JPS63140588A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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- JPS63140588A JPS63140588A JP61287208A JP28720886A JPS63140588A JP S63140588 A JPS63140588 A JP S63140588A JP 61287208 A JP61287208 A JP 61287208A JP 28720886 A JP28720886 A JP 28720886A JP S63140588 A JPS63140588 A JP S63140588A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 44
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 21
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 14
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 8
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 3
- 229910018565 CuAl Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 38
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- ZSBXGIUJOOQZMP-JLNYLFASSA-N Matrine Chemical compound C1CC[C@H]2CN3C(=O)CCC[C@@H]3[C@@H]3[C@H]2N1CCC3 ZSBXGIUJOOQZMP-JLNYLFASSA-N 0.000 description 1
- 229910005091 Si3N Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000005476 size effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
【技術分野〕
本発明は可視から近紫外の短波長の発光波長を有する半
導体発光装置に関する。
導体発光装置に関する。
近時における、レーザーディスクやレーザービームプリ
ンタ等の光情報分野の発展はめざましいものがある。こ
れら分野に適用される化合物半導体の代表的なものは■
−■族化合物半導体であり、各種の電子ディバイスや光
ディバイスへの研究が行われている。一方、ＩＩ−ＶＩ
族化合物半導体はバンドキャップを広く変えられること
および直接遷移型で光との相互作用が大きいことが知ら
れている。このため光エレクトロニクスの分野では、ポ
スト■−■族化合物半導体として１期待されている０例
えば、ＺｎＳ、Ｚｎ５ｅ等を用いた青色から近紫外のＬ
Ｄ（レーザダイオード）やＬＥＤ（発光ダイオード）Ｈ
ｇ、、ｘＣｄｘＴｅ混晶半導体を用いた赤外線センサー
などが検討されている。可視から近紫外のＬＤ、ＬＥＤ
を達成するためには１ 、８ｅＶ以上のバンドギャップ
が必要であるが、Ｚｎ５ａ （４６００人）、Ｚｎ５（
３４００人）が有力である。
ンタ等の光情報分野の発展はめざましいものがある。こ
れら分野に適用される化合物半導体の代表的なものは■
−■族化合物半導体であり、各種の電子ディバイスや光
ディバイスへの研究が行われている。一方、ＩＩ−ＶＩ
