JPS63126288A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS63126288A JPS63126288A JP27250586A JP27250586A JPS63126288A JP S63126288 A JPS63126288 A JP S63126288A JP 27250586 A JP27250586 A JP 27250586A JP 27250586 A JP27250586 A JP 27250586A JP S63126288 A JPS63126288 A JP S63126288A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- single crystal
- zns
- film
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 17
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 2
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 abstract 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 18
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- RVIXKDRPFPUUOO-UHFFFAOYSA-N dimethylselenide Chemical compound C[Se]C RVIXKDRPFPUUOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N dimethylzinc Chemical compound C[Zn]C AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 2
- 241000238557 Decapoda Species 0.000 description 1
- QMMFVYPAHWMCMS-UHFFFAOYSA-N Dimethyl sulfide Chemical compound CSC QMMFVYPAHWMCMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 Zn5e and ZnS Chemical class 0.000 description 1
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 231100001231 less toxic Toxicity 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- SPVXKVOXSXTJOY-UHFFFAOYSA-N selane Chemical compound [SeH2] SPVXKVOXSXTJOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000058 selane Inorganic materials 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、異種材料を積層することにより構成された半
導体装置に関するものである。
導体装置に関するものである。
従来の技術
可視光帯、特に４００ｎｍ帯のＬＤもしくはＬＥＤの開
発が望まれている現在、２．６ｅＶ以上の禁止帯幅を有
するＺｎ５ｅ、ＺｎＳ等の［１−ＶＩ族化合物が脚光を
浴びている。しかしこれらの材料はダイオードを作製す
るために必要なｐ −ｎ接合の形成が極めて困難である
という大きな問題をかかえている。
発が望まれている現在、２．６ｅＶ以上の禁止帯幅を有
するＺｎ５ｅ、ＺｎＳ等の［１−ＶＩ族化合物が脚光を
浴びている。しかしこれらの材料はダイオードを作製す
るために必要なｐ −ｎ接合の形成が極めて困難である
という大きな問題をかかえている。
この問題を解決するためこれらの材料を用いたＳ ＨＧ
（Ｓｅｃｏｎｄ Ｈａｒｍｏｎｉｃ Ｇｅｎｅｒａｔ
ｉｏｎ）素子が注目を集めている。一般にＩＩ−ＶＩ族
化合物半導体は非線形光学効果が強く、また吸収端も短
波長領域にあるため、青色もしくはそれより短波のレー
ザー光を発するＳＨＧ素子用材料として極めて有望であ
る。さらにこのＳＨＧ素子は従来ＬＤ等の作製に必要と
されたｐ −ｎ接合を必要としないというメリットをも
っている。
（Ｓｅｃｏｎｄ Ｈａｒｍｏｎｉｃ Ｇｅｎｅｒａｔ
ｉｏｎ）素子が注目を集めている。一般にＩＩ−ＶＩ族
化合物半導体は非線形光学効果が強く、また吸収端も短
