JPS63145326A - 透明導電性複合体の製造法 - Google Patents
透明導電性複合体の製造法Info
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Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はガラス等の無機絶縁材料への接着性が高くかつ
透明性の高い透明導電性複合体の製造法に関し、更に詳
しくは液晶ディスプレイ素子、エレクトロクロミック用
ディスプレイ素子、太陽電池、電磁波シールド等に用い
られる透明導電性複合体の製造法に関するものである。
透明性の高い透明導電性複合体の製造法に関し、更に詳
しくは液晶ディスプレイ素子、エレクトロクロミック用
ディスプレイ素子、太陽電池、電磁波シールド等に用い
られる透明導電性複合体の製造法に関するものである。
従来の透明導電性フィルムは、絶縁性のガラスやポリエ
ステルフィルム上に金、アルミニウム等の金属を蒸着あ
るいはスパッタリングを行うか、あるいは酸化インジウ
ム、酸化スズ等の酸化物半導体層を蒸着、スパッタリン
グ、CVD法等を用いて形成することによシ作製してい
た。しかしこのような方法では製造コストが極めて高く
かつ大面積化が困難であるという欠点を有している。
ステルフィルム上に金、アルミニウム等の金属を蒸着あ
るいはスパッタリングを行うか、あるいは酸化インジウ
ム、酸化スズ等の酸化物半導体層を蒸着、スパッタリン
グ、CVD法等を用いて形成することによシ作製してい
た。しかしこのような方法では製造コストが極めて高く
かつ大面積化が困難であるという欠点を有している。
最近、高分子中に酸化剤を分散し、ピロール蒸気と接触
させるとピロールが重合して透明導電性フィルムが得ら
れることが報告されている(Poly−mer J、、
18.95 (1986) i特開昭61−1575
22 )。
させるとピロールが重合して透明導電性フィルムが得ら
れることが報告されている(Poly−mer J、、
18.95 (1986) i特開昭61−1575
22 )。
ここでは酸化剤として塩化第二鉄が用いられておシ、酸
化剤を均一に分散させる担持高分子としてポリビニルア
ルコールが用いられている。
化剤を均一に分散させる担持高分子としてポリビニルア
ルコールが用いられている。
上記の方法は工程が極めて簡単であり、酸化剤の分散し
た高分子フィルム作成から、ピロールの重合による透明
導電性複合体の形成までを連続的に行うこともできる。
た高分子フィルム作成から、ピロールの重合による透明
導電性複合体の形成までを連続的に行うこともできる。
従って製造コストが安く、大面積で均一なフィルムの製
造が可能であシ、さらには複雑な形状の物体の表面上に
透明導電体層を形成することも可能である。
造が可能であシ、さらには複雑な形状の物体の表面上に
透明導電体層を形成することも可能である。
このようにピロールの気相重合によって有用な透明導電
性フィルムが得られるが、この透明導電性フィルムは単
体で用いられるよシもガラスや無機および有機絶縁材料
(以下支持体ということがある)表面上に設けられるこ
とが多い。現在、担持高分子として用いられているポリ
ビニルアルコールは透明性、導電性の向上に関しては最
良のものとされているが、ガラスをはじめとする上記支
持体材料への接着性に関しては十分満足なものであると
は言いがたく、透明導電性フィルムの支持体への接着性
の改良が重要な課題であった。
性フィルムが得られるが、この透明導電性フィルムは単
体で用いられるよシもガラスや無機および有機絶縁材料
(以下支持体ということがある)表面上に設けられるこ
とが多い。現在、担持高分子として用いられているポリ
ビニルアルコールは透明性、導電性の向上に関しては最
良のものとされているが、ガラスをはじめとする上記支
持体材料への接着性に関しては十分満足なものであると
は言いがたく、透明導電性フィルムの支持体への接着性
の改良が重要な課題であった。
本発明の目的は、ガラス等の無機絶縁材料への接着性が
著しく改善された透明導電性複合体を得ることにある。
著しく改善された透明導電性複合体を得ることにある。
併せて本発明の他の目的はよシ高い透明性(光透過性)
を保有する導電性複合体を提供することである。
を保有する導電性複合体を提供することである。
本発明者らは、上記問題点を克服すべく研究した結果、
分子内にケイ素を含有する変性ポリビニルアルコールを
担持高分子として用いることで光透過性が高く、ガラス
等の無機絶縁材料への接着性を著しく改善した透明導電
性複合体を得ることができることを見い出した。
分子内にケイ素を含有する変性ポリビニルアルコールを
担持高分子として用いることで光透過性が高く、ガラス
等の無機絶縁材料への接着性を著しく改善した透明導電
性複合体を得ることができることを見い出した。
本発明で使用される変性ポリビニルアルコールとしては
分子内にケイ素を含むものであればいずれでもよい。か
かる変性ポリビニルアルコールの製造方法としては、■
