JPH0729220A - 複数の高さを有する微細パターンの形成方法 - Google Patents
複数の高さを有する微細パターンの形成方法Info
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- JPH0729220A JPH0729220A JP17011793A JP17011793A JPH0729220A JP H0729220 A JPH0729220 A JP H0729220A JP 17011793 A JP17011793 A JP 17011793A JP 17011793 A JP17011793 A JP 17011793A JP H0729220 A JPH0729220 A JP H0729220A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光ディスク原盤の製造等のフォトリソグラフ
ィープロセスにおいて、複数の高さを有する微細パター
ンを形成することを目的とする。 【構成】 フォトレジスト２の形成された基材１の表面
に、基材１からフォトレジスト２への臨界角より大きい
角度にて、基材１の裏側面から光を照射し、基材１より
フォトレジスト２へしみだした光によって露光し、現像
する。この露光の際に、光の入射角度あるいは波長を変
化させることにより、高さの異なった露光パターンを形
成することができる。
ィープロセスにおいて、複数の高さを有する微細パター
ンを形成することを目的とする。 【構成】 フォトレジスト２の形成された基材１の表面
に、基材１からフォトレジスト２への臨界角より大きい
角度にて、基材１の裏側面から光を照射し、基材１より
フォトレジスト２へしみだした光によって露光し、現像
する。この露光の際に、光の入射角度あるいは波長を変
化させることにより、高さの異なった露光パターンを形
成することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば微細パターンを
有する光ディスク原盤の製造等に用いて有用なものであ
る。
有する光ディスク原盤の製造等に用いて有用なものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の微細パターン形成方法の例として
は、一般にフォトリソグラフィープロセスが用いられる
場合が多い。ここでは、フォトリソグラフィープロセス
を用いた再生専用光ディスク原盤の製造方法ついて説明
する。
は、一般にフォトリソグラフィープロセスが用いられる
場合が多い。ここでは、フォトリソグラフィープロセス
を用いた再生専用光ディスク原盤の製造方法ついて説明
する。
【０００３】従来の再生専用の光ディスク原盤の製造方
法を図５に示す。再生専用の光ディスク原盤は、従来は
大別すると、 （ａ）鏡面研磨されたガラスディスク基材１上に、ポジ
型フォトレジスト２０をスピンコート法等にて塗布する
工程 （ｂ）前記ディスク基材１を回転させながら、レンズに
より集光されたレーザ光を記録信号に応じてＯＮ、ＯＦ
Ｆさせて基板上に照射し、フォトレジスト２０を露光す
る工程 （ｃ）現像により露光部３を溶解する工程 によって製造されていた。
法を図５に示す。再生専用の光ディスク原盤は、従来は
大別すると、 （ａ）鏡面研磨されたガラスディスク基材１上に、ポジ
型フォトレジスト２０をスピンコート法等にて塗布する
工程 （ｂ）前記ディスク基材１を回転させながら、レンズに
より集光されたレーザ光を記録信号に応じてＯＮ、ＯＦ
Ｆさせて基板上に照射し、フォトレジスト２０を露光す
る工程 （ｃ）現像により露光部３を溶解する工程 によって製造されていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来例に示した光ディ
スクの記憶容量は、記録用レーザ波長、および集光用レ
ンズの開口（ＮＡ）によって決まるビームウエストサイ
ズによる制限のため、面方向における高密度化には限界
がある。
スクの記憶容量は、記録用レーザ波長、および集光用レ
ンズの開口（ＮＡ）によって決まるビームウエストサイ
ズによる制限のため、面方向における高密度化には限界
がある。
【０００５】現在の光ディスクは、面方向の高密度化は
ほぼ限界に達している一方、深さ方向には信号ピットの