波長領域にあるため、青色もしくはそれより短波のレー
ザー光を発するＳＨＧ素子用材料として極めて有望であ
る。さらにこのＳＨＧ素子は従来ＬＤ等の作製に必要と
されたｐ −ｎ接合を必要としないというメリットをも
っている。
第２図に従来の■−■族化合物半導体を用いたＳＨＧ素
子の構造断面図を示す。１１はＧ ａ Ａ ｓ基板、１
２および１２′は光閉じ込め用クラッド層であるＺｎＳ
単結晶薄膜、１３は光導波層であるＺ ｎ Ｓ ｏ 、
ｓＳ ＠ ｏ 、ｓ単結晶薄膜である。光導波層１３の
膜厚は０．５μｍ１クラツド層１２および１２′の膜厚
は２μｍである。また光導波路長は１５間である。レー
ザー光源としてはＧ ａ Ａ ｓ ／Ａ ｎ Ｇ ａ
Ａ ｓＤＨレーザーを用い、波長λ＝０．８３μｍのレ
ーザー光を光導波層１３の片端面より入射し、光導波路
中を伝搬させる。レーザー光が光導波層１３を伝搬する
と共に、Ｚ ｎ ｏ 、 ｓ Ｓ ｅ ｏ 、ｓの非線
形光学効果により２倍高調波を発生し、反対側の片端面
よりλ＝０．４２μｍのレーザー光が出射する。
子の構造断面図を示す。１１はＧ ａ Ａ ｓ基板、１
２および１２′は光閉じ込め用クラッド層であるＺｎＳ
単結晶薄膜、１３は光導波層であるＺ ｎ Ｓ ｏ 、
ｓＳ ＠ ｏ 、ｓ単結晶薄膜である。光導波層１３の
膜厚は０．５μｍ１クラツド層１２および１２′の膜厚
は２μｍである。また光導波路長は１５間である。レー
ザー光源としてはＧ ａ Ａ ｓ ／Ａ ｎ Ｇ ａ
Ａ ｓＤＨレーザーを用い、波長λ＝０．８３μｍのレ
ーザー光を光導波層１３の片端面より入射し、光導波路
中を伝搬させる。レーザー光が光導波層１３を伝搬する
と共に、Ｚ ｎ ｏ 、 ｓ Ｓ ｅ ｏ 、ｓの非線
形光学効果により２倍高調波を発生し、反対側の片端面
よりλ＝０．４２μｍのレーザー光が出射する。
発明が解決しようとする問題点
上記従来例では基板としてＧ ａ Ａ ｓを用いている
が、現在ＧａＡｓ基板は非常に高価であシ、またＧａや
Ａｓは非常に毒性が強いという問題をもっている。しか
し安価で毒性が弱いＳｉ基板上に高品質のｎ−ＶＩ族化
合物半導体をエピタキシャル成長することは現在のとこ
ろ多くの問題を有している。
が、現在ＧａＡｓ基板は非常に高価であシ、またＧａや
Ａｓは非常に毒性が強いという問題をもっている。しか
し安価で毒性が弱いＳｉ基板上に高品質のｎ−ＶＩ族化
合物半導体をエピタキシャル成長することは現在のとこ
ろ多くの問題を有している。
一般に化合物ではないＳｉは、結晶構造に極性をもつ化
合物とは結合力が弱いだめ、Ｓｉ基板上に化合物を直接
エピタキシャル成長行った場合、成長層の基板に対する
密着度が非常に悪い。一方９１０２基板上に化合物をエ
ピタキシャル成長行うと非常に基板に対する密着度は良
いが、得られた成長層は多結晶となってしまう。
合物とは結合力が弱いだめ、Ｓｉ基板上に化合物を直接
エピタキシャル成長行った場合、成長層の基板に対する
密着度が非常に悪い。一方９１０２基板上に化合物をエ
ピタキシャル成長行うと非常に基板に対する密着度は良
いが、得られた成長層は多結晶となってしまう。
従ってデバイス応用にいたる高品質なｎ−ＶＩ族化合物
をＳｉ基板上にエピタキシャル成長することは不可能で
あった。
をＳｉ基板上にエピタキシャル成長することは不可能で
あった。
問題点を解決するだめの手段
上記問題点を解決するための本発明の技術的手段は、絶
縁膜により被覆された部分と半導体基板表面が露出した
部分を有する半導体基板上に、例えば有機金属気相成長
法によシ２種以上のｎ −ｖｉ族化合物半導体からなる
歪超格子層を形成し、しかる後その層上に［１−ＶＩ族
化合物半導体からなるペテロ接合デバイスを提供するこ
とである。
縁膜により被覆された部分と半導体基板表面が露出した
部分を有する半導体基板上に、例えば有機金属気相成長
法によシ２種以上のｎ −ｖｉ族化合物半導体からなる
歪超格子層を形成し、しかる後その層上に［１−ＶＩ族
化合物半導体からなるペテロ接合デバイスを提供するこ
とである。
作 用
本発明の作用を以下に示す。
絶縁膜によシ被覆された部分と半導体基板表面が露出し
た部分を有する半導体基板上に歪超格子層を形成するこ
とにより、絶縁膜上の歪超格子で成長層の密着度を増す
と共に、露出した半導体基板上の歪超格子で単結晶エビ
成長の下地を形成する。また格子不整合が歪超格子によ
り緩和され、ミスフィツト転移等の欠陥の発生が抑制で
きると共に、格子不整合による基板のそりの問題も絶縁
膜上の成長層による緩和から抑制できる。
た部分を有する半導体基板上に歪超格子層を形成するこ
とにより、絶縁膜上の歪超格子で成長層の密着度を増す
と共に、露出した半導体基板上の歪超格子で単結晶エビ
成長の下地を形成する。また格子不整合が歪超格子によ
