JPS6314785A - イミダゾベンゾチアゾ−ル誘導体及びその製造方法 - Google Patents

イミダゾベンゾチアゾ−ル誘導体及びその製造方法

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JPS6314785A
JPS6314785A JP61156776A JP15677686A JPS6314785A JP S6314785 A JPS6314785 A JP S6314785A JP 61156776 A JP61156776 A JP 61156776A JP 15677686 A JP15677686 A JP 15677686A JP S6314785 A JPS6314785 A JP S6314785A
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JP
Japan
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group
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lower alkyl
substituted
alkyl group
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Pending
Application number
JP61156776A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiichi Uchida
誠一 内田
Yukio Fukuda
福田 行男
Shunichi Hagiwara
萩原 俊一
Michinori Takebayashi
道典 武林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Soda Co Ltd
Original Assignee
Nippon Soda Co Ltd
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Publication date
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  • Nitrogen And Oxygen Or Sulfur-Condensed Heterocyclic Ring Systems (AREA)
  • Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明はα1−受容体遮断作用とβ−受容体遮断作用を
合わせ持つが故に効果の発現が速やかで副作用の少ない
抗高血圧薬として、また狭心症、心不全等心臓障害の治
療用薬剤として有用な新規化合物及びその製造方法に関
する。
(従来技術) α1−受容体遮断作用とβ−受容体遮断作用を合ワセ持
つ薬剤としてラベタロール、プニトロローΦ ル、アロチノロールが上部されているが本発明化合物に
類似のイミダゾ(2,1−b )ベンゾチアゾール銹導
体でα1.βの両受容体に対して遮断作用を示すものは
知られていない。
(発明が解決しようとする問題点) ラベタロール、プロパツ−ル、アロチノロールはいずれ
もβ−受容体遮断作用の方が強く、臨床場面ではβ−受
容体遮断薬として適用されている。
本発明はα1−受容体遮断作用を高めることによ)β−
受容体遮断薬でみられる心不全の誘発、徐脈、末梢血管
抵抗の増大等の副作用を抑え、またα1−受容体遮断薬
でみられる頻脈、起立性低血圧等の副作用全抑えた、安
全性の高い循環器用薬を見い出すことを目的としたもの
である。
(問題点を解決するだめの手段) 本発明は一般式 〔式中、R11R2はそれぞれ水素原子又はハロゲン原
子で置換されていてもよい低級アルキル基置換されてい
る低級アルキル基を示す。(式中、基)を、ハは低級ア
ルコキシ基、ヒドロキシ基で置換されていてもよい低級
アルキル基、ニトロ基、ハロケン原子、ヒドロキシ基、
フェニル基、式+CH2+1Tl(m : 3 、4 
、5 ) テ表b サtLる基、アVk71/基、式−
CIl=CH−CH=CII−’t’表わされる基、低
級アルキルカルボニル基及ヒカルバモイル基の群から選
ばれた異種又は同種の置換基を、nは0.1又は2を示
す。)〕で表わされる化合物及びその製造方法である。
本発明化合物は一般式 (式中、R1,R2は前記と同じ意味を示す。)で表わ
される化合物と一般式R5Na2(7) (式中、R6
は前記と同じ意味を示す。)で表わされる化合物とを反
応することによル製造することができる。
反応はメタノール、エタノール、プロパツール、ベンゼ
ン、トルエン、N−メチル−2−ピロリドン、DMF′
等一般の不活性溶媒中、30分〜数時間加熱還流するこ
とによシ行う。
反応終了後は通常の後処理を行うことにょ9目約物を得
ることができる。
本発明化合物の構造はIR,NpEt、 MAS8等に
ょシ決定した。
塩などの無機酸塩及びシ瓢り酸塩、コノ・り酸塩、リン
ゴ酸塩、マレイン酸塩、タンニン酸塩などの有機酸塩な
どが挙げられる。これらは常法によシ、例えば本発明化
合物の遊離塩基に必要ならば適当な有機溶媒中で、所望
する酸を作用させることによ)容易に製造することがで
きる。又本発明化合物は、グロバノール部分に不斉炭素
を有してお夛、常法によシラセオ体から光学分割を行っ
て光学活性体を得ることができるが、本発明はラセミ体
のみならず光学活性体も含むことは言うまでもない。
(実施例) 次に実施例を挙げ本発明化合物を更に詳細に説明する。
実施例1 5−[2−ヒドロキシ−3−[2−(2−メ
トキシフェノキシ)エチルアミ ン〕プロポキシ〕−2−メチルイミダ ゾ[2,1−b :]ベンゾチアゾール(化合物番号6
