JPS63148237A - 液晶表示素子およびその製造方法 - Google Patents
液晶表示素子およびその製造方法Info
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- JPS63148237A JPS63148237A JP29480686A JP29480686A JPS63148237A JP S63148237 A JPS63148237 A JP S63148237A JP 29480686 A JP29480686 A JP 29480686A JP 29480686 A JP29480686 A JP 29480686A JP S63148237 A JPS63148237 A JP S63148237A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は液晶材料に強誘電性スメクチック液晶表示素子
に係わり、特にメモリ性発現に好適な配向制御膜の構造
に関するものである。
に係わり、特にメモリ性発現に好適な配向制御膜の構造
に関するものである。
従来の強誘電性スメクチック形液晶表示素子は、透明電
極を形成したガラス基板の表示部全体に配内膜を形成し
、その表面上を全面一様にラビング処理を行なう方式の
配向制御膜を用いていた（雑誌［電子材料Ｊ １９８６
年２月号第７４頁）。
極を形成したガラス基板の表示部全体に配内膜を形成し
、その表面上を全面一様にラビング処理を行なう方式の
配向制御膜を用いていた（雑誌［電子材料Ｊ １９８６
年２月号第７４頁）。
第２図は強誘電性スメクチック液晶の分子配列を示した
ものであシ、この液晶分子１を基板２上に一様に配列さ
せるためには、適当な配向膜を一方向にラビング処理し
た配向制御膜が必要とされている。この場合、液晶分子
１のらせん軸方向３がラビング方向と一致する。一方、
このような液晶に第３図（ａ）、 （ｂ）に示すように
電界Ｅを加えると、液晶分子１は矢印Ｐ方向に変化する
。さらにこの電界Ｅを加えて発生した液晶分子１の配列
は電界Ｅをオフにしてもその配向状態を維持（メモリ（
ロ）することが知られている。しかし、ラビング溝は、
電界Ｅにより一方向に配列した液晶分子を元のらせん配
向状態にもどそうとする作用があるため、ラビング条件
によってはメモリ性が不安定になる場合があった。
ものであシ、この液晶分子１を基板２上に一様に配列さ
せるためには、適当な配向膜を一方向にラビング処理し
た配向制御膜が必要とされている。この場合、液晶分子
１のらせん軸方向３がラビング方向と一致する。一方、
このような液晶に第３図（ａ）、 （ｂ）に示すように
電界Ｅを加えると、液晶分子１は矢印Ｐ方向に変化する
。さらにこの電界Ｅを加えて発生した液晶分子１の配列
は電界Ｅをオフにしてもその配向状態を維持（メモリ（
ロ）することが知られている。しかし、ラビング溝は、
電界Ｅにより一方向に配列した液晶分子を元のらせん配
向状態にもどそうとする作用があるため、ラビング条件
によってはメモリ性が不安定になる場合があった。
〔発明が解決しようとする問題点〕
前述した従来の液晶表示素子は、強誘電性スメクチック
液晶の配向性については配慮がされていたが、メモリ性
については十分配慮されておらず、その安定性に問題が
あった。
液晶の配向性については配慮がされていたが、メモリ性
については十分配慮されておらず、その安定性に問題が
あった。
本発明は前述した従来の問題に鑑みてなされたものであ
り、その目的は、安定した配向性およびメモリ性が両立
！−て得られる液晶表示素子を提供することにある。
り、その目的は、安定した配向性およびメモリ性が両立
！−て得られる液晶表示素子を提供することにある。
本発明は、ガラス基板上に透明電極を形成した後、配向
膜を形成し、との配向膜上の透明電極のない間隙部のみ
にラビング処理を施して配向制御膜を形成したものであ
る。
膜を形成し、との配向膜上の透明電極のない間隙部のみ
にラビング処理を施して配向制御膜を形成したものであ
る。
本発明における液晶表示素子は、透明電極間の間隙部が
配向制御膜となっており、ここを核として液晶分子が配
向するため全体に均一々配向が得られる。さらに表示部
分を構成する透明電極上表面の配向膜はラビング処理さ
れない平坦面となるので、強誘電性スメクチック液晶の
メモリー性が安全に保たれる。
配向制御膜となっており、ここを核として液晶分子が配
向するため全体に均一々配向が得られる。さらに表示部
