JPS63164437A - 半導体薄片の処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体薄片の処理に適当な装置、特に酸腐食液
浴における処理後、半導体薄片のゆすぎまたは洗浄に用
いる装置に関する。

通常、半導体薄片を支えるプラスチック材料のジグは、
酸腐食液浴における処理後、ゆすぎ浴またはタンクに配
置し、このゆすぎ浴には脱イオン水を、例えば７．６ｃ
ｍ（３インチ）薄片の場合、５Ｉ！／分または１０．２
ｃｍ（４インチ）薄片の場合、ＴＲ１分の比較的に高い
流速で連続的に供給し、廃水は浴またはタンクの頂部か
ら単に溢れさせている。

ジグは、タンク内における脱イオン水の固有抵抗が、薄
片が酸腐食液浴から十分に清浄にされると思われる所望
値、例えば５メガオームに達するまで、ゆすぎタングに
維持される。かかるゆすぎプロセスは、当然に多量の脱
イオン水を消費する。

また、ジグ当りに要するゆすぎ時間は、特にジグのプラ
スチック材料がある手段において汚染される場合には、
むしろ長＜（３０分まで）することができる。

第１の観点において、本発明は半導体薄片の処理に適当
な装置を提供することであり、本発明の装置は半導体薄
片を支えるジグを収容するタンク；処理液体をタンクに
供給する第１供給ライン；制御口における流体圧力の偏
差に応答して作動する第１供給ラインを通して供給する
液体を制御する供給弁；および流体を制御口に供給して
供給弁の作動を制御する第２供給ラインからなり、この
装置において第２供給ラインを制御弁を介してタンクの
入口に連通し、および制御弁をタンク内の変化に応答し
て作動させて制御口における流体圧力を制御し；そして
供給弁の作動を制御するように構成したことを特徴とす
る。

液体のタンクの供給をタンク内における変化によって制
御するために、処理用の液体の供給を正確に制御でき、
この結果として処理液体の使用量を節約できる。

特に、制御弁はタンク内に存在する重量に応答して供給
弁を開放するように配置することができる。

１例の配置において、タンクには半導体薄片を支えるジ
グのような目的物を支持するプラットフォームを収容で
き、このプラットフォームは半導体薄片を支えるジグの
重量を作用下で移動し制御弁を作動して供給弁を開放す
るようにタンク内に固定する。一般に、プラットフォー
ムは１個の弁部材、および制御弁の１個の弁座を支持し
ており、他の弁部材および制御弁の他の弁座は第２供給
ラインと連通ずるタンクの入口を構成している。この配
置においては、第１供給ラインを介しての処理液体の供
給はタンク内で処理すべき目的物、例えば半導体薄片を
支えるジグの位置によって制御し、これによって処理液
体を節約できるようにする。

また、装置は液体をタンクに供給する他の第１供給ライ
ン、液体流れを他の第１供給ラインを介して制御する他
の供給弁および他の制御弁とおよび他の供給弁の制御口
と連通ずる他の第２供給ラインからなり、他の制御弁は
タンク内の液体レベルの変化に応答して作動する。また
、配置において、制御弁をタンク内の液体レベルの変化
に応答して作動できるようにできる。いずれの場合にお
いても、制御弁または他の制御弁は可動部材に取付けた
フロートにより作動し、液体レベルがタンクの底部上の
予定高さを越える場合に、フロートがタンク内における
液体レベルにより移動できるようにする。可動部材はフ
ロートから懸垂し、かつタンクの壁に摺動自在に取付け
られたロッドまたはタンクに連通するフロート　チャン
バーからなり、ロッドは第２供給ラインまたは他の第２
供給ラインの出口と協同して制御弁または他の制御弁を
形成する低端部を有しており、ロッドはタンクの底部上
の予定高さにフロートを支持し、このためにロッドの低
端部を第２供給ラインの出口に掛合し、タンク内におけ
る液体レベルがフロートを浮かすのに、および第２供給
ラインまたは他の第２供給ラインの出口と離脱するよう
にロッドの低端部を持ち上げるのに十分に上昇するまで
、制御弁または他の制御弁を閉鎖する。

フロート−制御供給弁は、処理すべき目的物の導入前に
、タンクを予定レベルにすみやかに満たすようにする。

フロート制御供給弁を設ける場合には、薄片を支えるジ
グをタンク中に位置して他の供給弁の開放を防止する場
合に、フロートを上昇位置に維持する手段をタンク内に
設けることができる。このために、例えば処理すべき目
的物の重量下で可動するプラットフォームをタンクに設
け、ロッドをプラットフォームに連結でき、このために
フロートを目的物がプラットフォーム上に位置する場合
に上昇位置に維持する。このような配置は、目的物をフ
ロート制御供給弁を開放しないでタンク中においてなお
処理しながら、液体をタンクから排出できるようにする
場合に特に望ましい。

かかる排出容易さを得るために、供給弁は閉鎖部材を支
持でき、この閉鎖部材は該部材がタンクの出口を封止す
る供給弁の開放および閉鎖状態のいずれかに相当する第
１位置と、閉鎖部材が出口を介して液体を排出する供給
弁の他の開放および閉鎖状態に相当する第２位置との間
の供給弁を作動することによって可動する。あるいは、
また装置は液体供給を上記性の第１供給ラインを介して
制御する他の供給弁、および上記性の供給弁の制御口に
連通して上記性の供給弁を制御する供給弁の第２供給ラ
インからなり、上記性の供給弁は制御弁によって制御し
、このために上記性の供給弁の１つが開く場合には他の
弁が閉じ、上記性の供給弁は上記性の供給弁の作動によ
り可動する閉鎖部材を支持し、このために上記性の供給
弁が閉じる場合には閉鎖部材はタンクの出口を閉じ、お
よび上記性の供給弁が開放する場合には閉鎖部材は液体
を出口を介してタンクから排出する。一般に、第１供給
ラインは各供給弁を介して液体をタンクに下方に向は噴
塀するために配置する１または２個以上のスプレーヘッ
ドに連通し、および蓄圧器を設けて関連供給弁を閉じた
後、一定期間維持するスプレーヘッドに液体を供給する
ことができるようにする。この配置は、特にスプレーヘ
ッドに連通ずる供給弁を制御する制御弁がタンク閉鎖部
材と関連する供給弁を制御するのに有利であり、この場
合脱イオン水で満された（例えばフロート−制御供給弁
を経て満された）タンクに突進させる処理すべき目的物
、例えば酸腐食液を除去する半導体薄片を支えるジグを
処理して半導体を効果的に洗浄し、次いで自動的に目的
物に応答してプラットフォーム上に位置し、同時に汚水
を排出し、目的物に補充（ｆｒｅｓｈ）脱イオン水を噴
霧して更に洗浄する。

通常、各第２供給ラインを各第１供給ラインと流れ制限
装置を介して連通させ、各制御弁が開放する場合に液体
の比較的に小さい容量の流れをタンクに通す。一般に、
各供給弁は供給弁の開放および閉鎖状態のいずれかにお
いて制御口を閉鎖し、かつ供給弁の他の開放および閉鎖
状態のバイアス手段に対して関連制御弁を閉鎖すること
によって生ずる制御口における流体圧力の増加に応答し
て移動する可動ピストンからなる。各制御弁はニードル
弁からなる。

本発明の他の観点において、本発明は半導体薄片を処理
する装置を提供するもので、装置は処理すべき半導体薄
片を支えるジグ、処理液体をタングに供給する供給ライ
ン、供給ラインを介して供給する液体を制御する弁およ
び半導体薄片を支えるジグを支持するプラットフォーム
からなり、プラットフォームをタンク内に設け、半導体
薄片を支えるジグの重量下で供給弁を開放または閉鎖す
るように移動するようにしたことを特徴とする。

