JPS58187914A - 液晶表示素子の製造方法 - Google Patents
液晶表示素子の製造方法Info
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- JPS58187914A JPS58187914A JP57070393A JP7039382A JPS58187914A JP S58187914 A JPS58187914 A JP S58187914A JP 57070393 A JP57070393 A JP 57070393A JP 7039382 A JP7039382 A JP 7039382A JP S58187914 A JPS58187914 A JP S58187914A
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- JP
- Japan
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- liquid crystal
- display element
- crystal display
- electrode substrates
- heat
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133528—Polarisers
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は液晶表示素子の製造方法に関する。
従来の液晶表示素子は、第１図に示すようｌこ、電極が
形成された２枚の上下ガラス電極基板１．２の周囲をシ
ール材３でシールし、内部に液晶物質４を封入してなる
。そして、特にツィステッド・ネマチック型の液晶表示
素子では、前記上下ガラス電極基板１．２の外側にそれ
ぞれ偏光板５．６を貼り合せて透過型を形成し、また偏
光板６の外側に反射板７を貼り合せて反射型を形成して
いる。
形成された２枚の上下ガラス電極基板１．２の周囲をシ
ール材３でシールし、内部に液晶物質４を封入してなる
。そして、特にツィステッド・ネマチック型の液晶表示
素子では、前記上下ガラス電極基板１．２の外側にそれ
ぞれ偏光板５．６を貼り合せて透過型を形成し、また偏
光板６の外側に反射板７を貼り合せて反射型を形成して
いる。
きころで近年、第２図に示すように、第１図ζこ示す上
下ガラス電極基板１．２に代えてプラスチック基板１０
．１１、例えば２軸延伸のポリエチレノテレフタレート
フイルム（以下ＰＥＴフィルムという）を用いた液晶表
示素子が発表されている。しかしながら、この構造は単
に基板の材質を変えたのみであるので、部品点数および
製作工程は変らず、コストダウンを図ることができない
。
下ガラス電極基板１．２に代えてプラスチック基板１０
．１１、例えば２軸延伸のポリエチレノテレフタレート
フイルム（以下ＰＥＴフィルムという）を用いた液晶表
示素子が発表されている。しかしながら、この構造は単
に基板の材質を変えたのみであるので、部品点数および
製作工程は変らず、コストダウンを図ることができない
。
そこで、本願出願人は、第３図に示すようｌこ偏光板に
電極基板機能をもたせた上下偏光電極基板１２．１３か
らなる液晶表示素子を出願中である。
電極基板機能をもたせた上下偏光電極基板１２．１３か
らなる液晶表示素子を出願中である。
前記上下偏光電極基板１２．１３は、第５図に示すよう
ζこ偏光子１４を２枚の一軸延伸ＰＥＴフィルムの支持
体１５．１５でサンドイッチにした偏光板構造よりなる
。このような上下偏光電極基板１２．１３の表面ｌこそ
れぞれ透明導電膜（ＩＴＯ電極）を形成し、エツチング
を行なうことにより必要な電極パター７１６．１７を形
成する。そして、従来の液晶表示素子と同様の液晶分子
の配向処理（例えばラビングζこよる）を行なう。次に
シール材３により上下偏光電極基板１２．１３を貼り合
せた後、図示しない封入口より液晶４を封入する。次に
反射板７を下側光電極基板１３に貼り合せて反射型の液
晶表示素子を構成する。
ζこ偏光子１４を２枚の一軸延伸ＰＥＴフィルムの支持
体１５．１５でサンドイッチにした偏光板構造よりなる
。このような上下偏光電極基板１２．１３の表面ｌこそ
れぞれ透明導電膜（ＩＴＯ電極）を形成し、エツチング
を行なうことにより必要な電極パター７１６．１７を形
成する。そして、従来の液晶表示素子と同様の液晶分子
の配向処理（例えばラビングζこよる）を行なう。次に
シール材３により上下偏光電極基板１２．１３を貼り合
せた後、図示しない封入口より液晶４を封入する。次に
反射板７を下側光電極基板１３に貼り合せて反射型の液
