JPH03254433A - 光ヘッド - Google Patents
光ヘッドInfo
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- JPH03254433A JPH03254433A JP2051199A JP5119990A JPH03254433A JP H03254433 A JPH03254433 A JP H03254433A JP 2051199 A JP2051199 A JP 2051199A JP 5119990 A JP5119990 A JP 5119990A JP H03254433 A JPH03254433 A JP H03254433A
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Landscapes
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、光ディスクの記録用ヘッド、再生用ヘッド
または記録再生兼用ヘッド等の光ヘッドに関し、光ヘッ
ドにより形成される集光スポット径を回折限界以下とし
て、光ディスクの記録密度、再生密度を向上させたもの
である。
または記録再生兼用ヘッド等の光ヘッドに関し、光ヘッ
ドにより形成される集光スポット径を回折限界以下とし
て、光ディスクの記録密度、再生密度を向上させたもの
である。
光ディスクにおいて記録密度を高め、るためには、光ヘ
ッドにより形成される集光スポット径を縮小させる必要
がある。集光スポット径はレーザ光源波長に比例し集光
レンズ開口数に反比例するが、開口数は傾き許容等から
現状以上に大きくすることは難しい。光源波長について
も実用的な構成では可視光半導体レーザを用いるため限
界がある。
ッドにより形成される集光スポット径を縮小させる必要
がある。集光スポット径はレーザ光源波長に比例し集光
レンズ開口数に反比例するが、開口数は傾き許容等から
現状以上に大きくすることは難しい。光源波長について
も実用的な構成では可視光半導体レーザを用いるため限
界がある。
そこで、最近光学系の回折限界を超える微小スポットを
実現するために超解像手法の導入が検討されている。超
解像は、集光レンズに入射する光ビームの強度および位
相分布を変えることにより、均一な光ビーム入射時に形
成される集光スポット径よりも小さなスポット径を実現
するものである。
実現するために超解像手法の導入が検討されている。超
解像は、集光レンズに入射する光ビームの強度および位
相分布を変えることにより、均一な光ビーム入射時に形
成される集光スポット径よりも小さなスポット径を実現
するものである。
従来提案されていた超解像手法を第2図に示す。
これは、コリメート光の光軸上に遮光帯10を配置して
、コリメート光の中心付近の強度を減衰させたうえで、
集光レンズ12を通して光ディスク14の記録面に集光
させるようにしたものである。
、コリメート光の中心付近の強度を減衰させたうえで、
集光レンズ12を通して光ディスク14の記録面に集光
させるようにしたものである。
これにより、集光点においては実線で示すようなサイド
ローブ(±1次光)を伴うスポット分布を得ることがで
きる。このときのメインローブのスポット径は、遮光帯
10の無い破線で示すスボット径より小さくなり、記録
再生密度が向上する。
ローブ(±1次光)を伴うスポット分布を得ることがで
きる。このときのメインローブのスポット径は、遮光帯
10の無い破線で示すスボット径より小さくなり、記録
再生密度が向上する。
前記第2図の手法では、遮光帯10は実用上はガラス基
板へ金属などをスパッタリングして得られるものと考え
るが、これでは次のような問題が生じる。
板へ金属などをスパッタリングして得られるものと考え
るが、これでは次のような問題が生じる。
(a) 超解像を得るためには遮光帯10の遮光幅や
形状さらには遮光帯ユO自体の透過強度の調整が必要で
あるが、スパッタリングではこれらの調整を高精度に行
なうのが難しい。
形状さらには遮光帯ユO自体の透過強度の調整が必要で
あるが、スパッタリングではこれらの調整を高精度に行
なうのが難しい。