り緩和され、ミスフィツト転移等の欠陥の発生が抑制で
きると共に、格子不整合による基板のそりの問題も絶縁
膜上の成長層による緩和から抑制できる。
実施例
以下、本発明の一実施例を第１図と共に説明する。
第１図において、１はＳｉ基板、２はパターンニングさ
れたＳ １０２熱酸化膜、３はＺｎＳとＺｎ５ｏ、９Ｓ
＠ｏ、１の歪超格子層、４および４′は光閉じ込め用
クラッド層であるＺｎＳ単結晶層、６は光導波層である
Ｚｎ Ｓｏ 、ｓＳ ｅｏ 、ｓ単結晶層である。
れたＳ １０２熱酸化膜、３はＺｎＳとＺｎ５ｏ、９Ｓ
＠ｏ、１の歪超格子層、４および４′は光閉じ込め用
クラッド層であるＺｎＳ単結晶層、６は光導波層である
Ｚｎ Ｓｏ 、ｓＳ ｅｏ 、ｓ単結晶層である。
光導波層６の膜厚は０．５μｍ、クラッド層４および４
′の膜厚ば２μｍである。歪超格子層３はＺｎＳの膜厚
が１００人、Ｚｎ５ｏ 、９Ｓ ｅｏ 、１の膜厚が１
００′人で、順次交互に積層してその周期は１０周期と
する。５１０２熱酸化膜の膜厚は０．２μｍでストライ
プ状に所定の間隔をへだてて多数形成されており、その
ストライプ幅は３μｍ１間隔は８μｍとした。また光導
波路長は１５間である。
′の膜厚ば２μｍである。歪超格子層３はＺｎＳの膜厚
が１００人、Ｚｎ５ｏ 、９Ｓ ｅｏ 、１の膜厚が１
００′人で、順次交互に積層してその周期は１０周期と
する。５１０２熱酸化膜の膜厚は０．２μｍでストライ
プ状に所定の間隔をへだてて多数形成されており、その
ストライプ幅は３μｍ１間隔は８μｍとした。また光導
波路長は１５間である。
次に本装置の装造方法について説明する。本実施例では
エピタキシャル成長法として有機金属気相成長法（ＭＯ
ＶＰＥ）を用いたがこれに限るものではなく、分子線エ
ピタキシー法（ＭＢＥ）、またはホットウォール法等を
用いてもよい。まず、清浄なＳｉ基板上に熱酸化法によ
りＳ １０２膜を形成する。しかる後、フォトおよびエ
ツチング工程によりストライプパターンを得る。次にＭ
ＯＶＰＥにより基板上に順次エピタキシャル成長を行う
。
エピタキシャル成長法として有機金属気相成長法（ＭＯ
ＶＰＥ）を用いたがこれに限るものではなく、分子線エ
ピタキシー法（ＭＢＥ）、またはホットウォール法等を
用いてもよい。まず、清浄なＳｉ基板上に熱酸化法によ
りＳ １０２膜を形成する。しかる後、フォトおよびエ
ツチング工程によりストライプパターンを得る。次にＭ
ＯＶＰＥにより基板上に順次エピタキシャル成長を行う
。
本実施例では原料ガスとしてジメチル亜鉛（ＤＭＺ）、
ジメチルセレン（ＤＭＳｅ ）、ジメチル硫黄（ＤＭＳ
）を用いたが、■族原料としてセレン化水素（Ｈ２Ｓ
ｅ ）、硫化水素（Ｈ２Ｓ）を用いてもよい。成長条件
は装置にもかなり依存するが、例えばＺｎＳ単結晶薄膜
の場合、基板温度４００℃、ＤＭＺのＨ２の流量（０℃
） ＝ ２．５ＣＣ／ｘｉＲ，ＤＭ Ｓ ＯＨ２（Ｄ流
ｆ＝（０℃） ＝９ ｃｃ／Ｕｎｌ Ｈ２総流量＝ １
．４１７ｇ１ｎ、減圧１００ Ｔｏｒｒ下で良好なエピ
タキシャル成長が可能となる。またＺｎ５ｏ 、ｓＳ
Ｓｏ 、ｓおよびＺｎ５ｏ、９Ｓ ＠ｏ、１単結晶薄膜
の場合、ＤＭＺのＨ２の流量（０℃）＝２−６ＣＬ／ｍ
、ＤＭ！３ｅの）の流量（１５℃）−３Ｃｉおよび０．
５ ｃｃ、／ｌ！Ｘ 、ＤＭＳのＨ２の流量（０℃）＝
９ＣＱ／ｍｉｘで同じく良好なエピタキシャル成長が可
能となる。
ジメチルセレン（ＤＭＳｅ ）、ジメチル硫黄（ＤＭＳ
）を用いたが、■族原料としてセレン化水素（Ｈ２Ｓ
ｅ ）、硫化水素（Ｈ２Ｓ）を用いてもよい。成長条件
は装置にもかなり依存するが、例えばＺｎＳ単結晶薄膜
の場合、基板温度４００℃、ＤＭＺのＨ２の流量（０℃
） ＝ ２．５ＣＣ／ｘｉＲ，ＤＭ Ｓ ＯＨ２（Ｄ流
ｆ＝（０℃） ＝９ ｃｃ／Ｕｎｌ Ｈ２総流量＝ １
．４１７ｇ１ｎ、減圧１００ Ｔｏｒｒ下で良好なエピ
タキシャル成長が可能となる。またＺｎ５ｏ 、ｓＳ
Ｓｏ 、ｓおよびＺｎ５ｏ、９Ｓ ＠ｏ、１単結晶薄膜
の場合、ＤＭＺのＨ２の流量（０℃）＝２−６ＣＬ／ｍ
、ＤＭ！３ｅの）の流量（１５℃）−３Ｃｉおよび０．
５ ｃｃ、／ｌ！Ｘ 、ＤＭＳのＨ２の流量（０℃）＝
９ＣＱ／ｍｉｘで同じく良好なエピタキシャル成長が可
能となる。
上述の成長条件でまず基板上にＺｎＳとＺｎ５ｏ 、ｓ
Ｓ ｅ ｏ、１の歪超格子層を積層し、順次ＺｎＳ
単結晶薄膜のクラッド層、Ｚ ｎ Ｓ ｏ 、ｓ Ｓ
（３ｏ 、ｓ単結晶薄膜の光導波層、ＺｎＳ 単結晶
薄膜のクラッド層を積層する。
Ｓ ｅ ｏ、１の歪超格子層を積層し、順次ＺｎＳ
単結晶薄膜のクラッド層、Ｚ ｎ Ｓ ｏ 、ｓ Ｓ
（３ｏ 、ｓ単結晶薄膜の光導波層、ＺｎＳ 単結晶
薄膜のクラッド層を積層する。
この方法により極めて良好な表面モホロジーを有する単
結晶薄膜積層構造を形成することができ、光伝搬ロスも
