JPS63162A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS63162A JPS63162A JP62007658A JP765887A JPS63162A JP S63162 A JPS63162 A JP S63162A JP 62007658 A JP62007658 A JP 62007658A JP 765887 A JP765887 A JP 765887A JP S63162 A JPS63162 A JP S63162A
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Landscapes
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ＭＯ８型トランジスタの動作時及び取り扱い
時における異常電圧による破壊を防止すＭＯ８型トラン
ジスタのゲート絶縁膜はきわめて薄い為、ゲート電極に
印加される電圧が過大になると破壊され易い欠点を有し
ている。とくに装置に組み込まれる前に人体等に帯電し
た静電気（より破壊される頻度が高い。つまり酸化膜の
耐圧は５０〜１００Ｖであり、普通に鰐起される静電電
圧ａｋ〜十数ｋＶの静電気放電により簡単に破壊される
か又破壊に至らないまでも耐圧劣化を引き起こす。
時における異常電圧による破壊を防止すＭＯ８型トラン
ジスタのゲート絶縁膜はきわめて薄い為、ゲート電極に
印加される電圧が過大になると破壊され易い欠点を有し
ている。とくに装置に組み込まれる前に人体等に帯電し
た静電気（より破壊される頻度が高い。つまり酸化膜の
耐圧は５０〜１００Ｖであり、普通に鰐起される静電電
圧ａｋ〜十数ｋＶの静電気放電により簡単に破壊される
か又破壊に至らないまでも耐圧劣化を引き起こす。
このような問題を解決する為に種々の入力・出力保護回
路が報告されている。
路が報告されている。
一般に保護回路は、基板と逆導電型の不純物を含む拡散
層と放電の機能を有した回路との組合せにより構成され
る。又これらの保護回路はポンディングパッドと保護さ
れるべきトランジスタ間に設置される設計手法が採られ
ており、ポンディングパッドから延在するＡｔと拡散層
を開口部を通して接続しなければならない。
層と放電の機能を有した回路との組合せにより構成され
る。又これらの保護回路はポンディングパッドと保護さ
れるべきトランジスタ間に設置される設計手法が採られ
ており、ポンディングパッドから延在するＡｔと拡散層
を開口部を通して接続しなければならない。
接合容量を小さくでき、短チヤンネルトランジスタが可
能となることから高速化が、又拡散層及びチャネル長が
小さくなることから高集積化が可能となる。
能となることから高速化が、又拡散層及びチャネル長が
小さくなることから高集積化が可能となる。
しかしながら、保護回路を構成している拡散層Ａｔの接
続部においては、ポンディングバットに印加された高電
圧が直接拡散層にかかる為Ｋ、拡散層がきわめて浅いと
局所的な発熱がおこる。Ａｔが直接拡散層と接している
場合、この発熱により合金反応がおこり接合は破壊され
る。すなわち、境界部を介しＣＡｔがＳｉの中へ、又逆
ＫＳｔがＡｔの中へ置換する形で反応が起こるために発
熱量が太きくｈｔが接合位置より深く侵入すると、拡散
層は基板とシ゛ヲートしてしまう。これを避ける為に、
純粋なＡｔだけでなくＳｉ入りのＡｔを用いたりＡｔ配
線の下に自己整合型にポリシリコンを設ける方法が提案
されているが、上記の発熱がかなりの温度になる為に拡
散層中の８１も置換されるのシ曹−トを防止した特に記
憶装置としての半導体装置の製造方法を提供することに
ある。すなわち、記憶装置には集積度を上げる為に２層
のポリシリコンが用いられており、１）ランラスタ１容
量を基本メモリセルとしたダイナミック型記憶回路装置
の場合は、−方のポリシリコンはゲート電極又は配線に
他方はメモリセルの容量部の電極Ｋ。
続部においては、ポンディングバットに印加された高電
圧が直接拡散層にかかる為Ｋ、拡散層がきわめて浅いと
局所的な発熱がおこる。Ａｔが直接拡散層と接している
場合、この発熱により合金反応がおこり接合は破壊され
る。すなわち、境界部を介しＣＡｔがＳｉの中へ、又逆
ＫＳｔがＡｔの中へ置換する形で反応が起こるために発
熱量が太きくｈｔが接合位置より深く侵入すると、拡散
層は基板とシ゛ヲートしてしまう。これを避ける為に、
純粋なＡｔだけでなくＳｉ入りのＡｔを用いたりＡｔ配
線の下に自己整合型にポリシリコンを設ける方法が提案
されているが、上記の発熱がかなりの温度になる為に拡
散層中の８１も置換されるのシ曹−トを防止した特に記
憶装置としての半導体装置の製造方法を提供することに
ある。すなわち、記憶装置には集積度を上げる為に２層
のポリシリコンが用いられており、１）ランラスタ１容