(b) スパッタリングは量産性に欠き、歩留りが悪
い。
い。
この発明は、前記従来の技術における欠点を解決し、超
解像を得るための手段の調整が容易で、かつその量産性
および歩留りが良好な光ヘッドを提供しようとするもの
である。
解像を得るための手段の調整が容易で、かつその量産性
および歩留りが良好な光ヘッドを提供しようとするもの
である。
〔課題を解決するための手段〕
この発明は、透明または半透明材上に位相変化形の位相
格子を形成してなる超解像格子を光源からの光路上に配
設してなるものである。
格子を形成してなる超解像格子を光源からの光路上に配
設してなるものである。
この発明によれば、従来の遮光帯による入射光カットに
代えて位相格子により±1次光分岐させて、メインビー
ム(0次光)の光量エネルギを減少させることで超解像
を得ている。これによれば、位相格子は材料への穴あけ
、突起付は等で形成することができ、これはミクロ加工
技術により相当の高精度で任意の加工(穴、突起等のピ
ッチ、幅、深さ、高さ、形状等)が可能であるため、超
解像を得るための透過強度等の調整が容易となり、かつ
量産性、歩留りが良好となる。
代えて位相格子により±1次光分岐させて、メインビー
ム(0次光)の光量エネルギを減少させることで超解像
を得ている。これによれば、位相格子は材料への穴あけ
、突起付は等で形成することができ、これはミクロ加工
技術により相当の高精度で任意の加工(穴、突起等のピ
ッチ、幅、深さ、高さ、形状等)が可能であるため、超
解像を得るための透過強度等の調整が容易となり、かつ
量産性、歩留りが良好となる。
この発明の一実施例を第1図に示す。レーザダイオード
16からはレーザビームが出射される。
16からはレーザビームが出射される。
このレーザビームはレーザダイオード16の活性層から
の出射方向(Q上:垂直横モード、Q//。
の出射方向(Q上:垂直横モード、Q//。
水平横モード)により出射角が異なるが、この実施例で
はQ上方向に対して超解像効果をかけるものとする。
はQ上方向に対して超解像効果をかけるものとする。
レーザダイオード16の出射光軸上には、この発明によ
る超解像格子18が配設されている。この超解像格子1
8はガラス、樹脂など、使用する光源の波長に対して透
明または半透明な材料で作られている。その外形寸法a
Xbはここを通過するレーザビームの断面積以上の大き
さが好ましく、また厚さは例えば1關前後のものを用い
ることができる。
る超解像格子18が配設されている。この超解像格子1
8はガラス、樹脂など、使用する光源の波長に対して透
明または半透明な材料で作られている。その外形寸法a
Xbはここを通過するレーザビームの断面積以上の大き
さが好ましく、また厚さは例えば1關前後のものを用い
ることができる。
超解像格子18上には、第3図に示すように、ある大き
さの複数個の溝穴2oがある一定のピッチ間隔でQ1方
向に同方向のビーム径以上にわたって形成されており、
いわゆる位相変化形の位相格子21を構成している。溝
穴20の形状は、この実施例では第3図中に拡大して示
すように、コサイン波形またはガウシアン波形等を上下
対称に重ね合わせた形に形成している。
さの複数個の溝穴2oがある一定のピッチ間隔でQ1方
向に同方向のビーム径以上にわたって形成されており、
いわゆる位相変化形の位相格子21を構成している。溝
穴20の形状は、この実施例では第3図中に拡大して示
すように、コサイン波形またはガウシアン波形等を上下
対称に重ね合わせた形に形成している。
溝穴20は、例えばLSI製造工程を応用して形成する
ことができる。すなわち、第4図に示すように、EB(
電子ビーム)露光装置にて、形成すべき溝穴20の5倍
程度の寸法を有する溝穴パターン21を形成し、これを
ホトマスクとしてステッパ52に配置し、露光ビーム5
4をレンズ56およびレチクル50を介してレジスト5
8を塗布したガラス基板60にユ15に縮小するように
照射して、レジスト58に溝穴2oの形状の穴20’を
形成する。そして、イオンミーリングにより穴20′の
位置のガラス基板6oを削り、その後レジスト58を除
去することによりガラス基板60に溝穴20を形成して
