TWI586530B - 基膜、包含其之積層結構及顯示裝置 - Google Patents

基膜、包含其之積層結構及顯示裝置 Download PDF

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Description

基膜、包含其之積層結構及顯示裝置
本發明係關於一基膜、包含其之積層結構及顯示裝置。更具體地，一種表現高玻璃轉化溫度以具有優異耐熱度及高透光率之透明基膜，以及包含該透明基膜之一積層結構以及一顯示裝置。
本發明主張2013年9月30日於韓國智慧財產局所提出之韓國專利申請號10-2013-0116653，以及2014年9月26日於韓國智慧財產局所提出之韓國專利申請號10-2014-0129370，上述內容均併入本發明中以供參考。
一般而言，觸控面板，其係一種裝設在顯示裝置之表面並將物理接觸(譬如使用者的手指、觸控筆等)轉換為電信號而輸出之裝置，已被應用在液晶顯示器、電漿顯示器(PDP)、電致發光(EL)裝置或類似裝置中。
關於觸控螢幕，以操作原理分類為：利用紅外線的光學式、利用接觸透明導電膜(在聚合物基膜上塗佈有金屬氧化物)之透明電極式、偵測電容變化的電容式、在面板上所設置的壓力感測器上偵測由指尖觸碰面板之功率分布位置之感測式等均已商業化。
在各種不同形式的觸控螢幕中，該透明電極式需要透明金屬 氧化系導電膜。氧化銦錫(ITO)膜，其係在聚合物基膜上塗佈氧化銦錫(ITO)，因其透明度及優異的導電性已被廣泛使用。
特別是，該金屬氧化物系導電膜可在聚合物基膜上或玻璃板 上，利用金屬氧化物經過真空沉積製程、濺射製程等而製造。因此，該聚合物基膜應透過真空沉積製程、濺射製程等在高溫下製造，使得耐熱度成為該些基膜的必要特性之一。
一般而言，耐熱度可經由玻璃轉化溫度評估，且為了優異光 學性及透明金屬氧化物系導電膜具有形成於其上之基膜，濺射製程需在約150℃或以上、較佳為200℃或以上之溫度進行，使基膜必須具有高於濺射製程之玻璃轉化溫度以及高機械物理特性。
此外，為了使基膜加工以應用於顯示裝置等，除了上述高玻璃轉化溫度外，在可見光區之透明度也是一重要特性，透光率需為90%以上。
然而，相關領域中使用的基膜，譬如聚對苯二甲酸乙酯(PET)、聚萘二甲酸(PEN)、聚碳酸酯(PC)等聚合物膜，表現出120℃或以下之低玻璃化轉變溫度，導致該聚合物薄膜在形成透明金屬氧化物系導電膜時發生改性問題。此外，因優異的耐熱度而在近年來大量被研究的聚醯亞胺(PI)膜，其具有400℃以上的優異的玻璃轉化溫度，但該膜不透明且為橙色，故不適合用在顯示領域中。
此外，譬如聚對苯二甲酸乙酯(PET)等之聚合物膜，因具有高相位差故可用作外部基膜。然而，其限制在於無法用以作為內部基膜。
因此，亟需開發出一種具有高玻璃轉化溫度、耐熱度等特性，且同時具有低相位差之透明基膜、包含該透明基膜之積層結構、以及 包含該積層結構之顯示裝置。
本發明致力於提供一種表現出高玻璃轉化溫度以具有優異耐熱度及高透光率之透明基膜。
此外，本發明致力於提供一種包括該基膜之積層結構。
並且，本發明亦致力於提供一種包括該積層結構之顯示裝置。
本發明一示例性實施例提供一種基膜，其包括一具有一環烯烴系重複單元之聚合物，其中該環烯烴系重複單元具有50mol%或以上之外型異構體(exo isomer)，以及一透明金屬氧化物系導電膜，其係形成於該基膜上。
此外，本發明另一示例性實施例提供一種積層結構，其包括該基膜，且一透明金屬氧化系導電膜係形成於該基膜上。
再者，本發明又一示例性實施例提供一種顯示裝置，其包括該積層結構。
下文中，根據本發明一示例性實施例之該基膜、包括其之該積層結構及顯示裝置將更詳細地描述。
根據本發明一示例性實施例，提供一種基膜，其包括一具有一環烯烴系重複單元之聚合物，其中該環烯烴系重複單元具有50mol%或以上之外型異構體，以及一透明金屬氧化物系導電膜，其係形成於該基膜上。