有無による２値のみしか情報を有していない。それゆ
え、より記録密度を高くするために、信号ピットの深さ
（高さ）方向に情報を持たせる方法が考えられる。
ほぼ限界に達している一方、深さ方向には信号ピットの
有無による２値のみしか情報を有していない。それゆ
え、より記録密度を高くするために、信号ピットの深さ
（高さ）方向に情報を持たせる方法が考えられる。
【０００６】しかしながら、従来の光ディスク原盤の製
造方法のように、通常のフォトリソグラフィープロセス
によっては、信号ピットの深さを変化させて記録するこ
とは困難であった。
造方法のように、通常のフォトリソグラフィープロセス
によっては、信号ピットの深さを変化させて記録するこ
とは困難であった。
【０００７】本発明は上記従来技術の課題に鑑み、信号
ピットが異なる深さを有する光ディスク原盤のような、
異なる高さを有する微細パターンの形成方法を提供する
ことを目的とする。
ピットが異なる深さを有する光ディスク原盤のような、
異なる高さを有する微細パターンの形成方法を提供する
ことを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、微細パターンの形成方法の第１の手段として、基材
表側表面に、感光性物質層を形成する工程、記録光の基
材表面に対する入射角をθ、基材から感光性物質へ光を
入射する際の全反射角をθcとしたとき、θc＜θ＜π(r
ad)の範囲でθを変化するように、基板裏側面より記録
光を照射し、記録光のうちの基材から感光性物質へしみ
だす光によって、感光性物質を露光する工程、感光部以
外を除去する現像工程によって、複数の高さを有する微
細パターンを形成する。
に、微細パターンの形成方法の第１の手段として、基材
表側表面に、感光性物質層を形成する工程、記録光の基
材表面に対する入射角をθ、基材から感光性物質へ光を
入射する際の全反射角をθcとしたとき、θc＜θ＜π(r
ad)の範囲でθを変化するように、基板裏側面より記録
光を照射し、記録光のうちの基材から感光性物質へしみ
だす光によって、感光性物質を露光する工程、感光部以
外を除去する現像工程によって、複数の高さを有する微
細パターンを形成する。
【０００９】また、第２の手段として、基板表面に、感
光性物質層を形成する工程、記録光の基材表面に対する
入射角をθ、基材から感光性物質へ光を入射する際の全
反射角をθcとしたとき、θc＜θ＜π(rad)の範囲内の
一入射角にて、記録光の波長を変化させて、基板裏側面
より記録光を照射し、記録光うちの基材から感光性物質
へしみだす光によって、感光性物質を露光する工程、感
光部以外を除去する現像工程によって、複数の高さを有
する微細パターンを形成する。
光性物質層を形成する工程、記録光の基材表面に対する
入射角をθ、基材から感光性物質へ光を入射する際の全
反射角をθcとしたとき、θc＜θ＜π(rad)の範囲内の
一入射角にて、記録光の波長を変化させて、基板裏側面
より記録光を照射し、記録光うちの基材から感光性物質
へしみだす光によって、感光性物質を露光する工程、感
光部以外を除去する現像工程によって、複数の高さを有
する微細パターンを形成する。
【００１０】
【作用】上記手段によれば、次のような作用が得られ
る。
る。
【００１１】入射光を基材の表（おもて）面の裏側よ
り、全反射する角度θで入射させると、入射光の大部分
は基材を通過することなく、基材表面にて全反射され
る。ところがこのとき、基材面と平行に進行し、その光
強度が基材と垂直方向へは指数関数的に減少する光が基
材表面から感光性物質側にしみだす。この光はエバネセ
ント波と称され、このしみでた光によって感光製物質が
露光される。
り、全反射する角度θで入射させると、入射光の大部分
は基材を通過することなく、基材表面にて全反射され
る。ところがこのとき、基材面と平行に進行し、その光
強度が基材と垂直方向へは指数関数的に減少する光が基
材表面から感光性物質側にしみだす。この光はエバネセ
ント波と称され、このしみでた光によって感光製物質が
露光される。
【００１２】また、しみだす深さは、光強度が、基材と
感光性物質との界面での光強度に対して、１／ｅ2とな
る深さをｄとして、
感光性物質との界面での光強度に対して、１／ｅ2とな
る深さをｄとして、
【００１３】
【数１】
【００１４】なる式（数１）で表される。上式におい