装置は、更に処理液体をタンクに供給する他の供給ライ
ン、および他の供給ラインを通る液体流れを制御する他
の供給弁からなり、他の供給弁はタンク内の液体レベル
の変化に応答して作動し、および他の供給弁はタンクの
壁の摺動自在に取付けられたロッドまたはタンクに連通
ずるフロートチャンバーにより支持されたフロートによ
って制御し、ロッドはフロートをタンクの底部上の予定
高さに支持し、かつ他の供給弁の可動部材と協同する低
端部を有し、タンクにおける液体レベルが予定レベルを
越え、かつフロートが上昇して可動部材と離脱°するよ
うにロッドの低端部が持ち上げられて他の供給弁を閉鎖
するまで、他の供給弁を開放状態に維持する。また、膨
張部材をタンクの出口を閉鎖する第１位置に閉鎖部材を
維持するように配置でき、膨張部材の膨張および収縮を
上記供給弁の作動により制御でき、このために上記供給
弁の開放は膨張部材を押しつぶしてタンクから液体を排
出するようにし、および供給弁の閉鎖は膨張部材を膨張
させてタンク出口を封鎖する。

装置は、半導体薄片のような目的物をゆすぐ処理液体、
例えば脱イオン水を供給でき、この供給はタンクに位置
する処理する目的物の重量により制御され、このために
処理液体を過度に消費する必要がない。同様に、装置は
供給弁の作動によりタンクを排出でき、同時に処理液体
をスプレーヘッドに供給して更に目的物を処理でき、同
時に汚染または使用済み処理液体を排出することができ
る。

上述する装置は任意に組合わせて用いることができ、特
に半導体薄片を処理するシステムは特定の処理段階を行
うのに用いる多数の処理タンクから構成でき、少なくと
も１つのタンクは本発明の他の観点による装置の部分を
形成する。

例えばかかるシステムは半導体薄片を支えるジグを最初
にゆすぎまたは冷却する１または２個以上の第１タンク
、第１タンクからのジグを受ける第２タンク、および第
２タンクからのジグを受ける第３タンクからなり、上記
第２タンクは第２タンク上に配置したスプレーヘッドに
液体を供給するように供給弁を開放し、同時に使用済み
処理液体を第２タンクから排出するように排出口を開放
するようにタンク閉鎖部材を移動させる半導体薄片を支
えるジグの重量下で移動するプラットフォームを含んで
おり、および上記第３タンクは処理液体を第３タンクに
供給する供給弁を開放させるジグの重量下で移動するプ
ラットフォームを含んでいる。第１、第２および第３タ
ンクは上述するようにフロート−制御供給弁を介して充
填し、各タンクはそれ自体のフロート−制御供給弁と関
連することができる。あるいは、またフロート−制御供
給弁を第２タンクに連通ずるフロート　チャンバーに設
けることができる、このためにフロート−制御弁は、第
２タンクを排出する場合に、すべて作動する。更に、第
２および第３タンクからの廃液を第１タンクに供給する
ことができる。変形システムにおいて、第２タンク閉鎖
ドアを、例えばプランジャによって手動的に作動するこ
とができ、液体のスプレーヘッドへの供給は第２タンク
と連通ずるフロート　チャンバーにおけるフロート制御
供給弁によって制御することができる。

次に、本発明を添付図面に基づいて説明する。

添付図面は線図的に示しており、縮尺に記載していない
。断面図は明らかに説明するためのもので、クロス−ハ
ツチングを示していない。

第１図は、例えば半導体薄片から残留腐食液酸を除去す
るために、かかる薄片を洗浄する本発明の装置の１つの
構造例を線図的に示している。

第１図に示すように、装置は洗浄またはゆすぐべき薄片
を支えるプラスチック材料のジグ（図に示していない）
を受はタンク１からなる。薄片を洗浄またはゆすぐ脱イ
オン水はタンク底部の入口１′に第１供給ラインまたは
管２に沿って設けられたいる脱イオン水供給（図に示し
ていない）からタンクに供給する。供給弁３を第１供給
管２に設けて第１供給管２に沿う脱イオン水の流れを制
御する。供給弁３は供給弁３の制御口４における流体圧
の変化によって制御される。供給弁３０制御口４を第２
供給ラインまたは管５と連通させる。

第１図に示すように、第２供給ラインまたは管５は第１
供給管２から分岐し、流れ制限装置６を介して第１供給
管２に連結し、脱イオン水の比較的に遅い流れまたは細
流を第２供給管５を介して供給する。勿論、第２供給管
５は第１供給管３に連結するのに必ずしも必要としない
が、しかし分離する比較的に遅い流れの脱イオン水供給
、または空気または他の非反応性ガス供給に直接に連結
する必要がある。

また、第２供給管５をタンク１の底部の補助入口８に連
結する。制御弁７を補助入口８を閉鎖または開放するた
めにタンク１の補助入口８に設けて制御口４における個
々の流体圧を高めまたは低下させ、供給弁３を作動させ
る。

制御弁７はタンク１内の変化に応答して、特にタンク１
内の重量の変化に応答して作動する。第１図に示す装置
において、制御弁７はタンク１内のシリコン薄片を支え
るジグの位置により生ずる重量の増加に応答して閉じる
。

第１図に示す装置において、シリコン薄片を支えるジグ
を支持するプラットフォーム９の状態の可動部材をタン
ク１内に設ける。プラットフォーム９に加わる任意の付
加重量が存在しない場合、プラットフォーム９はプラッ
トフォームの２個の対向端部９′および９′のうち端部
９′近くに配置された支点またはビボッ）９ａ上で釣合
い、このために薄片を支えるジグがプラットフォーム９
上に位置する場合に、重力の中心が支点またはピボッ）
９ａから離れて移動し、プラットフォーム９は制御弁７
の近くに加えられる重力の作用によって支点９を中心に
して傾きまたは回転し、後述するように制御口４におけ
る流体圧が増加して第１供給弁３が作動する。支点９ａ
は軸に沿いプラットフォーム９を介して延在するピボッ
ト　ロッド１２で置替えることができ、半導体薄片を支
えるジグがプラットフォーム上に位置する場合にプラッ
トフォーム９は上記軸のまわりを傾むく。必要に応じて
、ピボット　ロッド１２はタンクの側壁に設け、その軸
のまわりをプラットフォームまたはタンクの側壁に対し
て回転してプラットフォームを旋回することができる。

第１図に示す装置において、プラットフォーム端部９′
に隣接するプラットフォームの下側に制御弁７の弁部材
７ａを支持すると共に入口８は協同弁座７ｂを支持し、
このためにプラットフォーム９がその上に位置する重力
によって傾く場合に、弁部材７ａは弁座７ｂと掛合して
制御弁７を閉じる。制御弁７はニードル弁として示すこ
とができる。弁座および弁部材の配置は逆にすることが
できる。

勿論、他のタイプの弁を用いることができ、弁部材７ａ
を独立させることができ、プラットフォーム９により単
に作用するようにできる。

供給弁３は、弁の開放および閉鎖を弁の制御口における
流体圧によって制御できる任意のタイプにすることがで
きる。第１図に示す装置において、供給弁３は可動ピス
トン１３からなり、このピストン１３はチャンバー１４
に配置され、かつピストンの拡大ヘッド端１３１におけ
るくぼみに収容されているばね１５により押圧されて供
給弁３の出口１６を閉鎖する位置（第１図に実線で示し
ている）に押圧され、そして液体を供給弁３を介してタ
ンクｌに流れるのを防止する。ピストンの拡大ヘッド端
１３１は比較的に狭いネック１３２により通常制御口４
を閉じる閉鎖部材１３３に連結する。０−リング１７ま
たは類似シールをピストン　へラド１３１に設け、閉鎖
部材１３３に液密封止を形成する。

制御弁７が上述するようにプラットフォーム９上に位置
する半導体薄片を支えるジグのような重量によって閉鎖
させる場合には、制御口４における液体圧がばね１５の
押圧力に抗し、かつ押圧力に抗してピストン１３を開放
状態（第１図に破線で示す）に移動させるのに十分に高
められた、供給源からの脱イオン水は第１供給ライン２
および供給弁３を通し、入口１′を介してタンク１に流
れてタンクを満たす。タンク１には一定の水頭を得るた
めに一定ヘッドまたは溢流管１７を設けることができ、
または過剰の水はタンク１の頂部１′上から単に溢れさ
せることができる。

