、理
想的なアンプとなっている。従来の場合は周波数特性は
3dB低下で12MHzであるが、ノイズはアンプノイ
ズが支配的となり本発明の場合の値よりも10〜15d
B低下している。以上説明した様に本発明によれば、光
磁気信号の信号対雑音比を充分確保することができる。
なお第1図において記録/消去動作時に垂直磁化膜の磁
化方向を決定する磁場発生器30は本発明に無関係なの
で説明を割愛した。
化方向を決定する磁場発生器30は本発明に無関係なの
で説明を割愛した。
本発明によれば、光電変換部の光検出器とプリアンプ類
を光検出器の同一パッケージの中に収納したことにより
浮遊容量を大幅に低減できるので周波数特性が良好でア
ンプノイズが低減でき、光磁気信号の信号対雑音比を大
幅にに向上することができる。また、2分割光検出器、
プリアンプ類はペアで形成できるので特性が同一となり
差動すべき2つの信号のゲインバラツキがなくなるので
同相除去比も向上する効果がある。
を光検出器の同一パッケージの中に収納したことにより
浮遊容量を大幅に低減できるので周波数特性が良好でア
ンプノイズが低減でき、光磁気信号の信号対雑音比を大
幅にに向上することができる。また、2分割光検出器、
プリアンプ類はペアで形成できるので特性が同一となり
差動すべき2つの信号のゲインバラツキがなくなるので
同相除去比も向上する効果がある。
第1図は本発明の1実施例を示す図、第2図。
第3図は実施例を捕捉する図である。
4.10.12・・・ビームスプリッタ、21・・・1
/2波長板、23・・・ウォラストンプリズム、24・
・・2分割光検出器、251,252・・・電流−電圧
変換器、253,254・・・増幅器、26・・・差動
増幅器、27・・・和動増幅器 第2図
/2波長板、23・・・ウォラストンプリズム、24・
・・2分割光検出器、251,252・・・電流−電圧
変換器、253,254・・・増幅器、26・・・差動
増幅器、27・・・和動増幅器 第2図
Claims (1)
- 光源と、上記光源から出た光を垂直磁化膜から成る情報
記録媒体上に導く光学系と上記情報記録媒体からの反射
光に含まれる光磁気信号を差動的に検出する偏光プリズ
ムと上記偏光プリズムで分離された光を受光する光検出
器と上記情報記録媒体に記録/消去動作時に磁場を印加
する磁場発生器とからなる光磁気ディスク装置において
、上記偏光プリズムとしてウォラストンプリズムまたは
ローションプリズムを用い、上記光検出器として二分割
光検出器を用いて上記光検出器のパッケージの中に上記
光検出器の出力を電気変換するプリアンプを内蔵する光
検出器を設けたことを特徴とする光磁気ディスク装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61159609A JPH07105084B2 (ja) | 1986-07-09 | 1986-07-09 | 光磁気デイスク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61159609A JPH07105084B2 (ja) | 1986-07-09 | 1986-07-09 | 光磁気デイスク装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8280545A Division JP2795271B2 (ja) | 1996-10-23 | 1996-10-23 | 光ディスク装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6316449A true JPS6316449A (ja) | 1988-01-23 |
JPH07105084B2 JPH07105084B2 (ja) | 1995-11-13 |
Family
ID=15697451
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61159609A Expired - Lifetime JPH07105084B2 (ja) | 1986-07-09 | 1986-07-09 | 光磁気デイスク装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07105084B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0234717A (ja) * | 1988-07-25 | 1990-02-05 | Daido Steel Co Ltd | 高周波焼入制御方式 |
JPH0234718A (ja) * | 1988-07-25 | 1990-02-05 | Daido Steel Co Ltd | 高周波焼入制御方式 |
JPH0238521A (ja) * | 1988-07-27 | 1990-02-07 | Daido Steel Co Ltd | 高周波焼入処理方式 |
JPH0238517A (ja) * | 1988-07-27 | 1990-02-07 | Daido Steel Co Ltd | 高周波焼入制御方式 |
JPH02193344A (ja) * | 1989-01-20 | 1990-07-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ピックアップ |
US5040994A (en) * | 1988-12-23 | 1991-08-20 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Connector structure for hybrid integrated circuit |
US5134546A (en) * | 1988-12-23 | 1992-07-28 | Mazda Motor Corporation | Vehicle control unit structure |
US5283712A (en) * | 1988-10-27 | 1994-02-01 | Mazda Motor Corporation | Integrated circuit for vehicle |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6020340A (ja) * | 1983-07-14 | 1985-02-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光磁気デイスクの再生光学ヘツド |
-
1986
- 1986-07-09 JP JP61159609A patent/JPH07105084B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6020340A (ja) * | 1983-07-14 | 1985-02-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光磁気デイスクの再生光学ヘツド |
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JPH0238521A (ja) * | 1988-07-27 | 1990-02-07 | Daido Steel Co Ltd | 高周波焼入処理方式 |
JPH0238517A (ja) * | 1988-07-27 | 1990-02-07 | Daido Steel Co Ltd | 高周波焼入制御方式 |
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US5134546A (en) * | 1988-12-23 | 1992-07-28 | Mazda Motor Corporation | Vehicle control unit structure |
JPH02193344A (ja) * | 1989-01-20 | 1990-07-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ピックアップ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH07105084B2 (ja) | 1995-11-13 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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