て、λは記録光の波長、θは基材と感光性物質との境界
面への入射角、ｎ1、ｎ2はそれぞれ、基材の屈折率およ
び感光性物質の屈折率である。
て、λは記録光の波長、θは基材と感光性物質との境界
面への入射角、ｎ1、ｎ2はそれぞれ、基材の屈折率およ
び感光性物質の屈折率である。
【００１５】すなわち、入射角度θを変化させるか、あ
るいは記録光の波長を変化させることにより、感光性物
質への記録光のしみだし深さを制御することができるこ
とがわかる。しみだす深さが変化することにより、感光
性物質が感光する深さも変化するので、これを現像し未
露光部分を除去することによって、光の入射角度あるい
は波長に応じて、高さの異なったパターンを形成するこ
とができる。
るいは記録光の波長を変化させることにより、感光性物
質への記録光のしみだし深さを制御することができるこ
とがわかる。しみだす深さが変化することにより、感光
性物質が感光する深さも変化するので、これを現像し未
露光部分を除去することによって、光の入射角度あるい
は波長に応じて、高さの異なったパターンを形成するこ
とができる。
【００１６】なお参考のために、レーザ波長を４５７．
９ｎｍ、基材屈折率を２．６１、フォトレジスト屈折率
を１．５、基材裏面の斜面角度を４５゜としたときの、
臨界角、基材入射角度に対する、基材表面入射角、およ
びフォトレジストへのしみだし深さを（表１）に示して
おく。
９ｎｍ、基材屈折率を２．６１、フォトレジスト屈折率
を１．５、基材裏面の斜面角度を４５゜としたときの、
臨界角、基材入射角度に対する、基材表面入射角、およ
びフォトレジストへのしみだし深さを（表１）に示して
おく。
【００１７】
【表１】
【００１８】
【実施例】以下具体的な例をもって本発明を詳述する。
【００１９】（第１実施例）図１に本願発明の第１実施
例の工程図を示す。図１において１は基材、２はフォト
レジスト、３は露光部分である。また図２に、本実施例
で用いる露光装置の模式図を示す。図２において４、５
はミラー、６は記録用Ａｒレーザ（λ＝４５７．９ｎ
ｍ）である。
例の工程図を示す。図１において１は基材、２はフォト
レジスト、３は露光部分である。また図２に、本実施例
で用いる露光装置の模式図を示す。図２において４、５
はミラー、６は記録用Ａｒレーザ（λ＝４５７．９ｎ
ｍ）である。
【００２０】まず、図１（ａ）に示す三角柱状の形状を
した基材の一側面に、高さの異なるパターンを形成する
場合を用いて説明する。基材はＳｒＴｉＯ3（波長４５
７．９ｎｍにおいてｎ1≒２．６１）を切り出したもの
を用いる。
した基材の一側面に、高さの異なるパターンを形成する
場合を用いて説明する。基材はＳｒＴｉＯ3（波長４５
７．９ｎｍにおいてｎ1≒２．６１）を切り出したもの
を用いる。
【００２１】まず、側面Ａにネガ型のフォトレジストＯ
ＭＲ−８５（東京応化工業、屈折率≒１．５）を厚み２
００ｎｍ程度で塗布する。なお本発明においては、現像
時に未露光部が除去されるタイプのフォトレジストをネ
ガ型と称する。
ＭＲ−８５（東京応化工業、屈折率≒１．５）を厚み２
００ｎｍ程度で塗布する。なお本発明においては、現像
時に未露光部が除去されるタイプのフォトレジストをネ
ガ型と称する。
【００２２】次に図２に示したように、レーザ光を側面
Ｃより、側面Ａに対する入射角が２４゜となる角度にて
照射し（図２中実線で示された光路）、基材１をｚ方向
に移動させる。これにより基材１の側面Ａのｚ方向に線
状に露光できる。なお、基材入射レーザ光強度は４０ｍ
Ｗ、基材１の移動速度は１０ｍｍ／秒としている。
Ｃより、側面Ａに対する入射角が２４゜となる角度にて
照射し（図２中実線で示された光路）、基材１をｚ方向
に移動させる。これにより基材１の側面Ａのｚ方向に線
状に露光できる。なお、基材入射レーザ光強度は４０ｍ
Ｗ、基材１の移動速度は１０ｍｍ／秒としている。
【００２３】次に、ミラー４の位置および角度を変化さ
せてレーザ光の入射角度を４０゜とし、他の条件は上記
の条件と同様にして（図２中波線で示された光路）、側
面Ａの裏側よりフォトレジスト２を露光する（図１
（ｂ））。
せてレーザ光の入射角度を４０゜とし、他の条件は上記
の条件と同様にして（図２中波線で示された光路）、側
面Ａの裏側よりフォトレジスト２を露光する（図１
（ｂ））。
【００２４】上記の処理を終えた基材を現像して、未露
