JPS63144620A - アナログマルチプレクサ回路 - Google Patents
アナログマルチプレクサ回路Info
- Publication number
- JPS63144620A JPS63144620A JP29056286A JP29056286A JPS63144620A JP S63144620 A JPS63144620 A JP S63144620A JP 29056286 A JP29056286 A JP 29056286A JP 29056286 A JP29056286 A JP 29056286A JP S63144620 A JPS63144620 A JP S63144620A
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- JP
- Japan
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- channel
- mos
- switch
- turned
- switches
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- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 abstract description 8
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野]
この発明は、複数のチャンネルそれぞれからのアナログ
入力信号を、上記チャンネルそれぞれに対応して設定さ
れたスイッチ回路を介して、共通出力線に選択的に出力
させるようにするアナログマルチプレクサ回路に関する
。
入力信号を、上記チャンネルそれぞれに対応して設定さ
れたスイッチ回路を介して、共通出力線に選択的に出力
させるようにするアナログマルチプレクサ回路に関する
。
[従来の技術]
アナログマルチプレクサ回路は、例えばC−M OSス
イッチを組合わせることによって構成されるものであり
、このようなマルチプレクサは例えばA/Dコンバータ
等に内蔵して使用される。
イッチを組合わせることによって構成されるものであり
、このようなマルチプレクサは例えばA/Dコンバータ
等に内蔵して使用される。
第4図はこのようなアナログマルチプレクサ回路の例を
示すもので、■数のチャンネルCHφ、CHl、・・・
それぞれからの信号が、複数のスイッチブロック511
S2、・・・に供給されるようになっているものであり
、上記スイッチブロックS1、S2、・・・からの出力
信号は、共通出力線COMに伝達されるようにしている
。
示すもので、■数のチャンネルCHφ、CHl、・・・
それぞれからの信号が、複数のスイッチブロック511
S2、・・・に供給されるようになっているものであり
、上記スイッチブロックS1、S2、・・・からの出力
信号は、共通出力線COMに伝達されるようにしている
。
ここで、上記スイッチブロックSt 、 S2 、・・
・は、それぞれSlで代表して示すように C−MOS
スイッチMSによって構成されているもので、各チャン
ネルからの入力信号がC−MOSスイッチMSを介して
共通出力線COMに導かれるようにしている。そして、
インバータによって構成されたスイッチ制御回路SCに
よって、各チャンネル毎に与えられる制御信号にしたが
って、上J己C−MOSスイッチMSがオンあるいはオ
フ制御されるようにしているものである。
・は、それぞれSlで代表して示すように C−MOS
スイッチMSによって構成されているもので、各チャン
ネルからの入力信号がC−MOSスイッチMSを介して
共通出力線COMに導かれるようにしている。そして、
インバータによって構成されたスイッチ制御回路SCに
よって、各チャンネル毎に与えられる制御信号にしたが
って、上J己C−MOSスイッチMSがオンあるいはオ
フ制御されるようにしているものである。
すなわち、例えばチャンネルCHφのスイッチブロック
Stに供給される制御信号がハイレベルとされると、ス
イッチ制御回路SCを構成するインバータらの出力信号
によって、C−MOSスイッチMSを構成するPチャン
ネルMOSトランシドスタおよびNチャンネル相互間)
ランジスタがそれぞれオン制御され、チャンネルCHφ