在基膜中的該環烯烴系重複單元可由下列化學式1所表示， 且該具有該環烯烴系重複單元之聚合物可為由下列化學式2所表示之一降冰片烯系單體單獨加成聚合所製備之一均聚物，或由其中兩種或以上加成聚合所製備之一共聚物：
於化學式1及化學式2中，q係0至4之一整數；m係50至5000；R1至R4係各自獨立為一極性官能基或一非極性官能基；或選自由R1與R2、以及R3與R4所組成之群組中之至少一組合可彼此連接以形成一C1-C10烷叉基(alkylidene group)，或者R1或R2係連接至R3或R4以形成一C4-C12飽和或不飽和脂族環(unsaturated aliphatic ring)或 一C6-C24芳族環(aromatic ring)。
本發明之發明人研究具有如高玻璃轉化溫度、耐熱度、透明 度等特性，並且可應用在顯示器領域之基膜，尤其，具有透明金屬氧化物系導電膜形成於其上之基膜，並且透過實驗證實當該基膜包括了該具環烯烴系重複單元之聚合物，且該環烯烴系重複單元具有50mol%或以上之外型異構體時，有高玻璃轉化溫度，且可具有高可見光區域透光率，從而完成本發明。
特別是，該基膜可包括該具環烯烴系重複單元之該聚合物， 譬如，該降冰片烯系單體以表現高玻璃轉化溫度，且該環烯烴系重複單元具有50mol%或以上之外型異構體以表現高透光率及透明度。
在根據本發明一示例性實施例之基膜中，該環烯烴系重複單 元可具有50mol%或以上、或50至100mol%之外型異構體。當該環烯烴系重複單元中之外型異構體聚合時，分子量及產率會增加，且在反應後可簡單地移除催化劑，且特別在於僅有少量的催化劑殘餘，可具有優異的耐熱度，並對溶劑具有高溶解度，使得包括大量該外型異構體之該基膜比內型異構體(endo isomer)具有較高耐熱度及較高透明度。
更具體地，在化學式1及2，可取代於R1至R4中的非極性官 能基等，可選自由氫；鹵素；經取代或未經取代之C1-C20直鏈或支鏈烷基；經取代或未經取代之C2-C20直鏈或支鏈烯基；經取代或未經取代之C2-C20直鏈或支鏈炔基；經取代或未經取代之C3-C12環烷基；C6-C40芳基；以及經取代或未經取代之C7-C15芳烷基所組成之群組。
此外，可取代於R1至R4中的極性官能基等，可包括選自由 氧、氮、磷、硫、矽及硼所組成之群組之中至少一種元素，尤其可選自由下列官能基所組成之群組：-R5OR6,-OR6、-OC(O)OR6、-R5OC(O)OR6、-C(O)OR6、-R5C(O)OR6、-C(O)R6、-R5C(O)R6、-OC(O)R6、-R5OC(O)R6、-(R5O)p-OR6、-(OR5)p-OR6、-C(O)-O-C(O)R6、-R5C(O)-O-C(O)R6、-SR6、-R5SR6、-SSR6、-R5SSR6、-S(=O)R6、-R5S(=O)R6、-R5C(=S)R6-、-R5C(=S)SR6、-R5SO3R6、-SO3R6、-R5N=C=S、-N=C=S、-NCO、-R5-NCO、-CN、-R5CN、 -NNC(=S)R6、-R5NNC(=S)R6、-NO2,-R5NO2、 以及
於該極性官能基中，p係各自獨立為1至10之整數，R5係選自由經取代或未經取代之C1-C20直鏈或支鏈亞烷基(alkylene)；經取代或未經取代之C2-C20直鏈或支鏈亞烯基(alkenylene)；經取代或未經取代之C2-C20直鏈或支鏈亞炔基(alkynylene)；經取代或未經取代之C3-C12環亞烷基(cycloalkylene)；經取代或未經取代之C6-C40亞芳基(arylene)；經取代或未經取代之C7-C15亞芳烷基(aralkylene)；經取代或未經取代之C1-C20亞烷氧基(alkoxylene)；以及經取代或未經取代之C1-C20羰基鄰二甲苯(carbonyloxylene)所組成之群組；並且R6、R7及R8係各自獨立地選自由：氫；鹵素；經取代或未經取代之C1-C20直鏈或支鏈烷基；C2-C20直鏈或支鏈烯 基；經取代或未經取代之C2-C20直鏈或支鏈炔基；經取代或未經取代之C3-C12環烷基；經取代或未經取代之C6-C40芳基；經取代或未經取代之C7-C15芳烷基；經取代或未經取代之C1-C20烷氧基；以及經取代或未經取代之C1-C20羰氧基(carbonyloxy)所組成之群組。