族化合物半導体はバンドキャップを広く変えられること
および直接遷移型で光との相互作用が大きいことが知ら
れている。このため光エレクトロニクスの分野では、ポ
スト■−■族化合物半導体として１期待されている０例
えば、ＺｎＳ、Ｚｎ５ｅ等を用いた青色から近紫外のＬ
Ｄ（レーザダイオード）やＬＥＤ（発光ダイオード）Ｈ
ｇ、、ｘＣｄｘＴｅ混晶半導体を用いた赤外線センサー
などが検討されている。可視から近紫外のＬＤ、ＬＥＤ
を達成するためには１ 、８ｅＶ以上のバンドギャップ
が必要であるが、Ｚｎ５ａ （４６００人）、Ｚｎ５（
３４００人）が有力である。
しかしながら１．ｎ−ｖｔ族化合物半導体結晶は。
イオン性が強く不純物導入に伴なう格子欠陥の発生が著
しい。このため、不純物を導入すると同時に格子欠陥が
発生し、添加した不純物を不活性化する電荷深漬が起こ
るため電導タイプの制御が困難である。これをＳｅｌｆ
−ｃｏｍｐｅｎｓａｔｉｏｎ（自己補償）効果と言う、
Ｓｅｌｆ−ｃｏｍｐｅｎｓａｔｉｏｎはｎ−ＶＩ族のよ
うなバンドギャップの大きな化合物半導体でよく見られ
、ｐ−ｎ接合の形成が通常の方法では不可能である。こ
のことは、ｎ−■族化合物半導体の応用上の見地に立て
ば、大きな問題となっている。■−■族化合物半導体の
電気的性質についてｐ、ｎ両方について知られているの
はＣｄＴｅだけであり、その他のｎ −ＶＩ族結晶は、
殆どがｎタイプであり、Ｐタイプの形成は、達成されて
いない。
しい。このため、不純物を導入すると同時に格子欠陥が
発生し、添加した不純物を不活性化する電荷深漬が起こ
るため電導タイプの制御が困難である。これをＳｅｌｆ
−ｃｏｍｐｅｎｓａｔｉｏｎ（自己補償）効果と言う、
Ｓｅｌｆ−ｃｏｍｐｅｎｓａｔｉｏｎはｎ−ＶＩ族のよ
うなバンドギャップの大きな化合物半導体でよく見られ
、ｐ−ｎ接合の形成が通常の方法では不可能である。こ
のことは、ｎ−■族化合物半導体の応用上の見地に立て
ば、大きな問題となっている。■−■族化合物半導体の
電気的性質についてｐ、ｎ両方について知られているの
はＣｄＴｅだけであり、その他のｎ −ＶＩ族結晶は、
殆どがｎタイプであり、Ｐタイプの形成は、達成されて
いない。
従来から、ＩＩ−ＶＩ族結晶の作製は、熱的に平衡な条
件で行われてきたが、融点および蒸気圧が高いことから
、結晶成長は、かなり難かしかった。近年、熱的−←非
平衡な条件下で結晶成長を行なう有機金属化学気相法（
ＭＯ−ＣＶＤ法）や分子線エピタキシャル法（ＭＢＥ法
）で比較的良質の結晶が得られているようであるが、電
導タイプの制御の問題が解決されたという報告は実質的
に皆無である。
件で行われてきたが、融点および蒸気圧が高いことから
、結晶成長は、かなり難かしかった。近年、熱的−←非
平衡な条件下で結晶成長を行なう有機金属化学気相法（
ＭＯ−ＣＶＤ法）や分子線エピタキシャル法（ＭＢＥ法
）で比較的良質の結晶が得られているようであるが、電
導タイプの制御の問題が解決されたという報告は実質的
に皆無である。
本発明は上記したような光情報分野における従来の問題
点を改善し、ｎ −ＶＩ族化合物半導体を適用し、短波
長の発光波長を有し、従ってレーザーディスクにおいて
は記録密度の増大が達成され、プリンタ等においては短
波長であるがゆえの高エネルギー化によって感光材料の
感度増大が達成され、走査スピードの高速化が図り得る
半導体発光装置を提供することを目的とするものである
。
点を改善し、ｎ −ＶＩ族化合物半導体を適用し、短波
長の発光波長を有し、従ってレーザーディスクにおいて
は記録密度の増大が達成され、プリンタ等においては短
波長であるがゆえの高エネルギー化によって感光材料の