量を基本メモリセルとしたダイナミック型記憶回路装置
の場合は、−方のポリシリコンはゲート電極又は配線に
他方はメモリセルの容量部の電極Ｋ。
またスタティック型記憶回路装置の場合は一方がゲート
電極又は配線に、他方はメモリセルの負荷抵抗に用いら
れる。
電極又は配線に、他方はメモリセルの負荷抵抗に用いら
れる。
本発明では、かかる２層のポリシリコンを上記の入出力
部のＡｔ配置９（８１人りＡｔ配線及びポリシリコン−
Ａｔの２層配線もＡｔ配線とよぶ）と拡散層の接膀部に
用いることにより、拡散層の発熱による破壊を防止して
いる。
部のＡｔ配置９（８１人りＡｔ配線及びポリシリコン−
Ａｔの２層配線もＡｔ配線とよぶ）と拡散層の接膀部に
用いることにより、拡散層の発熱による破壊を防止して
いる。
次に本発明の詳細な説明する。第１図（ａ）乃至（ｅ）
は本発明の一実施例である。Ｐ型のＳｉ基板１０１０１
表面にフィールド酸化膜１０２、ゲート、＋−１−′ 部に相当するゲート絶縁膜を除去したのち、５０００久
の第１層目のポリシリコン１０４を成長し、リンを拡散
することにより保護回路としての拡散層のコンタクト領
域１０５が形成される（第１図伽））。
は本発明の一実施例である。Ｐ型のＳｉ基板１０１０１
表面にフィールド酸化膜１０２、ゲート、＋−１−′ 部に相当するゲート絶縁膜を除去したのち、５０００久
の第１層目のポリシリコン１０４を成長し、リンを拡散
することにより保護回路としての拡散層のコンタクト領
域１０５が形成される（第１図伽））。
この拡散層１０５は１μｍ以上の深さに設定する。
次Ｋ、第１層目のポリシリコンを選択的に除去してトラ
ンジスタのゲート電極１１６と保護回路としての拡散層
のコンタクト電極１１７とを形成する。この後、Ａｓを
イオン注入する。その後の熱処理により０．５μｍの深
さを有するトランジスタのソース、ドレイン領域１０６
とコンタクト領域１０５間を結ぶ領域１０６′とが形成
される。さらに気相成長Ｓｉｎ、１０７を全面に成長し
く第１図（Ｃ））、開口部を設けたのち５ｏｏｏＸの厚
さの第２層目のポリシリコンを設は選択的に除去して第
２のコンタクト電極１０８を設ける。第２層目のポリシ
リコンはメモリセルの負荷抵抗に用いられているが、こ
の部分を除いてリンが拡散されている。その後タクト電
極１０８とｈｔ配１ＩＡ１１０の接続をとる。
ンジスタのゲート電極１１６と保護回路としての拡散層
のコンタクト電極１１７とを形成する。この後、Ａｓを
イオン注入する。その後の熱処理により０．５μｍの深
さを有するトランジスタのソース、ドレイン領域１０６
とコンタクト領域１０５間を結ぶ領域１０６′とが形成
される。さらに気相成長Ｓｉｎ、１０７を全面に成長し
く第１図（Ｃ））、開口部を設けたのち５ｏｏｏＸの厚
さの第２層目のポリシリコンを設は選択的に除去して第
２のコンタクト電極１０８を設ける。第２層目のポリシ
リコンはメモリセルの負荷抵抗に用いられているが、こ
の部分を除いてリンが拡散されている。その後タクト電
極１０８とｈｔ配１ＩＡ１１０の接続をとる。
１１１が入力用トランジスタ、１１２が入力用トランジ
スタ１１１を保護するための入力回路の抵抗拡散層部で
ある。−般にはこの拡散層にフィールドトランジスタや
ゲートコンドロールドダイオードが接続されるが、ここ
では省略した。１１３はポンディングパッド部でありＡ
ｔＫはボンディング細、Ｉｌｌ １４が接続されている
。また本チップ表面は気相成長Ｓｉｎ、１１５で保護さ
れている（第１図（＠））。図から明らかなように入力
保護用の拡散層はＡｔ配線とは２層のポリシリコンを介
して接続されており、かつ接続部の拡散層は深（形成さ
れている。
スタ１１１を保護するための入力回路の抵抗拡散層部で
ある。−般にはこの拡散層にフィールドトランジスタや
ゲートコンドロールドダイオードが接続されるが、ここ
では省略した。１１３はポンディングパッド部でありＡ
ｔＫはボンディング細、Ｉｌｌ １４が接続されている
。また本チップ表面は気相成長Ｓｉｎ、１１５で保護さ
れている（第１図（＠））。図から明らかなように入力
保護用の拡散層はＡｔ配線とは２層のポリシリコンを介
して接続されており、かつ接続部の拡散層は深（形成さ
れている。
本実施例を用いると、入力パッドに高電圧が印加されて
もＡｔと拡散層の合金反応は２層のポリシリコンで押え
られる。さらに拡散層が深くなりており、これにより入
力耐圧は一眉大きくなることが見い出された。
もＡｔと拡散層の合金反応は２層のポリシリコンで押え
られる。さらに拡散層が深くなりており、これにより入
力耐圧は一眉大きくなることが見い出された。
リシリコンが用いられている場合は、これらをさらに積
層してもよい。
層してもよい。
以上説明したよ５Ｋ、本発明によれば高速・高密度の特
徴を損うことなく、入出力耐圧の十分大きな信頼性の高
いＭＯ８型集積回路装置が実現可能となった。
徴を損うことなく、入出力耐圧の十分大きな信頼性の高