同時，在上述環狀烯烴化合物之結構中，每一取代基可具體地定義如下。
首先，「烷基」代表直鏈或支鏈，具有1-20、較佳為1-10碳原子之飽和一價烴基。該烷基並可進一步包括經下文將描述之預定取代基取代或未經取代之官能基。在此所使用的烷基可包括甲基、乙基、丙基、2-丙基、正丁基、異丁基、叔丁基、戊基、己基、十二烷基、氟甲基、二氟甲基、三氟甲基、氯甲基、二氯甲基、三氯甲基、碘甲基、溴甲基等。
「烯基」代表具有2-20、較佳為2-10碳原子且包括至少一碳-碳雙鍵之直鏈或支鏈一價烴基。該烯基可經由包括碳-碳雙鍵之碳原子或一飽和碳原子鍵結。該烯基並可進一步包括經下文將描述之預定取代基取代或未經取代之官能基。烯基的實例可以包括乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、戊烯基、5-己烯基、十二碳烯基等。
「環烷基」代表具有3-20烴環之飽和或不飽和非芳族一價單環、雙環、或三環烴基，且亦可進一步包括經下文將描述之預定取代基取代之官能基。該環烷基之實例可包括環丙基、環丁基、環戊基、環戊烯基、環己基、環己烯基、環庚基、環辛基、十氫萘基(decahydronaphthalenyl)、金剛烷基(adamantanyl)、降冰片基(即，二環[2,2,1]庚-5-烯基)等。
「芳基」代表具有6-40、較佳為6-12環原子之一價單環、雙 環、或三環芳族烴基，並且可進一步包括經下文將描述之預定取代基取代之官能基。芳基的實例可包括苯基、萘基、芴基等。
「烷氧芳基」代表上述芳基中至少一氫原子經烷氧基所取 代。該烷氧芳基的實例可包括甲氧基苯基(methoxyphenyl)、乙氧基苯基(ethoxyphenyl)、丙氧基苯基(propoxyphenyl,)、丁氧基苯基(butoxyphenyl)、戊氧(pentoxyphenyl)、庚氧苯基(heptoxyphenyl)、庚氧基(heptoxy)、辛氧基(octoxy)、壬氧基(nanoxy)、甲氧基聯苯基(methoxy biphenyl)、甲氧萘(methoxynaphthalenyl)、甲氧基芴(methoxyfluorenyl)、甲氧基蒽(methoxyanthracenyl)等。
「芳烷基」代表上述定義的烷基之中之至少一氫原子經芳基 所取代，並且可進一步包括經下文將描述之預定取代基取代之官能基。所述芳烷基之實例可包括芐基(benzyl)、二苯甲基(benzhydryl)、三苯甲基(trityl)等。
「炔基」代表直鏈或支鏈，具有2-20、較佳為2-10、更佳為 2-6個碳原子且包括至少一碳-碳三鍵之一價烴基。該炔基可經由包括碳-碳三鍵之碳原子或一飽和碳原子鍵結。該炔基並可進一步包括經下文將描述之預定取代基取代之官能基。炔基的實例可以包括乙炔基(ethinyl)、丙炔基(propynyl)等。
「亞烷基」代表直鏈或支鏈，具有1-20、較佳為1-10、更佳 為1-6個碳原子之飽和二價烴基。該亞烷基可選擇性地經至少一個鹵素取代基所取代。亞烷基的實例可包括亞甲基(methylene)、乙烯(ethylene)、丙烯(propylene)、丁烯(butylene)、己烯(hexylene)等。
