JPS63149846A - 光デイスク原盤露光方法 - Google Patents
光デイスク原盤露光方法Info
- Publication number
- JPS63149846A JPS63149846A JP29852086A JP29852086A JPS63149846A JP S63149846 A JPS63149846 A JP S63149846A JP 29852086 A JP29852086 A JP 29852086A JP 29852086 A JP29852086 A JP 29852086A JP S63149846 A JPS63149846 A JP S63149846A
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- JP
- Japan
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- groove
- laser beam
- laser beams
- laser
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Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 7
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 13
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、光ディスク原盤露光方法に関する。
従来技術
−ｉに、光ディスク用のスタンパ用原盤の作成において
は、フォトレジスト膜をレーザ光で露光することにより
溝を形成するようにしている。
は、フォトレジスト膜をレーザ光で露光することにより
溝を形成するようにしている。
ここに、光ディスク用の案内溝・プリフォーマット付き
基板の形状としては、最近、第２図に示すような所謂ラ
ンド記録型のものが高Ｃ／Ｎ比の面で注目されている。
基板の形状としては、最近、第２図に示すような所謂ラ
ンド記録型のものが高Ｃ／Ｎ比の面で注目されている。
第２図中、１が案内溝で、２がプリフォーマットである
。ここに、使用するレーザ光の波長をλとすると、理論
的には、案内溝１の深さはλ／８、プリフォーマット２
の深さはλ／４が各々最適値である。例えば、半導体レ
ーザの波長がλ＝７２８ ｎｍの場合において、基板３
の屈折率を１．５とすると、案内溝１はλ／８＝７２８
’／８Ｘ１．５が最適値となる。
。ここに、使用するレーザ光の波長をλとすると、理論
的には、案内溝１の深さはλ／８、プリフォーマット２
の深さはλ／４が各々最適値である。例えば、半導体レ
ーザの波長がλ＝７２８ ｎｍの場合において、基板３
の屈折率を１．５とすると、案内溝１はλ／８＝７２８
’／８Ｘ１．５が最適値となる。
ところが、第２図に示したような溝１，２を実際に形成
する場合を考えると、ガラス基板４上に膜厚λ／４にて
形成したフォトレジスト膜５に２本の集光したレーザ光
を照射することにより露光する。この際、プリフォーマ
ット２の溝形成用の１本のレーザ光はフォトレジスト膜
５が底、即ちガラス基板４表面まで現像されるような強
いレーザ光とされる。他方の案内溝１用の１本のレーザ
光はフォトレジスト膜５の途中までしか現像されない（
即ち、深さ１７８分のみが現像される）ような弱いレー
ザ光とされる。第３図はこのような露光・現像により得
られた溝１，２の断面形状を示すものである。
する場合を考えると、ガラス基板４上に膜厚λ／４にて
形成したフォトレジスト膜５に２本の集光したレーザ光
を照射することにより露光する。この際、プリフォーマ
ット２の溝形成用の１本のレーザ光はフォトレジスト膜
５が底、即ちガラス基板４表面まで現像されるような強
いレーザ光とされる。他方の案内溝１用の１本のレーザ
光はフォトレジスト膜５の途中までしか現像されない（
即ち、深さ１７８分のみが現像される）ような弱いレー
ザ光とされる。第３図はこのような露光・現像により得
られた溝１，２の断面形状を示すものである。
この第３図の断面形状によれば、第２図に示したような
理想的な形状、即ち案内溝１及びプリフォーマット２の
溝形状が底面まで矩形状となっているのに対し、変形し
ていることが判る。即ち、案内溝１についてはガウス分
布のような形状の溝となり、プリフォーマット２につい
てはガウス分布形状の先端側をガラス基板４によって止
めてなるような溝となっている。これは、露光に用いる
レーザ光がそのままガウス分布の強度の形で露光面であ
るフォトレジスト膜５に集光されるためである。
理想的な形状、即ち案内溝１及びプリフォーマット２の
溝形状が底面まで矩形状となっているのに対し、変形し
ていることが判る。即ち、案内溝１についてはガウス分
布のような形状の溝となり、プリフォーマット２につい
てはガウス分布形状の先端側をガラス基板４によって止
めてなるような溝となっている。これは、露光に用いる
レーザ光がそのままガウス分布の強度の形で露光面であ
るフォトレジスト膜５に集光されるためである。