超解像格子を製造することができる。
ことができる。すなわち、第4図に示すように、EB(
電子ビーム)露光装置にて、形成すべき溝穴20の5倍
程度の寸法を有する溝穴パターン21を形成し、これを
ホトマスクとしてステッパ52に配置し、露光ビーム5
4をレンズ56およびレチクル50を介してレジスト5
8を塗布したガラス基板60にユ15に縮小するように
照射して、レジスト58に溝穴2oの形状の穴20’を
形成する。そして、イオンミーリングにより穴20′の
位置のガラス基板6oを削り、その後レジスト58を除
去することによりガラス基板60に溝穴20を形成して
超解像格子を製造することができる。
また、この方法以外にも、溝穴2oのパターンを形成し
た原型(マスク)を作って樹脂成形により超解像格子を
製造することもできる。
た原型(マスク)を作って樹脂成形により超解像格子を
製造することもできる。
第1図において、超解像格子18を通過したレーザビー
ムは、コリメータレンズ22および対物レンズ24を通
過してディスク記録面上に集光スポット26を形成し、
ディスクの記録または再生を行なう。
ムは、コリメータレンズ22および対物レンズ24を通
過してディスク記録面上に集光スポット26を形成し、
ディスクの記録または再生を行なう。
第1図の構成によれば、超解像格子18は位相変化形の
位相格子を構成しているため、ここを通過するレーザビ
ームは回折を生じて第5図に示すように±1次光を発生
する。これにより、メインビーム(0次光)の光量エネ
ルギが減少するので、前記従来の遮光帯10(第2図)
による入射光カットと同様の効果が得られ、超解像現象
が得られる。したがって、溝穴20の大きさ(幅、高さ
)、深さ、ピッチ、形状等を適宜選択することによって
、メインビームの強度、スポット径、回折角度、メイン
ビームと±1次光の強度の比等を任意に調整することが
できる。これにより、±1次光をコリメータレンズ22
から外れるように回折させたり、アルいはコリメータレ
ンズ22の範囲内に入ったとしても記録や再生が可能な
しきい値に達しない程度のレベルに下げることができ、
メインビームのみにより記録、再生を行なうことができ
る。
位相格子を構成しているため、ここを通過するレーザビ
ームは回折を生じて第5図に示すように±1次光を発生
する。これにより、メインビーム(0次光)の光量エネ
ルギが減少するので、前記従来の遮光帯10(第2図)
による入射光カットと同様の効果が得られ、超解像現象
が得られる。したがって、溝穴20の大きさ(幅、高さ
)、深さ、ピッチ、形状等を適宜選択することによって
、メインビームの強度、スポット径、回折角度、メイン
ビームと±1次光の強度の比等を任意に調整することが
できる。これにより、±1次光をコリメータレンズ22
から外れるように回折させたり、アルいはコリメータレ
ンズ22の範囲内に入ったとしても記録や再生が可能な
しきい値に達しない程度のレベルに下げることができ、
メインビームのみにより記録、再生を行なうことができ
る。
この発明の超解像格子の設計例について説明する。いま
、第6図および第7図に示すようにa :溝穴20のピ
ッチ b =溝穴20の高さ θ :光軸に対して発光点より溝穴20を水平方向に望
む角度 d :溝穴20の深さ nl ;超解像格子18を構成する材料(ガラス、樹脂
など)の屈折率 n2:超解像格子18の周囲の屈折率(空気の場合n
2−1 ) とする。ここで、0次回折光強度をE 、1次回Δn
禦nt n 2 λ:使用波長 で表わされる。
、第6図および第7図に示すようにa :溝穴20のピ
ッチ b =溝穴20の高さ θ :光軸に対して発光点より溝穴20を水平方向に望
む角度 d :溝穴20の深さ nl ;超解像格子18を構成する材料(ガラス、樹脂
など)の屈折率 n2:超解像格子18の周囲の屈折率(空気の場合n
2−1 ) とする。ここで、0次回折光強度をE 、1次回Δn
禦nt n 2 λ:使用波長 で表わされる。
また、光軸上でE。−〇 (Q−0,5)となるように
すると、溝穴20の形状をcos関数で変化させた場合