脱イオン水で予じめ満されたタンク１′を具えた第１図
に示す装置の場合には、プラットフォーム９を支点また
はヒボッ）９ａ上に釣合わせ、制御弁７を開放し、脱イ
オン水の細流を流れ制限装置６を通し第２供給ライン５
を介しておよび新しいタンクに水を維持する開放制御弁
７を介してタンクに流し、過剰の水は一定ヘッドまたは
溢流管１７を介してタンクから流出させるか、またはタ
ンクの頂部１′上から溢れさせる。ゆすぎまたは洗浄す
べきシリコン薄片を支えるジグのような重量がプラット
フォーム９上に位置する場合に、プラットフォーム９が
弁部材７ａおよび弁座７ｂを支承する支点９ａを中心に
して傾むきまたは旋回し、制御弁７を閉じるように掛合
して制御口４における流体圧を高め、このためにピスト
ン１３は開放状態（第１図において破線で示す）に押圧
されるばねに抗して押圧され、脱イオン水は管２を通し
て流れ、入口１ａを介してタンクに流れる。それ故、タ
ンクを使用しない間はタンク中の脱イオン水は制御弁７
を通る細流による補充状態に維持し、ゆすぎまたは洗浄
するのに要する大流は、ゆすぐべき薄片を支えるジグが
プラットフォーム９上に実際に位置するまで起きないよ
うにする。

第２図は本発明の装置の第２の構造例を示している。

第２図に示すように、装置は第１図に示す供給弁３と同
じまたは類似するタイプの２個の供給弁３′および３′
を用いている。

各供給弁３′および３′を、第１図に関して上述するよ
うにそれ自体の第１供給ライン２′および２′　（２個
のライン２′および２′を同じ脱イオン水供給に連結で
きるけれども）およびそれ自体の第２供給ライン５′お
よび５′に連結する。

各第２供給ライン５′および５′を関連供給弁３′およ
び３′の制御口４′および４′におよびタンクの各入口
８′および８′に各制御弁７′および７′を介して連通
ずる。

第２図に示す装置においては、供給弁３′および関連制
御弁７′は入口１′を介して脱イオン水をタンク１にす
みやかに充填しやすくでき、および同時に関連制御弁７
′は排出および噴霧を容易にする。

第１図に示す装置におけるように、制御弁７′および７
′は制御弁の部分に加えられる重量の変化に応答して作
動する。制御弁７′の場合には、重量はロッド１９のｌ
端１９ａに設けられているフロート１８からなる。ロッ
ド１９はタンク内に垂直に（すなわち、タンク内の任意
の液体の表面に垂直に）延在し、ブラケット２０により
タンクの側壁に設けてその長さに平行に摺動できるよう
にしてフロート１８をタンク１の液体レベルにより上下
に移動するようにする。ロッド１９の他端または他端１
９ｂは制御弁７′の弁部材７′ａを形成するように形成
し、およびタンクが空になる場合にタンク１０入口８′
に形成される制御弁７′の弁座７’　ｂ内に着座する。

ロッド１９の長さは、フロート１８がタンクの底部より
予じめ定められた高さに位置するように選択する。それ
故、最初にタンクの水が空になったとすると、制御弁７
′はフロートおよびロッド全体の重量の作用で閉じる。

第１図に関して記載する装置におけるように、閉鎖制御
弁７′により生ずる制御口４′における流体圧は供給弁
３′を開放して脱イオン水を第１供給管２′を通し、入
口１′を介して流れてタンク１を満たす。

タンク１内の液体レベルが上昇する場合には、液体レベ
ルはフロート１８のレベルに達する。一旦、フロート１
８が浮き始めると、ロッドおよびフロート１８および１
９組合せ体の重量は制御弁７′をもはや閉鎖できなくな
り、制御弁７′は開き、液体の細流を第２供給管２′お
よび入口８′を介してりンクに流す。制御弁７′の開放
により生ずる制御口４′における減少流体圧は、第１弁
ピストン１３′をばね１５′の押圧力下でタンクｌを更
にすみやかに満たすのを防止する閉鎖条件を戻す。入口
８′を通る脱イオン水の細流は新しいタンク内に水を保
持する役目をし、また適度の過剰水はタンク１の頂部１
′上から溢れさせるかまたは一定ヘッドまたは溢流管（
図に示していない）を通して流出させる。フロート１８
およびワンド１９組合せ体は分離フロート　チャンバー
２１に配置され、このチャンバー２１は開口２２を介し
てタンクの主要部分と連通ずる。

他の供給弁３′は、支点９ａおよび制御弁７′の相対位
置を逆にする以外は第１図に示す装置の供給弁３におけ
る極めて類似しているようにプラットフォーム９上に位
置する重量により制御され、このために支点９ａはプラ
ットフォームのフロートチャンバー２１または端部９′
に近付け、制御弁７′をプラットフォームの他の端部９
′に隣接させる。

他の供給弁３′を一列のスプレーヘッド２３と連通ずる
ように配置する第１供給しライン２′は、第２図に示す
ようにタンク上に設けて脱イオン水をタンクに噴霧でき
るようにする。２列のスプレーへラド２３を設けること
ができ、このうちの１列のスプレーヘッドをタンクの１
つの頂端部１′上にまたは頂端部１′に配置し、他の列
のスプレーヘッドをタンクの反対の頂端部１　上にまた
は頂端部１　に配置する（第６図参照）。各列は、例え
ば３個のスプレーヘッド２３を有するようにできる。蓄
圧器２３ａは第１供給ライン２′を介して供給する脱イ
オン水を貯蔵して、供給弁３′を再閉鎖した後ある時間
にわたり脱イオン水をスプレーヘッド２３に供給する圧
力ヘッドを得るために設ける。

上述するように、供給弁３′および３′は第１図に示す
供給弁３と同じタンプにできる。第２図から明らかなよ
うに、供給弁３′はタンクの底部に支持されているブラ
ケット２８に設け、供給弁３′と比べた場合にさかさま
に配置し、このために入口８′および第２供給ライン２
′に連通ずる制御口４′はタンク１から遠く離れている
。第２図に示しているように、タンク１の底部は主また
は排出口２４を有している。排出口２４は適当なシーフ
ぺ例えば０−リング　シール２６を有するタンク閉鎖部
材２５で閉鎖される。タンク閉鎖部材２５は、供給弁３
′のチャンバー１４′の端面１４１′に設けられた孔（
孔には適当なシールを設ける）を通連接棒２７を介して
ピストン１３′に連結し、このために閉鎖部材２５はピ
ストン１３’により作動する。それ故、制御弁７′が開
き、供給弁３′が閉じている場合には、ばね１５’はピ
ストン１３′を閉鎖状態に押圧しく第２図に実線で示す
ように）、このために閉鎖部材１３３′は制御口４′を
封止し、およびタンク閉鎖部材２５は排出口２４を封止
する。逆に、第１供給弁３′と開放するようにプラット
フォーム９上に位置する薄片を支えるジグにより、制御
弁７′を閉じる場合には、タンク閉鎖部材２５をピスト
ン１３′で移動して（第２図においてタンクにまたは上
方に）排出口２４を開き、脱イオン水をタンク１から排
出する。同時に、供給弁３′を開放して新鮮な脱イオン
水をスプレーヘッド２３に供給してジグにより支えられ
ている薄片を更にゆすぐ。

タンクが排出口２４を介して排出される場合に、プラッ
トフォーム９の端部９′をロッド１９に連結してフロー
ト１８を上昇位置に維持する。

第３図は第２図に示す装置の構造の変形を示しており、
供給弁３′を第２図における供給弁３′と同じタンプの
２個の分離供給弁３′ａおよび３′ｂで置替え、これら
答弁は共通の第２供給ライン５′を介し、同じ制御弁７
′で制御する。説明の目的のために、第３図は使用状態
において、レグ１００をプラットフォーム９上に位置し
、プラットフォーム９か傾き、制御弁７′を閉じる装置
について示している。