光部を除去することにより、図１（ｃ）に示されたよう
な、高さが異なった溝パターンが得られる。得られる溝
高さは、入射角度が２４゜、４０゜の場合にそれぞれ約
９０ｎｍ、約４５ｎｍである。なお本実施例において
は、この溝高さはしみだし深さの約０．６倍になってい
るが、現像条件を変えることによって、高さを多少変化
させることはできる。
光部を除去することにより、図１（ｃ）に示されたよう
な、高さが異なった溝パターンが得られる。得られる溝
高さは、入射角度が２４゜、４０゜の場合にそれぞれ約
９０ｎｍ、約４５ｎｍである。なお本実施例において
は、この溝高さはしみだし深さの約０．６倍になってい
るが、現像条件を変えることによって、高さを多少変化
させることはできる。
【００２５】以上、本実施例によれば、基材１上に高さ
の異なるパターンを形成することが可能であり、記録光
の入射角を変化させることにより、パターン高さを制御
することができる。
の異なるパターンを形成することが可能であり、記録光
の入射角を変化させることにより、パターン高さを制御
することができる。
【００２６】なお、本実施例においては入射角を２条件
のみで変化させたが、入射角をより多くの条件で変化さ
せることは容易であり、それにより、それぞれの入射角
に応じた多数の高さの異なるパターンを形成することが
できる。
のみで変化させたが、入射角をより多くの条件で変化さ
せることは容易であり、それにより、それぞれの入射角
に応じた多数の高さの異なるパターンを形成することが
できる。
【００２７】また、本実施例においては基材としては、
斜面角度が４５゜のものを用いたが、基材表面に対する
基材裏面の斜面角度が小さくなるほど、記録光の基材入
射角度を、基材に対してより平行な方向から入射させな
ければならないため、斜面角度は基材表面に対して少な
くとも２０゜以上の傾きを有していることが好ましい。
斜面角度が４５゜のものを用いたが、基材表面に対する
基材裏面の斜面角度が小さくなるほど、記録光の基材入
射角度を、基材に対してより平行な方向から入射させな
ければならないため、斜面角度は基材表面に対して少な
くとも２０゜以上の傾きを有していることが好ましい。
【００２８】また、パターン高さの制御について、パタ
ーンの高さを低くするには、斜面角度を大きくするか、
屈折率の高い材料を基材として用いれば良い。
ーンの高さを低くするには、斜面角度を大きくするか、
屈折率の高い材料を基材として用いれば良い。
【００２９】高屈折率基材材料としては、本実施例で用
いたＳｒＴｉＯ3の他に、ＢａＴｉＯ3（ｎ1＝２．５
４）、ＺｎＳ（ｎ1＝２．４６）（ｎ1はいずれも記録光
波長が４５７．９ｎｍの場合の屈折率）等を用いても同
様の効果がある。逆に、パターン高さを高くするには、
斜面角度を小さくするか、屈折率の低い材料を基材とし
て用いれば良い。
いたＳｒＴｉＯ3の他に、ＢａＴｉＯ3（ｎ1＝２．５
４）、ＺｎＳ（ｎ1＝２．４６）（ｎ1はいずれも記録光
波長が４５７．９ｎｍの場合の屈折率）等を用いても同
様の効果がある。逆に、パターン高さを高くするには、
斜面角度を小さくするか、屈折率の低い材料を基材とし
て用いれば良い。
【００３０】（第２実施例）次に本願発明の第２実施例
として、基材として、あらかじめダイヤモンドバイトに
て基材裏面に、斜面角度３０゜のＶ字形の溝を螺旋状に
形成した円形基材を用い、基材表面上に２種類の深さを
有する信号ピット列を形成する場合を説明する。なお基
材材質は実施例１と同様にＳｒＴｉＯ3（ｎ1≒２．６１
（但しλ＝４５７．９ｎｍ）、≒３．００（但しλ＝３
６３．８ｎｍ ））を用いる。
として、基材として、あらかじめダイヤモンドバイトに
て基材裏面に、斜面角度３０゜のＶ字形の溝を螺旋状に
形成した円形基材を用い、基材表面上に２種類の深さを
有する信号ピット列を形成する場合を説明する。なお基
材材質は実施例１と同様にＳｒＴｉＯ3（ｎ1≒２．６１
（但しλ＝４５７．９ｎｍ）、≒３．００（但しλ＝３
６３．８ｎｍ ））を用いる。
【００３１】本実施例と第１実施例との相違点は、第１
実施例が異なる高さを形成するために、入射角度を変化
させたのに対して、本実施例では入射角度は固定し、記
録光の波長を変えることにより高さの制御を行うところ
である。
実施例が異なる高さを形成するために、入射角度を変化