ビニルエステルとケイ素ヲ含有するオレフィン性不胞和
単量体との共重合体をケン化する方法、■ポリビニルア
ルコールアルいはカルボキシル基を含有する変性ポリビ
ニルエステルにケイ素化剤を用いて後変性によシケイ素
を導入する方法、■ケイ素を含有するメルカプタンの存
在下でビニルエステルを重合することによって得られる
末端にケイ素を含有するポリビニルエステルをケン化す
る方法等が挙げられる。工業的製造の容易性および、得
られる変性ポリビニルアルコールの均質性の点で■及び
■の方法が好ましく用いられる。
分子内にケイ素を含むものであればいずれでもよい。か
かる変性ポリビニルアルコールの製造方法としては、■
ビニルエステルとケイ素ヲ含有するオレフィン性不胞和
単量体との共重合体をケン化する方法、■ポリビニルア
ルコールアルいはカルボキシル基を含有する変性ポリビ
ニルエステルにケイ素化剤を用いて後変性によシケイ素
を導入する方法、■ケイ素を含有するメルカプタンの存
在下でビニルエステルを重合することによって得られる
末端にケイ素を含有するポリビニルエステルをケン化す
る方法等が挙げられる。工業的製造の容易性および、得
られる変性ポリビニルアルコールの均質性の点で■及び
■の方法が好ましく用いられる。
本発明で用いられるビニルエステルとL−(は、酢酸ビ
ニル、プロピオン酸ビニル、ギ酸ビニル等が挙げられる
が、経済的にみて酢酸ビニルが好ましい。またケイ素を
含有するオレフィン性不飽和単量体としては例えば次式
(1)で示されるビニルシランまたは(1)で示される
(メタ)アクリルアミド−アルキルシランがあげられる
。
ニル、プロピオン酸ビニル、ギ酸ビニル等が挙げられる
が、経済的にみて酢酸ビニルが好ましい。またケイ素を
含有するオレフィン性不飽和単量体としては例えば次式
(1)で示されるビニルシランまたは(1)で示される
(メタ)アクリルアミド−アルキルシランがあげられる
。
R¥n
CH2=CH(CH2)n St (R2)3−m
(1)ここでnはO〜4、mは0〜2、R1は
炭素数1換基を有していてもよい)又は炭素数2〜18
のアシロキシル基、R3は水素原子またはメチル基。
(1)ここでnはO〜4、mは0〜2、R1は
炭素数1換基を有していてもよい)又は炭素数2〜18
のアシロキシル基、R3は水素原子またはメチル基。
R4は水素原子または炭素数1〜5のアルキル基、R5
は炭素数1〜5のアルキレン基または連鎖炭素原子が酸
素もしくは窒素によって相互に結合された2価の有機残
基をそれぞれ示す。なおRが同一単量体中に2個以上有
する場合はR1は同じものであってもよいし、異なるも
のであってもよい。またR2が同一単量体中に2個以上
有する場合、あるいはR3が同一単量体中に2個以上有
する場合も同様にR2,R5はそれぞれ同じものであっ
てもよいし、異なるものであってもよい。
は炭素数1〜5のアルキレン基または連鎖炭素原子が酸
素もしくは窒素によって相互に結合された2価の有機残
基をそれぞれ示す。なおRが同一単量体中に2個以上有
する場合はR1は同じものであってもよいし、異なるも
のであってもよい。またR2が同一単量体中に2個以上
有する場合、あるいはR3が同一単量体中に2個以上有
する場合も同様にR2,R5はそれぞれ同じものであっ
てもよいし、異なるものであってもよい。
式(1)で示されるビニルシランの具体例としては例え
ばビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラ
ン、ビニルトリス−(β−メトキシエトキシ)シラン、
ビニルトリアセトキシシラン、アリルトリメトキシシラ
ン、アリルトリアセトキシシラン、ビニルメチルジメト
キシシラン、ビニルジメチルメトキシシラン、ビニルメ
チルジェトキシシラン、ビニルジメチルエトキシシラン
、ビニルメチルジアセトキシシラン、ビニルジメチルア
セトキシン2ン、ビニルイソブチルジメトキシシラン、
ビニルトリイソプロポキシシラン、ビニルトリブトキシ
シラン、ビニルトリへキシロキシシラン、ビニルメトキ
シジへキシロキシシラン、ビニルジメトキシオクチロキ
シシラン、ビニルジトキシオクチロキシシラン、ビニル
トリオクチロキシシラン、ビニルメトキシジオレイロキ
シシラン、ビニルジメトキシオクチロキシシラン、ビニ
ルメトキシジオレイロキシシラン、ビニルジメトキシオ
クチロキシシラン、更には一般式%式%) (ここでR’+mは前記と同じ、Xは1〜20を示す。
ばビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラ
ン、ビニルトリス−(β−メトキシエトキシ)シラン、
ビニルトリアセトキシシラン、アリルトリメトキシシラ
ン、アリルトリアセトキシシラン、ビニルメチルジメト
キシシラン、ビニルジメチルメトキシシラン、ビニルメ
チルジェトキシシラン、ビニルジメチルエトキシシラン
、ビニルメチルジアセトキシシラン、ビニルジメチルア
セトキシン2ン、ビニルイソブチルジメトキシシラン、
ビニルトリイソプロポキシシラン、ビニルトリブトキシ