晶表示素子を構成する。
ところで、前記上下偏光電極基板１２．１３は、第４図
に示すように上下支持体１５．１５の延伸方向１５ａ、
１５ａが平行になるように貼り合わされている。しかし
ながら、上下偏光電極基板１２．１３に用いる一軸延伸
ＰＥＴフィルムは、その製造上、一定の方向ｌこ延伸し
て形成するため、加熱すると延伸方向１５ａと反対およ
び直角方向１こ収縮する。第１表は一軸延伸ＰＥＴフィ
ルムを用いた場合の収縮率を示す。表より明らかなよう
に、延伸方向はこれに直角な方向に比べ収縮率が小さい
ので、素子製造工程中の加熱で偏光電極基板１２．１３
が大きく変形するという問題が生じる。
に示すように上下支持体１５．１５の延伸方向１５ａ、
１５ａが平行になるように貼り合わされている。しかし
ながら、上下偏光電極基板１２．１３に用いる一軸延伸
ＰＥＴフィルムは、その製造上、一定の方向ｌこ延伸し
て形成するため、加熱すると延伸方向１５ａと反対およ
び直角方向１こ収縮する。第１表は一軸延伸ＰＥＴフィ
ルムを用いた場合の収縮率を示す。表より明らかなよう
に、延伸方向はこれに直角な方向に比べ収縮率が小さい
ので、素子製造工程中の加熱で偏光電極基板１２．１３
が大きく変形するという問題が生じる。
第 １ 表
例えば、１’Ｎ型の素子では、−ト下偏光電極基板１２
．１３はその吸収軸あるいは偏光軸が直交した状態で配
置される。このため、上下偏光電極基板１２．１３の材
料取りは第５図（こ示すようζこ行なわなければならな
い。すなわち、一方の−Ｌ偏光電極基板１２の長辺を吸
収軸１８ａ方向にとると、他方の下側光電極基板１３の
長辺は偏光軸ｉｓｂ方向にとらなければならない。この
場合、素子の長辺および短辺の軸（−フィルｌ、の延伸
軸）がそれぞれ異なった形状で結合されるため、加熱ｌ
こよる収縮率が異なる。このため、上下偏光電極基板１
２．１３をシール材３で貼り合せ、加熱硬化させた場合
ｌこは、収縮量の大きな軸を長辺とした方向に湾曲した
形状となる。
．１３はその吸収軸あるいは偏光軸が直交した状態で配
置される。このため、上下偏光電極基板１２．１３の材
料取りは第５図（こ示すようζこ行なわなければならな
い。すなわち、一方の−Ｌ偏光電極基板１２の長辺を吸
収軸１８ａ方向にとると、他方の下側光電極基板１３の
長辺は偏光軸ｉｓｂ方向にとらなければならない。この
場合、素子の長辺および短辺の軸（−フィルｌ、の延伸
軸）がそれぞれ異なった形状で結合されるため、加熱ｌ
こよる収縮率が異なる。このため、上下偏光電極基板１
２．１３をシール材３で貼り合せ、加熱硬化させた場合
ｌこは、収縮量の大きな軸を長辺とした方向に湾曲した
形状となる。
本発明の目的は、偏光電極基板の変形が生じない液晶表
示素子の製造方法を提供することにある。
示素子の製造方法を提供することにある。
以下、本発明の一実施例を第３図および第４図を参照し
ながら説明する。第４図に示す偏光電極基板１２．１３
を形成する前に、−軸延伸Ｐ Ｂ ’Ｉ”フィルムより
なる支持体１５自体をあらかじめ加熱処理を行なう。例
えば、第６図に示すように１１０℃、１２０℃、１５０
℃で加熱処理したところ、収縮率は１時間以上の処理時
間でほぼ一定になることが判明した。そこで、この加熱
処理した支持体１５を偏光子１４の両側に貼り付けると
、加熱ｌこよって変形しない偏光電極基板１２．１３が
得られた。前記支持体１５の処理温度は％に限定される
ものではないが、第３図ζこ示すようζこ偏光電極基板
Ｉ２．１３をシール材３でシールする時ｉこシール材３
を加熱硬化させる温度と同等か、または若干高い温度が
好ましい。ただし、−軸延伸ＰＥＴフィルムの熱劣化温
度以上で行な一つではならないことはいうまでもない。
ながら説明する。第４図に示す偏光電極基板１２．１３
を形成する前に、−軸延伸Ｐ Ｂ ’Ｉ”フィルムより
なる支持体１５自体をあらかじめ加熱処理を行なう。例
えば、第６図に示すように１１０℃、１２０℃、１５０
℃で加熱処理したところ、収縮率は１時間以上の処理時
間でほぼ一定になることが判明した。そこで、この加熱
処理した支持体１５を偏光子１４の両側に貼り付けると
、加熱ｌこよって変形しない偏光電極基板１２．１３が
得られた。前記支持体１５の処理温度は％に限定される
ものではないが、第３図ζこ示すようζこ偏光電極基板
Ｉ２．１３をシール材３でシールする時ｉこシール材３
を加熱硬化させる温度と同等か、または若干高い温度が
好ましい。ただし、−軸延伸ＰＥＴフィルムの熱劣化温
度以上で行な一つではならないことはいうまでもない。
次ｉこ具体的な一実施例について説明する。−軸延伸Ｐ
ＥＴフィルムよりなる支持体１５をあらかしめ１２０℃