いＭＯ８型集積回路装置が実現可能となった。
第１図（ａ）乃至第１図（ｅ）は本発明の詳細な説明す
る為のＭＯ８型集積回路装置の入力部を製造工程Ｊ［Ｋ
示した断面図である。
る為のＭＯ８型集積回路装置の入力部を製造工程Ｊ［Ｋ
示した断面図である。
Claims (1)
- 多結晶シリコンゲートトランジスタと抵抗領域を有し前
記トランジスタを保護する保護回路とを備えた半導体装
置の製造方法であって、半導体基板の前記トランジスタ
形成部および前記抵抗領域形成部を薄い絶縁膜で覆いこ
れらトランジスタ形成部および抵抗領域形成部間に厚い
絶縁膜を形成する工程と、前記抵抗領域形成部を覆う絶
縁膜に二つのコンタクト穴を形成して全面を第１の多結
晶シリコン層で覆う工程と、前記第１の多結晶シリコン
層から前記二つのコンタクト穴を介して不純物を導入す
ることにより前記抵抗領域の第１および第２のコンタク
ト領域を形成する工程と、前記第１の多結晶シリコン層
を選択的に除去して前記トランジスタの多結晶シリコン
ゲート電極および前記第１および第２のコンタクト領域
に接触すべき第１および第２の多結晶シリコンコンタク
ト電極を形成する工程と、これら多結晶シリコンゲート
電極ならびに第１および第２の多結晶シリコンコンタク
ト電極をマスクとして不純物を導入することにより前記
トランジスタのソースおよびドレイン領域と前記第１お
よび第２のコンタクト領域間を結ぶ領域とを形成する工
程と、少なくとも前記第１の多結晶シリコンコンタクト
電極上にこれに接触して第３の多結晶シリコン層を形成
する工程と、ボンディングパッドから延びる金属配線を
前記第３の多結晶シリコン層に接触して形成する工程と
を含む半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62007658A JPS63162A (ja) | 1987-01-16 | 1987-01-16 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62007658A JPS63162A (ja) | 1987-01-16 | 1987-01-16 | 半導体装置の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1035980A Division JPS56108243A (en) | 1980-01-31 | 1980-01-31 | Semiconductor integrated circuit device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63162A true JPS63162A (ja) | 1988-01-05 |
| JPH0376788B2 JPH0376788B2 (ja) | 1991-12-06 |
Family
ID=11671916
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62007658A Granted JPS63162A (ja) | 1987-01-16 | 1987-01-16 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63162A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4701950A (en) * | 1984-04-12 | 1987-10-20 | Amtel Communications, Inc. | Telephone answering system with line detector |
| JPH0456227A (ja) * | 1990-06-25 | 1992-02-24 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置 |
-
1987
- 1987-01-16 JP JP62007658A patent/JPS63162A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4701950A (en) * | 1984-04-12 | 1987-10-20 | Amtel Communications, Inc. | Telephone answering system with line detector |
| JPH0456227A (ja) * | 1990-06-25 | 1992-02-24 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0376788B2 (ja) | 1991-12-06 |
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