させたのに対して、本実施例では入射角度は固定し、記
録光の波長を変えることにより高さの制御を行うところ
である。
【００３２】以下、本実施例について具体的に説明す
る。図３は本実施例で用いた露光装置を模式的に示した
ものである。図３において、７はダイクロイックミラー
（３６３．８ｎｍ反射、４５７．９ｎｍ透過）、８はＡ
ｒレーザ（波長３６３．８ｎｍ）、９はＡｒレーザ（波
長４５７．９ｎｍ）、１０および１１は対物レンズ、１
４は制御用レーザ、１５はフォーカスおよびトラッキン
グの制御系ブロック、１６、１７はそれぞれの波長対応
のＥＯ変調器である。
る。図３は本実施例で用いた露光装置を模式的に示した
ものである。図３において、７はダイクロイックミラー
（３６３．８ｎｍ反射、４５７．９ｎｍ透過）、８はＡ
ｒレーザ（波長３６３．８ｎｍ）、９はＡｒレーザ（波
長４５７．９ｎｍ）、１０および１１は対物レンズ、１
４は制御用レーザ、１５はフォーカスおよびトラッキン
グの制御系ブロック、１６、１７はそれぞれの波長対応
のＥＯ変調器である。
【００３３】まず、基材１の表面にネガ型フォトレジス
ト２を約２００ｎｍの厚みで塗布する。
ト２を約２００ｎｍの厚みで塗布する。
【００３４】次に、基材１を回転させながら、２種類の
レーザ光８、９をそれぞれＥＯ変調器１６、１７にてＯ
Ｎ、ＯＦＦし、対物レンズ１０で絞り込んで基材裏面側
から、基材表面に照射する。なお、２種類のビームのフ
ォーカス位置が、基材１の動径方向に対して円周上に揃
うように、ダイクロイックミラー７へのビーム入射位置
を調整している。
レーザ光８、９をそれぞれＥＯ変調器１６、１７にてＯ
Ｎ、ＯＦＦし、対物レンズ１０で絞り込んで基材裏面側
から、基材表面に照射する。なお、２種類のビームのフ
ォーカス位置が、基材１の動径方向に対して円周上に揃
うように、ダイクロイックミラー７へのビーム入射位置
を調整している。
【００３５】記録条件は、記録光の基材への入射角度を
４７゜、波長３６３．８ｎｍ、４５７．９ｎｍのビーム
の対物レンズへの入射ビーム強度を、それぞれ１０ｍ
Ｗ、２０ｍＷ、および線速度を１０ｍ／秒とする。
４７゜、波長３６３．８ｎｍ、４５７．９ｎｍのビーム
の対物レンズへの入射ビーム強度を、それぞれ１０ｍ
Ｗ、２０ｍＷ、および線速度を１０ｍ／秒とする。
【００３６】また、制御用レーザ１４からのレーザ光
を、対物レンズ１１にて基材１裏面の斜面山部あるいは
谷部に集光し、その反射光の強度分布が非対称となるの
を利用することにより、トラッキングの制御、および、
基材１とフォトレジスト２との境界部に記録光の焦点が
くるように、制御光学系にてフォーカス制御を行う。
を、対物レンズ１１にて基材１裏面の斜面山部あるいは
谷部に集光し、その反射光の強度分布が非対称となるの
を利用することにより、トラッキングの制御、および、
基材１とフォトレジスト２との境界部に記録光の焦点が
くるように、制御光学系にてフォーカス制御を行う。
【００３７】露光を終えた基材を現像し、未露光部を除
去することにより、ピット高さが、波長３６３．８ｎｍ
のビームにて記録した方が約４０ｎｍ、４５７．９ｎｍ
のビームの方が約１１０ｎｍの２種類の高さを有する信
号パターンが得られる。参考として、それぞれの波長で
の、フォトレジスト側へのしみだし深さ（強度が境界の
１／ｅ2となる深さ）の値を（表２）、（表３）に示
す。
去することにより、ピット高さが、波長３６３．８ｎｍ
のビームにて記録した方が約４０ｎｍ、４５７．９ｎｍ
のビームの方が約１１０ｎｍの２種類の高さを有する信
号パターンが得られる。参考として、それぞれの波長で
の、フォトレジスト側へのしみだし深さ（強度が境界の
１／ｅ2となる深さ）の値を（表２）、（表３）に示
す。
【００３８】ここで、（表２）は、レーザ波長を３６
３．８ｎｍ、基材屈折率を３．００、フォトレジスト屈
折率を１．５、基材裏面の斜面角度を３０゜としたとき
の、臨界角、基材入射角度に対する、基材表面入射角、
およびフォトレジストへのしみだし深さを示したもので
ある。
３．８ｎｍ、基材屈折率を３．００、フォトレジスト屈
折率を１．５、基材裏面の斜面角度を３０゜としたとき
の、臨界角、基材入射角度に対する、基材表面入射角、
およびフォトレジストへのしみだし深さを示したもので
ある。
【００３９】また（表３）は、レーザ波長を４５７．９