分を構成する透明電極上表面の配向膜はラビング処理さ
れない平坦面となるので、強誘電性スメクチック液晶の
メモリー性が安全に保たれる。
以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第１図は本発明による液晶表示素子の一実施例を示す要
部拡大断面図である。同図において、透光性ガラス基板
１１上には表示セグメントとしての透明電極１２が形成
されて電極基板１３が形成され、さらにこの電極基板１
３上には例えばポリイミド系樹脂からなる配向膜１４が
形成されている。そして、この配向膜１４上の透明電極
１２と対応する部位を除く間隙部分のみにラビング処理
が施されて配向制御膜１５が形成されている。この場合
、配向膜１４の透明電極１２と対応する表面はほぼ平坦
面となっている。さらにこの電極基板１３は同様に構成
される電極基板と対向配置させて液晶セルを形成し、内
部に強誘電性スメクチック液晶１６を封入して液晶表示
素子が構成される。
部拡大断面図である。同図において、透光性ガラス基板
１１上には表示セグメントとしての透明電極１２が形成
されて電極基板１３が形成され、さらにこの電極基板１
３上には例えばポリイミド系樹脂からなる配向膜１４が
形成されている。そして、この配向膜１４上の透明電極
１２と対応する部位を除く間隙部分のみにラビング処理
が施されて配向制御膜１５が形成されている。この場合
、配向膜１４の透明電極１２と対応する表面はほぼ平坦
面となっている。さらにこの電極基板１３は同様に構成
される電極基板と対向配置させて液晶セルを形成し、内
部に強誘電性スメクチック液晶１６を封入して液晶表示
素子が構成される。
このように構成された液晶表示素子は、液晶セル内に封
入された液晶１６の配向制御膜１５間に介在された液晶
の液晶分子のみが配向される。この場合、スメクチック
液晶はネマチック液晶よりも結晶に近い性質があるので
、ガラス基板１１間で透明電極１２の形成部分が小さい
と、液晶注入時に透明電極１２０間隙部を核として液晶
配列が順次成長して全体が配列する。また、配列しない
場合には液晶セルを端部から順次加熱して冷却すること
により結晶成長と類似のメカニズムで透明電極１２の間
隙部を核として液晶１６の分子が全面にわたって配列す
る。
入された液晶１６の配向制御膜１５間に介在された液晶
の液晶分子のみが配向される。この場合、スメクチック
液晶はネマチック液晶よりも結晶に近い性質があるので
、ガラス基板１１間で透明電極１２の形成部分が小さい
と、液晶注入時に透明電極１２０間隙部を核として液晶
配列が順次成長して全体が配列する。また、配列しない
場合には液晶セルを端部から順次加熱して冷却すること
により結晶成長と類似のメカニズムで透明電極１２の間
隙部を核として液晶１６の分子が全面にわたって配列す
る。
このように構成された液晶表示素子は、液晶１６がガラ
ス基板１１対向間に均一な配向を示しかつ透明電極１２
間に配向制御膜１５が存在しない構成となるので、安定
な配向性およびメモリ性を両立して実現することができ
る。
ス基板１１対向間に均一な配向を示しかつ透明電極１２
間に配向制御膜１５が存在しない構成となるので、安定
な配向性およびメモリ性を両立して実現することができ
る。
次にこのように構成される液晶表示素子の製造方法につ
いて第１図を参照して説明する。まず、ガラス基板１１
上に酸化インジウムを主体とする透明導電膜を形成し、
フォトエツチング法により所定の表示セグメントとして
の透明ｇ１極１２を形成して電極基板１３を形成する。
いて第１図を参照して説明する。まず、ガラス基板１１
上に酸化インジウムを主体とする透明導電膜を形成し、
フォトエツチング法により所定の表示セグメントとして
の透明ｇ１極１２を形成して電極基板１３を形成する。
次にこの透明電極１２が形成されたガラス基板１１上に
ポリイミド系樹脂を塗布し硬化させて配向膜１４を形成
した後、この配向膜１４上に透明電極１２のみを覆うよ
うにフォトレジスト膜を形成する。この方法は通常のフ
ォトリンゲラ２イ法を用いて容易にできる。次にこのフ
ォトレジスト膜の上方かラ一定方向にラビングを行なう
。この場合、配向膜１４の透明電極１２上はフォトレー
ジスト膜で保護されているので、その透明電極１２間隙
部の配向膜のみにラビング溝が形成され、配向制御ｐＡ
１５が形成される。しかる後、このフォトレジスト膜を
剥離する。次に配向膜１４．配向制御膜１５を形成した