「亞烯基」代表直鏈或支鏈，具有2-20、較佳為2-10、更佳為2-6個碳原子且包括至少一碳-碳雙鍵之二價烴基。該亞烯基可經由包括碳-碳雙鍵之碳原子及/或一飽和碳原子鍵結。該亞烯基並可進一步包括經下文將描述之預定取代基取代之官能基。
「環亞烷基」代表具有3-12個環原子之飽和或不飽和非芳族二價單環、雙環或三環烴基，並可進一步包括經下文將描述之預定取代基取代之官能基。環亞烷基之實例可包括環亞丙基(cyclopropylene)、環亞丁基(cyclobutylene)等。
「亞芳基」代表具有6-20、較佳為6-12環原子之二價單環、雙環、或三環芳族烴基，並可進一步包括經下文將描述之預定取代基取代之官能基。該芳族基團僅包括碳原子。關於亞芳基之具體實例包括亞苯基(phenylene)等。
「亞芳烷基」代表上述定義之亞烷基之至少一個氫原子被芳基所取代之二價基團，並可進一步包括經下文將描述之預定取代基取代之官能基。亞芳烷基之實例可包括亞芐基(benzylene)等。
「亞炔基」代表一種直鏈或支鏈，具有2-20、較佳為2-10、更佳為2-6個碳原子，且包括至少一碳-碳三鍵之二價烴基。亞炔基可以經由包括一碳-碳三鍵之碳原子或一飽和碳原子鍵結。該亞炔基可進一步包括經下文將描述之預定取代基取代之官能基。亞炔基之實例可包括亞乙炔基(ethinylene)、亞丙炔基(propynylene)等。
「烷叉基」可由=CR1R2所表示，且可與降冰片烯環經雙鍵連接。在此，R1及R2可分別獨立為烴基，具體而言，可為如上所述之非極 性官能基或極性官能基。
前文所述之「經取代或未經取代」可包括進一步經預定取代 基所取代之基團以及各自取代基本身。在本發明中，除非另有明確描述，進一步經取代基所取代之各取代基之實例可包括：鹵素(halogen)、烷基(alkyl)、烯基(alkenyl)、炔基(alkynyl)、鹵代烷基(haloalkyl)、鹵代鏈烯基(haloalkenyl)、鹵代炔基(haloalkynyl)、芳基(aryl)、鹵代芳基(haloaryl)、芳烷基(aralkyl)、鹵代芳烷基(haloaralkyl)、烷氧基(alkoxy)、鹵代烷氧基(haloalkoxy)、羰氧基(carbonyloxy)、鹵代羰氧基(halocarbonyloxy)、芳氧基(aryloxy)、鹵代芳氧基(haloaryloxy)、甲矽烷基(silyl)、包括氧、氮、磷、硫、矽或硼之甲矽烷氧基(siloxy)或極性官能團等。
該具有該環烯烴系重複單元之聚合物可僅包括環烯烴系重 複單元；然而，亦可為除了該環烯烴系重複單元之外，另包括有其他種重複單元之一共聚物。不同種類之重複單元之實例可包括任何烯烴系重複單元、任何丙烯酸酯系重複單元、任何環烯烴系重複單元等。
此外，根據本發明一示例性實施例之基膜，該由化學式2所 表示之該降冰片烯系單體可包括至少一種單體其係選自由羧酸烷基酯官能基；包括一極性官能基之一單體；包括一乙酸基之一單體；包括一烷基之一單體；以及包括一芳基之一單體所組成之群組之單體。
更具體地，包括羧酸烷基酯官能基之該單體之實例可包括： 5-降冰片烯-2-羧酸甲酯(5-norbornene-2-carboxylic acid methyl ester)、5-降冰片烯-2-羧酸乙酯(5-norbornene-2-carboxylic acid ethyl ester)、5-降冰片烯-2-羧酸丁酯(5-norbornene-2-carboxylic acid butyl ester)、5-降冰片烯-2-羧酸異冰 片基酯(5-norbornene-2-carboxylic acid isobornyl ester)等；包括該極性官能基之單體之實例可包括：5-降冰片烯-2-羧酸羥乙基酯(5-norbornene-2-carboxylic acid hydroxyethyl ester)等；且包括乙酸基之單體之實例可包括：5-降冰片烯-2-乙酸甲酯(5-norbornene-2-methyl acetate)等。 此外，包括烷基之單體之實例可包括5-丁基-2-降冰片烯(5-butyl-2-norbornene)等；以及包括芳基之單體之實例可包括5-苯基-2-降冰片烯(5-phenyl-2-norbornene)。