、各θ角度位置でのqは ただし、θl : Eo−1となる角度(−溝穴 20の水平方向端部までの角度) で変化する。
すると、溝穴20の形状をcos関数で変化させた場合
、各θ角度位置でのqは ただし、θl : Eo−1となる角度(−溝穴 20の水平方向端部までの角度) で変化する。
光軸上でE o = O(q = 0 、 5 )とし
ているから、(1)式より、 となる。この式より、 πdΔn π λ 2 λ から溝穴20の深さdを決定することができる。
ているから、(1)式より、 となる。この式より、 πdΔn π λ 2 λ から溝穴20の深さdを決定することができる。
以上の原理に基づき具体的な設計例を考える。
θ上方向に超解像をかけるものとし、
λ−0.67μm
を使用する。また、第8図に示すように、ビーム角度(
θ±)方向−35゜ 発光点から超解像格子18までの距離−5m+sθ1−
6’ とする。
θ±)方向−35゜ 発光点から超解像格子18までの距離−5m+sθ1−
6’ とする。
光軸上てE。−0(q−0,5)となるように設計する
と、第8図に示すように、 C(溝穴20の幅)−0,21mm b(溝穴20の高さ)−0,048關 d(溝穴20の深さ)=0.67μm とすればよいことになる。
と、第8図に示すように、 C(溝穴20の幅)−0,21mm b(溝穴20の高さ)−0,048關 d(溝穴20の深さ)=0.67μm とすればよいことになる。
1次回折光による誤記録を防ぐには例えば1次回折光強
度を小さくすればよい。これには、光軸上でのE。値を
変える(qまたはdを変える)か、またはθ1を変える
などの方法がある。また、1次回折光による誤再生を防
ぐには、例えば光ディスクからの反射光が信号検出用フ
ォトダイオードに入射しないようにピッチaを決めれば
よい、 −h記設計の場合は83μm以下にすればよい
。
度を小さくすればよい。これには、光軸上でのE。値を
変える(qまたはdを変える)か、またはθ1を変える
などの方法がある。また、1次回折光による誤再生を防
ぐには、例えば光ディスクからの反射光が信号検出用フ
ォトダイオードに入射しないようにピッチaを決めれば
よい、 −h記設計の場合は83μm以下にすればよい
。
また、スポット径、サイドローブを変えるには、Eoを
変える方法と01を変える方法があり、それぞれ次のよ
うになる。
変える方法と01を変える方法があり、それぞれ次のよ
うになる。
第8図の設計例によるシミュレーション結果を第9図〜
第12図に示す。第9図は対物レンズ入射光強度分布、
第10図は射出瞳面におけるQ上方向の光量分布、第1
1図はQ上方向の集光スポット強度分布、第12図は第
11図の縦軸を拡大したものである。これによれば、ス
ポット径は0.8μm(1/e2)となっていることが
わかる。
第12図に示す。第9図は対物レンズ入射光強度分布、
第10図は射出瞳面におけるQ上方向の光量分布、第1
1図はQ上方向の集光スポット強度分布、第12図は第
11図の縦軸を拡大したものである。これによれば、ス
ポット径は0.8μm(1/e2)となっていることが
わかる。
第13図〜第16図は、同様の場合における超解像格子
18を入れない場合のシミュレーション結果を示すもの
である。この場合のスポット径は1.0μm(1/e2
)であり、超解像格子18を入れることによってスポッ
ト径が縮小されることがわかる。
18を入れない場合のシミュレーション結果を示すもの
である。この場合のスポット径は1.0μm(1/e2
)であり、超解像格子18を入れることによってスポッ
ト径が縮小されることがわかる。
なお、溝穴20の幅Cを変える(すなわちE。
−1となる角度θ1を変える)と、第17図に示すよう
に0次光の中心近傍強度の落ち込み幅が変化する。例え
ば幅りを広くすると、落ち込み幅は(イ)→(ロ)のよ
うに広くなる。この場合前述したようにスポット径は小
となり、サイドローブは増加する。
に0次光の中心近傍強度の落ち込み幅が変化する。例え
ば幅りを広くすると、落ち込み幅は(イ)→(ロ)のよ
うに広くなる。この場合前述したようにスポット径は小
となり、サイドローブは増加する。
前記実施例では、基板上に溝孔20を形成することによ
