JPS63141355A - 高出力混成集積回路組立方法 - Google Patents
高出力混成集積回路組立方法Info
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- JPS63141355A JPS63141355A JP61286657A JP28665786A JPS63141355A JP S63141355 A JPS63141355 A JP S63141355A JP 61286657 A JP61286657 A JP 61286657A JP 28665786 A JP28665786 A JP 28665786A JP S63141355 A JPS63141355 A JP S63141355A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 42
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 8
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 11
- 238000005476 soldering Methods 0.000 abstract description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 5
- 238000005097 cold rolling Methods 0.000 abstract description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 abstract description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 abstract 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 abstract 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 abstract 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 8
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- -1 resistors Substances 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 235000000396 iron Nutrition 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
Classifications
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
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- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/27—Manufacturing methods
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- H01L2224/27013—Involving a permanent auxiliary member, i.e. a member which is left at least partly in the finished device, e.g. coating, dummy feature for holding or confining the layer connector, e.g. solder flow barrier
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2224/4809—Loop shape
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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- H01L2224/83101—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus as prepeg comprising a layer connector, e.g. provided in an insulating plate member
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高出力混成集積回路装置に係り、特にパワー
半導体チップを取り付けたヒートシンクに好適な構造に
関する。
半導体チップを取り付けたヒートシンクに好適な構造に
関する。
すでに高出力混成集積回路装置に関しては、パワー牛導
体チップを個々に樹脂封止したディスクリート部品を使
用しないで、パワー半導体の裸のチップを直接混成集積
回路内に組み込み、ディスクリート部品を仕上げるのに
要する工数を、混成集積回路製造工数の中に吸収し、二
度の手間を排除し、かつ実装効率を上げて混成乗積回路