２枚の電極基板１３を所定の間隙をもたせて貼り合わせ
て液晶セルを形成し、その内部に強誘電性スメクチック
液晶１６を封入し、その封入口を封止する。このように
して形成された液晶セルを高温度、例えば約１２０℃程
度のシリコンオイル中に浸漬し、一定方向から徐々に空
気中に引き出す。これによって電極基板１３間に封入さ
れた液晶１６は透明電極１２間隙部を核として全面一定
方向に配列される。
ポリイミド系樹脂を塗布し硬化させて配向膜１４を形成
した後、この配向膜１４上に透明電極１２のみを覆うよ
うにフォトレジスト膜を形成する。この方法は通常のフ
ォトリンゲラ２イ法を用いて容易にできる。次にこのフ
ォトレジスト膜の上方かラ一定方向にラビングを行なう
。この場合、配向膜１４の透明電極１２上はフォトレー
ジスト膜で保護されているので、その透明電極１２間隙
部の配向膜のみにラビング溝が形成され、配向制御ｐＡ
１５が形成される。しかる後、このフォトレジスト膜を
剥離する。次に配向膜１４．配向制御膜１５を形成した
２枚の電極基板１３を所定の間隙をもたせて貼り合わせ
て液晶セルを形成し、その内部に強誘電性スメクチック
液晶１６を封入し、その封入口を封止する。このように
して形成された液晶セルを高温度、例えば約１２０℃程
度のシリコンオイル中に浸漬し、一定方向から徐々に空
気中に引き出す。これによって電極基板１３間に封入さ
れた液晶１６は透明電極１２間隙部を核として全面一定
方向に配列される。
このような方法によれば、安定した配向性およびメモリ
性を肩する強誘電性スメクチック形液晶表示素子が容易
に製作することができる。
性を肩する強誘電性スメクチック形液晶表示素子が容易
に製作することができる。
以上説明したように本発明によれば、透光性基板上に透
明電極を形成した電極基板上に配向膜を形成するととも
Ｋこの透明電極が形成されていない配向膜の表面に配向
制御膜を形成した液晶セル内に強誘電性スメクチック液
晶を封入したことにより、安定な配向性およびメモリ性
を同時に実現できるので、高品質、高性能の強訪電性ス
メクチック形液晶表示素子が得られる。また、との配向
制御膜は透明電極が形成された配向膜上にフォトレジス
ト膜を形成し、その開口部をラビング処理を行なって形
成したので、簡単なプロセスで容易に実現可能となるな
どの極めて優れた効果が得られる。
明電極を形成した電極基板上に配向膜を形成するととも
Ｋこの透明電極が形成されていない配向膜の表面に配向
制御膜を形成した液晶セル内に強誘電性スメクチック液
晶を封入したことにより、安定な配向性およびメモリ性
を同時に実現できるので、高品質、高性能の強訪電性ス
メクチック形液晶表示素子が得られる。また、との配向
制御膜は透明電極が形成された配向膜上にフォトレジス
ト膜を形成し、その開口部をラビング処理を行なって形
成したので、簡単なプロセスで容易に実現可能となるな
どの極めて優れた効果が得られる。
第１図−は本発明による液晶表示素子の一実施例を示す
要部拡大断面図、第２図および第３図（ａ）。 （ｂ）は強誘電性スメクチック液晶の液晶分子の分子配
列を説明する図である。 １１・・・・透光性ガラス基板、１２・・・・透明電極
、１３・・・・電極基板、１４・・・・配向膜、１５・
・拳・配向制御膜、１６・・・・強誘電性スメクチック
液晶。
要部拡大断面図、第２図および第３図（ａ）。 （ｂ）は強誘電性スメクチック液晶の液晶分子の分子配
列を説明する図である。 １１・・・・透光性ガラス基板、１２・・・・透明電極
、１３・・・・電極基板、１４・・・・配向膜、１５・
・拳・配向制御膜、１６・・・・強誘電性スメクチック
液晶。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、透光性基板に透明電極を形成した電極基板上に配向
膜を形成するとともに前記透明電極が形成されていない
前記配向膜の表面に配向制御膜を設け、前記電極基板を
互いに対向配置させ内部に強誘電性スメクチツク液晶を
封入したことを特徴とする液晶表示素子。 ２、前記配向膜をポリイミド系樹脂としたことを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の液晶表示素子。 ３、透明電極を形成した透光性基板上に配向膜を形成す
る工程と、前記配向膜上に前記透明電極間の間隙部のみ
に開口を有するフォトレジスト膜を形成する工程と、前
記開口部に露出した配向膜をラビング処理する工程と、
前記透光性基板を対向させて液晶セルを形成する工程と