この装置において、供給弁３′ａは脱イオン水のスプレ
ーヘッド２３への供給を制御するために設け、および供
給弁３’ｂは制御弁４’ｂで流体圧変化に応答して排出
口２４の開放を制御するように設け、第１供給管に連結
しない。第３図に示すように、３個の供給弁３ｔ、３ｔ
ａおよび３’ｂはすべて、ピストン１３′ｂの接続と同
じ供給弁の端部においてタンク閉鎖部材２５の連接棒２
７に配置すると同様に配置する。従って、制御口４’ｂ
は第１供給弁３’ｂの端面１４２′の中心からそらすか
、またはチャンバー１４′ｂの側壁に設けてばね１５′
ｂから離れている閉鎖部材１３３’　ｂの側に連通ずる
。

第２図に示す装置の使用について説明する。

先づ、脱イオン水供給を第１供給管２′および２″に連
結し、主弁（図に示していない）を開いて水を第１供給
管２′および２″に供給し、およびタンク１は、最初、
空にしてふく。

タンクｌが空である場合、フロート１８およびロッド１
９ｍ合せ体の重量が制御弁７′を閉じるように作用しピ
ストン１３′を開放状態に移動させて脱イオン水を入口
１′を介してタンクに供給する。

タンクにおいて、脱イオン水のレベルがフロート１８に
達する場合、フロート１８は液体レベルに伴って上昇し
始め、ロッド１９の端部１９ｂが弁座７’ｂから離れ、
制御口４′における液体圧が減少し、ばね１５′の押圧
力によりピストン１３′をその閉鎖状態に戻す（第２図
に実線で示している）。このために、入口１′を介して
の脱イオン水の供給は、タンク内の液体レベルがフロー
トの位置により定められた予定レベルに達する場合に停
止する。制御弁７′が開き、脱イオン水の細流が第２供
給ライン５′および補助入口８′を介してタンクに進入
しタンク内に水を補給する。溢流管（図に示していない
）をタンク内に設けることができ、または過剰の水をタ
ンク１の頂端ｌ′から溢れさせることができる。

タンクが充満した場合には、薄片を支えるジグ１００は
タンクの水中に突進し、プラットフォーム９上に位置す
る。ジグ１０００重量は第３図に示すようにプラットフ
ォームを傾かせて制御弁７′を閉鎖し、制御口４′にお
ける流体圧をピストン１３’の押しつけにより増大させ
てばね１５′の押圧に抗してその開放状態になる（第２
図に破線で示している）。上述するように、タンク閉鎖
部材２５はピストン１３′により移動し排出口２４が開
き、脱イオン水を排出口２４を介してタンクから排出す
る。同時にピストン１３′がその開放状態１゛こ移動す
ることにより、水はスプレーヘッド２３に供給ライン２
′を介して供給されてジグに支えられている半導体薄片
がゆすがれる。

上述するように、プラットフォーム９の端部９″がロッ
ド１９に連結し、水が開放排出口２４を通して排出する
際にタンク内の脱イオン水のレベルが降下するにもかか
わらず、プラットフォーム９が薄片のジグの重量下で回
動する場合にフロート１８は上昇位置に残留する。勿論
、ロット１９が浮き始め−るフロート１８により上昇す
る場合に、フロート１８およびプラットフォーム９は、
その連結がプラットフォーム９を傾けないで制御弁７′
を閉じるように配置する。むしろ、この配置は、制御弁
７′がフロートの重量で閉じる場合に、プラットフォー
ム９が他の手段で僅かに傾くようにできる（このため端
部９′は端部９′より低い）。

薄片が所望時間にわたりスプレーヘッド２３により噴霧
された後、ジグ１００はプラットフォームから持ち上げ
られ、制御弁７′は開放状態に戻り、制御弁７′はフロ
ート１８の重量下で閉鎖する。蓄圧器２３ａは、ジグが
プラットフォーム９から持ち上げられた後の短い間、ス
プレーヘッド２３への水の供給を維持する圧力ヘッドを
与え、このためにジグがタンクｌから持ち上げられる際
に薄片のゆすぎを継続する。制御弁７′の閉鎖は供給弁
３′を開放し、次のジグのためにタンクを再充填する。

第３図に示す装置の使用および作動は第２図に示す装置
の場合に実質的に同じであるが、ただ異なる点は分離し
、しかも共通に制御される供給弁３′ａおよび３’ｂを
タンク閉鎖部材２５の移動の制御のために、および水を
スプレーヘッド２３に供給するために使用していること
である。

勿論、上述する配置を種々異なるように組合せることが
できる。例えば、第２および第３図に示すフロー）１８
により制御される急速充填装置を、タンク１の充填を制
御するのに設けることができる。フロート制御急速充填
容易さはプラットフォーム９と組合せて設けることがで
き、プラットフオーム９の端部９′をフロートロッド１
９に連結するが、しかし支点または回動点９ａを第１図
に示すように位置し、このためにジグがプラットフォー
ム９上に位置する前に、脱イオン水の急速充填供給を第
１供給ライン２を介して、フロートにより制御する。し
かし薄片を支えるジグがプラットフォーム９上に位置す
ると、フロート１８の作用によりプラットフォーム９の
端部９′を下方に傾けて制御弁７′を閉じ、および第１
供給弁３′を開き、脱イオン水のタンクへの供給を高め
る。それ故、かかる配置においては、タンクｌがタンク
ｌの底部上のフロート１８の高さによって定められた予
定レベルに充填された後、タンク中における脱イオン水
は、使用されていない場合に、第２供給ライン５を介し
て開放制御弁７′を通る細流によって補充されるが、し
かし薄片を支えるジグがプラットフォー９上に位置する
場合には、ジグの重量はプラットフォームを傾かせて制
御弁７′を閉じ、制御口４′における流体圧を高め、供
給弁３′を開放して水をタンクに供給し、薄片を十分に
ゆすぐことかできる。

フロート制御急速充填および噴霧容易さを排出口２４を
省いて得ることができ、また噴霧および排出容易さを得
ることができる。

第２図に示す装置では、供給弁３′および３′への水供
給ライン２′および２′に手動オン／オフ切替弁（図に
示していない）を設けることによって上述する装置の１
つを選択することができ、このために急速充填容易さ、
または噴霧および排出容易さ、またはこれらの組合せを
得ることができる。また第３図に示す装置において、第
１水供給ライン２’、２’および供給ライン５′に手動
弁を設けて３つの容易さ、すなわち、急速充填、排出お
よび噴霧容易さの１つまたは組合せを得ることができる
。

上述する各装置において、供給弁３を制御口４における
液体圧で制御する。これらの供給弁は、例えばブレード
　プラスチック　デザイン　アンド　フアプリケーショ
ン　リミテッド（Ｐｌａｄｓ　Ｐｌａ−ｓｔｉｃｓ　Ｄ
ｅｓｉｇｎ　ａｎｄ　Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎｓ　Ｌｔ
ｄ）から市販されている弁を用いることができる。かか
る市販の１９．０５　ｍｍ（３／４インチ）弁では、脱
イオン水供給において２０７．００　Ｘ１０３Ｐａ（３
０ｐｓｉ）の圧力で３０１／分の流れを得ることができ
、このために流れ制限装置６を関連する第２供給ライン
を通して８１／分の最小流れを得るように設計または選
択する。通常、流れ制限装置６は１５０　ｍｌ！／分の
流れを得るように設計することができる。普通、上述す
る供給弁３は閉鎖している、すなわち、ばね１５の押圧
力が作用して弁３を閉じているが、通常開放弁を用いる
ことができる。勿論、上述すると反対に作用するように
制御弁７を配置する、例えばベル　クランク（ｂｅｌｌ
　ｃｒａｎｋ）またはレバー配置に取付けた重量が作用
して弁を閉じる場合に、フロートが浮き始めるまで制御
弁７を開放するようるフロートをベル　クランクまたは
レバー配置に連結するようにして、およびプラットフォ
ーム９を設けるようにして、薄片を支えるジグの重量は
プラットフォーム９を傾けて制御弁７を開放する。