ａ （０，７ｄＢ／ｃｒｎ（λ、：４２ｎｍ）と極めて
良好な特性が得られた。まだ基板のそりもほとんど観測
されなかった。
結晶薄膜積層構造を形成することができ、光伝搬ロスも
ａ （０，７ｄＢ／ｃｒｎ（λ、：４２ｎｍ）と極めて
良好な特性が得られた。まだ基板のそりもほとんど観測
されなかった。
尚、Ｓ ｉＯ２ストライプの高さ２幅９間隔等を最適化
することにより横方向の光の閉じ込めも可能となり、Ｓ
ＨＧの効率のアップもはかれる。
することにより横方向の光の閉じ込めも可能となり、Ｓ
ＨＧの効率のアップもはかれる。
以上の説明においてＳｔ基板を用いたが、ＧａＡｓ。
ＩｎＰ等を用いてもよく、また絶縁膜としてＳｉＮ４等
を用いることも可能である。さらに歪超格子材料として
ＺｎＳＳｅとＺｎＳを用いたが、それぞれＺｎＳ ｅと
ＺｎＳ、Ｚｎ５ｅとＺｎＳＳｅ、ＺｎＴｅとＺｎＳ ｅ
ｌＺｎ ＴｏとＺｎ５ｅＴｅ等であってもよく、混晶の
組成もＸ＝０．９と異なるものでもよい。また光導波層
とクラッド層も本構成と同一でなくてもよく、クラッド
層の屈折率が光導波層よシ小さいように選択すれば、Ｚ
ｎ５ｅ、 ＺｎＴｅ１ＺｎＳｅＴｅ、 ＺｎＳＴｅ等で
あってもよい。各層の膜厚や歪超格子層の周期も最適な
ものを選ぶことができる。
を用いることも可能である。さらに歪超格子材料として
ＺｎＳＳｅとＺｎＳを用いたが、それぞれＺｎＳ ｅと
ＺｎＳ、Ｚｎ５ｅとＺｎＳＳｅ、ＺｎＴｅとＺｎＳ ｅ
ｌＺｎ ＴｏとＺｎ５ｅＴｅ等であってもよく、混晶の
組成もＸ＝０．９と異なるものでもよい。また光導波層
とクラッド層も本構成と同一でなくてもよく、クラッド
層の屈折率が光導波層よシ小さいように選択すれば、Ｚ
ｎ５ｅ、 ＺｎＴｅ１ＺｎＳｅＴｅ、 ＺｎＳＴｅ等で
あってもよい。各層の膜厚や歪超格子層の周期も最適な
ものを選ぶことができる。
さらに非線形光学素子と半導体レーザーやＶＬＳＩ等と
の一体化素子として、あらかじめこれらの素子が形成さ
れているＳｔ基板等に非線形光学素子を形成することも
可能である。
の一体化素子として、あらかじめこれらの素子が形成さ
れているＳｔ基板等に非線形光学素子を形成することも
可能である。
発明の効果
以上述べてきたように、本発明によれば、Ｓｉ基板上の
Ｈ−ＶＩ族化合物エピタキシャル成長の問題点であった
基板への密着度を増し、さらに格子不整合の悪影響を抑
制して、極めて高品質な単結晶エピタキシャル膜を形成
できるようになり、Ｓｉ基板上にＩＩ−ＶＩ族化合物へ
テロ接合デバイスを作成することが可能となった。
Ｈ−ＶＩ族化合物エピタキシャル成長の問題点であった
基板への密着度を増し、さらに格子不整合の悪影響を抑
制して、極めて高品質な単結晶エピタキシャル膜を形成
できるようになり、Ｓｉ基板上にＩＩ−ＶＩ族化合物へ
テロ接合デバイスを作成することが可能となった。
第１図は本発明の一実施例における半導体装置の断面斜
視図、第２図は従来の半導体装置の断面図である。 １・・・・・・Ｓｔ基板、２・・・・・・３１０２熱酸
化膜、３・・・・・・歪超格子。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名１−
−３ε５ｊ奴 ２−・δ、θ、枯ｒＩＩＬ化咲 ３− 歪埋みか４ 男 ２ 図
視図、第２図は従来の半導体装置の断面図である。 １・・・・・・Ｓｔ基板、２・・・・・・３１０２熱酸
化膜、３・・・・・・歪超格子。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名１−
−３ε５ｊ奴 ２−・δ、θ、枯ｒＩＩＬ化咲 ３− 歪埋みか４ 男 ２ 図
Claims (3)
- （１）絶縁膜が形成された部分と半導体基板表面が露出
した部分を有する前記半導体基板の一主面上に、２種類
以上のII−VI族半導体からなる歪超格子層が積層されて
なる半導体装置。 - （２）絶縁層がＳｉＯ＿２である特許請求の範囲第１項
記載の半導体装置。 - （３）半導体基板の一部にすでに半導体レーザーあるい
はＶＬＳＩが構成されている特許請求の範囲第１項記載
の半導体装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27250586A JPS63126288A (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | 半導体装置 |
| US07/076,549 US4866489A (en) | 1986-07-22 | 1987-07-22 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27250586A JPS63126288A (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63126288A true JPS63126288A (ja) | 1988-05-30 |
