JPS63129604A - 高周波チヨ−ク - Google Patents

高周波チヨ−ク

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JPS63129604A
JPS63129604A JP27697786A JP27697786A JPS63129604A JP S63129604 A JPS63129604 A JP S63129604A JP 27697786 A JP27697786 A JP 27697786A JP 27697786 A JP27697786 A JP 27697786A JP S63129604 A JPS63129604 A JP S63129604A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resistor
substrate
conductor
high frequency
conductor piece
Prior art date
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Pending
Application number
JP27697786A
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English (en)
Inventor
Takumi Ito
巧 伊藤
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 誘電体基板の表面に導体薄膜を螺旋状に蒸着したインダ
クタンス・コイルにおいて、螺旋状の導体以外の周囲部
分を抵抗体とすることによって、小形で、かつ、使用周
波数帯域の広い高周波チョークを実現したもの。
〔産業上の利用分野〕
本発明はマイクロ波回路における高周波チョークに係り
、特に誘電体基板の表面に薄膜材料を蒸着させて構成回
路を集積化するMIC回路の薄膜技術により作られる高
周波チョークに関する。
高周波回路でよく用いられるマイクロストリップライン
などで構成されるマイクロ波回路において、トランジス
タなどの能動デバイスに直流バイアスを加える場合、マ
イクロ波信号が直流バイアス回路に漏洩するのを防止す
るため、高周波チョークが用いられる。
MIC化されたマイクロ波回路の高周波チョークとして
は、小形で使用周波数帯域が広いことが望まれている。
〔従来の技術〕
従来の高周波チョークは第2図へに示すごとく、誘電体
基板lの表面に薄膜導体2を螺旋状に付着させて高周波
信号を寒流するインダクタンス・コイルをつくるものと
、同図Bに示すごとく、誘電体基板の表面にλg/4長
の導体片(但しλgは誘電体基板の誘電率などで定まる
動作マイクロ波信号の実効波長である)を形成させ、直
流バイアスの給電点で動作マイクロ波信号に対して無限
大インピーダンスを呈する回路をつくるものがある。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の高周波チョークのうち、前者の図へのインダクタ
ンス・コイルを形成する高周波チョークは、インダクタ
ンスの値としてあまり高い値を得ることが出来ず、然も
、形が大きくなるという問題がある。
また、後者の図Bのλg/4線路を形成する高周波チョ
ークは、分布定数共振回路を用いているため、漏洩を防
止できる信号の周波数帯域が狭く、然も、形が大きくな
るという問題がある。
〔問題点を解決するための手段〕
上記の従来の高周波チョークの問題点は、第1図に示す
ごとく、誘電体基板1の表面に導体片2を螺旋状に設け
たインダクタンス・コイルにおいて、螺旋状の導体片2
以外の周囲部分を抵抗体3とすることによって解決され
る。
〔作用〕
螺旋状の導体片2以外の周囲部分を抵抗体3とすること
により、インダクタンス・コイルとしての寒流作用の他
に、抵抗体の吸収作用により高周波信号の漏洩を広い周
波数帯域にわたって少なくすることが出来る。
〔実施例〕
第1図は本発明の実施例の高周波チョークの構成を示す
構造図である。
本実施例の高周波チョークは、誘電体基板1としてセラ
ミック板を用い、導体片2として導電率の良%s Au
を用い、抵抗体3としてCrを用いる。
作り方としては、図Bの断面図に示すごとく、誘電体基
板Iのセラミック基板の表面に抵抗体3としてのCrと
その上に導体片2としてのAuの2重の薄膜層を蒸着し
、裏面には接地導体としてCuを蒸着した素基板を用い
る。
この素基板の表面の抵抗体Crと導体片Auの2重の薄
膜層は、マスク印刷技術によって螺旋状の導体片Auを
残し、その周囲の導体Auをエツチングにより取り除い
て下層の抵抗体Crを表面に出す。
すると、セラミック基板1の表面には、図Aに示すごと
き、周囲が抵抗体Crで囲まれた導体片^Uによりコイ
ルのパターンが得られ高周波チョークが得られる。
本実施例の高周波チョークは、導体片Auで形成される
コイルのインダクタンスによる寒流作用の他に、抵抗体
Crによる吸収作用が加わるので、小形で、かつ、広い
周波数帯域で高周波信号の漏洩を少な(できる高周波チ
ョーク生なる。
〔発明の効果〕
上述したごとく、本発明によれば、小形で、かつ、広い
周波数帯域で高周波信号の漏洩を少なくできる?IIC
回路用の高周波チョークを実現できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例の高周波チョークの構成を示す
構造図、 第2図は従来例の高周波チョークの構成を示す構造図で
ある。 第1図において、 1は誘電体基板、 2は導体、 3は抵抗体である。 回 B 精it口 第1図 図へ  スパイラルコイル 図8 χ匙1蝶滲形 在来例み高置X+Fーフカ構成を示イ 溝」を田 第 Z 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  誘電体基板(1)の表面に導体(2)を螺旋状に設け
    たインダクタンス・コイルにおいて、前記螺旋状の導体
    (2)以外の部分を抵抗体(3)とすることを特徴とす
    る高周波チョーク。
JP27697786A 1986-11-20 1986-11-20 高周波チヨ−ク Pending JPS63129604A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0353609A (ja) * 1989-07-20 1991-03-07 Murata Mfg Co Ltd 積層型lrフィルタの製造方法
JPH0353607A (ja) * 1989-07-20 1991-03-07 Murata Mfg Co Ltd 積層型lrフィルタの製造方法
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JPH0353606A (ja) * 1989-07-20 1991-03-07 Murata Mfg Co Ltd 積層型lrフィルタの製造方法
EP0436385A2 (en) * 1989-12-28 1991-07-10 Murata Manufacturing Co., Ltd. High-frequency inductor and manufacturing method thereof

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5731831B2 (ja) * 1977-12-26 1982-07-07

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