からの入力アナログ信号が共通出力線COMに出力され
るようになる。また、上記制御信号がローレベルのとき
は、上記C−MOSスイッチMSがオフされ、入力信号
が共通出力線COMに導かれないようになるものである
。
Stに供給される制御信号がハイレベルとされると、ス
イッチ制御回路SCを構成するインバータらの出力信号
によって、C−MOSスイッチMSを構成するPチャン
ネルMOSトランシドスタおよびNチャンネル相互間)
ランジスタがそれぞれオン制御され、チャンネルCHφ
からの入力アナログ信号が共通出力線COMに出力され
るようになる。また、上記制御信号がローレベルのとき
は、上記C−MOSスイッチMSがオフされ、入力信号
が共通出力線COMに導かれないようになるものである
。
しかし、このように構成されるマルチプレクサ回路に、
おいて、スイッチブロックがオフ制御されているチャン
ネルで、その入力信号電圧Vinが、電源電圧Vddよ
り高い値となった場合、第5図の(A)で示すようにC
−MOSスイッチを構成するPチャンネルMOSトラン
ジスタ側で、PNPの寄生トランジスタができるように
なり、等価回路的には同図の(B)に示すようになる。
おいて、スイッチブロックがオフ制御されているチャン
ネルで、その入力信号電圧Vinが、電源電圧Vddよ
り高い値となった場合、第5図の(A)で示すようにC
−MOSスイッチを構成するPチャンネルMOSトラン
ジスタ側で、PNPの寄生トランジスタができるように
なり、等価回路的には同図の(B)に示すようになる。
したがって、共通出力線COMからこのオンしているよ
うになるチャンネルに電流が流れ込み、電圧レベルを変
動させるような状態となる。
うになるチャンネルに電流が流れ込み、電圧レベルを変
動させるような状態となる。
また、−1二記のようにスイッチブロックがオフされて
いるチャンネルで、入力信号電圧Vlnが電源電圧Vs
s(接地電位)以下の状態となると、第6図(A)で示
すようにC−MOSスイッチを構成するNチャンネルM
OSトランジスタでNPNの寄生トランジスタかでき、
等価回路的には同図の(B)で示すようになって、上記
同様に電圧レベルを変動させるような状態となる。
いるチャンネルで、入力信号電圧Vlnが電源電圧Vs
s(接地電位)以下の状態となると、第6図(A)で示
すようにC−MOSスイッチを構成するNチャンネルM
OSトランジスタでNPNの寄生トランジスタかでき、
等価回路的には同図の(B)で示すようになって、上記
同様に電圧レベルを変動させるような状態となる。
このような減少を防ぐためには、適宜外部に抵抗さらに
はダイオード等の保護素子を設けるようにするものであ
るが、この保護手段によってこのマルチプレクサ回路を
含むシステムを複雑化するようになってしまう。
はダイオード等の保護素子を設けるようにするものであ
るが、この保護手段によってこのマルチプレクサ回路を
含むシステムを複雑化するようになってしまう。
[発明が解決しようとする問題点]
この発明は」ユ記のような点に鑑みなされたもので、マ
ルチプレクサを構成する集積回路の外部に、抵抗さらに
はダイオード等の保護手段を設けることなく、例えばチ
ャンネル入力信号電圧Vinが、電源電圧VddとVS
Sとの範囲外の状態となっても、各チャンネル相互間で
のクロストークを充分減少できるようにするアナログマ
ルチプレクサ回路を提供しようとするものである。
ルチプレクサを構成する集積回路の外部に、抵抗さらに
はダイオード等の保護手段を設けることなく、例えばチ
ャンネル入力信号電圧Vinが、電源電圧VddとVS
Sとの範囲外の状態となっても、各チャンネル相互間で
のクロストークを充分減少できるようにするアナログマ
ルチプレクサ回路を提供しようとするものである。
[問題点を解決するための手段]
すなわち、この発明に係るアナログマルチプレクサ回路
は、各チャンネルそれぞれに対応して設定され、るスイ
ッチブロックを、第1乃至第4のC−MOSスイッチを
、それぞれ2個づつ直列にして第1および第2の回路を
形成し、この第1および第2.の回路を並列接続して各
チャンネルの信号が制御信号に基づいてオン・オフされ
るようにするものであり、さらに上記第1および第2の
回路のそれぞれ2個のC−MOSスイッチの接続点相互
間に、それぞれ電源に接続されるPチャンネルおよびN
