JPS6312372B2 - - Google Patents
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- JPS6312372B2 JPS6312372B2 JP56119514A JP11951481A JPS6312372B2 JP S6312372 B2 JPS6312372 B2 JP S6312372B2 JP 56119514 A JP56119514 A JP 56119514A JP 11951481 A JP11951481 A JP 11951481A JP S6312372 B2 JPS6312372 B2 JP S6312372B2
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
本発明は高誘電率を有し、静電容量の温度特性
が優れている(Sr、Ca)TiO3系半導体磁器コン
デンサ素体及びその製造方法に関するものであ
る。 今日、電子機器の技術革新が目覚しく、例えば
マイクロテープカセツトレコーダ、携帯用ステレ
オラジオなどが超小型化されている。このような
電子機器の小型化に伴い、それぞれの電気回路に
使用される磁器コンデンサも回路基板への配設密
度を高めるためにできる限り小型化されることが
望まれている。また同時に超小型化された電子機
器は、温度環境の異なるところへ移動されること
が多く、温度が著しく異なるところで使用される
ため、組み込まれる磁器コンデンサは、特に温度
変化に対し安定であることが望まれている。 そこで、本発明の目的は、見掛けの比誘電率が
7000以上であり、またコンデンサにした際の静電
容量の温度特性が±7%以下であり、またtanδが
1.5%以下であり、更にまた絶縁抵抗Rが104MΩ
(比抵抗ρ1011Ω・cm)以上である半導体磁器コン
デンサ素体及びその製造方法を提供することにあ
る。 上記目的を達成するための本発明は、(Sr(1-x)
Cax)TiyO2y+1(但し、x=0.31〜0.52、y=
0.99〜1.01である)(以下、第1成分と呼ぶ)を
95.50〜99.94モル%、CeO2、La2O3、WO3、
Gd2O3、Y2O3、及びDy2O3のうちの少なくとも
一種の金属酸化物(以下、第2成分と呼ぶ)を
0.01〜2.00モル%、CuO、MnO2、Bi2O3、及び
PbOのうちの少なくとも一種の金属酸化物(以
下、第3成分と呼ぶ)を0.05〜2.50モル%、を含
んでいることを特徴とする半導体磁器コンデンサ
素体に係わるものである。 上記本発明によれば、上記の特性を満足する半
導体磁器コンデンサ素体を提供することが出来
る。 また、上記目的を達成するための、方法の発明
は、還元性又は中性雰囲気で焼成して半導体磁器
とする工程と、酸化性雰囲気で熱処理して粒界を
絶縁体化する工程とを有して半導体磁器コンデン
サ素体を製造する方法に係わるものである。 上記本発明によれば容易且つ確実に上記の特性
を満足する半導体磁器コンデンサ素体を製造する
ことが可能になる。 以下、実施例について述べる。 実施例 1 工業用原料として販売されているSrCO3、
CaCO3、TiO3を夫々用意し、下記の第1表に示
す組み合せの配合割合に秤量し、ボールミルで10
時間撹拌し、乾燥して粉砕した後950℃〜1250℃
で2時間焼成した後、粉砕して第1成分とした。 次に、下記の組成となるように各成分を秤量し
た。 第1成分(Sr(1-x)Cax)TiyO2y+1
…99.40モル% 第2成分としてCeO2 …0.10モル% 第3成分としてCuO …0.50モル% 次に、上記原料をボールミルで10時間撹拌した
後乾燥させ、しかる後粉砕した。 次に、有機バインダとしてポリビニルアルコー
ルを10〜15重量%混入して造粒し、これを1000
Kg/cm2の圧力で、直径10mm、厚み0.6mmの円板に成
形した後、バインダを飛ばすために800℃の熱処
理を施し、しかる後、還元性雰囲気中で1350℃〜
1420℃、3時間焼成(以下、これを1次焼成と呼
ぶ)した。 次に、1次焼成によつて得られた半導体磁器素