具有該環烯烴系重複單元之該聚合物可具有約10,000至 1,000,000、較佳為約200,000至500,000之重均分子量。此外，形成該具有該環烯烴系重複單元之聚合物之由化學式1所表示之重複單元可具有約30至5,000、較佳約300至1,500之聚合度。
此外，包括該具有該環烯烴系重複單元之聚合物之該基膜可 具有約250℃或以上、或約250℃至約450℃、或約320℃至約400℃之玻璃轉化溫度(Tg)。換言之，該基膜具有堅硬的結構，其係一在所有主鏈之單體單元上具有剛性及三維龐大環結構之非晶聚合物，並且在該環烯烴系重複單元中包括了50mol%或以上之外型異構體以表現約為250℃或以上，較佳為約250℃至約450℃之高玻璃轉化溫度，故相較現有基膜(譬如聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)、聚萘二甲酸(PEN)、聚碳酸酯(PC)等)而言，本發明之基膜可提供優異的熱穩定性。
此外，該基膜在約400至800nm之波長範圍下可具有90%或 以上之透光率。根據本發明一示例性實施例之基膜可包括該環烯烴系聚合物，其係利用均相催化劑以加成聚合製得，以在所有主鏈之單體單元上具 有剛性及三維龐大環結構，使得散射所造成的光學衰減不會發生，且因為π共軛使可見光區域之光吸收減少，進而表現出高透光率。
此外，根據本發明之基膜具有低介電常數及電性優異等向性 (electrically excellent isotropy)，以及厚度方向上之低相位差值(Rth)，且因此，當將基膜應用在顯示裝置時，該基膜可作為內部基膜及外部基膜使用。
此外，該基膜可具有20至200μm、較佳為20至60μm之厚度。 根據本發明一示例性實施例，形成於該基膜之該透明金屬氧化物系導電膜可為一氧化銦錫(ITO)膜、一氧化銻錫(ATO)膜、一氧化銦鋅(IZO)膜、一氧化錫膜、一氧化鋅膜、一氧化鈦膜、以及一氧化銻膜等。該透明金屬氧化物系導電膜可在高溫下以濺射法形成，但不限於上述之種類及製造方法。
此外，該基膜可以作為用於觸控螢幕之氧化銦錫(ITO)膜之 基板，或顯示裝置之基板。
同時，除了包括如上所述之該具有環烯烴系重複單元之聚合 物外，該基膜可利用習知組成及一般製造薄膜之方法製造。
譬如，製造該基膜可藉由在溶劑中混合10至30wt%之該具有 環烯烴系重複單元之聚合物(剩餘量為溶劑)以製造一塗佈溶液，將該塗佈溶液澆鑄在基板(譬如金屬、玻璃等)上，利用刮刀塗佈機(knife coater)或刮條塗佈機(bar coater)拋光為鏡面狀態，並乾燥該溶劑。在此，該溶劑之乾燥溫度可根據所使用的溶劑種類選擇，且該基板(譬如金屬、玻璃等)拋光為鏡面狀態之表面溫度較佳為室溫或以下。
該溶劑並無特別限制，且該溶劑之具體實例包括環狀飽和 烴，譬如環己烷、環庚烷、環辛烷等；芳香烴，譬如苯、甲苯、二甲苯、 乙苯，異丙基苯(cumene)等；鹵代烷烴或鹵代芳基，譬如氯丁烷(chlorobutane)、溴己烷(bromohexane)、二氯甲烷(methylene chloride)、二氯乙烷(dichloroethane)、氯苯(chlorobenzene)、氯仿(chloroform)、四氯化乙基(tetrachloride ethyl)等；飽和羧酸酯，譬如乙酸乙酯(ethyl acetate)、乙酸正丁基酯(n-butyl acetate)、丙酸甲酯(methyl propionate)等；醚，譬如二丁基醚(dibutyl ether)、四氫呋喃(tetrahydrofuran)等；醇，譬如甲醇、乙醇等，並且上述溶劑可單獨使用或彼此組合使用。再者，也可使用烷烴，譬如戊烷、己烷、辛烷、壬烷、癸烷等，另外地與溶劑混合使用。