で１時間加熱処理する。その後偏光１） 子１４の両側にボアエステル系接着剤を用いて支持体１
５を貼り付けて３層構造にし、偏光電極基板１２．１３
を構成する。次に偏光電極基板１２．１３（こ透明導電
膜を形成し、エツチングを行なうことにより必要な電極
パターン１６．１７を形成する。その後ラビングなどを
行なって液晶分子の配向処理を行なう。次（こ上下偏光
電極基板１２．１３のいずれか一方の基板（こイソシア
ネート架橋℃で１時間加熱処理してシール材３を加熱硬
化させる。次に図示しない封入口より液晶４を封入する
ことにより、上下偏光電極基板１２．１３の変形が生じ
ない液晶表示素子が得られる。
ＥＴフィルムよりなる支持体１５をあらかしめ１２０℃
で１時間加熱処理する。その後偏光１） 子１４の両側にボアエステル系接着剤を用いて支持体１
５を貼り付けて３層構造にし、偏光電極基板１２．１３
を構成する。次に偏光電極基板１２．１３（こ透明導電
膜を形成し、エツチングを行なうことにより必要な電極
パターン１６．１７を形成する。その後ラビングなどを
行なって液晶分子の配向処理を行なう。次（こ上下偏光
電極基板１２．１３のいずれか一方の基板（こイソシア
ネート架橋℃で１時間加熱処理してシール材３を加熱硬
化させる。次に図示しない封入口より液晶４を封入する
ことにより、上下偏光電極基板１２．１３の変形が生じ
ない液晶表示素子が得られる。
以上の説明から明らかな如く、本発明によれば、偏光電
極基板は素子製造工程での加熱で収縮をおこすことがな
く安定な形状を保ち、平坦な液晶表示素子が得られる。
極基板は素子製造工程での加熱で収縮をおこすことがな
く安定な形状を保ち、平坦な液晶表示素子が得られる。
と
なお、本願では一軸延伸フイルム＃偏光板として構成す
る前ｌこ加熱処理を行なったが、この方法ｌこ限定され
るものではなく、偏光板として構成した後に加熱処理を
行なっても同等の効果がある。
る前ｌこ加熱処理を行なったが、この方法ｌこ限定され
るものではなく、偏光板として構成した後に加熱処理を
行なっても同等の効果がある。
しかし、偏光子を長時間加熱状態（こすることは光学特
性の劣化をまねくこととなり、変形の問題は解決できる
が、他のへい害を生じる危険性がある。
性の劣化をまねくこととなり、変形の問題は解決できる
が、他のへい害を生じる危険性がある。
またフィルムは加熱することによりくもりを生じるが、
−軸延伸フィルムをあらかじめ加熱しておくと、加熱に
より生じたくもりを洗浄などで取り除くことも可能であ
る。第２の方法では偏光板を洗浄時に水、有機溶剤など
にさらすことになり、また別の光学特性劣化をまねく結
果となる。
−軸延伸フィルムをあらかじめ加熱しておくと、加熱に
より生じたくもりを洗浄などで取り除くことも可能であ
る。第２の方法では偏光板を洗浄時に水、有機溶剤など
にさらすことになり、また別の光学特性劣化をまねく結
果となる。
第１図は従来のガラス電極基板を用いた液晶表示素子を
示し、（ａ）は外観斜視図、（ｂｌは断面図、第２図は
従来のプラスチック電極基板を用いた液晶表示素子の断
面図、第３図は本発明の対象とする偏光電極基板を用い
た液晶表示素子の断面図、第４図は第３図の偏光電極基
板の構成を示す説明図、第５図は上下偏光電極基板の材
料取りの説明平面図、第６図は本発明の方法の一実施例
を示す一軸延伸ＰＥＴフィルムの収縮率と処理時間との
関係を示す図である。 ３・・・シール材、 ４・・・液晶、１２・
・・上偏光電極基板、 １３・・・下漬光電極基板、
１４・・・偏光子、 １５・・・支持体。 第１図 （Ｇ）（ｂ） 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 郊Ｊ里時＋１’ｌ （ｈｒｌ
示し、（ａ）は外観斜視図、（ｂｌは断面図、第２図は
従来のプラスチック電極基板を用いた液晶表示素子の断
面図、第３図は本発明の対象とする偏光電極基板を用い
た液晶表示素子の断面図、第４図は第３図の偏光電極基
板の構成を示す説明図、第５図は上下偏光電極基板の材
料取りの説明平面図、第６図は本発明の方法の一実施例
を示す一軸延伸ＰＥＴフィルムの収縮率と処理時間との
関係を示す図である。 ３・・・シール材、 ４・・・液晶、１２・
・・上偏光電極基板、 １３・・・下漬光電極基板、
１４・・・偏光子、 １５・・・支持体。 第１図 （Ｇ）（ｂ） 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 郊Ｊ里時＋１’ｌ （ｈｒｌ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、上下電極基板をシール材で接着し、内部に液晶を封