シラン、ビニルトリへキシロキシシラン、ビニルメトキ
シジへキシロキシシラン、ビニルジメトキシオクチロキ
シシラン、ビニルジトキシオクチロキシシラン、ビニル
トリオクチロキシシラン、ビニルメトキシジオレイロキ
シシラン、ビニルジメトキシオクチロキシシラン、ビニ
ルメトキシジオレイロキシシラン、ビニルジメトキシオ
クチロキシシラン、更には一般式%式%) (ここでR’+mは前記と同じ、Xは1〜20を示す。
)
で表わされるポリエチレングリコール化ビニルシラン等
があげられる。
があげられる。
また式(1)で示される(メタ)アクリルアミド−アル
キルシランの具体例としては例えば、3−(メタ)アク
リルアミド−プロピルトリメトキシシラン、3−(メタ
)アクリルアミド−プロピルトリエトキシシラン、3−
(メタ)アクリルアミド−プロピルトリ(β−メトキシ
エトキシ)シラン、2−(メタ)アクリルアミド−2−
メチルプロピルトリメトキシシラン、2−(メタ)アク
リルアミド−2−メチルエチルトリメトキシシラン、N
−(2−(メタ)アクリルアミド−エチル)−7ミノプ
ロビルトリメトキシシラン、3−(メタ)アクリルアミ
ド−プロピルトリアセトキシシラン、2−(メタ)アク
リルアミド−エチルトリメトキシシラン、1−(メタ)
アクリルアミド−メチルトリメトキシシラン、3−(メ
タンアクリルアミド−プロピルメチルジメトキシシラン
、3−(メタ)アクリルアミド−プロピルジメチルメト
キシシラン、3−(N−メチル−(メタ)アクリルアミ
ド)−プロピルトリメトキシシラン、3−((メタ)ア
クリルアミド−メトキシ〕−3−ハイドロキシプロピル
トリメトキシシラン、3−((メタ)アクリルアミド−
メトキシ)−プロピルトリメトキシシラン、ジメチル−
3−(メタ)アクリルアミド−プロピル−3−(トリメ
トキシシリル)−プロピルアンモニウムクロライド、ジ
メチル−2−(メタ)アクリルアミド−2−メチルグロ
ビル−3−()リメトキシシリルンープロピルアンモニ
ウムクロライド等があげられる。
キルシランの具体例としては例えば、3−(メタ)アク
リルアミド−プロピルトリメトキシシラン、3−(メタ
)アクリルアミド−プロピルトリエトキシシラン、3−
(メタ)アクリルアミド−プロピルトリ(β−メトキシ
エトキシ)シラン、2−(メタ)アクリルアミド−2−
メチルプロピルトリメトキシシラン、2−(メタ)アク
リルアミド−2−メチルエチルトリメトキシシラン、N
−(2−(メタ)アクリルアミド−エチル)−7ミノプ
ロビルトリメトキシシラン、3−(メタ)アクリルアミ
ド−プロピルトリアセトキシシラン、2−(メタ)アク
リルアミド−エチルトリメトキシシラン、1−(メタ)
アクリルアミド−メチルトリメトキシシラン、3−(メ
タンアクリルアミド−プロピルメチルジメトキシシラン
、3−(メタ)アクリルアミド−プロピルジメチルメト
キシシラン、3−(N−メチル−(メタ)アクリルアミ
ド)−プロピルトリメトキシシラン、3−((メタ)ア
クリルアミド−メトキシ〕−3−ハイドロキシプロピル
トリメトキシシラン、3−((メタ)アクリルアミド−
メトキシ)−プロピルトリメトキシシラン、ジメチル−
3−(メタ)アクリルアミド−プロピル−3−(トリメ
トキシシリル)−プロピルアンモニウムクロライド、ジ
メチル−2−(メタ)アクリルアミド−2−メチルグロ
ビル−3−()リメトキシシリルンープロピルアンモニ
ウムクロライド等があげられる。
上述のビニルエステルと分子内にケイ素を含有するオレ
フィン性不飽和単量体との共重合は例えばメタノール等
のアルコールの存在下でラジカル重合開始剤を用いて行
われる〔特開昭58−5920558−79003 i
58−164604 )。
フィン性不飽和単量体との共重合は例えばメタノール等
のアルコールの存在下でラジカル重合開始剤を用いて行
われる〔特開昭58−5920558−79003 i
58−164604 )。
また、シリル基を有するメルカプタンの具体例としては
3−(トリメトキシシリル)−プロピルメルカプタン、
3−()リエトキシシリル)−プロピルメルカプタン等
があげられる。
3−(トリメトキシシリル)−プロピルメルカプタン、
3−()リエトキシシリル)−プロピルメルカプタン等
があげられる。
また、上記■又は■の方法で変性PVAt−製造する場
合、重合に際してビニルエステルとケイ素含有オレフィ
ン性不飽和単量体あるいはケイ素を含有するメルカプタ
ン以外にかかる単量体と共重合可能な他の不飽和単量体
、例えばスチレン、アルキルビニルエーテル、バーサチ
ック酸ビニル、(メタ)アクリルアミド、エチレン、プ
ロピレン、α−ヘキセン、α−オクテン酸等のオレフィ
ン、(メタ)アクリル酸、クロトン酸、(無水)マレイ
ン酸、フマル酸、イタコン酸等の不飽和酸、及びそのア
ルキルエステル、アルカリ塩、2−アクリルアミド−2
−メチルプロパンスルホン酸等のスルホン酸含有単量体
及びそのアルカリ塩、トリメチル−2−(1−(メタ)
アクリルアミド−1゜1−ジメチルエチル〕アンモニウ
ムクロリド、トリメチル−3−(1−(メタ)アクリル