チャンネルのMOSトランジスタを接続して、このMO
Sトランジスタは、上記各C−MOSスイッチとは逆の
状態でオン・オフ制御されるようにしているものである
。
は、各チャンネルそれぞれに対応して設定され、るスイ
ッチブロックを、第1乃至第4のC−MOSスイッチを
、それぞれ2個づつ直列にして第1および第2の回路を
形成し、この第1および第2.の回路を並列接続して各
チャンネルの信号が制御信号に基づいてオン・オフされ
るようにするものであり、さらに上記第1および第2の
回路のそれぞれ2個のC−MOSスイッチの接続点相互
間に、それぞれ電源に接続されるPチャンネルおよびN
チャンネルのMOSトランジスタを接続して、このMO
Sトランジスタは、上記各C−MOSスイッチとは逆の
状態でオン・オフ制御されるようにしているものである
。
[作用]
上記のようなアナログマルチプレクサ回路にあっては、
制御信号の与えられたスイッチブロックにおいて第1乃
至第4のC−MOSスイッチがオン状態とされ、そのチ
ャンネルの入力信号が共通出力線に出力されるようにな
る。そして、上記制御信号の与えられないチャンネルで
は、入力信号が共通出力線に導かれないようになる。そ
して、このような第1乃至第4のC−MOSスイッチの
オフ状態のときには、PチャンネルMO3)ランジスタ
およびNチャンネルMOS)ランジスタが共にオン状態
とされるものであり、入力側のC−MOSスイッチが寄
生トランジスタによってオン状態とされても、上記Pチ
ャンネルMO8)ランジスタあるいはNチャンネルMO
Sトランジスタを介して、入力信号が電源側に流される
ようになり、従来のようなりロストークの発生は効果的
に抑制されるようになるものである。
制御信号の与えられたスイッチブロックにおいて第1乃
至第4のC−MOSスイッチがオン状態とされ、そのチ
ャンネルの入力信号が共通出力線に出力されるようにな
る。そして、上記制御信号の与えられないチャンネルで
は、入力信号が共通出力線に導かれないようになる。そ
して、このような第1乃至第4のC−MOSスイッチの
オフ状態のときには、PチャンネルMO3)ランジスタ
およびNチャンネルMOS)ランジスタが共にオン状態
とされるものであり、入力側のC−MOSスイッチが寄
生トランジスタによってオン状態とされても、上記Pチ
ャンネルMO8)ランジスタあるいはNチャンネルMO
Sトランジスタを介して、入力信号が電源側に流される
ようになり、従来のようなりロストークの発生は効果的
に抑制されるようになるものである。
[発明の実施例]
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
第1図はその構成を示したもので、このアナログマルチ
プレクサ回路は複数のチャンネルCHφ、CHI、・・
・それぞれに対応してスイッチブロック111 、+1
2 、・・・が設定されているもので、この図では特に
チャンネルCHφからの信号の供給されるスイッチブロ
ック111が代表として示されているもので、他のチャ
ンネルのスイッチブロックもこれと同様に構成されてい
る。そして、これに各チャンネルそれぞれに対応するス
イッチブロック Ill 、112からの出力信号は、
共通(COM)出力線12に結合されるようになってい
る。
プレクサ回路は複数のチャンネルCHφ、CHI、・・
・それぞれに対応してスイッチブロック111 、+1
2 、・・・が設定されているもので、この図では特に
チャンネルCHφからの信号の供給されるスイッチブロ
ック111が代表として示されているもので、他のチャ
ンネルのスイッチブロックもこれと同様に構成されてい
る。そして、これに各チャンネルそれぞれに対応するス
イッチブロック Ill 、112からの出力信号は、
共通(COM)出力線12に結合されるようになってい
る。
上記スイッチブロック111は、第1および第2のC−
MOSスイッチ131および132のからなる第1の直
列回路13と、 第3および第4のC−MOSスイッチ
141および142からなる第2の直列回路14とを含
み構成されるもので、この第1おび第2の直列回路13
および14は並列接続し、この並列回路を介してチャン
ネルCHφからよの入力信号が共通出力線12に導かれ
るようになっている。
MOSスイッチ131および132のからなる第1の直