り超解像格子18を作成したが、第14図に示す超解像
格子30のように、ガラス等の基板32上に溝孔20と
同形状の突起34を形成することにより位相格子37を
作成することもできる。
り超解像格子18を作成したが、第14図に示す超解像
格子30のように、ガラス等の基板32上に溝孔20と
同形状の突起34を形成することにより位相格子37を
作成することもできる。
また、前記実施例では溝孔20の形状をコサイン波形と
したが、ガウシアン波形や第15図に示す超解像格子3
6のように四角形状の溝穴38もしくはその他の形状の
溝穴(または突起等)により位相格子41を形成するこ
ともできる。
したが、ガウシアン波形や第15図に示す超解像格子3
6のように四角形状の溝穴38もしくはその他の形状の
溝穴(または突起等)により位相格子41を形成するこ
ともできる。
また、前記実施例では超解像格子18を単体で構成した
が、第16図の超解像格子3つのように、光路中のレン
ズ40やビームスプリッタ等の端面または内部に溝穴4
2や突起、空洞等を形成して位相格子43を構成するこ
ともできる。
が、第16図の超解像格子3つのように、光路中のレン
ズ40やビームスプリッタ等の端面または内部に溝穴4
2や突起、空洞等を形成して位相格子43を構成するこ
ともできる。
また、前記実施例ではQ上方向についてスポット径を回
折限界以下としたが、Q//方向についても同様に溝穴
や突起等を形成することによりスポット径を回折限界以
下とすることができる。
折限界以下としたが、Q//方向についても同様に溝穴
や突起等を形成することによりスポット径を回折限界以
下とすることができる。
また、この発明は再生専用光ヘッドに適用することもで
きる。再生時にサイドローブの影響を除去するには、例
えば光検出器の手前にスリットを配置してメインビーム
成分のみ切り出す方法等が考えられる。
きる。再生時にサイドローブの影響を除去するには、例
えば光検出器の手前にスリットを配置してメインビーム
成分のみ切り出す方法等が考えられる。
以上説明したように、この発明によれば、従来の遮光帯
による入射光カットに代えて位相格子により±1次光分
岐させて、メインビーム(0次光)の光量エネルギを減
少させることで超解像を得ており、位相格子は材料への
穴あけ、突起付は等形成することができ、これはミクロ
加工技術により相当の高精度で任意の加工(穴、突起等
のピッチ、深さ、高さ、形状等)が可能であるため、超
解像を得るための透過強度等の調整が容易となり、かつ
量産性、歩留りが良好となる。
による入射光カットに代えて位相格子により±1次光分
岐させて、メインビーム(0次光)の光量エネルギを減
少させることで超解像を得ており、位相格子は材料への
穴あけ、突起付は等形成することができ、これはミクロ
加工技術により相当の高精度で任意の加工(穴、突起等
のピッチ、深さ、高さ、形状等)が可能であるため、超
解像を得るための透過強度等の調整が容易となり、かつ
量産性、歩留りが良好となる。
第1図は、この発明の一実施例を示す斜視図である。
第2図は、従来の超解像手法を示す斜視図である。
第3図は、第1図の超解像格子18の構成を示す斜視図
である。 第4図は、この発明の超解像格子の製造方法の一例を示
す工程図である。 第5図は、第3図の超解像格子によるビームの回折状態
を示す斜視図である。 第6図、第7図は、溝穴の設計例について説明する図で
ある。 第8図は、超解像格子の実際の設計例を示す斜視図であ
る。 第9図〜第12図は、第8図の設計によるシミュレーシ
ョン結果で、第9図は対物レンズ人射光強度分布、第1
0図は射出瞳面におけるQ上方向の光量分布、第11図
はQ上方向の集光スポット強度分布、第12図は第11
図の縦軸を拡大したものである。 第13図〜第16図は、同様の場合における超解像格子
を入れない場合のシミュレーション結果を示す図である
。 第17図は、溝穴の幅を変えた時の0次光の中心近傍強
度の落ち込み幅の変化を示す図である。 第9図〜第12図図は、それぞれこの発明の超解像格子
の他の実施例を示す斜視図である。 18.30,36.39・・・超解像格子、20゜38
.42・・・溝穴、21.37,41.43・・・位相