上述する装置の変形において、供給弁を、制御口におけ
る流体圧を制御するように作用する制御弁で作動しない
、または可動部材に作用する重量が供給弁の開放または
閉鎖に移動することによって単に作用するいずれかの弁
で置替えることができる。このために、例えばかかる供
給弁はチャンバーからなることができ、このチャンバー
内には弁部材を回動自在に取付けて、通常、弁を通る通
路を閉鎖（または開放）するようにし、供給弁部材を弁
チャンバーの外側に配置した可動部材に直接に連結し、
このために重量が可動部材に作用する場合に、弁部材を
移動して弁を開放（または閉鎖）する。かかる第１弁と
してはトルベック゛コントロール　　バルブ　リミテッ
ド（Ｔｏｒｂｅｃｋ　ＣｏｎｔｒｏｌＶａｌｖｅ　Ｌｔ
ｄ）から市販されている「改良トルベック（ｍｏｄｉｂ
ｉｅｄ　ＴＯＲＢＥＣＫ）　Ｊ　　（登録標商）平衡フ
ロート弁ＭＫ　ｎ　（Ｆ）を示すことができる。

第４図は本発明の装置の他の変形構造を示しており、こ
の場合第１〜３図に示している供給弁を上記改良トルベ
ック弁の如き可動外部部材により直接に作動する供給弁
で置替えることができる。

第４図に示している装置は第２図に示している装置とほ
ぼ同じである。このために、急速充填容易さを得る改良
供給弁３０′を供給弁３′と置替え、ロッド１９の端部
１９ｂをタンクの底部から外に突出（適当な液密シール
を介して）させて供給弁３０′の可動部材をその通常の
閉鎖状態から移動させ、弁３０′を開放させてタンクｌ
を入口１′を介して充填する。第２図に示している装置
では、フロート１８が液体レベルと共に上昇してタンク
内の液体レベルに達する場合には、ロッド１９は持ち上
げられて弁部材がその閉鎖状態に戻り、供給弁３０′か
らの液体の供給を防止する。

第４図に示す装置は第２図に示す装置の容易さと同様に
作用する噴霧容易さを有している。このために、薄片の
ジグがプラットフォーム９上に位置する場合に、プラッ
トフォーム９を支点９ａを中心にして傾けてプラットフ
ォームの端部９′′を下げ、そしてプラットフォームの
下側に設けている棒部材または可動部材３３を下げる。

棒部材３３はタンクの底部を貫通して突出（適当な液密
シールを介して）し、第２供給弁３０′の可動部材３１
′を押し下げて供給弁３０′を開き、水をスプレーヘッ
ド２３に送る。

排出容易さは第２図に示す装置の場合と異なる、第４図
に示す装置では、タンク閉鎖部材２５を膨張しうるベロ
ー３４により排出口２４を封止するように位置させて保
持し、ベロー３４を膨張し、弁３０′が閉じる場合、供
給弁３０′に連結する液体供給ライン２′に連通ずるバ
イアス供給ライン３５を介してベローに供給された脱イ
オン水の圧力によって排出口２４を閉鎖する位置に閉鎖
部材２５を保持する。

プラットフォーム９上に薄片を支えるジグが位置するこ
とによって供給弁３０′が開放すると、ベロー内の水圧
が低下し、ベローが押しつぶされて排出口２４が開く。

第２図に示す装置では、プラットフォーム９の端部９′
をフロート　ロッド１９に連結し、フロートを上昇位置
に維持して上述するようにタンクｌが排出される場合に
供給弁３０′を開放状態に保つようにする。

供給弁３０′および３０′には、例えば１．５ｍｍ直径
の小孔を設け、供給弁を閉じ、特に急速充填を容易にす
るために、タンクの脱イオン水を補充する場合に、細流
を供給弁に通す。あるいは、また小孔をタンクの底に開
けて１５０　ｍＩｌ／分の排出流を得るようにし、この
ためにフロート制御弁３０′はかかる排出流を要求に応
じて供給できる。

第４図に示す装置の使用において、タンク１を先づ空に
し、主供給弁（図に示していない）を開放して脱イオン
水を第１供給管２．２′に供給し、フルートおよびロッ
ド組合せ体１８および１９の重量が作用してロッドの端
部１９ｂが供給弁３０′の可動部材３１′を押し下げて
弁３０′を開放し、入口１′を介してタンクｌを満たす
ようにする。

タンク内の液体レベルがフロート１８に達する場合に、
フロートは液体により上昇し始め、ロッドを上昇させ、
そして可動部材３１′が弁部材を常に閉鎖状態に戻す。

小孔を弁部材に設け、脱イオン水の細流をタンクｌに供
給して水を新しく補充し、過剰の水はタンク１０頂端上
から溢れされるか、または第１図に示す管１７のような
一定ヘッドまたは溢流管を介してタンク１から流出させ
る。

タンクｌが満たされた場合には、半導体薄片を支えるジ
グをプラットフォーム９上に配置してプラットフォーム
を傾かせ、このために端部９′を下方に移動させて棒部
材３３が可動部材３１′を押し下げ、そして供給弁３０
′を開放し、脱イオン水をスプレーヘッド２３に供給し
て半導体薄片をゆすぎ、同時にベロー３４内の流体圧が
減少し、そしてタンク閉鎖部材２５を移動して脱イオン
水をタンクｌから排出する。半導体薄片を所望時間、例
えば３０秒間にわたってスプレーヘッドによってゆすい
だ後、ジグをタンク１から持ち上げてプラットフォーム
９を元の位置に戻し、可動部材３１′を通常閉鎖状態に
戻す。供給弁３０′を閉じると、ベロー３４内の圧力が
増加してベローを膨張させ、そしてタンク閉鎖部材２５
を閉鎖状態に戻す。タンク１の排出中、フロート１８は
プラットフォームの端部９′をロッド１９に連結するた
めに上昇状態に維持する。しかしながら、ジグがプラッ
トフォーム９から移動する場合には、フロートおよびロ
ッド１８および１９組合せ体の重量が作用して可動部材
３１′を押し下げて供給弁３０′を開放し、そしてタン
クを再充填する。

必要に応じて、蓄圧器２３ａ（第２図参照）をスプレー
へラド２３に通ずる第１供給ライン２′に設けて供給管
３１′が再閉鎖した後の予定時間にわたりスプレーヘッ
ドへの脱イオン水供給を維持することができ、このため
にジグがタンクから持ち上げられる際に半導体薄片は継
続してゆすがれる。

勿論、半導体薄片から残留腐食液酸またはアルカリを除
去するために、−回置上のゆすぎまたは洗浄操作を行う
ことができる。このために、先づ半導体を支えるジグを
通常脱イオン水浴に浸して残留腐食液を冷却し、次いで
最終洗浄浴において、薄片を支えるジグが脱イオン水で
ゆすがれるまで、すなわち、水の抵抗率が所望値、例え
ば５メガオームに達するまで、ジグを１または２回以上
のゆすぎまたは洗浄浴に移動させる。

１例として、半導体薄片の洗浄またはゆすぎシステムに
１または２回以上の第１冷却および排出容易さく第２図
に示すように）、並びに急速充填容易さを与えることが
でき、更に最終ゆすぎタンクを設けることができる。

第５図は１つのシステムを線図的に示している。

第５図に示しているように、例えば４個までのシリコン
薄片を支えるジグを収容できるように配置することので
きる第１洗浄または冷却タンク１ａを設けることができ
る。第１タンク１ａに続いて噴霧および排出容易さを支
える第２タンク１ｂを有する本発明における装置４１、
例えばフロート制御急速充填設備を具えたまたは具えて
いない第２または４図に示す装置を設ける。最後に、タ
ンク１ｃを有する第１図に示すタンプの最終ゆすぎ装置
４２を設け、その作動は第１図に示す装置におけるよう
にジグがプラットフォーム９上に位置することによって
ひき起す。タンク１ａ、１ｂおよびＩＣのそれぞれの最
初の充填は第２または４図におけるようにフロート制御
供給弁を介して行うことがでる。しかしながら、第５図
に示すように噴霧および排出タンク１ｂおよび最終ゆす
ぎタンクＩＣの最初の充填はフロート制御供給弁を介し
て行うことができると共に、第１ゆすぎまたは冷却タン
ク１ａには最終タンクＩＣから廃水をタンクＩＣの頂端
上から溢れる水を集めるタンクＩＣを囲むトラフ４３を
介して供給でき、およびかかる水を排水管４４を介して
最初の冷却タンク１ａに供給できる。第１タンク１ａに
最終タンクｌｃからの廃水を充填するために、第１タン
ク１ａにおける所望の水レベルをトラフ４３のへりより
低くする必要がある。この事は図に示すようにタンク１
ａより高いレベルにタンクＩＣを取付けおよびトラフを
囲むことにより、またはタンク１ｃの頂部近くにトラフ
４３を配置することにより達成できる。