同時，根據本發明另一示例性實施例，可提供一包括上述基膜之積層結構，且該透明金屬氧化物系導電膜係形成於該基膜上。
如前文所述，該基膜可包括該具有該環烯烴系重複單元之聚合物，且該環烯烴系重複單元具有50mol%或以上之外型異構體以表現高玻璃轉化溫度、在可見光區之高透光率、以及導電性，使得包括該基膜與該透明金屬氧化物系導電膜之該積層結構表現優異的耐熱度及透明度，並可應用在顯示裝置及類似裝置中。
根據本發明一示例性實施例，對該基膜與形成於該基膜上之該透明金屬氧化物系導電膜之敘述，可無限制地應用如前文所述之基膜敘述。
此外，根據本發明一示例性實施例，可提供一種包括前文所述之該積層結構之顯示裝置。
如前文所述，包括該基膜與該透明金屬氧化物系導電膜之該積層結構可包括該具有特定重複單元之聚合物，且重複單元中可具有50 mol%或以上之外型異構體以表現適合應用在顯示裝置中的優異耐熱度及透明度。
除了包括上述含有該環烯烴系重複單元之聚合物之基膜之外，該顯示裝置之結構與一般裝置相符，因此省略對其進一步之描述。
根據本發明，可提供表現高玻璃轉化溫度以具有優異耐熱度及高透光率之透明基膜、包含該基膜之積層結構、以及一顯示裝置。
於下文中，將參考下列實施例對本發明詳加說明。然而，該些實施例僅用以說明本發明，本發明之範圍並不限於此。
<實施例及比較例：環烯烴系聚合物之製備及基膜之製造>
[實施例1]
(1)環烯烴系聚合物之製備
在室溫下，將具有71mol%之外型異構體之5-降冰片烯-2-羧酸丁酯(100克)以及具有71mol%之外型異構體之5-降冰片烯-2-羧酸甲酯(900克)放入反應器中，並在其中加入甲苯(3000克)。另在其中加入1-辛炔(10.8克)，接著該反應器之內部部分置換為氮氣，並將反應器之溫度升至105℃。接著，將溶解在二氯甲烷之催化劑，乙酸鈀三聚體(palladium acetate trimer)(0.288克)及三己基磷鎓四(五氟苯基)硼酸鹽(tricyclohexylphosphiniumtetrakis(pentafluorophenyl)borate)(2.46克)，放入該 反應器中，接著攪拌18小時以進行反應。18小時之後，利用丙酮和乙醇以由反應器中獲得白色的聚合物沉澱。利用過濾器將該沉澱物過濾後獲得聚合物，並將該聚合物放置於真空60℃之烘箱中乾燥24小時以製備5-降冰片烯-2-羧酸丁酯以及5-降冰片烯-2-羧酸甲酯之共聚物。
(2)基膜之製造
將上述(1)所獲得的共聚物50g溶解於二氯甲烷(MC)溶劑 中，以具有15wt%固體含量。接著，利用0.45μm之孔洞之過濾器過濾該溶液以製備塗佈溶液。
此外，分別利用刮刀塗佈機或刮條塗佈機將該塗佈溶液澆鑄 在玻璃基板上，接著在室溫下乾燥1小時，並於100℃之氮氣氣氛下再次乾燥1小時。乾燥之後，將該產物放進水中浸泡30秒，並將玻璃基板上之薄膜剝離以獲得具有均勻厚度之透明薄膜，其厚度偏差小於2%。該薄膜之厚度、在400至800nm之透光率、玻璃轉化溫度如下表1所示。
[實施例2]
除了利用具有71mol%之外型異構體之5-降冰片烯-2-羧酸 丁酯(300克)以及具有71mol%之外型異構體之5-降冰片烯-2-羧酸甲酯(700克)，並且利用1-辛炔(10.3克)、乙酸鈀三聚體(0.275克)、以及三己基磷鎓四(五氟苯基)硼酸鹽(2.36克)之外，以相同於實施例1之方法製備5-降冰片烯-2-羧酸丁酯及5-降冰片烯-2-羧酸甲酯共聚物，並製造包括該共聚物之基膜。
[實施例3]
除了僅利用具有71mol%之外型異構體之5-降冰片烯-2-羧 酸丁酯(1000克)之外，以相同於實施例1之方法製備5-降冰片烯-2-羧酸丁酯 聚合物，並製造包括該共聚物之基膜。
[比較例1]