列回路13と、 第3および第4のC−MOSスイッチ
141および142からなる第2の直列回路14とを含
み構成されるもので、この第1おび第2の直列回路13
および14は並列接続し、この並列回路を介してチャン
ネルCHφからよの入力信号が共通出力線12に導かれ
るようになっている。
そして、上記第1の直列回路13には、第1および第2
のC−MOSスイッチillと132との間にはPチャ
ンネルMO3)ランジスタ15を接続し、このトランジ
スタ15を介して正の電源Vddが接続されるようにな
っている。また第3および第4のC−MOSスイッチ1
41および142の間には、NチャンネルMOS)ラン
ジスタ16を接続し、この直列回路がこのトランジスタ
1Gを介して接地電位(V ss)に接続されるように
している。
のC−MOSスイッチillと132との間にはPチャ
ンネルMO3)ランジスタ15を接続し、このトランジ
スタ15を介して正の電源Vddが接続されるようにな
っている。また第3および第4のC−MOSスイッチ1
41および142の間には、NチャンネルMOS)ラン
ジスタ16を接続し、この直列回路がこのトランジスタ
1Gを介して接地電位(V ss)に接続されるように
している。
上記各チャンネルそれぞれに対応するスイッチブロック
Ill 、 112 、・・・には、それぞれチャンネ
ル選択用の制御信号が供給されているもので、この制御
信号はインバータ171 、172からなるスイッチ制
御回路17を介して、上記第1乃至第4のC−MOSス
イッチ131.132.141.142にそれぞれ供給
する。そして、スイッチブロックIllに供給される制
御信号がハイレベルの状態で、」二記各スイッチ131
−142がオン状態とされ、チャンネルCHφからの入
力信号が共通出力線12に出力されるようにしている。
Ill 、 112 、・・・には、それぞれチャンネ
ル選択用の制御信号が供給されているもので、この制御
信号はインバータ171 、172からなるスイッチ制
御回路17を介して、上記第1乃至第4のC−MOSス
イッチ131.132.141.142にそれぞれ供給
する。そして、スイッチブロックIllに供給される制
御信号がハイレベルの状態で、」二記各スイッチ131
−142がオン状態とされ、チャンネルCHφからの入
力信号が共通出力線12に出力されるようにしている。
また、上記制御信号はPチャンネルMOSトランジスタ
15およびNチャンネルMOSトランジスタ16のゲー
トにもそれぞれゲート制御信号として供給され、入力制
御信号のハイレベルの状態で上記MOS)ランジスタ1
5および16がオフ状態とされ、入力制御信号がローレ
ベル状態で、上記MOSトランジスタ15および1Bか
オン状態に制御されるようにしている。
15およびNチャンネルMOSトランジスタ16のゲー
トにもそれぞれゲート制御信号として供給され、入力制
御信号のハイレベルの状態で上記MOS)ランジスタ1
5および16がオフ状態とされ、入力制御信号がローレ
ベル状態で、上記MOSトランジスタ15および1Bか
オン状態に制御されるようにしている。
そして、上記制御信号がハイレベルで C−MOSスイ
ッチ131〜142がオン状態とされ、Pチャンネルお
よびNチャンネルのMOSトランジスタ15および16
がオフ状態と設定される状態では、」−記C−MOSス
イッチ1個のオン抵抗がRであると仮定すると、このオ
ン状態におけるこのスイッチブロックIIIの全抵抗値
もRとされるようになる。
ッチ131〜142がオン状態とされ、Pチャンネルお
よびNチャンネルのMOSトランジスタ15および16
がオフ状態と設定される状態では、」−記C−MOSス
イッチ1個のオン抵抗がRであると仮定すると、このオ
ン状態におけるこのスイッチブロックIIIの全抵抗値
もRとされるようになる。
すなわち、に5己のよう(こ構成されるスイッチブロッ
クにおいて、入力制御信号がローレベルである場合には
第1乃至第40C−MOSスイッチ131 、+32.
141.142はそれぞれオフ状態とされるものであり
、この場合PチャンネルMOSトランジスタ15および
NチャンネルMOSトランジスタ16はオン状態とされ
ている。
クにおいて、入力制御信号がローレベルである場合には
第1乃至第40C−MOSスイッチ131 、+32.