感度増大が達成され、走査スピードの高速化が図り得る
半導体発光装置を提供することを目的とするものである
。
本発明は直接遷移でバンドギャップを広く変えられるｎ
−ＶＩ族化合物半導体の特性を活かすために、ｎタイプ
を形成しゃすいＩ −ＩＩＩ−ＩＶ２族化合物半導体を
半導体レーザー構造に用いたことに特徴を有する半導体
発光装置である。
−ＶＩ族化合物半導体の特性を活かすために、ｎタイプ
を形成しゃすいＩ −ＩＩＩ−ＩＶ２族化合物半導体を
半導体レーザー構造に用いたことに特徴を有する半導体
発光装置である。
以下、本発明を添付図面を参照して説明する。
第１図は本発明実施例における基本的なディバイスの断
面を示すものである。この第１図において、基板１とし
て■−■族化合物半導体ＧａＰまたはｎ−ｒｖ族化合物
半導体ＺｎＳ、 ＩＶ族半導体Ｓｉを用い、この基板上
にｎ−クラッド層２としてＺｎＳまたはＺｎｘＣｄｌ−
ｘＳｙＳｅ、ｙ（０５ｘ≦１ ＊ ＯＳ ｙ≦１）、活
性層３としてＣｕＧａ（ＳｙＳｅ□−ｙ）、 （０，４
８≦ｙ≦０．８８）またはＣｕＧａｘＡ Ｑ 、−ｘ（
ＳｙＳｅｘ−ｙ）ｚ （ｏ≦Ｘ≦１．０≦ｙ≦１）、Ｐ
−クラッド層４としてＣｕＡ Ｑ （ＳｙＳｅ、ｙ）２
（０゜５≦ｙ≦０．９）またはＣｕＧａｘＡ Ｑ １−
ｘ（ＳｙＳｅｔ−ｙ）ｚ （０≦Ｘ≦１，０≦ｙ≦１）
、キャップ層５としてｐ −ＧａＰ、絶縁層６、ｐ電極
７が順次形成され、基板１の裏面にはｎ電極８が形成さ
れている。
面を示すものである。この第１図において、基板１とし
て■−■族化合物半導体ＧａＰまたはｎ−ｒｖ族化合物
半導体ＺｎＳ、 ＩＶ族半導体Ｓｉを用い、この基板上
にｎ−クラッド層２としてＺｎＳまたはＺｎｘＣｄｌ−
ｘＳｙＳｅ、ｙ（０５ｘ≦１ ＊ ＯＳ ｙ≦１）、活
性層３としてＣｕＧａ（ＳｙＳｅ□−ｙ）、 （０，４
８≦ｙ≦０．８８）またはＣｕＧａｘＡ Ｑ 、−ｘ（
ＳｙＳｅｘ−ｙ）ｚ （ｏ≦Ｘ≦１．０≦ｙ≦１）、Ｐ
−クラッド層４としてＣｕＡ Ｑ （ＳｙＳｅ、ｙ）２
（０゜５≦ｙ≦０．９）またはＣｕＧａｘＡ Ｑ １−
ｘ（ＳｙＳｅｔ−ｙ）ｚ （０≦Ｘ≦１，０≦ｙ≦１）
、キャップ層５としてｐ −ＧａＰ、絶縁層６、ｐ電極
７が順次形成され、基板１の裏面にはｎ電極８が形成さ
れている。
基板１とルてＧａＰ等を用いるのはｎ −ＺｎＳを基板
上に成長されるのに良質なＺｎＳ基板が現在までのとこ
ろ存在しないためである。また、ＧａＰ結晶の格子定数
が５．４５人であることから、ＺｎＳの格子定数５．４
１人との比格子定数差が０．７％程度と比較的小さく、
ＧａＰ基板上にＺｎＳ結晶がエピタキシャル成長しやす
いためである。さらにＧａＰ基板を用いることで電極の
オーミック性を比較的容易に得ることができるという利
点もある。
上に成長されるのに良質なＺｎＳ基板が現在までのとこ
ろ存在しないためである。また、ＧａＰ結晶の格子定数
が５．４５人であることから、ＺｎＳの格子定数５．４
１人との比格子定数差が０．７％程度と比較的小さく、
ＧａＰ基板上にＺｎＳ結晶がエピタキシャル成長しやす
いためである。さらにＧａＰ基板を用いることで電極の
オーミック性を比較的容易に得ることができるという利
点もある。
ＧａＰ基板にｎ−タイプのものを使用するのはＺｎＳ結
晶のＳｅｌｆ−ｃｏｍｐｅｎｓａｔｉｏｎ効果のために
ｎタイプのものを形成できないことによっている。
晶のＳｅｌｆ−ｃｏｍｐｅｎｓａｔｉｏｎ効果のために
ｎタイプのものを形成できないことによっている。
ＺｎＳのバンドギャップは３．６８ｅＶである。本発明
に使用し得るｎ−クラッド層２としてはＩＩ −ＶＩ族
化合物半導体であれば、ＺｎＳに限らず混晶半導体であ
るＺｎ５ｙＳｅ、−ｙ、 ＺｎｘＣｄ、−ｘＳ、 Ｚｎ