アミドプロピル)アンモニウムクロリ)’、1−ビニル
−2−メチルイミダゾールおよびその1〜4級化物等の
カチオン性単量体等を少割合で存在させることも可能で
ある。
合、重合に際してビニルエステルとケイ素含有オレフィ
ン性不飽和単量体あるいはケイ素を含有するメルカプタ
ン以外にかかる単量体と共重合可能な他の不飽和単量体
、例えばスチレン、アルキルビニルエーテル、バーサチ
ック酸ビニル、(メタ)アクリルアミド、エチレン、プ
ロピレン、α−ヘキセン、α−オクテン酸等のオレフィ
ン、(メタ)アクリル酸、クロトン酸、(無水)マレイ
ン酸、フマル酸、イタコン酸等の不飽和酸、及びそのア
ルキルエステル、アルカリ塩、2−アクリルアミド−2
−メチルプロパンスルホン酸等のスルホン酸含有単量体
及びそのアルカリ塩、トリメチル−2−(1−(メタ)
アクリルアミド−1゜1−ジメチルエチル〕アンモニウ
ムクロリド、トリメチル−3−(1−(メタ)アクリル
アミドプロピル)アンモニウムクロリ)’、1−ビニル
−2−メチルイミダゾールおよびその1〜4級化物等の
カチオン性単量体等を少割合で存在させることも可能で
ある。
ffi性ポリビニルアルコール中のケイ素単位の含有量
は目的に応じて適宜選択されうるが、少なすぎるとガラ
ス等に対する親和性が低くなるため接着力が低くなシ、
多すぎると変性ポリビニルアルコールが水溶液の乾燥過
程で被膜化する際、被膜の収縮変形が大きくな夛ガラス
等に対する接着力が低下する傾向にあるため通常はケイ
素基を含む単量体単位として0.05〜5 mol %
、より好ましくは0.1〜2molチの範囲から選択さ
れる。また、共重合体の重合度は使用する溶媒のアルコ
ールの種類と量によって任意に調節することができる。
は目的に応じて適宜選択されうるが、少なすぎるとガラ
ス等に対する親和性が低くなるため接着力が低くなシ、
多すぎると変性ポリビニルアルコールが水溶液の乾燥過
程で被膜化する際、被膜の収縮変形が大きくな夛ガラス
等に対する接着力が低下する傾向にあるため通常はケイ
素基を含む単量体単位として0.05〜5 mol %
、より好ましくは0.1〜2molチの範囲から選択さ
れる。また、共重合体の重合度は使用する溶媒のアルコ
ールの種類と量によって任意に調節することができる。
通常は100〜3000の範囲内から選ばれ、本発明の
目的には重合度600以上のものが好ましい。
目的には重合度600以上のものが好ましい。
ビニルエステル単位のビニルアルコール単位への転換率
(ケン化度)は該変性ポリビニルアルコールの使用目的
に応じて任意の値とすることができるが通常70〜10
0 molチである。
(ケン化度)は該変性ポリビニルアルコールの使用目的
に応じて任意の値とすることができるが通常70〜10
0 molチである。
ガラス等への接着性は上記ケイ素含有オレフィン性単量
体の含量に影響を受けるが、該ケイ素含有オレフィン性
単量体の種類によっても大きく影響を受ける。ガラス等
への接着性に関しては上記(1)式で示されるケイ素含
有オレフィン性単量体との共重合体ケン化物が優れてい
る。
体の含量に影響を受けるが、該ケイ素含有オレフィン性
単量体の種類によっても大きく影響を受ける。ガラス等
への接着性に関しては上記(1)式で示されるケイ素含
有オレフィン性単量体との共重合体ケン化物が優れてい
る。
本発明において酸化剤としては得られた複合体の透明性
が高いので塩化第二鉄を用いるのが最も良いが、他に塩
化第二銅、硫酸第二銅などの金属塩、二酸化鉛のごとき
金属酸化物、過硫酸カリウム、過硫酸アンモニウムのご
ときペルオクソ塩、ベンゾキノンのどときキノン類、塩
化ベンゼンジアゾニウムのごときジアゾニウム塩、その
他フェリシアン化カリウム、ヘキサクロロ白金(ト)酸
などが用いられる。
が高いので塩化第二鉄を用いるのが最も良いが、他に塩
化第二銅、硫酸第二銅などの金属塩、二酸化鉛のごとき
金属酸化物、過硫酸カリウム、過硫酸アンモニウムのご
ときペルオクソ塩、ベンゾキノンのどときキノン類、塩
化ベンゼンジアゾニウムのごときジアゾニウム塩、その
他フェリシアン化カリウム、ヘキサクロロ白金(ト)酸
などが用いられる。
また本発明において用いられる複素環化合物としては、
ピロール自体並びに置換されたピロール、例、tばN−
アルキルピロール、N−アリールピロール、5位で置換
されたモノアルキルピロールおよびモノハロゲン化ピロ
ール、3位および4位で置換されたジアルキルピロール
およびジノ10ゲン化ピロール、チオフェン自体並びに
置換されたチオフェン、例えば3位で置換されたモノア
ルキルチオ7エンおよびモノハロゲン化チオフェン、3
位および4位で置換されたジアルキ、/I/チオフェン
およびジハロゲン化チオフェンおよびインチアナフテン
、アニリン自体並びにその誘導体、例えばN−アルキル
アニリン、N−ジアルキルアニリン、ハロケン化アニリ
ン、ジハロゲン化アニリン、ハロゲン化−N−アルキル
アニリン、ハロゲン化−N−ジアルキルアニリン、ジハ
ロゲン化−N−アセチルアニリン、フェニレンジアミン