より詳細に説明すれば、案内溝１とプリフォーマット２
とでは集光させるレーザ光の強度分布（ガウス分布）を
変える方法としては、集光レンズ６のＮＡ（開口数）を
変える方法が一般的である。ここに、第４図に示すよう
にＮＡ＝ｓｉｎＯなる集光レンズ６により集光させたレ
ーザ光のビームウェストの径Ｗは、Ｗ＝ｋ・λ／ＮＡに
より表すことができる。よって、ＮＡが大きい集光レン
ズを用いるとビームウェスト径Ｗが小さくなり、このビ
ームウェストでのレーザ光強度分布は第５図に示すよう
にＮＡが小さいものより急峻となる。
とでは集光させるレーザ光の強度分布（ガウス分布）を
変える方法としては、集光レンズ６のＮＡ（開口数）を
変える方法が一般的である。ここに、第４図に示すよう
にＮＡ＝ｓｉｎＯなる集光レンズ６により集光させたレ
ーザ光のビームウェストの径Ｗは、Ｗ＝ｋ・λ／ＮＡに
より表すことができる。よって、ＮＡが大きい集光レン
ズを用いるとビームウェスト径Ｗが小さくなり、このビ
ームウェストでのレーザ光強度分布は第５図に示すよう
にＮＡが小さいものより急峻となる。
このように急峻度が変化するものの、分布特性自体はガ
ウス分布のままである。
ウス分布のままである。
そして、再び第３図に示した断面形状について検討して
みると、深いほうのプリフォーマット２の溝はガラス基
板４表面まで露光・現像されるのでその溝底面がある程
度平坦となる。しかし、浅いほうの案内溝１は全体がガ
ウス分布に対応した形状となり、底面が丸みを持つこと
により、第２図に示した理想的な矩形形状に比べると溝
幅か細くなってしまうものである。この結果、案内溝１
の果たす役割であるトラッキングエラー信号が第２図の
理想的なものと比べ不安定となり、トラッキング外れ等
を生じやすい。
みると、深いほうのプリフォーマット２の溝はガラス基
板４表面まで露光・現像されるのでその溝底面がある程
度平坦となる。しかし、浅いほうの案内溝１は全体がガ
ウス分布に対応した形状となり、底面が丸みを持つこと
により、第２図に示した理想的な矩形形状に比べると溝
幅か細くなってしまうものである。この結果、案内溝１
の果たす役割であるトラッキングエラー信号が第２図の
理想的なものと比べ不安定となり、トラッキング外れ等
を生じやすい。
目的
本発明は、このような点に鑑みなされたもので、フォト
レジスト膜の露光に際して、このフォトレジスト膜の膜
厚よりも浅い深さの溝であってもその底部までより矩形
平坦に近い形状の溝として形成することができる光ディ
スク原盤露光方法を提供することを目的とする。
レジスト膜の露光に際して、このフォトレジスト膜の膜
厚よりも浅い深さの溝であってもその底部までより矩形
平坦に近い形状の溝として形成することができる光ディ
スク原盤露光方法を提供することを目的とする。
構成
本発明は、上記目的を達成するため、中心を互いにずら
した複数本のレーザ光を重ね合せてフォトレジスト膜を
露光して１本の溝を形成することを特徴とするものであ
る。
した複数本のレーザ光を重ね合せてフォトレジスト膜を
露光して１本の溝を形成することを特徴とするものであ
る。
以下、本発明の一実施例を第１図に基づいて説明する。
まず、各々ガウス分布による強度分布を持った複数本、
例えば３本のレーザ光■■■が用いられる。これらのレ
ーザ光■■■は各々の中心（光軸）が０．５μｍずつず
れた状態で設定され、各々の強度分布が互いに重なり合
うように設定されている。このようにこれらのレーザ光
■■■を０．５μｍずつずらす方法としては、例えば回
折格子を用いる方法、プリズムで対物レンズへの入射角
度をずらす方法等を採用することができる。
例えば３本のレーザ光■■■が用いられる。これらのレ
ーザ光■■■は各々の中心（光軸）が０．５μｍずつず
れた状態で設定され、各々の強度分布が互いに重なり合
うように設定されている。このようにこれらのレーザ光
■■■を０．５μｍずつずらす方法としては、例えば回
折格子を用いる方法、プリズムで対物レンズへの入射角
度をずらす方法等を採用することができる。
又、これらのレーザ光■■■のビームウェスト径Ｗ＝１
／ｅ”−０，６７ｚｍである。更に、本実施例ではこれ
らのレーザ光■■■のレーザ強度が全て同一ではなく、
中心に配設させたレーザ光■のみ他のレーザ光■■に比
べると、中心強度が０゜８倍に設定されている。
／ｅ”−０，６７ｚｍである。更に、本実施例ではこれ
らのレーザ光■■■のレーザ強度が全て同一ではなく、
中心に配設させたレーザ光■のみ他のレーザ光■■に比
べると、中心強度が０゜８倍に設定されている。
このような３本のレーザ光■■■を重ね合せることによ
り、１本の溝、例えば案内溝を形成したり、プリフォー
マットの溝を形成するものである。
り、１本の溝、例えば案内溝を形成したり、プリフォー
マットの溝を形成するものである。
即ち、これらの３本のレーザ光■■■を重ね合せた強度
分布形状は実線の合成レーザ光■で示すような矩形状に
近い分布となる。この強度分布を持つ合成レーザ光■に
よりフォトレジスト膜の露光が行なわれるので、例えば
フォトレジスト膜の膜厚の半分の深さの溝とすべき案内
溝の場合であっても、第２図で示した場合のような理想