141.142はそれぞれオフ状態とされるものであり
、この場合PチャンネルMOSトランジスタ15および
NチャンネルMOSトランジスタ16はオン状態とされ
ている。
このような状態で、チャンネルCHφに例えば“vss
−vF” (但しvpはダイオードの順方向電圧)以
下の異常電圧が入力されると、第1および第30C−M
OSスイッチ131および141をそれぞれ構成するN
チャンネルMOS側の寄生NPN トランジスタがオン
し、PチャンネルMOSトランジスタ15およびNチャ
ンネルMOSトランジスタ16それぞれの接続点Aおよ
びBから電流が流れ出るようになる。すなわち、この状
態では第2図で示すような等価回路が構成されるように
なる。
−vF” (但しvpはダイオードの順方向電圧)以
下の異常電圧が入力されると、第1および第30C−M
OSスイッチ131および141をそれぞれ構成するN
チャンネルMOS側の寄生NPN トランジスタがオン
し、PチャンネルMOSトランジスタ15およびNチャ
ンネルMOSトランジスタ16それぞれの接続点Aおよ
びBから電流が流れ出るようになる。すなわち、この状
態では第2図で示すような等価回路が構成されるように
なる。
ここで上Ha AおよびB点それぞれから流れ出る電流
をilおよび12とすると、“it>i2”となり、チ
ャンネルCHφに流れ出る電流iは11とほぼ等しくな
る。このため、B点でのVSSからの電圧降ド分は極わ
ずかな状態となり、したがってA点およびB点共に“v
ss−vF”以下とはならず、第2および第4のC−M
OSスイッチ132および142のそれぞれNチャンネ
ルMOS側の寄生NPN トランジスタはオンすること
がない。
をilおよび12とすると、“it>i2”となり、チ
ャンネルCHφに流れ出る電流iは11とほぼ等しくな
る。このため、B点でのVSSからの電圧降ド分は極わ
ずかな状態となり、したがってA点およびB点共に“v
ss−vF”以下とはならず、第2および第4のC−M
OSスイッチ132および142のそれぞれNチャンネ
ルMOS側の寄生NPN トランジスタはオンすること
がない。
したがって、この制御信号のローレベル状態において、
共通出力線12への影響は全く無いようになるものであ
る。
共通出力線12への影響は全く無いようになるものであ
る。
また、チャンネルCMφに“vdd+v)−”以上の異
常電圧が入力されるような状態となると、第1および第
3のC−MOSスイッチ131および141それぞれを
構成するPチャンネルMOS側の寄生PNP トランジ
スタがオンされるようになり、A点およびB点に電流が
流れ込むようになり、その等価回路は第3図で示すよう
になる。この場合“i2>il”となり、チャンネルC
Hφから流れ込む電流1は12とほぼ等しくなる。この
ためA点でのVddからの電圧上昇分は極わずかであり
、A点およびB点共に“Vdd+VF“以上にはならな
い。したがって第2および第4のC−MOSスイッチ+
32および142のPチャンネルMOS側の寄生PNP
トランジスタはオンすることがなく、共通出力線12
に影響を与えることがない。
常電圧が入力されるような状態となると、第1および第
3のC−MOSスイッチ131および141それぞれを
構成するPチャンネルMOS側の寄生PNP トランジ
スタがオンされるようになり、A点およびB点に電流が
流れ込むようになり、その等価回路は第3図で示すよう
になる。この場合“i2>il”となり、チャンネルC
Hφから流れ込む電流1は12とほぼ等しくなる。この
ためA点でのVddからの電圧上昇分は極わずかであり
、A点およびB点共に“Vdd+VF“以上にはならな
い。したがって第2および第4のC−MOSスイッチ+
32および142のPチャンネルMOS側の寄生PNP
トランジスタはオンすることがなく、共通出力線12
に影響を与えることがない。
[発明の効果]
以上のようにこの発明に係るアナログマルチプレクサ回
路によれば、特別に外付は抵抗、ダイオード等の回路素
子を付加することなく、例えばチャンネル入力に電源電
圧範囲(Vdd−Vss)以外の入力端子が入っても、
他のチャンネルに影響を与えることがないものであり、
構成を簡tBtものとしなから、信頼性の高いマルチプ
レクサ回路とすることができるものである。
路によれば、特別に外付は抵抗、ダイオード等の回路素
子を付加することなく、例えばチャンネル入力に電源電
圧範囲(Vdd−Vss)以外の入力端子が入っても、
他のチャンネルに影響を与えることがないものであり、
構成を簡tBtものとしなから、信頼性の高いマルチプ
レクサ回路とすることができるものである。
第1図はこの発明一実施例に係るアナログマルチプレク
サ回路を説明するための回路構成図、第2図および第3
図はそれぞれ上記マルチプレクサ回路の等価回路を示す
図、第4図は従来のマルチプレクサ回路を示す図、第5
図および第6図はそれぞれ上記従来の回路の動作状態を
説明する図である。 111.112 、・・・スイッチブロック、12・・
・共通出力線、131 、132.141.142・・
・C−MOSスイッチ、13.14・・・第1および第
2の直列回路、15・・・PチャンネルMOSトランジ
スタ、1B・・・NチャンネルMOS)ランジスタ。
サ回路を説明するための回路構成図、第2図および第3
図はそれぞれ上記マルチプレクサ回路の等価回路を示す
図、第4図は従来のマルチプレクサ回路を示す図、第5
図および第6図はそれぞれ上記従来の回路の動作状態を
説明する図である。 111.112 、・・・スイッチブロック、12・・
・共通出力線、131 、132.141.142・・
・C−MOSスイッチ、13.14・・・第1および第
2の直列回路、15・・・PチャンネルMOSトランジ
スタ、1B・・・NチャンネルMOS)ランジスタ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 複数の各入力チャンネルそれぞれに対応してスイッチブ
ロックを設定し、この各スイッチブロックが選択的にオ
ン制御されて、複数チャンネルそれぞれからの入力信号
が共通出力に導かれるようにしたマルチプレクサ回路に