およびその置換体であるN−フルキルフェニレンジアミ
ン、N、N−ジアルキルフェニレンジアミン、N、N−
ジアルキルフェニレンジアミンである。
ピロール自体並びに置換されたピロール、例、tばN−
アルキルピロール、N−アリールピロール、5位で置換
されたモノアルキルピロールおよびモノハロゲン化ピロ
ール、3位および4位で置換されたジアルキルピロール
およびジノ10ゲン化ピロール、チオフェン自体並びに
置換されたチオフェン、例えば3位で置換されたモノア
ルキルチオ7エンおよびモノハロゲン化チオフェン、3
位および4位で置換されたジアルキ、/I/チオフェン
およびジハロゲン化チオフェンおよびインチアナフテン
、アニリン自体並びにその誘導体、例えばN−アルキル
アニリン、N−ジアルキルアニリン、ハロケン化アニリ
ン、ジハロゲン化アニリン、ハロゲン化−N−アルキル
アニリン、ハロゲン化−N−ジアルキルアニリン、ジハ
ロゲン化−N−アセチルアニリン、フェニレンジアミン
およびその置換体であるN−フルキルフェニレンジアミ
ン、N、N−ジアルキルフェニレンジアミン、N、N−
ジアルキルフェニレンジアミンである。
ピロール、チオフェン、アニリン、フェニレンジアミン
の置換された誘導体としては、重合の際分岐することの
少ないN−メチルピロール、N−エチルピロール、N−
フェニルピロール、2−二トリロフェニルビロール%3
−メチルピロール、3−エチルピロール、3−クロルピ
ロール、3.4−シメチルピロール、3.4−ジエチル
ピロール、3.4−ジクロルピロール、3−メチルチオ
フェン、3−xチルチオフェン、3−クロルチオフェン
、3.4−ジメチルチオフェン、3.4−ジクロルチオ
フェン、N−メチルアニリン、N−エチルアニリン、N
−ジメチルアニリン、N−ジエチルアニリン、クロルア
ニリン、ジクロルアニリン、クロル−N−メチルアニリ
ン、クロル−N−ジメチルアニリン、ジクロル−N−ア
セチルアニリン、N−メチル−p−フェニレンジアミン
、N、N−シメfルーp−7二二レンジアミン、N、N
’−ジメチル−p−7二二レンジアミンなどが用いられ
る。
の置換された誘導体としては、重合の際分岐することの
少ないN−メチルピロール、N−エチルピロール、N−
フェニルピロール、2−二トリロフェニルビロール%3
−メチルピロール、3−エチルピロール、3−クロルピ
ロール、3.4−シメチルピロール、3.4−ジエチル
ピロール、3.4−ジクロルピロール、3−メチルチオ
フェン、3−xチルチオフェン、3−クロルチオフェン
、3.4−ジメチルチオフェン、3.4−ジクロルチオ
フェン、N−メチルアニリン、N−エチルアニリン、N
−ジメチルアニリン、N−ジエチルアニリン、クロルア
ニリン、ジクロルアニリン、クロル−N−メチルアニリ
ン、クロル−N−ジメチルアニリン、ジクロル−N−ア
セチルアニリン、N−メチル−p−フェニレンジアミン
、N、N−シメfルーp−7二二レンジアミン、N、N
’−ジメチル−p−7二二レンジアミンなどが用いられ
る。
ケイ素を含有する変性ポリビニルアルコールに酸化剤を
均一に分散し、次いで複素環化合物又はアニリン等を重
合する方法は例えば特開昭61−157522に記され
ている方法に準じて行えるが、ここで簡単に述べておく
。
均一に分散し、次いで複素環化合物又はアニリン等を重
合する方法は例えば特開昭61−157522に記され
ている方法に準じて行えるが、ここで簡単に述べておく
。
ケイ素を含有する変性ポリビニルアルコールに例えば塩
化第二鉄を混合する方法としては、両者を共通溶媒であ
る水に容解した後、ガラス等の無機絶縁材料よりなる支
持体上に均一に塗布する方法がよいが他の方法を用いて
もよい。乾燥により溶媒を除去することによシ触媒が担
持されたケイ素含有変性ポリビニルアルコール層が形成
される。
化第二鉄を混合する方法としては、両者を共通溶媒であ
る水に容解した後、ガラス等の無機絶縁材料よりなる支
持体上に均一に塗布する方法がよいが他の方法を用いて
もよい。乾燥により溶媒を除去することによシ触媒が担
持されたケイ素含有変性ポリビニルアルコール層が形成
される。
さらにピロール蒸気を数時間接触させることによシピロ
ールの重合が進行し1本発明の複合体が得られる。重合
の際に助触媒として水を存在させることが有効である。
ールの重合が進行し1本発明の複合体が得られる。重合
の際に助触媒として水を存在させることが有効である。
重合温度は一30°Cから室温程度の範囲がよいが、そ
の範囲内でできるだけ低温の方が好ましい。触媒として
用いる塩化第二鉄の濃度は変性ポリビニルアルコールの
単位モノマーユニットあたり5 mol S〜30 m
o1%が好ましい。
の範囲内でできるだけ低温の方が好ましい。触媒として
用いる塩化第二鉄の濃度は変性ポリビニルアルコールの
単位モノマーユニットあたり5 mol S〜30 m
o1%が好ましい。
このようにして得られたケイ素を含有した変性ポリビニ
ルアルコールを酸化剤の担持高分子とし、該基体に複素
環化合物又はアニリン若しくはアニリン誘導体を接触さ