体を空気中で900℃〜1200℃、3時間焼成(以下、
これを2次焼成と呼ぶ)して粒界の絶縁体化をな
した。 次に、第1図に模式的に示す如く、磁器素体1
の両主面に銀ペースト塗布焼付電極2,3を形成
し、コンデンサを完成させた。尚、磁器素体1
は、主として1次焼成によつて形成されるN型半
導体の結晶粒4と、主として2次焼成によつて形
成される絶縁層5とから成る。 次に、このコンデンサの静電容量C及びtanδを
1kHzの周波数で測定した。そして、見掛上の比
誘電率εを求めた。また20℃を基準にして−25℃
及び+85℃に於ける変化率を測定した。即ち、20
℃の時の静電容量C20と−25℃の時の静電容量
C-25と+85℃の時の静電容量C85とを測定し、−25
℃の場合の静電容量変化率T1を T1=C-25−C20/C20×100(%) で求め、また85℃の場合の静電容量を T2=C85−C20/C20×100(%) で求めた。また比抵抗ρをρ=Rt/sで求めた。 但し、Rは電極2,3間の絶縁抵抗、tは素体1
の内厚、sは電極面積であり、本実施例の場合、
tは約0.5mm、sは約38.465mm2である。 第1表はε、tanδ、ρ、T1、及びT2の測定結
果を示すものであり、第2図は第1表に基づい
て、CaCO2の変化に対するtanδ、及びT1、T2の
変化を示すものである。
が優れている(Sr、Ca)TiO3系半導体磁器コン
デンサ素体及びその製造方法に関するものであ
る。 今日、電子機器の技術革新が目覚しく、例えば
マイクロテープカセツトレコーダ、携帯用ステレ
オラジオなどが超小型化されている。このような
電子機器の小型化に伴い、それぞれの電気回路に
使用される磁器コンデンサも回路基板への配設密
度を高めるためにできる限り小型化されることが
望まれている。また同時に超小型化された電子機
器は、温度環境の異なるところへ移動されること
が多く、温度が著しく異なるところで使用される
ため、組み込まれる磁器コンデンサは、特に温度
変化に対し安定であることが望まれている。 そこで、本発明の目的は、見掛けの比誘電率が
7000以上であり、またコンデンサにした際の静電
容量の温度特性が±7%以下であり、またtanδが
1.5%以下であり、更にまた絶縁抵抗Rが104MΩ
(比抵抗ρ1011Ω・cm)以上である半導体磁器コン
デンサ素体及びその製造方法を提供することにあ
る。 上記目的を達成するための本発明は、(Sr(1-x)
Cax)TiyO2y+1(但し、x=0.31〜0.52、y=
0.99〜1.01である)(以下、第1成分と呼ぶ)を
95.50〜99.94モル%、CeO2、La2O3、WO3、
Gd2O3、Y2O3、及びDy2O3のうちの少なくとも
一種の金属酸化物(以下、第2成分と呼ぶ)を
0.01〜2.00モル%、CuO、MnO2、Bi2O3、及び
PbOのうちの少なくとも一種の金属酸化物(以
下、第3成分と呼ぶ)を0.05〜2.50モル%、を含
んでいることを特徴とする半導体磁器コンデンサ
素体に係わるものである。 上記本発明によれば、上記の特性を満足する半
導体磁器コンデンサ素体を提供することが出来
る。 また、上記目的を達成するための、方法の発明
は、還元性又は中性雰囲気で焼成して半導体磁器
とする工程と、酸化性雰囲気で熱処理して粒界を
絶縁体化する工程とを有して半導体磁器コンデン
サ素体を製造する方法に係わるものである。 上記本発明によれば容易且つ確実に上記の特性
を満足する半導体磁器コンデンサ素体を製造する
ことが可能になる。 以下、実施例について述べる。 実施例 1 工業用原料として販売されているSrCO3、
CaCO3、TiO3を夫々用意し、下記の第1表に示
す組み合せの配合割合に秤量し、ボールミルで10
時間撹拌し、乾燥して粉砕した後950℃〜1250℃
で2時間焼成した後、粉砕して第1成分とした。 次に、下記の組成となるように各成分を秤量し
た。 第1成分(Sr(1-x)Cax)TiyO2y+1
…99.40モル% 第2成分としてCeO2 …0.10モル% 第3成分としてCuO …0.50モル% 次に、上記原料をボールミルで10時間撹拌した