おいて、上記各スイッチブロックは、 第1および第2のC−MOSスイッチを直列接続した第
1の回路と、 この第1の回路に並列に接続され、第3および第4のC
−MOSスイッチを直列接続した第2の回路と、 上記第1乃至第4のC−MOSスイッチを、制御信号に
基づいて共通にオンあるいはオフ制御するスイッチ制御
手段と、 上記第1および第2のC−MOSスイッチの相互接続点
、および上記第3および第4のC−MOSスイッチの相
互接続点にそれぞれ接続されたPチャンネルMOSトラ
ンジスタおよびNチャンネルMOSトランジスタとを具
備し、 このPチャンネルおよびNチャンネルの MOSトランジスタは、上記スイッチ制御手段からの指
令信号に基づき、第1乃至第4のC−MOSスイッチの
オン状態でオフ制御され、またオフ状態でオン制御され
るようにしたことを特徴とするアナログマルチプレクサ
回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29056286A JPS63144620A (ja) | 1986-12-08 | 1986-12-08 | アナログマルチプレクサ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29056286A JPS63144620A (ja) | 1986-12-08 | 1986-12-08 | アナログマルチプレクサ回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63144620A true JPS63144620A (ja) | 1988-06-16 |
Family
ID=17757631
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29056286A Pending JPS63144620A (ja) | 1986-12-08 | 1986-12-08 | アナログマルチプレクサ回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63144620A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0292913A2 (de) * | 1987-05-27 | 1988-11-30 | Sgs-Thomson Microelectronics Gmbh | Als integrierte Schaltung ausgebildete Schaltereinrichtung |
JPH04306912A (ja) * | 1991-04-04 | 1992-10-29 | Nec Kyushu Ltd | アナログスイッチ回路 |
US5880621A (en) * | 1996-07-31 | 1999-03-09 | Nec Corporation | Analog switch circuit |
KR100636830B1 (ko) | 2004-03-23 | 2006-10-20 | 레이디오펄스 주식회사 | 주파수 상향 변환기 |
JP2007139865A (ja) * | 2005-11-15 | 2007-06-07 | Hitachi Displays Ltd | 三次元画像表示装置 |
JP2013153239A (ja) * | 2012-01-24 | 2013-08-08 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置及び通信インターフェイス回路 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6154711A (ja) * | 1984-08-27 | 1986-03-19 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | アナログスイツチ |
-
1986
- 1986-12-08 JP JP29056286A patent/JPS63144620A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6154711A (ja) * | 1984-08-27 | 1986-03-19 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | アナログスイツチ |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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EP0292913A2 (de) * | 1987-05-27 | 1988-11-30 | Sgs-Thomson Microelectronics Gmbh | Als integrierte Schaltung ausgebildete Schaltereinrichtung |
JPH04306912A (ja) * | 1991-04-04 | 1992-10-29 | Nec Kyushu Ltd | アナログスイッチ回路 |
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JP2007139865A (ja) * | 2005-11-15 | 2007-06-07 | Hitachi Displays Ltd | 三次元画像表示装置 |
JP2013153239A (ja) * | 2012-01-24 | 2013-08-08 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置及び通信インターフェイス回路 |
US9041455B2 (en) | 2012-01-24 | 2015-05-26 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and communication interface circuit |
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