ｎｍ、基材屈折率を２．６１、フォトレジスト屈折率を
１．５、基材裏面の斜面角度を３０゜としたときの、臨
界角、基材入射角度に対する、基材表面入射角、および
フォトレジストへのしみだし深さを示したものである。
ｎｍ、基材屈折率を２．６１、フォトレジスト屈折率を
１．５、基材裏面の斜面角度を３０゜としたときの、臨
界角、基材入射角度に対する、基材表面入射角、および
フォトレジストへのしみだし深さを示したものである。
【００４０】
【表２】
【００４１】
【表３】
【００４２】以上、本実施例によれば、基材上に高さの
異なるパターンを形成することが可能であり、記録光の
波長を変えることにより、パターン高さを制御すること
ができる。
異なるパターンを形成することが可能であり、記録光の
波長を変えることにより、パターン高さを制御すること
ができる。
【００４３】なお本実施例では、Ｖ溝が螺旋状に形成さ
れた基材を用いたが、同心円状のＶ溝列でも本質的に
は、なんら変わるところがなく、同様の効果が得られ
る。
れた基材を用いたが、同心円状のＶ溝列でも本質的に
は、なんら変わるところがなく、同様の効果が得られ
る。
【００４４】また、本実施例のように対称なＶ溝形状で
はなく、基材表面とフォトレジストの界面で記録光が全
反射する角度にて入射できる条件を満たしていれば、非
対称なくさび型、あるいは長方形、台形、半円形形状等
の溝でも同様の効果が得られる。
はなく、基材表面とフォトレジストの界面で記録光が全
反射する角度にて入射できる条件を満たしていれば、非
対称なくさび型、あるいは長方形、台形、半円形形状等
の溝でも同様の効果が得られる。
【００４５】（第３実施例）次に本願発明の第３実施例
として、基材としては実施例２と同様に裏面に斜面角度
３０゜のＶ字形の溝を有する円形基材を用い、基材表面
上に連続的に高さの変化する信号ピット列を形成する場
合を説明する。なお基材材質は実施例１、２と同様にＳ
ｒＴｉＯ3を用いる。
として、基材としては実施例２と同様に裏面に斜面角度
３０゜のＶ字形の溝を有する円形基材を用い、基材表面
上に連続的に高さの変化する信号ピット列を形成する場
合を説明する。なお基材材質は実施例１、２と同様にＳ
ｒＴｉＯ3を用いる。
【００４６】図４は本実施例で用いた露光装置を模式的
に示したものである。図４において、図３と異なる部分
は１８の波長可変な有機色素レーザ（７−ヒドロキシク
マリン：波長４５０〜４７０ｎｍ）、および図３におい
ては独立していた対物レンズ１０、１１を共用対物レン
ズ１９としたところであり、他は図３と同様であるため
説明を省略する。
に示したものである。図４において、図３と異なる部分
は１８の波長可変な有機色素レーザ（７−ヒドロキシク
マリン：波長４５０〜４７０ｎｍ）、および図３におい
ては独立していた対物レンズ１０、１１を共用対物レン
ズ１９としたところであり、他は図３と同様であるため
説明を省略する。
【００４７】以下、本実施例について具体的に説明す
る。まず、基材１の表面にネガ型フォトレジスト２を約
２００ｎｍの厚みで塗布する。
る。まず、基材１の表面にネガ型フォトレジスト２を約
２００ｎｍの厚みで塗布する。
【００４８】次に、基材１を回転させながら、レーザ光
の波長を記録すべき信号に対応させて変調し、かつＥＯ
変調器１８にて記録パルス長も変調して、共用対物レン
ズ１９の外周部分から全反射条件を満たす角度となるよ
うに基材裏面側から入射させる。
の波長を記録すべき信号に対応させて変調し、かつＥＯ
変調器１８にて記録パルス長も変調して、共用対物レン
ズ１９の外周部分から全反射条件を満たす角度となるよ
うに基材裏面側から入射させる。
【００４９】記録条件は、記録光の基材への入射角度を
４５゜、波長変化幅を４５０ｎｍ〜４７０ｎｍ、対物レ
ンズへの入射ビーム強度を２０ｍＷ、および線速度を１
０ｍ／秒である。
４５゜、波長変化幅を４５０ｎｍ〜４７０ｎｍ、対物レ
ンズへの入射ビーム強度を２０ｍＷ、および線速度を１
０ｍ／秒である。
【００５０】また、制御用レーザ１４からのレーザ光
は、共用対物レンズ１９の中心を通過させ、実施例の２
に示した方法と同様にして、トラッキングおよびフォー
カス制御を行う。
は、共用対物レンズ１９の中心を通過させ、実施例の２
に示した方法と同様にして、トラッキングおよびフォー
カス制御を行う。
【００５１】露光を終えた基材を現像し、未露光部を除