ｘＣｄｌ−ｘＳｙＳｅニーｙ（０≦Ｘ≦１．Ｏ≦ｙ≦１
）等が使用できる。ただし、これらの場合、基板として
これら結晶の格子定数と比格子定数差の小さい適当なｎ
−タイプの材料組成を選ぶべきは当然である。
に使用し得るｎ−クラッド層２としてはＩＩ −ＶＩ族
化合物半導体であれば、ＺｎＳに限らず混晶半導体であ
るＺｎ５ｙＳｅ、−ｙ、 ＺｎｘＣｄ、−ｘＳ、 Ｚｎ
ｘＣｄｌ−ｘＳｙＳｅニーｙ（０≦Ｘ≦１．Ｏ≦ｙ≦１
）等が使用できる。ただし、これらの場合、基板として
これら結晶の格子定数と比格子定数差の小さい適当なｎ
−タイプの材料組成を選ぶべきは当然である。
活性層３としては例えばｐ −ＣｕＧａ（ＳｙＳｅ、−
ｙ）。
ｙ）。
をｎ−クラッド層２としてのＺｎＳと格子整合する組成
ｙで成長させて用いる。ＣｕＧａ５．とＣｕＧａＳｅ２
の混晶はベガード則が適用でき、ｙ＝ｏ、ｓ〜０゜９の
範囲内とし、好ましくはｙ＝０．７とする。これにより
ＺｎＳと格子整合する。このｙ＝０．７における組成で
のバンドギャップは２．１８ｅＶである。
ｙで成長させて用いる。ＣｕＧａ５．とＣｕＧａＳｅ２
の混晶はベガード則が適用でき、ｙ＝ｏ、ｓ〜０゜９の
範囲内とし、好ましくはｙ＝０．７とする。これにより
ＺｎＳと格子整合する。このｙ＝０．７における組成で
のバンドギャップは２．１８ｅＶである。
このＣｕＧａ （ＳｙＳｅｌ−ｙ）、の組成と格子定数
との関係を第２図に、そしてバンドギャップとの関係を
第３図に示す。次に、ｐ−クラッドＨ４としては例えば
ＣｕＡ Ｑ （ＳｙＳｅｌ−ｙ）、を用いる。組成ｙに
対するＣｕＡ Ｑ （ＳｙＳｅｌ−ｙ）、の格子定数と
エネルギーバンドギャップとの関係を第４図および第５
図に示す。図示のように、ｙ＝ｏ、４ｇ〜０．８８の範
囲内、好ましくはｙ ＝０．６８とすることにより格子
整合し、ｙ＝０．６８の組成でのバンドギャップ（Ｅｇ
）は３．１６ｅＶである。これら、活性層３およびｐ−
クラッド層４には上記の如きＣｕＧａ （ＳｙＳｅ、
−ｙ）２、ＣｕＡ Ｑ （ＳｙＳｅｚ−ｙ）ｚの他にＩ
ＩＩＩ −■ｚ族化合物半導体から適宜の、例えば
ＣｕＧａｘＡ Ｑ 、ｘ（ＳｙＳｅｚ−ｙ）ｚ （０≦
Ｘ≦１．０≦ｙ≦１）等の化合物半導体をそれぞれ下層
に対し格子整合するような組成で用いることができる。
との関係を第２図に、そしてバンドギャップとの関係を
第３図に示す。次に、ｐ−クラッドＨ４としては例えば
ＣｕＡ Ｑ （ＳｙＳｅｌ−ｙ）、を用いる。組成ｙに
対するＣｕＡ Ｑ （ＳｙＳｅｌ−ｙ）、の格子定数と
エネルギーバンドギャップとの関係を第４図および第５
図に示す。図示のように、ｙ＝ｏ、４ｇ〜０．８８の範
囲内、好ましくはｙ ＝０．６８とすることにより格子
整合し、ｙ＝０．６８の組成でのバンドギャップ（Ｅｇ
）は３．１６ｅＶである。これら、活性層３およびｐ−
クラッド層４には上記の如きＣｕＧａ （ＳｙＳｅ、
−ｙ）２、ＣｕＡ Ｑ （ＳｙＳｅｚ−ｙ）ｚの他にＩ
ＩＩＩ −■ｚ族化合物半導体から適宜の、例えば
ＣｕＧａｘＡ Ｑ 、ｘ（ＳｙＳｅｚ−ｙ）ｚ （０≦
Ｘ≦１．０≦ｙ≦１）等の化合物半導体をそれぞれ下層
に対し格子整合するような組成で用いることができる。
キャップ層５としてはｐ−ＧａＰをｐ−クラッド層４上
に成長させる。
に成長させる。
以上の結晶層はエピタキシャル成長法によって作製する
。
。
次に、絶縁層６として通常のＣＶＤ法やスパッタリング
法によってＳｉ３Ｎ、膜を堆積させる。
法によってＳｉ３Ｎ、膜を堆積させる。
そして、フォトリソ技術によりｐ−電極７のストライプ
領域を形成する。最後に裏面にｎ−電極８を形成して半
導体レーザーが得られる。
領域を形成する。最後に裏面にｎ−電極８を形成して半