除了改變異構體之含量為具有27mol%之外型異構體之5-降 冰片烯-2-羧酸丁酯(100克)以及具有27mol%之外型異構體之5-降冰片烯-2-羧酸甲酯(900克)之外，以相同於實施例1之方法製備5-降冰片烯-2-羧酸丁酯及5-降冰片烯-2-羧酸甲酯共聚物，並製造包括該共聚物之基膜。
[比較例2]
除了改變異構體之含量為具有27mol%之外型異構體之5-降 冰片烯-2-羧酸丁酯(300克)以及具有27mol%之外型異構體之5-降冰片烯-2-羧酸甲酯(700克)之外，以相同於實施例2之方法製備5-降冰片烯-2-羧酸丁酯及5-降冰片烯-2-羧酸甲酯共聚物，並製造包括該共聚物之基膜。
<實驗例1：物理特性測試>
經實施例1至3及比較例1至2所製得之基膜之物理特性係由 下列測試方法測定，且其結果如下表1所示。
(1)相位差測量
以Axomatrix Inc.之Axoscan測量由該些實施例所獲得之每 一基膜之相位差，並測量該些膜之厚度。
在此，在一平面上之相位差以Re表示，當入射光與膜表面之 間之角度為50°時，相位差以Rθ表示，且在一平面上之該膜之厚度方向與高速軸(y軸)之間之相位差以Rth表示。
<方程式1>
於上述方程式1中，Rth係在厚度方向上之一相位差，且θf係一內角。
(2)透光率測量
以霧度計測量由該些實施例及比較例所獲得之每一基膜之透光率。
(3)透明度(霧度)測量
以霧度計測量由該些實施例及比較例所獲得之每一基膜之透明度(霧度)。
(4)折射率測量
以稜鏡耦合器測量由該些實施例所獲得之每一基膜之折射率。
(5)玻璃轉化溫度測量
以熱機械分析儀(TMA)測量由該些實施例及比較例所獲得之每一基膜之玻璃轉化溫度。在此，該膜之設定點(on-set point)隨溫度而確定。
如上表1所述，包括該具有環烯烴系重複單元之聚合物，且其中該環烯烴系重複單元具有50mol%或以上之外型異構體之實施例1至3之該些基膜，表現出90%或以上之透光率，同時，包括該具有環烯烴系重複單元之該聚合物，但其中外型異構體含量低之該些比較例之基膜對溶劑具有低溶解度，使得比較例之該些基膜不透明，並表現出50%或以下之透光率，其明顯地低於實施例之基膜之透光率。比較例之該些基膜之相位差及折射率因其透明度極低而無法測量。
此外，由實施例所製得之基膜在厚度方向每一單位μm具有低相位差(Rth)，因而同時適用於內部基膜與外部基膜。

Claims (11)

  1. 一種基膜，其用作透明金屬氧化物系導電膜的基膜，該基膜包括一具有一環烯烴系重複單元之聚合物，其中一玻璃轉化溫度為250℃或以上，其中該環烯烴系重複單元具有71mol%至100mol%之外型異構體(exo isomer)，其中該具有該環烯烴系重複單元之聚合物係由下列化學式2所表示之一降冰片烯系單體單獨加成聚合所製備之一均聚物，或由其中兩種或以上加成聚合所製備之一共聚物： 於化學式2中，q係0至4之一整數；R1至R4係各自獨立為一極性官能基或一非極性官能基；或選自由R1與R2、以及R3與R4所組成之群組中之至少一組合係彼此連接以形成一C1-C10烷叉基(alkylidene)，或者R1或R2係連接至R3或R4以形成一C4-C12飽和或 不飽和脂族環或一C6-C24芳族環。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之基膜，其中該非極性官能基係選自由氫；鹵素；經取代或未經取代之C1-C20直鏈或支鏈烷基；經取代或未經取代之C2-C20直鏈或支鏈烯基；經取代或未經取代之C2-C20直鏈或支鏈炔基；經取代或未經取代之C3-C12環烷基；C6-C40芳基；以及經取代或未經取代之C7-C15芳烷基所組成之群組。