去することにより、ピット高さが、約１６０ｎｍ〜１７
０ｎｍの範囲で変化する信号ピット列を得ることができ
る。
去することにより、ピット高さが、約１６０ｎｍ〜１７
０ｎｍの範囲で変化する信号ピット列を得ることができ
る。
【００５２】また記録用ビーム、制御用ビームを１つの
対物レンズにて集光するため光学系が実施例２と比較し
て簡易に実現できる長所がある。ただし、レンズの開口
を十分に生かせないため、記録用ビームが十分に集光さ
れない短所がある。実際には、必要な記録密度を考えた
うえでいずれの集光光学系を用いるかを決めればよいと
いえる。
対物レンズにて集光するため光学系が実施例２と比較し
て簡易に実現できる長所がある。ただし、レンズの開口
を十分に生かせないため、記録用ビームが十分に集光さ
れない短所がある。実際には、必要な記録密度を考えた
うえでいずれの集光光学系を用いるかを決めればよいと
いえる。
【００５３】以上、本実施例によれば、基材上に高さが
連続的に変化する信号ピット列を形成することが可能と
なる。
連続的に変化する信号ピット列を形成することが可能と
なる。
【００５４】以上、第１実施例〜第３実施例に基づき本
発明の詳細な説明を行った。なお、異なる高さのパター
ンを形成するために、第１実施例では記録用ビームの入
射角を変化させ、第２、第３実施例では記録用ビームの
波長を変化させたが、いずれの方法によっても得られる
効果は等しく、第１実施例において波長変化による方法
を、第２、第３実施例において入射角変化による方法を
用いてもよい。
発明の詳細な説明を行った。なお、異なる高さのパター
ンを形成するために、第１実施例では記録用ビームの入
射角を変化させ、第２、第３実施例では記録用ビームの
波長を変化させたが、いずれの方法によっても得られる
効果は等しく、第１実施例において波長変化による方法
を、第２、第３実施例において入射角変化による方法を
用いてもよい。
【００５５】
【発明の効果】本発明によれば、基板表面に複数の高さ
を有する微細パターンを形成することが可能となり、従
って従来よりも高密度の記録が可能となる。
を有する微細パターンを形成することが可能となり、従
って従来よりも高密度の記録が可能となる。
【図１】本発明の実施例を示す工程図
【図２】同実施例で用いた露光装置の模式図
【図３】本発明の他の実施例で用いた露光装置の模式図
【図４】本発明の更に他の実施例で用いた露光装置の模
式図
式図
【図５】従来例のパターン形成方法を示す工程図
１ 基材 ２ ネガ型フォトレジスト ３ 露光部 ４ ミラー ５ ミラー ６ Ａｒレーザ ７ ダイクロイックミラー ８ Ａｒレーザ（波長３６３．８ｎｍ） ９ Ａｒレーザ（波長４５７．９ｎｍ） １０ 対物レンズ １１ 対物レンズ １２ λ／４波長板 １３ 偏光ビームスプリッタ １４ 制御用レーザ １５ 制御系ブロック １６ ＥＯ変調器 １７ ＥＯ変調器 １８ 波長可変レーザ １９ 共用対物レンズ ２０ ポジ型フォトレジスト
Claims (10)
- 【請求項１】複数の高さを有する微細パターンの形成方
法であって、 基材表側表面に、感光性物質層を形成する工程、 記録光の基材表面に対する入射角をθ、基材から感光性
物質へ光を入射する際に全反射する臨界角をθcとした
とき、θc＜θ＜π(rad)の範囲でθを変化するように、
基板裏側面より記録光を照射し、記録光のうちの基材か
ら感光性物質へしみだす光によって、感光性物質を露光
する工程、 感光部以外を除去する現像工程 からなる、複数の高さを有する微細パターンの形成方
法。 - 【請求項２】複数の高さを有する微細パターンの形成方
法であって、 基板表面に、感光性物質層を形成する工程、 記録光の基材表面に対する入射角をθ、基材から感光性
物質へ光を入射する際に全反射する臨界角をθcとした
とき、θc＜θ＜π(rad)の範囲内の一入射角にて、記録
光の波長を変化させて、基板裏側面より記録光を照射
し、記録光うちの基材から感光性物質へしみだす光によ
って、感光性物質を露光する工程、 感光部以外を除去する現像工程 からなる、複数の高さを有する微細パターンの形成方
法。 - 【請求項３】基材として、基材裏側面が基材表側面に対
して略斜面形状をなすものを用いる、請求項１または２
記載の複数の高さを有する微細パターンの形成方法。 - 【請求項４】基材として、基材裏側面に、略くさび形状