): 5− (2,3−エポキシプロポキシ)−2〜メチルイ
tダシ(2,1−b )ベンゾチアゾール0.78?。
2−(2−メトキシフェノキシ)エチルアミン0.5t
1エタノール20−を5時間加熱還流した後、反応液を
減圧濃縮した。残渣を分取薄層クロマトグラフィ(展開
溶媒クロロホルム:メタノール=9:l)によシn#し
、目的物0.3tを得た。
nA2°’1.6076 実施例2 5−C2−ヒドロキシ−3−C2−(2−メ
トキンフェノキシ)エチルアミ ノ〕プロポキシ〕−2−エチルイミダ ゾC2,1−b )ベンゾチアゾール(化合物番号17
): 5− (2,3−エポキシプロポキシ)−2−エチルイ
ミダゾ(2,1−b )ベンゾチアゾール0.6F。
2−(2−メトキシフェノキシ)エチルアミン0.4t
1エタノール20−を4時間加熱還流し友後、反応液を
減圧濃縮し、シリカゲルカラムユクロマトクラフィー(
展開溶媒クロロホルム:メタノール−9:1)KよすN
製し、目的物0.3Fを得た。
n i” 1.5889 次に本発明化合物の代表例を第1表に示す。
第1表 第  1  表 第  1  表 =11− (発明の効果) 本発明化合物の代表例は第2嵌に示すように強いα1遮
断作用と高いαl遇択性及びβ−受容体遮断作用を有す
る。
l)α1逍断作用 Japan@ss Journal of Pharm
aeology、 30巻、763頁(1980)VC
記載された方法に準じた。
即ち、SD系雌雄性ラット8〜11週令)ICウレタン
麻酔を施し自発呼吸下で体温を37±0.3℃に維持し
た。次に左大腿静脈に薬液投与用の、右頚動脈に血圧測
定用のカニー−レをそれぞれ挿入した。血圧は、圧力ト
ランスデ鼻−サー(日本光電製、MPU−0,5A )
 t−介してひずみ圧力用プリアンプ(日本光電製、A
P−621G)に入力し平均血圧を熱省きオシログラフ
(日本光電製、WT−685G)上に記録した。
α1作働薬であるフェニレフリン100μr/ Kl 
ノ静脈内投与による血圧上昇e50%抑制する化合物の
用量(ID5o)’に指律としてα1遮断作用を評価し
た。
2)α1選択性 Life Sci@nce、 19巻、69頁(197
6)6るいは、Mol@cular Pharmaao
logy 、 1)巻、454頁(1976)K記載さ
れた方法に準じた。
即ち、Donryu系雄性ラット(体重275〜360
t)から脳を摘出し50 mM ) IJスス−酸緩衝
液中、ポリトロンを用いてホモジナイズした。次いで4
00Xf、4℃、10分間遠心分離器にかけ更に、その
上澄みを50,000 X r、4℃、10分間遠心分
離器にかけ得られた残渣をラット脳細胞膜標品とした。
α1受容体放射性リガンドとして5H−プラゾシンを、
またα2受容体放射性リガンドとして)H−クロニジン
を用いラジオレセプターアッセイ法によシ5H−プラゾ
シンのラット脳細胞膜標品のα1受容体への結合及び5
H−クロニジンの同標品のα2受容体への結合をそれぞ
れ50%阻害する化合物の濃度を求めた。更に、Blo
ah@m1aal Pharmaeology 。
22巻3099頁(1973)に記載された方法に従い
、化合物のα1受容体に対する阻害係数、並びにα2受
容体に対する阻害係数を求め、両阻害係数の比からα1
選択性を評価し九。
3)β−受答体遮断作用とβl受容体選択性Journ
al of Pharmaeoblo −Dynami
ea 、 4巻、475貞(1981)に記載された方
法に準じた。
即ちH08■:Donryu糸雄性ラット(250〜4
00t)VCネップメール麻酔を施1〜自発呼吸下で体
温t−37±0.3℃に維持した0次に左大腿静脈に薬
液投与用の、右大腿動脈rこ血圧測定用のカニユーレを
それぞれ挿入した。
血圧は圧力トランスデ鼻−サー(日本光電製MPU−0
,5A )を介してひずみ圧力用プリアンプ(日本光を
製AP−621G )に入力し平均血圧を、また心拍数
は皮下に針電極を挿入1〜で第■誘導による心電図を入
力箱(日本光電1JB−640G)、生体電気用プリア
ンプ(日本光電製AB−620G)を介して心拍タコメ
ーター(日本光を製AG−6000X入力し、いずれも
熱鵠西オ渋ログラフ(日本光電製WT−685G)上に
記録した。
β作動薬であるイソプロテレノールを用匍゛比が「にな
るように累積的に静脈内投与し、心拍数及び血圧の変化
に対するイソプロテレノールの用量反応曲線を作成した
次いで心拍数、血圧がイソプロテレノール投与前のレベ
ルに回復するのを待ち化合物を静脈内投与し、その15
分後に再びイソプロテレノールの累積投与を行ない用量
反応曲線を作成した。
Archlv@s+ Internationalea
 do Pharmacodynamie。
743巻、299頁(1963年)に記載された方法に
従い化合物投与前、投与後の心拍数の変化に対するイソ
プロテレノールの用量反応曲線からβl−受容体辿断作
用をpAz値で、また同様に血圧の変化に対するイソプ
ロテレノールの用量反応曲線からβ2−受容体遮断作用
をpA2値で評価し両PA2値の差からβ1−受容体選
択性を求めた。
本発明化合物は経口投与または非経口で投与することが
でき、その投与方法に応じて種々の剤型に製剤すること
ができる。例えば錠剤、カプセル剤、顆粒剤、水剤、乳
化剤などになしうる。
製剤化の際には、通常用いられる担体または賦形剤、例
えば乳糖、蔗糖、澱粉、セルロース、メルク、ステアリ
ン酸マグネシウム、酸化マグネシウム、硫酸カルシウム
、アラビアゴム末、ゼラチン、アルギン酸ナトリウム、
安息香酸ナトリウム、ステアリン酸などが使用される。
注射薬は蒸留水、生理食塩水、リンゲル液などを用いて
調製する。
本発明化合物は経口投与では1日約3〜300■、静脈
注射による場合では約0.1〜50WJfが投与される
第  2  表 H