せることによりガラス等の無機絶縁材料への接着性が著
しく向上し、更に驚くべきことに光の透過率の高い透明
導電性複合体が得られる。
ルアルコールを酸化剤の担持高分子とし、該基体に複素
環化合物又はアニリン若しくはアニリン誘導体を接触さ
せることによりガラス等の無機絶縁材料への接着性が著
しく向上し、更に驚くべきことに光の透過率の高い透明
導電性複合体が得られる。
接着性が著しく向上する無機絶縁材料には、ケイ酸塩ガ
ラス及びその他のケイ酸を含有する無機絶縁材料、アル
ミナ等のケイ酸塩と親和性の高い無機絶縁材料があげら
れる。
ラス及びその他のケイ酸を含有する無機絶縁材料、アル
ミナ等のケイ酸塩と親和性の高い無機絶縁材料があげら
れる。
ケイ酸塩ガラスは例えば通常のソーダ石灰ガラスおよび
石英ガラス、ホウケイ酸ガラス、リンケイ酸ガラス、鉛
ガラス、ノ(リウムガラス、フリントガラス、クラウン
ガラスなどがあげられる。これらは成形加工の違いによ
シ、板ガラス、管ガラス、ガラス繊維、安全ガラス、色
ガラス、泡ガラス、中空ガラスなどとして用いられ、特
殊用途用の光学ガラス、クリスタルガラスなどとして用
いられるものである。
石英ガラス、ホウケイ酸ガラス、リンケイ酸ガラス、鉛
ガラス、ノ(リウムガラス、フリントガラス、クラウン
ガラスなどがあげられる。これらは成形加工の違いによ
シ、板ガラス、管ガラス、ガラス繊維、安全ガラス、色
ガラス、泡ガラス、中空ガラスなどとして用いられ、特
殊用途用の光学ガラス、クリスタルガラスなどとして用
いられるものである。
その他のケイ酸を含有する無機絶縁材料は例えば磁器、
滑石磁器、コージェライト磁器、チタニア磁器、チタン
酸マグネシウム磁器、アルミナ磁器、ムライト磁器、フ
ォルステライト磁器、チタン酸バリウム磁器、ジルコニ
ア磁器、ベリリア磁器などがあげられる。また、はうろ
う、セメント、天然鉱物、人工鉱物などのケイ酸を含有
する化合物上に本発明の透明導電性複合体を形成するこ
とも可能である。
滑石磁器、コージェライト磁器、チタニア磁器、チタン
酸マグネシウム磁器、アルミナ磁器、ムライト磁器、フ
ォルステライト磁器、チタン酸バリウム磁器、ジルコニ
ア磁器、ベリリア磁器などがあげられる。また、はうろ
う、セメント、天然鉱物、人工鉱物などのケイ酸を含有
する化合物上に本発明の透明導電性複合体を形成するこ
とも可能である。
アルミナ等のケイ酸塩と親和性の高い無機絶縁材料は例
えば、アルミナ、酸化マグネシウム、二酸化チタンなど
の金属酸化物があげられる。
えば、アルミナ、酸化マグネシウム、二酸化チタンなど
の金属酸化物があげられる。
本発明においては、支持体または基体の形態を任意に選
択することにより、単なる平面状のフィルムの他、複雑
な形状の薄膜、その細繊維状等任意の複合体を得ること
ができる。
択することにより、単なる平面状のフィルムの他、複雑
な形状の薄膜、その細繊維状等任意の複合体を得ること
ができる。
以下、実施例によシ本発明を具体的に説明する。
実施例1
〔シラン変性P V A (1)を使用し酸化剤として
FeC1gを用いた透明導電性複合体〕ビニルトリメト
キシシラン単位0.2 mol %含有した重合度17
00の変性ポリビニルアルコール(PVA)の5%水溶
液に塩化第二鉄(FeC1s)を混合し、ガラス板上に
厚さ2μmのフィルムになるようにキャストした。40
°Cの温度で24時間真生乾燥を行い、重合触媒を含有
した変性ポリビニルアルコールのフィルムを得た。Fe
C1gの濃度は単位モノマーユニット当1) 5 mo
l %〜25 mol T。
FeC1gを用いた透明導電性複合体〕ビニルトリメト
キシシラン単位0.2 mol %含有した重合度17
00の変性ポリビニルアルコール(PVA)の5%水溶
液に塩化第二鉄(FeC1s)を混合し、ガラス板上に
厚さ2μmのフィルムになるようにキャストした。40
°Cの温度で24時間真生乾燥を行い、重合触媒を含有
した変性ポリビニルアルコールのフィルムを得た。Fe
C1gの濃度は単位モノマーユニット当1) 5 mo
l %〜25 mol T。
の間で変化させた。
得られたフィルムをデシケータ中でビロールの蒸気に6
0分間さらすことによシ透明導電性フィルムを得た。得
られたフィルムは40℃で5時間真空乾燥を行った。電
導度の測定は真空下で四探針法を用いた。光透過率は波
長600nmにおいて測定し、ガラス板の吸収をさし引
いた値を示した。
0分間さらすことによシ透明導電性フィルムを得た。得
られたフィルムは40℃で5時間真空乾燥を行った。電
導度の測定は真空下で四探針法を用いた。光透過率は波
長600nmにおいて測定し、ガラス板の吸収をさし引
いた値を示した。
ガラスへの接着力はフィルムを針などで引つがい・ても
剥がれない程強く、担持高分子としてPVAを用いた時
と比べて明らかに異なるが、定量的に評価する為にオー
トグラフによる剥ぎとシ試験も行った。
剥がれない程強く、担持高分子としてPVAを用いた時
と比べて明らかに異なるが、定量的に評価する為にオー