装置の実装密度を向上させる考慮がなされている。
体チップを個々に樹脂封止したディスクリート部品を使
用しないで、パワー半導体の裸のチップを直接混成集積
回路内に組み込み、ディスクリート部品を仕上げるのに
要する工数を、混成集積回路製造工数の中に吸収し、二
度の手間を排除し、かつ実装効率を上げて混成乗積回路
装置の実装密度を向上させる考慮がなされている。
しかし、当然のことながらさらに一層、構造や工数を単
純化し、工数削減や歩留向上を図りより安価で、かつパ
ワー半導体チップ特有の熱放散の問題に起因する信頼性
も十分に考慮された構造を有する高出力混成集積回路装
置を提供する必要がある。
純化し、工数削減や歩留向上を図りより安価で、かつパ
ワー半導体チップ特有の熱放散の問題に起因する信頼性
も十分に考慮された構造を有する高出力混成集積回路装
置を提供する必要がある。
そこで、まず従来のパワー半導体チップを取り付けた放
熱用ヒートシンクを有する高出力混成集積回路装置を第
2図により説明する。
熱用ヒートシンクを有する高出力混成集積回路装置を第
2図により説明する。
第2図において、1はパワー半導体チップであり放熱を
良好ならしめるために、銅のヒートシンク2の上に固定
されている。この両者の固定は半田シート、リボン、デ
ィスクなどの半田材5を間lこ挾み込んで、N2ガスな
どの雰囲気炉中で加熱溶融させることによって行なわれ
る。
良好ならしめるために、銅のヒートシンク2の上に固定
されている。この両者の固定は半田シート、リボン、デ
ィスクなどの半田材5を間lこ挾み込んで、N2ガスな
どの雰囲気炉中で加熱溶融させることによって行なわれ
る。
このようにして出来上ったパワー牛導体チップアセンブ
リと表面に通常の厚膜混成集積回路方式。
リと表面に通常の厚膜混成集積回路方式。
即ち導体、抵抗体、誘電体の印刷、焼成、その他能動素
子、受動素子の組み込み等、公知の技術により構成され
た絶縁基板6とを銅などの放熱板7に、半田付などによ
り取り付ける。
子、受動素子の組み込み等、公知の技術により構成され
た絶縁基板6とを銅などの放熱板7に、半田付などによ
り取り付ける。
その後パワー半導体チップ1上の電極と絶縁基板上の導
体部5とを超音波ボンディングなどの方法により、相互
に細線6によって接続する。さらにコーティング等を施
し、外部導出リードの取り付けを行ない、適当な蓋体で
覆えば高出力混成集積回路装置が完成する。
体部5とを超音波ボンディングなどの方法により、相互
に細線6によって接続する。さらにコーティング等を施
し、外部導出リードの取り付けを行ない、適当な蓋体で
覆えば高出力混成集積回路装置が完成する。
なお、この棟の装置に関連するものには特公昭51−4
6901号が上げられる。
6901号が上げられる。
上記従来技術は工数と歩留および信頼性の点でもうひと
つ配慮がされておらず、次のような問題を残している。
つ配慮がされておらず、次のような問題を残している。
第1の問題はヒートシンク2へのパワー半導体チップ1
の組付けを行うときに半田シートなどの半田材3を両者
の間に挾み込むという余分な工数を必要とすることであ
る。またこの作業はヒートンシンク2上に正確な位置精
度でパワー半導体チップ1と半田材5を重ね合わせる必
要があり大変面倒なものなっている。しかも半田加熱溶
融前の一時固定時にパワー牛導体チップ1と半田材3の
安定性が著しく悪く、細心の注意を払った正錨な作業が
必要ともなっていた。
の組付けを行うときに半田シートなどの半田材3を両者
の間に挾み込むという余分な工数を必要とすることであ
る。またこの作業はヒートンシンク2上に正確な位置精
度でパワー半導体チップ1と半田材5を重ね合わせる必
要があり大変面倒なものなっている。しかも半田加熱溶
融前の一時固定時にパワー牛導体チップ1と半田材3の
安定性が著しく悪く、細心の注意を払った正錨な作業が
必要ともなっていた。
第2の問題は前述のような作業のため歩留が悪くなると
いうことである。つまり第2図(ロ)に示すように、ヒ
ートシンク2上にパワー半導体チップ1が水平に取り付
けられなかったり、ずれたり、あるいは回転したりする
ものがあった。またそのため1こ配線作業が面倒になる
のみならず、配線が長くなったり、短くなったりするこ
とも避けられず、作業ミスによる配線作業の失敗が増大
する。
いうことである。つまり第2図(ロ)に示すように、ヒ
ートシンク2上にパワー半導体チップ1が水平に取り付
けられなかったり、ずれたり、あるいは回転したりする
ものがあった。またそのため1こ配線作業が面倒になる
のみならず、配線が長くなったり、短くなったりするこ
とも避けられず、作業ミスによる配線作業の失敗が増大
する。
また線長が一定にならないことは、特にU)iF帯など
の高周波領域においては、装置の電気性能のばらつきと
なり、歩留低下につながっていた。
の高周波領域においては、装置の電気性能のばらつきと
なり、歩留低下につながっていた。
さらに第3の問題は半田材3がパワー半導体チップ1の
裏面からある程度ずれて取り付けられた場合、パワー半
導体チップ1からヒートシンク2への熱放散が低下し、
パワー半導体チップ1の寿命が短くなり信頼性が低下す
るということである0本発明の目的はこれら従来の問題
を克服し、工数と歩留および信頼性をよりいっそう向上