第５図に示す装置の操作は次のように行うことができる
。先づ、最初に半導体薄片を支えるジグを脱イオン水で
満した最初のまたは冷却するタンク１ａに浸して薄片上
の残留腐食液を稀釈および冷却する。タンク１ａを分割
する場合にはく第７図参照）、ジグを各タンク区分に順
次に突進させる。

次いで、ジグを噴霧および排出タンク１ｂに移動させる
。この場合、第２または４図に示す装置を設ける場合に
は最初にタンクを水で満たすようにする。プラットフォ
ーム９上のジグの重量は供給弁３′を開放し、タンク閉
鎖部材２５を移動して水をタンク１ｂから排出し、同時
に水をスプレーヘッド２３に供給する。タンク１ｂから
排出する水を排水管を介して最初の冷却タンク１ａにお
ける水を補給する。なぜならば、第２タンク１ｂからの
廃水はジグを最初に位置するタンク１ａにおける水より
腐食液であまり汚染されていないためである。しかしな
がら、最終ゆすぎタンク１ｃからの廃水または排水は清
浄にして用いるのが好ましい。このために、スプレーベ
ッド２３は水を薄片に向けて残留腐食液をゆすぎ落す。

所望時間にわたって噴霧した後、ジグをプラットフォー
ム９から持ち上げ、そして弁３′および３′を閉じてタ
ンクを再び満たすようにする。蓄圧器２３ａを設ける場
合には、ジグをプラットフォーム９から持ち上げた後、
しばらくの間、噴霧を継続する。

次いで、ジグを最終ゆすぎタンク１ｃに移動させる。最
終ゆすぎタンクｌｃ内のプラットフォーム９上における
ジグの重量は第１供給弁３′を開放し、高い流れの水を
タンクｌｃに供給する。適当な伝導率計で測定されるよ
うに、タンクＩＣ内の水の抵抗率が予定値、例えば薄片
が腐食液から十分に清浄されると思われる５メガオーム
に達するまでジグをタンクＩＣに設置しておく。上述す
るように、最終ゆすぎタンクＩＣからの廃水が有効な第
１冷却段階を達成するのに十分に純粋である場合には、
最終タンクＩＣＯ頂端上から溢れる水は排水管４４を介
して最初の冷却タンク１ａに供給することができる。

第６および７図は異なるゆすぎタンクの組合せを有する
半導体薄片を洗浄またはゆすぎする他の変形システムを
示している。第６および７図に示す装置は第４図に示す
タイプの供給弁、例えばトルベック弁を用いているけれ
ども、勿論、第１〜３図に示すタイプの供給弁を制御弁
と組合せて用いることができる。

第７図から明らかなように、システムは３個のゆすぎタ
ンク１ｄを有する第１または最初のゆすぎ装置５０、タ
ンク１ｅを用いる噴霧および排水装置５１およびタンク
ｉｆを有する最終ゆすぎ装置５２から構成されている。

噴霧および排水装置５１は、後述するように噴霧および
排水装置５１が通常手動できるタンク閉鎖部材２５を有
する以外は第４図に示す装置と同様にできる。最終ゆす
ぎ装置は第１図に示す装置と同じジグ引金装置を組合せ
るが、しかしプラットフォーム９の傾けまたはジグの重
量が作用して供給弁３０ｆの可動部材３１ｆ上に直接に
作用する可動棒部材３３ｆを移動する第４図に示す装置
を用いる。

第６右よび７図に示すように、最初のゆすぎまたは冷却
装置５０、および噴霧および排出装置５１の急速充填は
タンク１ｅに連通ずるフロート　チャンバー２１６に配
置するフロート制御弁システムによって制御し、このた
めに液体のタンク１ｄへの供給をタンク１ｅにおける液
体レベルによって制御する。

第７図に示すように、フロート　チャンバー２１６は３
個の別々の供給弁３０ｄ、３０’　ｅおよび３０′ｅを
有しており、これら多弁は第４図に関連して上述するタ
イプであり、多弁は個々のフロー）１８ｄ、１８’　ｅ
および１８′ｅと個々のｏ−７ド１９ｄ、　１９’　ｅ
および１９′ｅの組合せ体によってフロート１８と同様
にして制御され、およびフロート１８およびロッド１９
組合せ体は第４図に示す装置における弁３０′を制御す
るように作用する。

脱イオン水は、第１主供給ライン６１を介して最初の冷
却タンク１ｄおよびゆすぎタンク１ｅに供給し、供給ラ
イン６１は分岐して３個の第１供給ライン２ｄ。

２′ｅおよび２′ｅを形成し、これらの各ラインは第１
供給弁３０ｄ、３０’　ｅおよび３ｏ１ｆｅの各１個を
介して制御される。供給弁３０ｄにより制御される第１
供給ライン２ｄは、脱イオン水を３個の冷却タンク１ｄ
のそれぞれに供給するように配置し、また供給弁３０′
ｅにより制御される第１供給ライン２′ｅは脱イオン水
を供給して噴霧および排出タンク１ｅに満たすように配
置し、および供給弁３０′ｅにより制御される第１供給
ライン２１ｅは脱イオン水をタンク１ｅのスプレーヘッ
ド２３に供給するように配置する。最終ゆすぎタンク１
ｆは、脱イオン水を第１供給ライン２ｆを通して供給さ
れ、この供給は可動部材３３ｆにより作動する他の供給
弁３０［を介して制御される。かかる可動部材３３ｆは
適当な液密シールを介してタンクに突出し、かつタンク
に位置して弁３０ｆを開放し脱イオン水をタンクに供給
するジグの重量下で移動する。

噴霧および排出タンク１ｅには第４図に示す装置のよう
にジグ引金プラットフォーム９を設けることができるか
ら、第６および７図に示す装置においてタンク閉鎖部材
（図に示していない）はタンク閉鎖部材の１端邪に連結
するプランジャ６５により手動に操作することができる
。後述するように、処理液体のスプレーヘッド２３への
供給はフロート制ｆ＆ＩＩ　弁３０　’　ｅで制御し、
このためにタンク閉鎖部材２５による出口２４の開放は
フロート１ｓ　Ｔｊ　ｅを下げて弁３０′ｅを閉じ、液
体をスプレーヘッド２３に供給する。この装置では、便
宜上、プランジャ６５およびタンク閉鎖部材２５をフロ
ート　チャンバー２１８に配置している。

勿論、３個の各供給弁３０ｄ、３０’　ｅおよび３０’
ｅ、およびそれぞれのフロー）　１８ｄ、　１８’　ｅ
および１８′ｅは、供給弁により制御するために各タン
ク１ｄおよび１ｅに関連する各フロート　チャンバーに
配置することができる。また、３個の個々の供給弁を設
けることができるけれども、単一供給弁３０を使用する
ために各タンク１ｄおよび１ｅに、およびスプレーヘッ
ド２３に供給する水を制御するようにでき、必要に応じ
て、制御する個々のタンクにおける水レベルを異なる最
大レベルにすることができる。

第６および７図に示す装置の操作において、最初、タン
クｌｄ、ｌｅおよび１ｒは空になっており、個々の供給
弁３０ｄ、３０’　ｅおよび３０′ｅに作用するフロー
ト１８ｄ、１８’　ｅおよび１８′ｅの重量は供給弁３
０ｄ。

３０′ｅおよび３０′ｅを開放して脱イオン水をタンク
１ｄおよび１ｅに供給しているものとする。最終ゆすぎ
タンクｉｆは、最初に、例えばきれいなジグを用い、所
望時間にわたって可動部材３３ｆを押圧することによっ
て満すことができる。一旦、タンク１ｄおよび１ｅにお
ける水のレベルが予定高さに達すると、フローＮ８ｄ、
１８’　ｅおよび１８’　ｅは液体レベルにより上昇し
始めて供給弁３０ｄ、３０’　ｅおよび３０′ｅを閉鎖
する。上述するように、各供給弁３０ｄ。