Family
ID=17514839
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27250586A Pending JPS63126288A (ja) | 1986-07-22 | 1986-11-14 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63126288A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0685401A (ja) * | 1991-12-28 | 1994-03-25 | Gold Star Co Ltd | 半導体レーザ |
| US5959308A (en) * | 1988-07-25 | 1999-09-28 | Texas Instruments Incorporated | Epitaxial layer on a heterointerface |
-
1986
- 1986-11-14 JP JP27250586A patent/JPS63126288A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5959308A (en) * | 1988-07-25 | 1999-09-28 | Texas Instruments Incorporated | Epitaxial layer on a heterointerface |
| JPH0685401A (ja) * | 1991-12-28 | 1994-03-25 | Gold Star Co Ltd | 半導体レーザ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4866489A (en) | Semiconductor device | |
| KR940005740B1 (ko) | 반도체소자와 그 제조방법 | |
| CA1102903A (en) | Fabrication of mesa devices by mbe growth over channeled substrates | |
| JPH07302952A (ja) | 光半導体装置の製造方法 | |
| JPS63126288A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63200586A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH04127521A (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| JPH06314657A (ja) | 光半導体素子の製造方法 | |
| JPH08274295A (ja) | 光半導体装置の製造方法 | |
| JPS6394230A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH06196797A (ja) | 光変調器集積化光源素子およびその製造方法 | |
| JP2013051319A (ja) | 光半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JP2000031596A (ja) | 半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法 | |
| JPH08139404A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPS6327804A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2682482B2 (ja) | 化合物半導体集積回路の製造方法 | |
| JPS63318732A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6327803A (ja) | 半導体装置 | |
| KR101471620B1 (ko) | 산화아연 박막 구조체 및 이의 제조방법 | |
| JPH0269703A (ja) | 分岐型光導波路 | |
| JPH02251909A (ja) | 光導波路 | |
| JPH0799370A (ja) | 半導体光導波路 | |
| JPH0351805A (ja) | 半導体光導波路 | |
| JPH0271575A (ja) | 光集積回路 | |
| JPH0281006A (ja) | 光導波路 |