形状に近い底部まで矩形平坦的となる案内溝を形成する
ことができる。これは、ガラス基板まで現像する溝（即
ち、プリフォーマットのようにフォトレジスト膜の膜厚
分の深さの溝）の場合であっても、同様である。つまり
、■■■で示すような複数本のレーザ光の位置及び各々
の強度比を適宜異ならせて設定することにより、種々の
強度分布を持つ合成レーザ光を得ることができるからで
ある。
分布形状は実線の合成レーザ光■で示すような矩形状に
近い分布となる。この強度分布を持つ合成レーザ光■に
よりフォトレジスト膜の露光が行なわれるので、例えば
フォトレジスト膜の膜厚の半分の深さの溝とすべき案内
溝の場合であっても、第２図で示した場合のような理想
形状に近い底部まで矩形平坦的となる案内溝を形成する
ことができる。これは、ガラス基板まで現像する溝（即
ち、プリフォーマットのようにフォトレジスト膜の膜厚
分の深さの溝）の場合であっても、同様である。つまり
、■■■で示すような複数本のレーザ光の位置及び各々
の強度比を適宜異ならせて設定することにより、種々の
強度分布を持つ合成レーザ光を得ることができるからで
ある。
ちなみに、本実施例による合成レーザ光■の強度分布と
中央部の強度分布が同一となるガウス分布を持つ単独レ
ーザ光の場合を一点鎖線の■に示す。この単独レーザ光
■と合成レーザ光■とを対比すると、両者の強度分布の
特性の違いがよく判る。
中央部の強度分布が同一となるガウス分布を持つ単独レ
ーザ光の場合を一点鎖線の■に示す。この単独レーザ光
■と合成レーザ光■とを対比すると、両者の強度分布の
特性の違いがよく判る。
効果
本発明は、上述したように中心を互いにずらした複数本
のレーザ光を重ね合せてフオトレジス）・膜を露光して
１木の溝を形成するようにしたので、これらのレーザ光
の本数、位置、各々の強度比を適宜設定するだけで種々
の強度分布を持つ合成レーザ光を得ることができ、よっ
て、ランド記録におけるフォトレジスト膜の膜厚以下の
深さの案内溝であっても底部まで矩形平坦に近い溝とし
て形成することができ、充分なトラッキングエラー信号
を得ることができるものである。
のレーザ光を重ね合せてフオトレジス）・膜を露光して
１木の溝を形成するようにしたので、これらのレーザ光
の本数、位置、各々の強度比を適宜設定するだけで種々
の強度分布を持つ合成レーザ光を得ることができ、よっ
て、ランド記録におけるフォトレジスト膜の膜厚以下の
深さの案内溝であっても底部まで矩形平坦に近い溝とし
て形成することができ、充分なトラッキングエラー信号
を得ることができるものである。
第１図は本発明の一実施例を示す分布特性図、第２図は
ランド記録型の理想溝形状を示す斜視図、第３図は従来
例を示す断面図、第４図はレンズＮＡ変更方式を示す側
面図、第５図はレーザ光強度分布特性図である。 ■■■・・・レーザ光、■・・・合成レーザ先出 願
人 株式会社 リ コ 一代 理 人
相 木 明ｊ１１」 」」 図 （小 飛 菊ｊ ３Ｚ匡 ３Ｊ図
ランド記録型の理想溝形状を示す斜視図、第３図は従来
例を示す断面図、第４図はレンズＮＡ変更方式を示す側
面図、第５図はレーザ光強度分布特性図である。 ■■■・・・レーザ光、■・・・合成レーザ先出 願
人 株式会社 リ コ 一代 理 人
相 木 明ｊ１１」 」」 図 （小 飛 菊ｊ ３Ｚ匡 ３Ｊ図
Claims (1)
- 中心を互いにずらした複数本のレーザ光を重ね合せてフ
ォトレジスト膜を露光して１本の溝を形成することを特
徴とする光ディスク原盤露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61298520A JPH087883B2 (ja) | 1986-12-15 | 1986-12-15 | 光デイスク原盤露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61298520A JPH087883B2 (ja) | 1986-12-15 | 1986-12-15 | 光デイスク原盤露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63149846A true JPS63149846A (ja) | 1988-06-22 |
| JPH087883B2 JPH087883B2 (ja) | 1996-01-29 |
Family
ID=17860788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61298520A Expired - Lifetime JPH087883B2 (ja) | 1986-12-15 | 1986-12-15 | 光デイスク原盤露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH087883B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63263647A (ja) * | 1987-04-21 | 1988-10-31 | Nec Corp | 光デイスク原盤露光方法 |
