JPS63137169A - 真空処理装置 - Google Patents
真空処理装置Info
- Publication number
- JPS63137169A JPS63137169A JP28331686A JP28331686A JPS63137169A JP S63137169 A JPS63137169 A JP S63137169A JP 28331686 A JP28331686 A JP 28331686A JP 28331686 A JP28331686 A JP 28331686A JP S63137169 A JPS63137169 A JP S63137169A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure
- chambers
- sensor
- vacuum
- chamber
- Prior art date
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- Granted
Links
- 238000009489 vacuum treatment Methods 0.000 title abstract 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は予備室と反応室が仕切弁によって仕切られてい
る真空処理装置に関し、特に仕切弁の開く機構に関する
。
る真空処理装置に関し、特に仕切弁の開く機構に関する
。
従来この株の真空処理装置は、第2図に示す様に反応室
1の圧力と予備室2の圧力をそれぞれ真空セン?−3,
4で測定し予備室2の圧力が反応室1と同圧か、又はそ
れに近いある設定した圧力になったことを真空センサー
3が感知し、真空センサー3からの信号で仕切弁5が開
くという機構になっていた。
1の圧力と予備室2の圧力をそれぞれ真空セン?−3,
4で測定し予備室2の圧力が反応室1と同圧か、又はそ
れに近いある設定した圧力になったことを真空センサー
3が感知し、真空センサー3からの信号で仕切弁5が開
くという機構になっていた。
上述した従来の機構では、予備室2が反応室1と同圧に
なった時に、真空センサー3が仕切弁を開ける信号を出
すことにしても、真空センサー3゜4の精度及び零点の
ずれなどから画処理室には微妙な圧力差があp、この様
な圧力差の下で仕切弁5が開くと、反応室1と予備室2
の間に気体の流れが生じてしまう。この気体の流れは真
空処理には悪影響を及はすパーティクル発生の原因とな
るといり欠点があった。
なった時に、真空センサー3が仕切弁を開ける信号を出
すことにしても、真空センサー3゜4の精度及び零点の
ずれなどから画処理室には微妙な圧力差があp、この様
な圧力差の下で仕切弁5が開くと、反応室1と予備室2
の間に気体の流れが生じてしまう。この気体の流れは真
空処理には悪影響を及はすパーティクル発生の原因とな
るといり欠点があった。
本発明は上記欠点を解釈し反応室1と予備室2に圧力差
が無い状態で、仕切弁5が開き、パーティクル発生を防
ぐことを提供するものである。
が無い状態で、仕切弁5が開き、パーティクル発生を防
ぐことを提供するものである。
本発明の真空処理装置は、反応室、予備室のそれぞれの
真空度を測る真空センブ、この真空センサーからの信号
で作動し、両室の圧力差を見るための1つの圧力センサ
ー、およびこの圧力センサーからの信号で両室の圧力を
微調整する圧力鉤整器と仕切弁より構成される。
真空度を測る真空センブ、この真空センサーからの信号
で作動し、両室の圧力差を見るための1つの圧力センサ
ー、およびこの圧力センサーからの信号で両室の圧力を
微調整する圧力鉤整器と仕切弁より構成される。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例である。反応室1と予備室2
を圧力センサー7で結び、圧力センサー7と両室の間に
バルブ8を設ける。仕切弁6を閉じ、予備室2の真空排
気を行なう。反応室1は真空に保たれておシ1両室は真
空セン”j−3,4でσ用足する。
を圧力センサー7で結び、圧力センサー7と両室の間に
バルブ8を設ける。仕切弁6を閉じ、予備室2の真空排
気を行なう。反応室1は真空に保たれておシ1両室は真
空セン”j−3,4でσ用足する。
真空セン?−3で予備室2の圧力が真空センサ−4での
反応室1の圧力と同程度になったことが検知されると、
この信号によってバルブ8が開き画室の差圧が圧力セン
?−7によって測定される。
反応室1の圧力と同程度になったことが検知されると、
この信号によってバルブ8が開き画室の差圧が圧力セン
?−7によって測定される。
圧力センサー7の構造は、2つの固定電極9間に隔膜1
0が張られておシ、圧力変化で隔膜間の静電容量の変化
が電圧計11に出力されるというものである。電圧計1
1の出力電圧に応じて、圧力調整器12が働き、反応室
1と予備室2の圧力の微調整を行ない、出力電圧が零に
なると、この信号が仕切弁5に送られ、これが開く。
0が張られておシ、圧力変化で隔膜間の静電容量の変化
が電圧計11に出力されるというものである。電圧計1
1の出力電圧に応じて、圧力調整器12が働き、反応室
