JPS63158801A

JPS63158801A - 抵抗器

Info

Publication number: JPS63158801A
Application number: JP61305524A
Authority: JP
Inventors: 高畠　満夫; 直志入沢
Original assignee: Asahi Glass Co Ltd
Current assignee: AGC Inc
Priority date: 1986-12-23
Filing date: 1986-12-23
Publication date: 1988-07-01

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は、抵抗器に関するものである。

［従来の技術Ｊ従来の抵抗器はＡｌ２Ｏ３基板等にＲｕＯ２，５ｎ０２
０’）抵抗体を形成したものであり、高電圧や大電流で
長時間使用すると、抵抗体が高温になるため劣化すると
いう問題点がある。か−る問題点を解決するためには抵
抗器の体積を大きくして熱を分散させる必要がある。し
かしながらプリント板に実装する場合、ＩＣやハイブリ
ッドＩＣ等の他の素子と高さやビン巾等を合せる必要が
あるため、抵抗器の大きさが律則となり、信頼性の高い
小型の高電力用のものを製造することはむずかしくなる
という問題点がある。

［発明の解決しようとする問題点］本発明は上記従来技術の有していた問題点を解消し、高
電力でも抵抗体の劣化が極めて少なく、小型化の可能な
抵抗器の提供を目的とする。

［問題点を解決するための手段Ｊ本発明は、ＭｇＯを主成分とするセラミック焼結体の表
面に抵抗体を設けてなる抵抗器を提供するものである。

本発明における抵抗体としては、特に限定されず、Ｒｕ
Ｏ２，５ｎ０２等が使用される。か−る抵抗体は、焼結
体上に常法に従って形成される１例えばＲｕＯ２を含有
するペーストを焼結体上に所定パターンに印刷し次いで
これを焼成することにより抵抗体を形成する。金属化合
物の水溶液を焼結体上に塗布し、これを熱処理して金属
酸化物の皮膜にし、次いで、不要部位を除去することに
より所定パターンの抵抗体を形成することもできる。

この抵抗体を形成するセラミック焼結体としてはＭｇＯ
を主成分とするもので熱伝導率が大きく抵抗体との反応
性ができる限り少ないものが好ましい、具体的には、重
量％表示でＭｇＯ　７５〜９０％、Ａｌ２Ｏ３１０２５
％、からなり、かつＡｌ２Ｏ３の大部分がＭｇＯ・Ａ　
１２０３のスピネル相で、残部のＭｇＯはペリクース結
晶になっているものが特に好ましい、その理由は、Ｎｇ
Ｏの高熱伝導率を実質的に損なうことなく、耐水性が向
上されるからである。

上記組成において、ＭｇＯが７５％未満では熱伝導率が
低下し、８０％を越えると耐水性が低下するのでいずれ
も好ましくない、　Ａｌ２Ｏ３は１０％未満では耐水性
が低下し、２５％を越えると熱伝導率が低下するのでい
ずれも好ましくない。

か−るセラミック基体は例えば次のようにして製造され
る。　ＭｇＯ粉末、Ａｌ２Ｏ３粉末を所定割合で配合し
、これを湿式混合して所定形状にプレス成形する０次い
で、これを１４００〜１６００℃、１〜８時間焼成する
ことにより上記焼結体を得ることができる。セラミック
基体の形状としては特に限定されず、平板状、ロッド状
等の広範囲の形状が使用される。また、本発明の抵抗器
は特に高電力のものに効果的であり、具体的には、抵抗
体の定格電力が１／４１以上であうものが好ましい。

【実施例］実施例１Ｍｇ（ＯＨ）２　を仮焼してＭｇＯ粉末を製造し、この
ＭｇＯ粉末８０重量％、Ａｌ２Ｏ３粉末２０％になるよ
うに配合した０次に、これにエタノール中でボールミル
にて湿式混合し乾燥後、圧力１０００ｋｇ／＋ｓ２で、
厚さｌａｍの平板状の成形体を得た０次いでこの成形体
を電気炉に入れ１５００℃に２時間保持して厚さ０．８
■／ｌＩの焼結体を得た。この焼結体（嵩密度は３．５
０ｇ）ｃ１３）について熱伝導率を測定した結果０．１
０ｃａｌ／ｃｍ・５ｅｃ−’Ｏであった。また。

粉末Ｘ線回折法によってその構造を調べた結果＾１２０
３の大部分はスピネル（ＭｇＯ／Ａｌ２０３）を構成し
、残部のＭｇＯはペリクース結晶となっていた０次いで
、この焼結体を切断し１７ｍｍＸ　３ｍのセラミック基
板を得た。