導体レーザーが得られる。
ここで、各層の結晶構造、バンドギャップおよび格子定
数を次表に示す。
数を次表に示す。
第１表
以上のような実施例におけるような新しい材料による基
本的な利得導波型電極ストライプＬＤ構造のものは、以
下の半導体レーザーとして必要な条件、すなわち（１）
活性層は直接遷移半導体であること、（２）活性層とク
ラッド層のバンドギャップ差ΔＥｇ ＝ Ｅｇ、ｃｌａ
ｄ −Ｅｇ、ａｃｔｉｖｅは電子または正孔のもれを防
ぐために一定値δ＝０．２〜ｔ）、２３ｅＶ以上なくて
はならない、（３）活性層とクラッド層との格子不整合
率Δａ＝ （ａ、ｃ ｆｌａｄ −ａ、ａｃｔｉｖｅ） ／ ａ
、ａｃｔｉｖｅは理想的にはゼロ、実際問題として〜１
０−４以下でなければならない。また、クラッド層とキ
ャップ層との格子整合も一致していなければならない。
本的な利得導波型電極ストライプＬＤ構造のものは、以
下の半導体レーザーとして必要な条件、すなわち（１）
活性層は直接遷移半導体であること、（２）活性層とク
ラッド層のバンドギャップ差ΔＥｇ ＝ Ｅｇ、ｃｌａ
ｄ −Ｅｇ、ａｃｔｉｖｅは電子または正孔のもれを防
ぐために一定値δ＝０．２〜ｔ）、２３ｅＶ以上なくて
はならない、（３）活性層とクラッド層との格子不整合
率Δａ＝ （ａ、ｃ ｆｌａｄ −ａ、ａｃｔｉｖｅ） ／ ａ
、ａｃｔｉｖｅは理想的にはゼロ、実際問題として〜１
０−４以下でなければならない。また、クラッド層とキ
ャップ層との格子整合も一致していなければならない。
以上のような基本的な利得導波型電極ストライプＬＤに
必要な条件を本実施例レーザーはすべて満足するもので
ある。すなわち、（１）については本実施例のＣｕＧａ
（ＳＩｌ、、 Ｓｅ、 、 、 ）２は適合する。
必要な条件を本実施例レーザーはすべて満足するもので
ある。すなわち、（１）については本実施例のＣｕＧａ
（ＳＩｌ、、 Ｓｅ、 、 、 ）２は適合する。
また（２）についてはｎ−クラッド層と活性層間のδは
１．５ｅＶ、 ｐ−クラッド層２と活性層間のδは０．
５２ｅＶであり適合する。このように、δが大きいため
、得られたレーザーはキャリアのとじ込めが良好になる
ことが予想される。さらに、（３）については、組成ｙ
によって格子整合するように構造設計しているため整合
する。ただし、基板にＧａＰを使用するのでＺｎＳとの
格子不整合率０．７％が上の層に対して影響を及ぼすこ
とが予想されるが、これに対してはエピタキシャル成長
層の工夫により十分解決可能である。得られたＬＤの発
光波長は５６０１程度である。
１．５ｅＶ、 ｐ−クラッド層２と活性層間のδは０．
５２ｅＶであり適合する。このように、δが大きいため
、得られたレーザーはキャリアのとじ込めが良好になる
ことが予想される。さらに、（３）については、組成ｙ
によって格子整合するように構造設計しているため整合
する。ただし、基板にＧａＰを使用するのでＺｎＳとの
格子不整合率０．７％が上の層に対して影響を及ぼすこ
とが予想されるが、これに対してはエピタキシャル成長
層の工夫により十分解決可能である。得られたＬＤの発
光波長は５６０１程度である。
本実施例ではｎ−ＧａＰ基板を用いているが、実際的に
はｐ−ＧａＰ基板を用いてｐ −ＣｕＡ Ｑ （ＳｙＳ
ｅｘ−ｙ）ｚクラッド層、その上にｐ −ＣｕＧａ（Ｓ
ｙＳｅｌ−ｙ）ｚ活性層、その上にｎ−ＺｎＳ、さらに
ｎ −ＧａＰキャップ層の構造でもよい。また、基板と
しては半導体結晶（例えばＳｉの格子定数は５．４３人
）や半導体混晶または歪超格子構造によって基板とクラ
ッド層との格子整合をとることが可能な材料を層間のバ
ッファ層として用いることでも可能である。