| US5882554A (en) * | 1995-06-15 | 1999-03-16 | Nec Corporation | Method for exposing optical master disk |
| US6346367B1 (en) * | 1997-09-30 | 2002-02-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Optical disk and method for manufacturing the same |
| WO2002059892A1 (fr) * | 2001-01-26 | 2002-08-01 | Sony Corporation | Support d'enregistrement optique, disque maitre destine a la fabrication du support d'enregistrement optique et dispositif et procede pour fabriquer le disque maitre destine a la fabrication du support d'enregistrement optique |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60109033A (ja) * | 1983-11-17 | 1985-06-14 | Sony Corp | 光学式信号記録方法 |
| JPS6278740A (ja) * | 1985-10-02 | 1987-04-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 情報記録原盤記録方法 |
-
1986
- 1986-12-15 JP JP61298520A patent/JPH087883B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60109033A (ja) * | 1983-11-17 | 1985-06-14 | Sony Corp | 光学式信号記録方法 |
| JPS6278740A (ja) * | 1985-10-02 | 1987-04-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 情報記録原盤記録方法 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63263647A (ja) * | 1987-04-21 | 1988-10-31 | Nec Corp | 光デイスク原盤露光方法 |
| JP2508076B2 (ja) * | 1987-04-21 | 1996-06-19 | 日本電気株式会社 | 光デイスク原盤露光方法 |
| US5882554A (en) * | 1995-06-15 | 1999-03-16 | Nec Corporation | Method for exposing optical master disk |
| US6346367B1 (en) * | 1997-09-30 | 2002-02-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Optical disk and method for manufacturing the same |
| WO2002059892A1 (fr) * | 2001-01-26 | 2002-08-01 | Sony Corporation | Support d'enregistrement optique, disque maitre destine a la fabrication du support d'enregistrement optique et dispositif et procede pour fabriquer le disque maitre destine a la fabrication du support d'enregistrement optique |
| US7438547B2 (en) | 2001-01-26 | 2008-10-21 | Sony Corporation | Optical recording medium and master disc for manufacturing optical recording medium |
| US7813257B2 (en) | 2001-01-26 | 2010-10-12 | Sony Corporation | Optical recording medium and master disc for manufacturing optical recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH087883B2 (ja) | 1996-01-29 |
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