トグラフによる剥ぎとシ試験も行った。
この時、FeC1gを担持した変性PVAフィルムの厚
さが200μmとなるようにガラス板上にキャストし、
乾燥した後ビロールを所定の時間重合して得られた導電
性複合体をガラス接着力測定用試料として用いた。試料
をナイフで15flの幅に切す、オートグラフにて剥離
角度180°、引張シ速度50ff/分で測定した。重
合条件と結果を表1に示した。
さが200μmとなるようにガラス板上にキャストし、
乾燥した後ビロールを所定の時間重合して得られた導電
性複合体をガラス接着力測定用試料として用いた。試料
をナイフで15flの幅に切す、オートグラフにて剥離
角度180°、引張シ速度50ff/分で測定した。重
合条件と結果を表1に示した。
剥離強度の測定では200戸mの厚さの試料を用いても
試料の破断が起る程強い接着性を示した。
試料の破断が起る程強い接着性を示した。
表 1
実施例2
〔シラン変性P V A (1)を使用し酸化剤として
CuCl2を用いた透明導電性複合体〕実施例1におい
て塩化第二鉄を5 mol %〜25mol %の濃度
で用いる代りに塩化第二銅(CuC12)を5 mol
%〜25 mo1%の濃度で用いた以外は実施例1と
全く同様にして透明導電性フィルムを得た。
CuCl2を用いた透明導電性複合体〕実施例1におい
て塩化第二鉄を5 mol %〜25mol %の濃度
で用いる代りに塩化第二銅(CuC12)を5 mol
%〜25 mo1%の濃度で用いた以外は実施例1と
全く同様にして透明導電性フィルムを得た。
重合条件と結果を表2に示す。
表 2
実施例3
〔シラン変性P V A (1)を使用し酸化剤として
FeC1gを用いた透明導電性複合体〕実施例1におい
てビニルトリメトキシシラン単位0.2mo1%含有し
た重合度1700の変性ポリビニルアルコールの代りに
、3−(メタ)アクリルアミド−プロピルトリメトキシ
シラン単位0.2mol ’4含有した重合度1700
の変性ポリビニルアルコールを用いた以外は実施例1と
全く同様にして透明導電性フィルムを得た。重合条件と
結果を表3に示す。 以下余
白衣 3 比較例 (PVAを使用し酸化剤としてFeC1gを用いた透明
導電性複合体〕 重合K 1700のポリビニルアルコールの5%水溶液
に塩化第二鉄をポリビニルアルコールの単位モノマーユ
ニット当り 15 mo1%および25 molチの割
合で混合し、ガラス板上に厚さ2μmの7ビニルアルコ
ールのフィルムを得た。得うレタフイルムを実施例1と
同じ条件で重合した。なお。
FeC1gを用いた透明導電性複合体〕実施例1におい
てビニルトリメトキシシラン単位0.2mo1%含有し
た重合度1700の変性ポリビニルアルコールの代りに
、3−(メタ)アクリルアミド−プロピルトリメトキシ
シラン単位0.2mol ’4含有した重合度1700
の変性ポリビニルアルコールを用いた以外は実施例1と
全く同様にして透明導電性フィルムを得た。重合条件と
結果を表3に示す。 以下余
白衣 3 比較例 (PVAを使用し酸化剤としてFeC1gを用いた透明
導電性複合体〕 重合K 1700のポリビニルアルコールの5%水溶液
に塩化第二鉄をポリビニルアルコールの単位モノマーユ
ニット当り 15 mo1%および25 molチの割
合で混合し、ガラス板上に厚さ2μmの7ビニルアルコ
ールのフィルムを得た。得うレタフイルムを実施例1と
同じ条件で重合した。なお。
剥離強度は厚さ200μmのフィルムを用い実施例1と
同じ条件で測定した。重合条件と結果を表4に示す。
同じ条件で測定した。重合条件と結果を表4に示す。
表 4
〔発明の効果〕
このように酸化剤の担持高分子としてシラン変性ポリビ
ニルアルコールを用いることにより、ガラスへの接着性
を著しく改善しかつ透明性も向上した透明導電性複合体
を得ることができる。
ニルアルコールを用いることにより、ガラスへの接着性
を著しく改善しかつ透明性も向上した透明導電性複合体
を得ることができる。
Claims (5)
- (1)酸化剤を含有し、分子内にケイ素を含有する変性
ポリビニルアルコール基体に複素環化合物又はアニリン
若しくはアニリン誘導体を接触させることを特徴とする
透明導電性複合体の製造法。 - (2)分子内にケイ素を含有する変性ポリビニルアルコ
ールがビニルエステルと一般式( I )で示されるオレ
フィン性不飽和単量体との共重合体のケン化物であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の透明導電性
複合体の製造法。 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) 〔ここでnは0〜4、mは0〜2、R^1は炭素数1〜
5のアルキル基、R^2は炭素数1〜40のアルコキシ
ル基又は炭素数2〜18のアシロキシル基(ここでアル
コキシル基又はアシロキシル基は酸素を含有する置換基
を有していてもよい)をそれぞれ示す。〕 - (3)分子内にケイ素を含有する変性ポリビニルアルコ