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、R_1、R_2はそれぞれ水素原子又はハロゲ
    ン原子で置換されていてもよい低級アルキル基を、R_
    3は式▲数式、化学式、表等があります▼で表わされる
    基で 置換されている低級アルキル基を示す。{式中、AはO
    、S又は▲数式、化学式、表等があります▼(r^1:
    水素原子又は低級アルキル基)を、Rは低級アルコキシ
    基、ヒドロキシ基で置換されていてもよい低級アルキル
    基、ニトロ基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、フェニル
    基、式−(CH2)−_m(m:3,4,5)で表わさ
    れる基、アシルアミノ基、式−CH=CH−CH=CH
    −で表わされる基、低級アルキルカルボニル基及びカル
    バモイル基の群から選ばれた異種又は同種の置換基を、
    nは0、1又は2を示す。}〕 で表わされる化合物及びその薬学的に許容される塩。
  2. (2)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R_1、R_2はそれぞれ水素原子又はハロゲ
    ン原子で置換されていてもよい低級アルキル基を示す。 )で表わされる化合物と一般式 R_3NH_2〔式中、R_3は式▲数式、化学式、表
    等があります▼で表わされる基で置換されている低級ア
    ルキル基を示す。{式中、AはO、S又は▲数式、化学
    式、表等があります▼(r^1:水素原子又は低級アル
    キル基)を、R_4は低級アルコキシ基、ヒドロキシ基
    で置換されていてもよい低級アルキル基、ニトロ基、ハ
    ロゲン原子、ヒドロキシ基、フェニル基、式−(CH_
    2)−_m(m:3,4,5)で表わされる基、アシル
    アミノ基、式−CH=CH−CH=CH−で表わされる
    基、低級アルキルカルボニル基及びカルバモイル基の群
    から選ばれた異種又は同種の置換基を、nは0、1又は
    2を示す。}〕 で表わされる化合物とを反応させることを特徴とする一
    般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R_1、R_2及びR_3は前記と同じ意味を
    示す。)で表わされる化合物の製造方法。
JP61156776A 1986-07-03 1986-07-03 イミダゾベンゾチアゾ−ル誘導体及びその製造方法 Pending JPS6314785A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8603870B2 (en) 1996-07-11 2013-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same

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US8603870B2 (en) 1996-07-11 2013-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same

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