1と予備室2の圧力の微調整を行ない、出力電圧が零に
なると、この信号が仕切弁5に送られ、これが開く。
以上説明したように本発明は反応室と予備室に圧力差が
無い状態で仕切弁を開けることにより、両室間に生ずる
気体の流れを防ぐことができ、真空処理工程におけるパ
ーティクルの発生を激減できる効果がある。
無い状態で仕切弁を開けることにより、両室間に生ずる
気体の流れを防ぐことができ、真空処理工程におけるパ
ーティクルの発生を激減できる効果がある。
第1図は本発明の一実施例を示す図、第2図は従来の真
空処理装置の概念図である。 1・・・反応室、2・・・予備室、3,4・・・真空セ
ンサー、5.6・・・仕切弁、7・・・圧力センサー、
8・・・バルブ、9・・・電極、10・・・隔膜、11
・・・電圧計、12・・・圧力調整器。 憂 1 回 茅 2T5!J
空処理装置の概念図である。 1・・・反応室、2・・・予備室、3,4・・・真空セ
ンサー、5.6・・・仕切弁、7・・・圧力センサー、
8・・・バルブ、9・・・電極、10・・・隔膜、11
・・・電圧計、12・・・圧力調整器。 憂 1 回 茅 2T5!J
Claims (1)
- 反応室と予備室が仕切弁によって仕切られている真空処
理装置において、前記両室の圧力を測定する真空センサ
ーと、前記両室の差圧を測定する圧力センサーと、前記
両室の圧力を調整する手段とを具備し、該真空センサー
で前記両室の圧力がほぼ同程度になると、該圧力センサ
ーで前記両室の圧力差を測り、ここで前記両室の差圧を
ほぼ零に調整して前記仕切弁が開ようにした機能を有す
ることを特徴とする真空処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61283316A JPH0649940B2 (ja) | 1986-11-27 | 1986-11-27 | 真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61283316A JPH0649940B2 (ja) | 1986-11-27 | 1986-11-27 | 真空処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63137169A true JPS63137169A (ja) | 1988-06-09 |
JPH0649940B2 JPH0649940B2 (ja) | 1994-06-29 |
Family
ID=17663882
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61283316A Expired - Lifetime JPH0649940B2 (ja) | 1986-11-27 | 1986-11-27 | 真空処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0649940B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0557170A (ja) * | 1991-08-29 | 1993-03-09 | Nec Corp | 真空処理装置 |
JPH10270164A (ja) * | 1997-03-26 | 1998-10-09 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法およびその製造装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5487477A (en) * | 1977-12-23 | 1979-07-11 | Kokusai Electric Co Ltd | Device for etching and stripping semiconductor wafer |
-
1986
- 1986-11-27 JP JP61283316A patent/JPH0649940B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5487477A (en) * | 1977-12-23 | 1979-07-11 | Kokusai Electric Co Ltd | Device for etching and stripping semiconductor wafer |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0557170A (ja) * | 1991-08-29 | 1993-03-09 | Nec Corp | 真空処理装置 |
JPH10270164A (ja) * | 1997-03-26 | 1998-10-09 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法およびその製造装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0649940B2 (ja) | 1994-06-29 |
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