ールがビニルエステルと一般式(II)で示されるオレフ
ィン性不飽和単量体との共重合体ケン化物であることを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の透明導電性複合
体の製造法。 ▲数式、化学式、表等があります▼(II) 〔ここでmは0〜2、R^1は炭素数1〜5のアルキル
基、R^2は炭素数1〜40のアルコキシル基又は炭素
数2〜18のアシロキシル基(ここでアルコキシル基又
はアシロキシル基は酸素を含有する置換基を有していて
もよい)、R^3は水素原子またはメチル基、R^4は
水素原子または炭素数1〜5のアルキル基、R^5は2
価の有機残基をそれぞれ示す。〕 - (4)変性ポリビニルアルコールが分子内にケイ素を含
有するオレフィン性不飽和単量体単位を0.05〜5モ
ル%含有する特許請求の範囲第1項〜第3項記載の透明
導電性複合体の製造法。 - (5)複素環化合物がピロールであることを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載の透明導電性複合体の製造法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61292797A JPS63145326A (ja) | 1986-12-08 | 1986-12-08 | 透明導電性複合体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61292797A JPS63145326A (ja) | 1986-12-08 | 1986-12-08 | 透明導電性複合体の製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63145326A true JPS63145326A (ja) | 1988-06-17 |
Family
ID=17786465
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61292797A Pending JPS63145326A (ja) | 1986-12-08 | 1986-12-08 | 透明導電性複合体の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63145326A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01254588A (ja) * | 1988-04-01 | 1989-10-11 | Ibiden Co Ltd | 半導体搭載用基板のトレイケース |
JPH0269525A (ja) * | 1988-09-05 | 1990-03-08 | Nitto Denko Corp | 導電性有機重合体組成物薄膜複合体の製造方法 |
JP2000195338A (ja) * | 1998-12-21 | 2000-07-14 | Agfa Gevaert Nv | 電気伝導性ガラス積層体 |
JP2010533219A (ja) * | 2007-07-09 | 2010-10-21 | インペリアル・イノベ−ションズ・リミテッド | 高導電率で安定な透明導電性ポリマー膜 |
JP2012229449A (ja) * | 2012-08-29 | 2012-11-22 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | イオン伝導性高分子物質及びその製造方法並びにイオン伝導性高分子誘導体 |
-
1986
- 1986-12-08 JP JP61292797A patent/JPS63145326A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01254588A (ja) * | 1988-04-01 | 1989-10-11 | Ibiden Co Ltd | 半導体搭載用基板のトレイケース |
JPH0269525A (ja) * | 1988-09-05 | 1990-03-08 | Nitto Denko Corp | 導電性有機重合体組成物薄膜複合体の製造方法 |
JP2000195338A (ja) * | 1998-12-21 | 2000-07-14 | Agfa Gevaert Nv | 電気伝導性ガラス積層体 |
JP2010533219A (ja) * | 2007-07-09 | 2010-10-21 | インペリアル・イノベ−ションズ・リミテッド | 高導電率で安定な透明導電性ポリマー膜 |
JP2012229449A (ja) * | 2012-08-29 | 2012-11-22 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | イオン伝導性高分子物質及びその製造方法並びにイオン伝導性高分子誘導体 |
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