次いで、この基板を使用して第１図の抵抗器を製作した
。即ち、基板ｌの表面に市販のＡｇ−Ｐｄ導体ペースト
を印刷焼成し導体パターン２を形成した０次いで、この
基板に市販のＲｕＯ２抵抗ペーストを印刷し長方形の抵
抗パターン３を６個形成した。なお抵抗パターン３の上
級部は導体パターン２と接続されるようにした０次いで
、この基板を８５０℃で１５分間焼成し、各抵抗体の抵
抗値を８．２にΩに調整してから抵抗体を形成した後、
各抵抗体の下縁部導体にリードフレーム４をハンダ５に
てハンダ付けし抵抗器を製作した。この抵抗器の各抵抗
体に５００鳳−印加し抵抗体の表面温度を測定した結果
１２０℃であった。

これと比較するため、従来の８８％Ａｌ２Ｏ３基板より
同一サイズの基板を切断しこの基板に同一の導体及び抵
抗体を形成して抵抗器を得た。なお、この基板の熱伝導
率は０．０５ｃａｌ／ｓｅａ−ｃｍ・”Ｃであった。こ
の抵抗体に同一の電力を印加し。

抵抗体の表面温度を測定した結果１５０℃であった。

次いで、これらの抵抗器の抵抗体の劣化についてテスト
した。この抵抗器を４０℃、相対湿度９５％の雰囲気中
に保持し、１５時間通電した後０．５時通電を中断する
というサイクルにて１０００時間実施した後、それによ
る抵抗体の抵抗値変化率を測定した結果、それは０．５
％以下であった。なお、各抵抗体への供給電力は２５０
ｍＷであった・これに対し、８６％Ａｌ２Ｏ３基板を使用した抵抗器に
ついて同様のテストを行った結果、抵抗値変化率は１％
であり、極めて大きかった。

実施例２実施例１と同様にして同一組成の４．５ｍｍφ×１４麿
鵬のロット状基体を得た０次いで第２図のようにこの基
体１１の表面に５ｎＣ１２溶液を塗布し、　　５００〜
１１００℃で　時間保持し、５ｎ０２被膜１２を形成し
た０次いで、リード端子１４を有するキャップ１３を基
体の両端に取付けた後、ダイヤモンド砥石を使用して５
ｎ０２被膜にスパイラル状の切条溝１５を設け、リード
端子間の抵抗値を１０にΩに調整した０次いでこの表面
に不燃性コーテイング材を塗布し保護膜１６を形成した
。

かくして得られた抵抗器に８ｗの電力を供給した結果、
その表面温度は１８０℃であった。

比較例として、９６％Ａｌ２Ｏ３を使用してこれと同じ
サイズの抵抗器を作成し、同様のテストを行った結果、
その表面温度は２２０℃であり、極めて高温度になった
。

次いで、これらの抵抗器の抵抗体の劣化について実施例
１と同様のテスト（但し、供給電力は３Ｉｌｌであった
）した結果１本発明の抵抗器は。

抵抗値変化率が１％未満であったが、比較例の抵抗器は
抵抗値変化率が３％であり、極めて大きかった。

［発明の効果］本発明はＭｇＯ質の基板、基体表面にＲｕＯ２系の厚膜
抵抗や５ｎ０２系の酸化金属などの抵抗を形成させるこ
とにより、ネットワーク抵抗器、酸化金属皮膜抵抗器な
どの表面温度上昇を従来の８８％Ａｌ２Ｏ３品よりも小
さくさせる効果を有するため、抵抗器の小形化が可能で
ある。

又、酸化金属皮膜抵抗器の場合、抵抗値の調整として、
基体表面にダイヤモンド砥石でスパイラルな切条溝をも
うけるが１Ｍ８０質基体では３６％Ａｌ２Ｏ３品よりも
硬度が小さく、研削性に優れているので、ダイヤモンド
砥石の寿命が約１桁延びるという効果が認められた。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による抵抗器の平面図である。第２図は本発明による別の抵抗器の一部断面図である。１−ｍ−一基板？−−−−導体３−−−一抵抗体１１−−−一基体１２−−−一抵抗体第　１　図′ 鴇Ｚ　図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）ＭｇＯを主成分とするセラミック焼結体の表面に
抵抗体を設けてなる抵抗器。
（２）前記セラミック焼結体は重量％表示で実質的にＭ
ｇＯ７５〜９０％、Ａｌ＿２Ｏ＿３１０〜２５％から構
成される特許請求の範囲第１項記載の抵抗器。
（３）前記抵抗体は定格電力が１／４Ｗ以上である特許
請求の範囲第１項又は第２項記載の抵抗器。