の溝列を有するものを用いる、請求項１または２記載の
複数の高さを有する微細パターンの形成方法。 - 【請求項５】略くさび形状の溝を同心円状あるいは螺旋
状に形成する、請求項４記載の複数の高さを有する微細
パターンの形成方法。 - 【請求項６】基材裏面の略斜面の角度が、基材表側面に
対して２０゜以上９０゜未満の傾きを有する、請求項３
または４記載の複数の高さを有する微細パターンの形成
方法。 - 【請求項７】感光性物質としてネガ型フォトレジストを
用いる、請求項１または２記載の複数の高さを有する微
細パターンの形成方法。 - 【請求項８】記録光をレンズにより基材と感光性物質の
略境界面に集光する、請求項１または２記載の複数の高
さを有する微細パターンの形成方法。 - 【請求項９】記録光照射時に、略斜面形状溝からの反射
光によってトラッキング制御を行う、請求項４記載の複
数の高さを有する微細パターンの形成方法。 - 【請求項１０】記録光照射時に、基材と感光性物質の略
境界面に記録光が集光するようにフォーカス制御を行
う、請求項４記載の複数の高さを有する微細パターンの
形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17011793A JPH0729220A (ja) | 1993-07-09 | 1993-07-09 | 複数の高さを有する微細パターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17011793A JPH0729220A (ja) | 1993-07-09 | 1993-07-09 | 複数の高さを有する微細パターンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0729220A true JPH0729220A (ja) | 1995-01-31 |
Family
ID=15898962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17011793A Pending JPH0729220A (ja) | 1993-07-09 | 1993-07-09 | 複数の高さを有する微細パターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0729220A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0700017A2 (en) | 1994-08-31 | 1996-03-06 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Method and apparatus for directional counting of moving objects |
| JP2005019407A (ja) * | 2003-06-27 | 2005-01-20 | Chi Mei Optoelectronics Corp | 有機ｅｌ素子とその製造方法 |
-
1993
- 1993-07-09 JP JP17011793A patent/JPH0729220A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0700017A2 (en) | 1994-08-31 | 1996-03-06 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Method and apparatus for directional counting of moving objects |
| JP2005019407A (ja) * | 2003-06-27 | 2005-01-20 | Chi Mei Optoelectronics Corp | 有機ｅｌ素子とその製造方法 |
| JP4644757B2 (ja) * | 2003-06-27 | 2011-03-02 | 奇美電子股▲ふん▼有限公司 | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
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