させた高出力混成集積回路装置を提供することにある〇
〔問題点を解決するための手段〕 上記目的は、下記の方法により達成される。ひとつは放
熱用ヒートシンクlこあらかじめ半田材が、パワー半導
体チップを取り付けるの−こ十分な厚さでクラッドされ
たものを使用することである。ふたつ目はヒートシンク
の半田クラッド面にパワー半導体チップを指示し、動き
を拘束できるくぼみを設けることである0 〔作用〕 このように半田クラッドが施されたヒートシンクを使用
するこおで、半田シートなどの半田材を両者の間に挾み
込むという余分な工数を必要としなくなり、さらにパワ
ー半導体チップを指示し、か −c FJ束できるく
ぼみに嵌め込むだけでヒートシンク上に正確な位置精度
でパワー半導体チップをきわめて容易lこ搭載でき、し
かも半田加熱溶融前の一時固定時の安定性も著しく向上
し、作業性が大変に良くなるのみならず、半田材を加熱
溶融し固定したあとの状態も良好で、配線作業の失敗も
少く、歩留が大幅に向上する。さらにヒートシンクとパ
ワー半導体チップの半田付が確実となるのでパワー牛導
体チップの熱放散も良く、信頼性も向上する。
裏面からある程度ずれて取り付けられた場合、パワー半
導体チップ1からヒートシンク2への熱放散が低下し、
パワー半導体チップ1の寿命が短くなり信頼性が低下す
るということである0本発明の目的はこれら従来の問題
を克服し、工数と歩留および信頼性をよりいっそう向上
させた高出力混成集積回路装置を提供することにある〇
〔問題点を解決するための手段〕 上記目的は、下記の方法により達成される。ひとつは放
熱用ヒートシンクlこあらかじめ半田材が、パワー半導
体チップを取り付けるの−こ十分な厚さでクラッドされ
たものを使用することである。ふたつ目はヒートシンク
の半田クラッド面にパワー半導体チップを指示し、動き
を拘束できるくぼみを設けることである0 〔作用〕 このように半田クラッドが施されたヒートシンクを使用
するこおで、半田シートなどの半田材を両者の間に挾み
込むという余分な工数を必要としなくなり、さらにパワ
ー半導体チップを指示し、か −c FJ束できるく
ぼみに嵌め込むだけでヒートシンク上に正確な位置精度
でパワー半導体チップをきわめて容易lこ搭載でき、し
かも半田加熱溶融前の一時固定時の安定性も著しく向上
し、作業性が大変に良くなるのみならず、半田材を加熱
溶融し固定したあとの状態も良好で、配線作業の失敗も
少く、歩留が大幅に向上する。さらにヒートシンクとパ
ワー半導体チップの半田付が確実となるのでパワー牛導
体チップの熱放散も良く、信頼性も向上する。
以下、本発明の一実施例を第1図により説明する0
第1図(ロ)は本発明の高出力混成集積回路装置の要部
断面図、第1図(イ)はそのパワー半導体チップとヒー
トシンクを拡大した斜視図である。同図において1は例
えば高周波パワーMO8FETチップなどのパワー半導
体チップである。2は例えば無1!J素@郷のヒートシ
ンクであり、該ヒートシンク2の上面、すなわちパワー
半導体チップ半円付面には適当な厚さの半田材3がクラ
ッドされている。
断面図、第1図(イ)はそのパワー半導体チップとヒー
トシンクを拡大した斜視図である。同図において1は例
えば高周波パワーMO8FETチップなどのパワー半導
体チップである。2は例えば無1!J素@郷のヒートシ
ンクであり、該ヒートシンク2の上面、すなわちパワー
半導体チップ半円付面には適当な厚さの半田材3がクラ
ッドされている。
これは、例えば無酸素銅板の上に冷間圧延圧接法により
半田を必要な厚さにクラッドしたものを適当な形状にプ
レス成形することで得られる。このプレス成形時にパワ
ー半導体チップを指示し、かつ動きを拘束できるような
くぼみ4も形成しておく。
半田を必要な厚さにクラッドしたものを適当な形状にプ
レス成形することで得られる。このプレス成形時にパワ
ー半導体チップを指示し、かつ動きを拘束できるような
くぼみ4も形成しておく。
ここでパワー半導体テップ1とヒートシンク2とを一体
化するには、半田材3の上面に7ラツクスを塗布して一
時的に固定し、その後半田材3をN2ガスなどの雰囲気
炉中で加熱溶融させたのち固体化してパワー半導体チッ
プ1とヒートシンク2とを半田付する。
化するには、半田材3の上面に7ラツクスを塗布して一
時的に固定し、その後半田材3をN2ガスなどの雰囲気
炉中で加熱溶融させたのち固体化してパワー半導体チッ
プ1とヒートシンク2とを半田付する。
このようにして出来上ったパワー半導体アセンゼリ部分
と絶縁基板6を放熱板7に取り付ける。
と絶縁基板6を放熱板7に取り付ける。
この取り付けは前記半田材3より融点の低い半田材を挾
んで、N2ガスなどの雰囲気炉中で行う。このとき前記
絶縁基板6はパワ一部以外の低出力部分であり、表面に
通常の混成集積回路が構成されている。これは即ち導体
、抵抗体、誘電体の印刷。
んで、N2ガスなどの雰囲気炉中で行う。このとき前記
絶縁基板6はパワ一部以外の低出力部分であり、表面に
通常の混成集積回路が構成されている。これは即ち導体
、抵抗体、誘電体の印刷。
焼成、能動素子のボンディングなどの公知の技術を使用
して回路が形成されている。パワー半導体チップ上の電
極と低出力部の導体5とは超音波圧着ボンディングなど
の方法により、細線6によって相互に接続されて回路は