３０′ｅおよび３０′ｅの弁部材には小孔を設け、供給
弁３０ｄ、３０’　ｅおよび３０′ｅを閉じた場合に液
体の細流をタンク１ｄおよび１ｅに供給することができ
る。

洗浄またはゆすぐ半導体薄片を支えるジグは、最初に、
第１ゆすぎおよび冷却タンク１ｄのそれぞれに順次に進
行させて任意の残留腐食液酸を稀釈し、かつ少なくとも
１部分除去し、更に腐食作用の進むのを防止する。

次いで、ジグを噴霧およびゆすぎタンクｌｅｌ：移動さ
せる。プランジャ６５を押し下げてタンク蘭鎖ドアー（
図に示していない）を開放して脱イオン水をタンク１ｅ
から排出させる。脱イオン水がタンク１ｅから排出する
際に、結局、フローＮ８ｄ、１８’　ｅおよび１８′ｅ
は降下し、供給弁３０ｄ、３０’　ｅおよび３０′ｅを
開放し、水をスプレーヘッド２３に供給してタンク排出
口のジグに噴霧し、そして脱イオン水を最初の洗浄タン
クｌｄに供給し、水を次のジグのために補給し、過剰の
水をタンク１ｄの頂端上から溢れさせる。ジグを予定時
間にわたって噴霧した後、ジグはタンク１ｅから持ち上
げられ、ジグ−誘導最終ゆすぎタンク１ｆに移動する。

ジグの重量は可動部材３３ｆを押し下げ、第１供給弁３
０ｆを開放して脱イオン水の急速な流れをタンク１に供
給する。

スプレーヘッド２３がタンク１ｅのゆすぎ落す短い期間
後、プランジャ６５を上げ、次の操作のためにタンク１
ｅを補充する。導電率計（ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ　
ｍｅｔｅｒ）　５４が水についての所望抵抗率、例えば
５メガオームを記録するまで、ジグをタンクＩｆに維持
する。

比較試験を（１）普通の半導体薄片をゆすぎシステムお
よび（２）本発明の装置を用いて行った。普通のシステ
ム（１）を用いる場合、ジグを酸腐食液浴からゆすぎ浴
に移動させ、タンクに脱イオン水を速い流速、特に８β
／分で供給し、過剰の水または廃水をタンクの頂部上か
ら単に溢れさせる。第５図または第６および７図に示す
と同様の本発明の装置（２）を用いる場合には、半導体
薄片を支えるジグを酸腐食液浴から最初のゆすぎまたは
冷却タンクのそれぞれに順次に、次いで噴霧および排出
タンクに移動させ、噴霧および排出タンクにおいてジグ
をタンク排出口の開放後３０分間にわたって噴霧し、最
後にジグをジグ−誘導最終ゆすぎ浴に移動させた。いず
れの場合においても、２つの半導体薄片を支えるジグ（
１つはきれいなジグ、および他の１つは汚れたジグ）を
ゆすいだ。汚れたジグは、引続く段階を順次３回繰返し
行い酸腐食液がジグのプラスチック材料に吸収されるこ
とによって汚染された。このために、きれいなジグを炉
に入れ、炉から除去し、酸腐食液に浸し、脱イオン水浴
またはタンク中に突進させ、最後に脱イオン水で３０秒
間にわたり噴霧し、ゆすいだ。

上述する試験の結果として、普通の方法を用いた場合に
は、きれいなジグを急速流の浴でゆすぐのに少なくとも
約８ｚ分を要し、および汚れたジグについてはタンク１
ｆにおける脱イオン水が５メガオームの抵抗率に達する
のに少なくとも２５分を要した。これに対して、本発明
の装置を用いた場合には、きれいなジグを最終ゆすぎ浴
でゆすぐのに約１分（７Ｖ２分以下）を要し、また汚れ
たジグについては脱イオン水が同じ５メガオームの抵抗
率に達するのに約８ｚ分（１６％分以下）を要したのに
すぎない。それ故、ゆすぎプロセスに要する全時間は、
特に汚れたまたは汚染されたジグは洗浄する薄片を支え
るのに使用する本発明の装置を用いることによって著し
く短縮することができる。

また、ゆすぎ時間を短縮でき、および上述するように脱
イオン水の急速流を自動釣に制御できるために、脱イト
ン水の使用量を著しく減少することができる。

プラットフォーム９は半導体薄片を支えるジグを支持す
るために設けるので、プラットフォーム９は通常長方形
の頂面９ｂおよび側面９ｃ　（第１図）を有し、下方に
開いたトレー状構造に形成されている。プラットフォー
ム９には少なくとも頂面９ｂ上に孔の予定パターン（図
に示していない）を形成して、入口１′を介してタンク
に供給される水の混合を容易にする。また、シリコン薄
片を支えるジグをジグの下側から上に向けて上昇する開
ロタイブにする場合には、プラットフォーム９にその頂
面９ｂ上に適当に離間した突出体（図に示していない）
を設け、薄片をジグにおいてその支持体から僅かに上げ
て支持し、薄片を十分にきれいにすることができる。

勿論、装置は半導体薄片を洗浄する以外の目的に用いる
ことができ、例えば装置を目的物を液体と接触させて洗
浄または処理することができ、特に使用する洗浄または
処理液体く勿論、水を必ずしも必要としない）が高価で
あり、および高度のきれいさまたは汚染物を含まないこ
とが、ゆすいだまたは洗浄した目的物に要求される任意
の他の方法に用いることができる。

本明細書および特許請求の範囲を逸脱しないかぎり当業
者により種々変更を加えることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は第１構造の本発明の装置の断面図、第２図は第
２構造の本発明の装置の断面図、第３図は第２図に示す
装置の変形構造の装置の断面図、 第４図は他の構造の本発明の装置の断面図、第５図は本
発明の装置の部分を形成する１個または一連のタンクを
含む半導体薄片を洗浄するシステムを断面として示す説
明用線図、および第６および７図はそれぞれ本発明の装
置の部分を形成する１個または一連のタンクを含む半導
体薄片を洗浄する１部分を切欠にした側面図および平面
図である。 １、　ｌａ、　ｌｂ、　ｌｃ、　ｌｄ、　ｌｅ、　ｉｆ
　−・・タンク１′・・・タンク底部の入口 １′・・・タンク１の頂端 ２、２ｄ、　２’　ｅ、　２　’　ｅ、　６Ｌ・・第１
供給ライン２’、２’・・・第１供給管 ３．３　’　、３’　、３’　ａ、３　’　ｂ、３０’
　、３０　’　、３０ｆ、３０ｄ、３０’　ｅ。 ３０′ｅ・・・供給弁 ４、４’　、４’　、４’　ｂ・・・制御口５、５’　
、５’・・・第２供給ライン（第２供給管）６・・・流
れ制御装置　　　７．７’　、？’・・・制御弁７ａ、
７’　ａ　＝−弁部材　　　７ｂ、７’　ｂ　・・・弁
座８、８’　、８’・・・補助入口　９・・・プラット
フォーム９ｂ・・・プラットフォーム９の頂面 ９Ｃ・・・プラットフォーム９の側面 ９’、９’・・・プラットフォームの２個の対向端部９
ａ・・・ピボットまたは支点 １２・・・ピボット　ロッド １３、　１３’　、１３　’・・・可動ピストン１４、
　１４’・・・チャンバー　１５．　１５’　、１５　
’・・・ばね１６・・・供給弁３の出口　　１７・・・
０−リング（溢流管）１８、１８ｄ、　　１８’　ｅ、
　１８’　ｅ　−・−７０−ト１９、１９ｄ、　１９’
　ｅ、　１９’　ｅ　・・・Ｄ　ラド１９ａ・・・ロッ
ド１９の１端　１９ｂ・・・ロッド１９の他端２０、２
８・・・ブラケット ２１．２１６・・・分離フロート　チャンバー２２・・
・開口　　　　　　　２３・・・スプレーヘッド２３ａ
・・・蓄圧器　　　　　２４・・・排出口２５・・・タ
ンク閉鎖部材　　２６・・・Ｏ−リングシール２７・・
・連接棒　　　　　　３１．３１ｆ・・・可動部材３３
、３３ｆ・・・棒部材　　　　３４・・・ベロー３５・
・・バイアス供給ライン ４１・・・装置　　　　　　　４２・・・最後ゆすぎ装
置４３・・・トラフ　　　　　　４４・・・排出管５０
・・・第１または最初のゆすぎ装置５１・・・噴霧また
は排水装置 ５２・・・最終ゆすぎ装置　　５４・・・導電率計６５
・・・プランジャ　　　　１００・・・ジグ１３１・・
・拡大ヘッド端（ピストン　ヘッド）１３２・・・狭い
ネック　　　１３３．１３３’・・・閉鎖部材１４１′
・・・チャンバー１４′の端面特許出願人　　　エヌ・
ベー・フィリップス・フルーイランペンファブリケン 代理人弁理士　　杉　　村　　暁　　秀代理人弁理士　
　杉　　村　　興　　作りり・６・