入してなる液晶表示素子の製造方法において、前記上下
電極基板は、偏光子の両側に−・軸延伸フィルムよりな
る支持体を貼り合せた３層構造よりなり、前記支持体を
あらかじめ加熱処理を行ない、その後この支持体を前記
偏光子ｌこ貼り付けることを特徴とする液晶表示素子の
製造方法。 ２ 支持体は一軸延伸ポリエチレンテレフタレートフイ
ルムよりなることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の液晶表示素子の製造方法。 ３、支持体を加熱処理する温度は、シール材を加熱硬化
させる温度とほぼ等しいかあるいはそれ以上で、かつ支
持体の熱劣化温度以下であることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の液晶表示素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57070393A JPS58187914A (ja) | 1982-04-28 | 1982-04-28 | 液晶表示素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57070393A JPS58187914A (ja) | 1982-04-28 | 1982-04-28 | 液晶表示素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58187914A true JPS58187914A (ja) | 1983-11-02 |
Family
ID=13430152
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57070393A Pending JPS58187914A (ja) | 1982-04-28 | 1982-04-28 | 液晶表示素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58187914A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5937528A (ja) * | 1982-08-27 | 1984-03-01 | Hitachi Ltd | 液晶表示素子 |
| JPS5937529A (ja) * | 1982-08-27 | 1984-03-01 | Hitachi Ltd | 液晶表示素子 |
| JPS62144142A (ja) * | 1985-12-18 | 1987-06-27 | Seiko Epson Corp | 液晶セルの製造方法 |
| US10539717B2 (en) * | 2012-12-20 | 2020-01-21 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Polarizing plates and optical display apparatuses including the polarizing plates |
-
1982
- 1982-04-28 JP JP57070393A patent/JPS58187914A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5937528A (ja) * | 1982-08-27 | 1984-03-01 | Hitachi Ltd | 液晶表示素子 |
| JPS5937529A (ja) * | 1982-08-27 | 1984-03-01 | Hitachi Ltd | 液晶表示素子 |
| JPS62144142A (ja) * | 1985-12-18 | 1987-06-27 | Seiko Epson Corp | 液晶セルの製造方法 |
| JPH0750276B2 (ja) * | 1985-12-18 | 1995-05-31 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶セルの製造方法 |
| US10539717B2 (en) * | 2012-12-20 | 2020-01-21 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Polarizing plates and optical display apparatuses including the polarizing plates |
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