はｐ−ＧａＰ基板を用いてｐ −ＣｕＡ Ｑ （ＳｙＳ
ｅｘ−ｙ）ｚクラッド層、その上にｐ −ＣｕＧａ（Ｓ
ｙＳｅｌ−ｙ）ｚ活性層、その上にｎ−ＺｎＳ、さらに
ｎ −ＧａＰキャップ層の構造でもよい。また、基板と
しては半導体結晶（例えばＳｉの格子定数は５．４３人
）や半導体混晶または歪超格子構造によって基板とクラ
ッド層との格子整合をとることが可能な材料を層間のバ
ッファ層として用いることでも可能である。
以上の説明では基本的な利得導波型ＬＤについて行なっ
たが、電流注入領域の構造や屈折率導波構造の導入によ
り、他の構造の発光ディバイスを形成できることは勿論
である。また、本発明によるディバイスの組合せや、他
の機能素子や受動素子とのモノリシック化も可能である
。
たが、電流注入領域の構造や屈折率導波構造の導入によ
り、他の構造の発光ディバイスを形成できることは勿論
である。また、本発明によるディバイスの組合せや、他
の機能素子や受動素子とのモノリシック化も可能である
。
また、活性層にＣｕＧａＳ２／ ＣｕＧａＳｅ、による
多重量子井戸（ＭＱＷ）構造とし、さらには井戸層をＣ
ｕＧａＳｅ２、バリア層をＣｕＧａ５．とした超格子構
造を用いることで、その量子サイズ効果により、さらに
短波長の４８０〜５００ｎｍの発光が可能である。
多重量子井戸（ＭＱＷ）構造とし、さらには井戸層をＣ
ｕＧａＳｅ２、バリア層をＣｕＧａ５．とした超格子構
造を用いることで、その量子サイズ効果により、さらに
短波長の４８０〜５００ｎｍの発光が可能である。
以上のような本発明によれば、発光波長の短波長化が可
能となり、従来のレーザーディスク用光源の可視Ａ Ｑ
ＧａＡｓ系（７８０ｎｍ）に対して数倍程度の記録密
度の増加が期待でき、さらには短波長化による高エネル
ギー化により感光材料に対する感度の増大が得られ、走
査スピードの向上や分解能の向上が可能となるという効
果を有する。
能となり、従来のレーザーディスク用光源の可視Ａ Ｑ
ＧａＡｓ系（７８０ｎｍ）に対して数倍程度の記録密
度の増加が期待でき、さらには短波長化による高エネル
ギー化により感光材料に対する感度の増大が得られ、走
査スピードの向上や分解能の向上が可能となるという効
果を有する。
第１図は本発明実施例における基本的なディバイスの断
面説明図である。 第２図はＣｕＧａ （ＳｙＳｅｔ−ｙ）ｚのｙ組成と格
子定数との関係図である。 第３図はＣｕＧａ（ＳｙＳｅ、−ｙ）、のｙ組成とバン
ドギャップとの関係図である。 第４図はＣｕＡ ｊ２ （ＳｙＳｅｔ−ｙ）ｚのｙ組成
と格子定数との関係図である。 第５図はＣｕＡ ｎ （ＳｙＳｅ、−ｙ）ｚのｙ組成と
バンドギャップとの関係図である。
面説明図である。 第２図はＣｕＧａ （ＳｙＳｅｔ−ｙ）ｚのｙ組成と格
子定数との関係図である。 第３図はＣｕＧａ（ＳｙＳｅ、−ｙ）、のｙ組成とバン
ドギャップとの関係図である。 第４図はＣｕＡ ｊ２ （ＳｙＳｅｔ−ｙ）ｚのｙ組成
と格子定数との関係図である。 第５図はＣｕＡ ｎ （ＳｙＳｅ、−ｙ）ｚのｙ組成と
バンドギャップとの関係図である。
Claims (1)
- １、半導体発光装置において、ｎ−クラッド層としてI
I−VI族化合物半導体ＺｎＳまたはＺｎＳ、ＺｎＳｅ、
ＣｄＳ、ＣｄＳｅ系の混晶半導体を用い、ｐ−クラッド
層および活性層として I −III−VI＿２族化合物半導体
ＣｕＧａＳ＿２、ＣｕＧａＳｅ＿２、ＣｕＡｌＳ＿２、
ＣｕＡｌＳｅ＿２系の混晶半導体を用いたことを特徴と