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、半導体薄片を支えるジグを収容するタンク；タンク
   に処理液体を供給する第１供給ライン；制御口における
   流体圧の変化に応答して作動する第１供給ラインを通し
   て供給する液体を制御する供給弁；および液体を制御口
   に供給して供給弁の作動を制御する第２供給ラインから
   なり、第２供給ラインを制御弁を介してタンクの入口に
   連通し、および制御弁をタンク内の変化に応答して作動
   させて制御口における液体圧を制御し、そして供給弁の
   作動を制御することを特徴とする半導体薄片の処理装置
   。 ２、制御弁をタンク内に位置する重量に応答して供給弁
   を開放するように配置した特許請求の範囲第１項記載の
   装置。 ３、タンクに半導体薄片を支えるジグを支持するプラッ
   トフォームを含み、プラットフォームをタンク内に設け
   、プラットフォームを半導体薄片を支えるジグの重量下
   で可動するようにして制御弁を作動して供給弁を開放す
   るようにした特許請求の範囲第２項記載の装置。 ４、プラットフォームは一方の弁部材および制御弁の弁
   座を支持し、他方の弁部材および制御弁の弁座は第２供
   給ラインに連通するタンクの入口からなる特許請求の範
   囲第３項記載の装置。 ５、液体をタンクに供給する他の第１供給ライン、他の
   第１供給ラインを通して液体流れを制御する他の供給弁
   、および他の制御弁におよび他の供給弁の制御口に連通
   する他の第２供給ラインからなり、他の制御弁をタンク
   内の液体レベルの変化に応答して作動するようにした特
   許請求の範囲第１〜４項のいずれか一つの項記載の装置
   。 ６、制御弁をタンク内の液体レベルの変化に応答して作
   動させた特許請求の範囲第１項記載の装置。 ７、制御弁を可動部材に設けたフロートにより作動させ
   て、液体レベルがタンクの底部上の予定高さを越えた場
   合に、タンクにおける液体レベルによりフロートを移動
   するようにした特許請求の範囲第５または６項記載の装
   置。 ８、可動部材をフロートから懸垂させ、かつタンクの壁
   にまたはタンクに連通するフロートチャンバーに摺動自
   在に取付けたロッドか らなり、ロッドは第２供給ラインの出口と協同し制御弁
   を形成する低端部を有し、ロッドをタンクの底部上の予
   定高さにおいてフロートを支持し、ロッドの低端部が第
   ２供給ラインの出口と掛合して、タンクにおける液体レ
   ベルがフロートを浮かすのにおよびロッドの低端部を第
   ２供給ラインの出口と離脱して上がるのに十分に上昇す
   るまで、弁を閉鎖するようにした特許請求の範囲第７項
   記載の装置。 ９、薄片を支えるジグをタンク中に位置させて前記他の
   供給弁の開放を防止する場合に、フロートを上昇位置に
   維持する手段をタンク内に設ける特許請求の範囲第７ま
   たは８項記載の装置。 １０、供給弁は、閉鎖部材がタンクの出口を閉じる供給
   弁の開放および閉鎖状態のいずれか一方に相当する第１
   位置と、閉鎖部材が液体を出口を通じて排出する供給弁
   の開放および閉鎖状態の他方に相当する第２位置との間
   で供給弁の作動により可動する閉鎖部材を支持する特許
   請求の範囲第１〜９項のいずれか一つの項記載の装置。 １１、装置は、液体を前記他の第１の供給ラインを介し
   て制御する他の供給弁、および前記他の供給弁を制御す
   る前記他の供給弁の制御口に連通する供給弁の第２供給
   ラインを含み、前記他の供給弁は制御弁で制御し、１つ
   の供給弁が開く場合に他の供給弁を閉じ、他の供給弁は
   他の供給弁の作動により可動する閉鎖部材を支持し、こ
   のために前記他の供給弁が閉じる場合に、閉鎖部材はタ
   ンクの出口を閉じ、および前記他の供給弁が開く場合に
   、閉鎖部材は出口を介してタンクから液体を排出する特
   許請求の範囲第１〜９項のいずれか一つの項記載の装置
   。 １２、前記第２供給ラインは第１供給ラインに流れ制限
   装置を介して連通させ、制御弁が開く場合に液体の比較
   的に小容量の流れをタンクに通す特許請求の範囲第１〜
   １１項のいずれか一つの項記載の装置。 １３、供給弁は可動ピストンからなり、該ピストンは供
   給弁の開放および閉鎖状態の一方において制御口を封止
   し、および連通する制御弁を閉じることによって生ずる
   制御口における液体圧の増加に応答して供給弁の開放お
   よび閉鎖状態の他方に押圧手段に抗して可動する特許請
   求の範囲第１〜１２項のいずれか一つの項記載の装置。 １４、制御弁をニードル弁とした特許請求の範囲第１〜
   １３項のいずれか一つの項記載の装置。 １５、処理すべき半導体薄片を支えるジグを収容するタ
   ンク、タンクに処理液体を供給する供給ライン、供給ラ
   インを通じて液体供給を制御する供給弁、および半導体
   薄片を支えるジグの重量下で供給弁を開放または閉鎖す
   るように可動するタンク内に取付けたプラットフォーム
   からなることを特徴とする半導体薄片の処理装置。 １６、装置は、液体をタンクに供給する他の供給ライン
   、および他の供給ラインを通して液体流れを制御するタ
   ンク内の液体レベルの変化に応答して作動する他の供給
   弁を含む特許請求の範囲第１５項記載の装置。 １７、他の供給弁をタンクに連通するタンクまたはフロ
   ートチャンバーの壁に摺動自在に取付けたロッドで支持
   したフロートで制御し、ロッドはタンクの底部上の予定
   高さにフロートを支持し、かつ他の供給弁の可動部材と
   協同する低端部を有し、そしてタンクにおける液体レベ
   ルが予定レベルを越えるまで他の供給弁を開放状態に維
   持し、およびフロートは可動部材から離脱してロッドの
   低端部を持ち上げて他の供給弁を閉じる特許請求の範囲
   第１６項記載の装置。 １８、膨張部材を配置して閉鎖部材をタンクの出口を閉
   鎖する第１位置に維持し、膨張部材の膨張および収縮を
   前記供給弁の作動により制御し、このために前記供給弁
   が開放する場合に、膨張材料を押しつぶして液体をタン
   クから排出し、および前記供給弁が閉鎖する場合に、膨
   張部材は膨張してタンク出口を封止するように構成され
   た特許請求の範囲第１５、１６または１７項記載の装置
   。 １９、第１供給ラインを、供給弁を介してタンクに下方
   に向けて液体を噴霧するように配置した１または２個以
   上のスプレーヘッドに連通させた特許請求の範囲第１６
   〜１８項のいずれか一つの項記載の装置。 ２０、蓄圧器を設けて、関連供給弁が閉鎖した後、ある
   時間にわたり維持すべきスプレーヘッドに液体を供給す
   るようにした特許請求の範囲第１９項記載の装置。 ２１、特定の処理段階を行うのに用いる複数の処理タン
   クからなり、少なくとも１つのタンク形成部分を任意の
   １つの上記特許請求の範囲に規定する装置として半導体
   薄片処理システムを構成した特許請求の範囲第１〜２０
   項のいずれか一つの項記載の装置。