完成するが、さらIこ外部導出リードの取付けや樹脂等
によるコーティングを行い、適当な蓋体で榎えは高出力
混成集積回路装置さして完成する。
して回路が形成されている。パワー半導体チップ上の電
極と低出力部の導体5とは超音波圧着ボンディングなど
の方法により、細線6によって相互に接続されて回路は
完成するが、さらIこ外部導出リードの取付けや樹脂等
によるコーティングを行い、適当な蓋体で榎えは高出力
混成集積回路装置さして完成する。
すなわち、本実施例によれば、パワー半導体チップとヒ
ートシンクとの両者の間lこ半田シートなどの半田材を
挾み込むという余分な工数を不要とし、さらにパワー半
導体チップをくぼみに嵌め込むだけでヒートシンク上に
正確な位置精度でパワー半導体チップをきわめて容易に
搭載でき、作業性が大変良くなるのみならず、半田材を
加熱溶融し固定したあとのヒートシンク上へのパワー半
導体チップの固定位置および水平精度も良好で歩留が大
幅に向上する。さらにヒートシンクとパワー半導体チッ
プ間の半田付が確実となることでパワー半尋体チップが
動作時に発生する熱をヒートシンクに確実に伝えること
ができ、信頼性の高い装置となりつる。
ートシンクとの両者の間lこ半田シートなどの半田材を
挾み込むという余分な工数を不要とし、さらにパワー半
導体チップをくぼみに嵌め込むだけでヒートシンク上に
正確な位置精度でパワー半導体チップをきわめて容易に
搭載でき、作業性が大変良くなるのみならず、半田材を
加熱溶融し固定したあとのヒートシンク上へのパワー半
導体チップの固定位置および水平精度も良好で歩留が大
幅に向上する。さらにヒートシンクとパワー半導体チッ
プ間の半田付が確実となることでパワー半尋体チップが
動作時に発生する熱をヒートシンクに確実に伝えること
ができ、信頼性の高い装置となりつる。
以上のように本発明によれば、パワー半導体チップをヒ
ートシンク上に固定する除に、むずかしい作業であると
ころの半田シート等を両者の間に挟み込むという工程を
排除でき、ヒートシンク上に8けるパワー半導体チップ
の水平精度、取付位置禮度も向上させることができるた
め歩留が向上することでコスト低減となる。さらにパワ
ー牛導体チップとヒートシンクの両者を、機械的かつ放
熱効果的に充分な状態で固着することができるため信頼
性をもよりいっそう向上させた高出力混成集積回路を提
供することができる。
ートシンク上に固定する除に、むずかしい作業であると
ころの半田シート等を両者の間に挟み込むという工程を
排除でき、ヒートシンク上に8けるパワー半導体チップ
の水平精度、取付位置禮度も向上させることができるた
め歩留が向上することでコスト低減となる。さらにパワ
ー牛導体チップとヒートシンクの両者を、機械的かつ放
熱効果的に充分な状態で固着することができるため信頼
性をもよりいっそう向上させた高出力混成集積回路を提
供することができる。
NX1図は、本発明による高出力混成集積回路装置の一
実施例の要部IFr面図およびそのパワー半導体チップ
とヒートシンクを拡大した斜視図である。 第2図は従来の高出力混成集積回路装置を説明する為の
斜視図、断面図である。 1・・・パワー半導体チップ 2・・・ヒートシンク 3・・・半田材4・・・くぼ
み 5・・・導体部6・・・絶縁基板
7・・・放熱板8・・・細線 ・−′\ 代理人 弁理士 小 川 勝 男 2 d) 笠 1 回 L Z 回 (イ) 手続補正書(自発) 昭和 61 年特許願第 286657 号発明の名
称 高出力混成集積回路装置補正をする者 鰭と1係 特許出願人 名 称 ′s+o+ I2式会J、t 日 立 製
作 折代 理 人 補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄及び図面。
実施例の要部IFr面図およびそのパワー半導体チップ
とヒートシンクを拡大した斜視図である。 第2図は従来の高出力混成集積回路装置を説明する為の
斜視図、断面図である。 1・・・パワー半導体チップ 2・・・ヒートシンク 3・・・半田材4・・・くぼ
み 5・・・導体部6・・・絶縁基板
7・・・放熱板8・・・細線 ・−′\ 代理人 弁理士 小 川 勝 男 2 d) 笠 1 回 L Z 回 (イ) 手続補正書(自発) 昭和 61 年特許願第 286657 号発明の名
称 高出力混成集積回路装置補正をする者 鰭と1係 特許出願人 名 称 ′s+o+ I2式会J、t 日 立 製
作 折代 理 人 補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄及び図面。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、パワー半導体チップを取り付けた放熱用ヒートシン
クを有する高出力混成集積回路装置において、前記ヒー
トシンクに半田クラッドを施したことを特徴とする高出
力混成集積回路装置。 2、上記ヒートシンクにパワー半導体チップを落し込む