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之基膜，其中該極性官能基係選自由-R5OR6、-OR6、-OC(O)OR6、-R5OC(O)OR6、-C(O)OR6、-R5C(O)OR6、-C(O)R6、-R5C(O)R6、-OC(O)R6、-R5OC(O)R6、-(R5O)p-OR6、-(OR5)p-OR6、-C(O)-O-C(O)R6、-R5C(O)-O-C(O)R6、-SR6、-R5SR6、-SSR6、-R5SSR6、-S(=O)R6、-R5S(=O)R6、-R5C(=S)R6-、-R5C(=S)SR6、-R5SO3R6、-SO3R6、-R5N=C=S、-N=C=S、-NCO、-R5-NCO、-CN、-R5CN、-NNC(=S)R6、-R5NNC(=S)R6、-NO2、-R5NO2、 以及 所組成之群組，於該極性官能基中，p係各自獨立為1至10之整數；R5係選自由經取代或未經取代之C1-C20直鏈或支鏈亞烷基(alkylene)；經取代或未經取代之C2-C20直鏈或支鏈亞烯基(alkenylene)；經取代或未經取代之C2-C20直鏈或支鏈亞炔基(alkynylene)；經取代或未經取代之C3-C12環亞烷基(cycloalkylene)；經取代或未經取代之C6-C40亞芳基(arylene)；經取代或未經取代之C7-C15亞芳烷基(aralkylene)；經取代或未經取代之C1-C20亞烷氧基(alkoxylene)；以及經取代或未經取代之C1-C20羰基鄰二甲 苯(carbonyloxylene)所組成之群組；並且R6、R7及R8係各自獨立地選自由：氫；鹵素；經取代或未經取代之C1-C20直鏈或支鏈烷基；C2-C20直鏈或支鏈烯基；經取代或未經取代之C2-C20直鏈或支鏈炔基；經取代或未經取代之C3-C12環烷基；經取代或未經取代之C6-C40芳基；經取代或未經取代之C7-C15芳烷基；經取代或未經取代之C1-C20烷氧基；以及經取代或未經取代之C1-C20羰氧基(carbonyloxy)所組成之群組。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之基膜，其中該具有該環烯烴系重複單元之聚合物具有10,000至1,000,000之重均分子量。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之基膜，其中由化學式2所表示之該降冰片烯系單體包括一種單體係選自由：包括一羧酸烷基酯官能基之一單體；包括一極性官能基之一單體；包括一乙酸基之一單體；包括一烷基之一單體；以及包括一芳基之一單體所組成之群組。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之基膜，其中在400至800nm之一透光率係90%或以上。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之基膜，其中一厚度為20至200μm。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之基膜，其中該透明金屬氧化物系導電膜係一種或以上選自由一氧化銦錫(ITO)膜、 一氧化銻錫(ATO)膜、一氧化銦鋅(IZO)膜、一氧化錫膜、一氧化鋅膜、一氧化鈦膜、以及一氧化銻膜所組成之群組。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之基膜，其係用以作為用於一觸控螢幕之一氧化銦錫(ITO)膜之一基板、或一顯示裝置之一基板。
  10. 一種積層結構，包括：如申請專利範圍第1項所述之該基膜；以及一透明金屬氧化物系導電膜，其係形成於該基膜上。
  11. 一種顯示裝置，其包括如申請專利範圍第10項所述之該積層結構。
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