格子、34・・・突起。 第3図 第5図 レジ゛ヌl−除去 第4 AJ、ぞ、 (第6かx−x矢陳) 第6図 第7図 第8 図 、7人打差 第17図 第18図
である。 第4図は、この発明の超解像格子の製造方法の一例を示
す工程図である。 第5図は、第3図の超解像格子によるビームの回折状態
を示す斜視図である。 第6図、第7図は、溝穴の設計例について説明する図で
ある。 第8図は、超解像格子の実際の設計例を示す斜視図であ
る。 第9図〜第12図は、第8図の設計によるシミュレーシ
ョン結果で、第9図は対物レンズ人射光強度分布、第1
0図は射出瞳面におけるQ上方向の光量分布、第11図
はQ上方向の集光スポット強度分布、第12図は第11
図の縦軸を拡大したものである。 第13図〜第16図は、同様の場合における超解像格子
を入れない場合のシミュレーション結果を示す図である
。 第17図は、溝穴の幅を変えた時の0次光の中心近傍強
度の落ち込み幅の変化を示す図である。 第9図〜第12図図は、それぞれこの発明の超解像格子
の他の実施例を示す斜視図である。 18.30,36.39・・・超解像格子、20゜38
.42・・・溝穴、21.37,41.43・・・位相
格子、34・・・突起。 第3図 第5図 レジ゛ヌl−除去 第4 AJ、ぞ、 (第6かx−x矢陳) 第6図 第7図 第8 図 、7人打差 第17図 第18図
Claims (1)
- 透明または半透明材上に位相変化形の位相格子を形成
してなる超解像格子を光源からの光路上に配設してなる
光ヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2051199A JPH03254433A (ja) | 1990-03-02 | 1990-03-02 | 光ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2051199A JPH03254433A (ja) | 1990-03-02 | 1990-03-02 | 光ヘッド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03254433A true JPH03254433A (ja) | 1991-11-13 |
Family
ID=12880223
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2051199A Pending JPH03254433A (ja) | 1990-03-02 | 1990-03-02 | 光ヘッド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03254433A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06119653A (ja) * | 1992-10-07 | 1994-04-28 | Nec Corp | 光ヘッド装置 |
US5615050A (en) * | 1993-09-02 | 1997-03-25 | International Business Machines Corporation | Optical system with reduced focus spot size |
-
1990
- 1990-03-02 JP JP2051199A patent/JPH03254433A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06119653A (ja) * | 1992-10-07 | 1994-04-28 | Nec Corp | 光ヘッド装置 |
US5615050A (en) * | 1993-09-02 | 1997-03-25 | International Business Machines Corporation | Optical system with reduced focus spot size |
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