くぼみを設けたことを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載の高出力混成集積回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61286657A JPH0770653B2 (ja) | 1986-12-03 | 1986-12-03 | 高出力混成集積回路組立方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61286657A JPH0770653B2 (ja) | 1986-12-03 | 1986-12-03 | 高出力混成集積回路組立方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63141355A true JPS63141355A (ja) | 1988-06-13 |
JPH0770653B2 JPH0770653B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=17707265
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61286657A Expired - Lifetime JPH0770653B2 (ja) | 1986-12-03 | 1986-12-03 | 高出力混成集積回路組立方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0770653B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02148853A (ja) * | 1988-11-30 | 1990-06-07 | Taiyo Yuden Co Ltd | 半導体素子固着板状体シート及びその使用方法 |
EP0407905A2 (de) * | 1989-07-08 | 1991-01-16 | DODUCO GMBH + Co Dr. Eugen DÀ¼rrwächter | Flacher Körper, insbesondere zur Verwendung als Wärmesenke für elektronische Leistungsbauelemente |
JPH03135053A (ja) * | 1989-10-20 | 1991-06-10 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | ヒートシンク材 |
WO1997030494A1 (de) * | 1996-02-14 | 1997-08-21 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Kühlkörper mit einer montagefläche für ein elektronisches bauteil |
US6046498A (en) * | 1997-06-30 | 2000-04-04 | Nec Corporation | Device having a heat sink for cooling an integrated circuit |
-
1986
- 1986-12-03 JP JP61286657A patent/JPH0770653B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02148853A (ja) * | 1988-11-30 | 1990-06-07 | Taiyo Yuden Co Ltd | 半導体素子固着板状体シート及びその使用方法 |
EP0407905A2 (de) * | 1989-07-08 | 1991-01-16 | DODUCO GMBH + Co Dr. Eugen DÀ¼rrwächter | Flacher Körper, insbesondere zur Verwendung als Wärmesenke für elektronische Leistungsbauelemente |
JPH03135053A (ja) * | 1989-10-20 | 1991-06-10 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | ヒートシンク材 |
WO1997030494A1 (de) * | 1996-02-14 | 1997-08-21 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Kühlkörper mit einer montagefläche für ein elektronisches bauteil |
US6046498A (en) * | 1997-06-30 | 2000-04-04 | Nec Corporation | Device having a heat sink for cooling an integrated circuit |
US6251709B1 (en) | 1997-06-30 | 2001-06-26 | Nec Corporation | Method of manufacturing a cooling structure of a multichip module |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0770653B2 (ja) | 1995-07-31 |
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