する半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61287208A JPS63140588A (ja) | 1986-12-01 | 1986-12-01 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61287208A JPS63140588A (ja) | 1986-12-01 | 1986-12-01 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63140588A true JPS63140588A (ja) | 1988-06-13 |
Family
ID=17714456
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61287208A Pending JPS63140588A (ja) | 1986-12-01 | 1986-12-01 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63140588A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01175788A (ja) * | 1987-12-29 | 1989-07-12 | Inkiyuubeetaa Japan:Kk | 可視発光半導体レーザ装置 |
| JPH01184977A (ja) * | 1988-01-20 | 1989-07-24 | Inkiyuubeetaa Japan:Kk | 可視発光半導体レーザ装置 |
| US4992837A (en) * | 1988-11-15 | 1991-02-12 | Kokusai Denshin Denwa Co., Ltd. | Light emitting semiconductor device |
| US5045897A (en) * | 1990-03-14 | 1991-09-03 | Santa Barbara Research Center | Quaternary II-VI materials for photonics |
| JPH05315645A (ja) * | 1992-05-08 | 1993-11-26 | Sharp Corp | 半導体発光装置 |
-
1986
- 1986-12-01 JP JP61287208A patent/JPS63140588A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01175788A (ja) * | 1987-12-29 | 1989-07-12 | Inkiyuubeetaa Japan:Kk | 可視発光半導体レーザ装置 |
| JPH01184977A (ja) * | 1988-01-20 | 1989-07-24 | Inkiyuubeetaa Japan:Kk | 可視発光半導体レーザ装置 |
| US4992837A (en) * | 1988-11-15 | 1991-02-12 | Kokusai Denshin Denwa Co., Ltd. | Light emitting semiconductor device |
| US5045897A (en) * | 1990-03-14 | 1991-09-03 | Santa Barbara Research Center | Quaternary II-VI materials for photonics |
| JPH05315645A (ja) * | 1992-05-08 | 1993-11-26 | Sharp Corp | 半導体発光装置 |
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