、前記液晶セル内に強誘電性スメクチツク液晶を封入す
る工程とを含むことを特徴とする液晶表示素子の製造方
法。 ４、透明電極を形成した透光性基板上に配向膜を形成す
る工程と、前記配向膜上に前記透明電極間の間隙部のみ
に開口を有するフォトレジスト膜を形成する工程と、前
記開口部に露出した配向膜をラビング処理する工程と、
前記透光性基板を対向させて液晶セルを形成する工程と
、前記液晶セル内に強誘電性スメクチツク液晶を封入す
る工程と、前記液晶を封入した液晶セルを端部より順次
加熱した後冷却する工程とを含むことを特徴とする液晶
表示素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29480686A JPS63148237A (ja) | 1986-12-12 | 1986-12-12 | 液晶表示素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29480686A JPS63148237A (ja) | 1986-12-12 | 1986-12-12 | 液晶表示素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63148237A true JPS63148237A (ja) | 1988-06-21 |
Family
ID=17812499
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29480686A Pending JPS63148237A (ja) | 1986-12-12 | 1986-12-12 | 液晶表示素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63148237A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0407164A2 (en) * | 1989-07-04 | 1991-01-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
| US5231526A (en) * | 1989-07-04 | 1993-07-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device with two insulating films, the second in only non-pixel areas |
| US5294366A (en) * | 1989-08-18 | 1994-03-15 | Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. | Carboxylate compounds, liquid crystal compositions containing said compounds and liquid crystal element |
-
1986
- 1986-12-12 JP JP29480686A patent/JPS63148237A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0407164A2 (en) * | 1989-07-04 | 1991-01-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
| US5231526A (en) * | 1989-07-04 | 1993-07-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device with two insulating films, the second in only non-pixel areas |
| US5294366A (en) * | 1989-08-18 | 1994-03-15 | Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. | Carboxylate compounds, liquid crystal compositions containing said compounds and liquid crystal element |
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