後乾燥させ、しかる後粉砕した。 次に、有機バインダとしてポリビニルアルコー
ルを10〜15重量%混入して造粒し、これを1000
Kg/cm2の圧力で、直径10mm、厚み0.6mmの円板に成
形した後、バインダを飛ばすために800℃の熱処
理を施し、しかる後、還元性雰囲気中で1350℃〜
1420℃、3時間焼成(以下、これを1次焼成と呼
ぶ)した。 次に、1次焼成によつて得られた半導体磁器素
体を空気中で900℃〜1200℃、3時間焼成(以下、
これを2次焼成と呼ぶ)して粒界の絶縁体化をな
した。 次に、第1図に模式的に示す如く、磁器素体1
の両主面に銀ペースト塗布焼付電極2,3を形成
し、コンデンサを完成させた。尚、磁器素体1
は、主として1次焼成によつて形成されるN型半
導体の結晶粒4と、主として2次焼成によつて形
成される絶縁層5とから成る。 次に、このコンデンサの静電容量C及びtanδを
1kHzの周波数で測定した。そして、見掛上の比
誘電率εを求めた。また20℃を基準にして−25℃
及び+85℃に於ける変化率を測定した。即ち、20
℃の時の静電容量C20と−25℃の時の静電容量
C-25と+85℃の時の静電容量C85とを測定し、−25
℃の場合の静電容量変化率T1を T1=C-25−C20/C20×100(%) で求め、また85℃の場合の静電容量を T2=C85−C20/C20×100(%) で求めた。また比抵抗ρをρ=Rt/sで求めた。 但し、Rは電極2,3間の絶縁抵抗、tは素体1
の内厚、sは電極面積であり、本実施例の場合、
tは約0.5mm、sは約38.465mm2である。 第1表はε、tanδ、ρ、T1、及びT2の測定結
果を示すものであり、第2図は第1表に基づい
て、CaCO2の変化に対するtanδ、及びT1、T2の
変化を示すものである。
【表】
上記第1表及び第2図から明らかなように、x
を0.31〜0.52の範囲とすれば、εが7000以上、
tanδが1.5%以下、ρが1011Ω・cm、T1及びT2の
絶対値が7(%)以下の良品基準に合格するコン
デンサが得られる。 また、SrCO3とCaCO3との配合割合の変化によ
つて静電容量の温度変化率T1、T2が変化してい
ることが判る。これは、SrO―CaO―TiO2固溶
体の変態点がSrCO3とCaCO3の配合割合を変える
ことにより移動するためである。そして、
CaCO3の配合割合が大きくなると、温度変化率
T1、T2は小さくなる。一方比誘電率ε及び比抵
抗ρは、第2成分、第3成分を固定した場合には
ほとんど変化はない。従つて、上記良品基準に合
格するための静電容量の温度変化率T1、T2は第
1成分の組成内容で決定され、CaCO3が15.5モル
%未満では±8%以上になる。一方、CaCO3が
26.0モル%を超えると、2次焼成時に結晶粒子ま
で酸化が進み、εが7000以下に低下しかつtanδが
2%〜3%と悪くなる。従つて、xの好ましい範
囲は0.31〜0.52であり、より好ましい範囲は0.34
〜0.46である。 実施例 2 第1成分(Sr(1-x)Cax)TiyO2y+1
…99.40モル% 第2成分としてLa2O3 …0.10モル% 第3成分としてMnO2 …0.50モル% の組成で、実施例1と同一方法でコンデンサを製
作し、各特性を同様に測定したところ、第2表に
示す結果が得られた。但し、第1成分の組成を第
2表に示すように8段階に変化させた。
を0.31〜0.52の範囲とすれば、εが7000以上、
tanδが1.5%以下、ρが1011Ω・cm、T1及びT2の
絶対値が7(%)以下の良品基準に合格するコン
デンサが得られる。 また、SrCO3とCaCO3との配合割合の変化によ
つて静電容量の温度変化率T1、T2が変化してい
ることが判る。これは、SrO―CaO―TiO2固溶
体の変態点がSrCO3とCaCO3の配合割合を変える
ことにより移動するためである。そして、
CaCO3の配合割合が大きくなると、温度変化率
T1、T2は小さくなる。一方比誘電率ε及び比抵
抗ρは、第2成分、第3成分を固定した場合には
ほとんど変化はない。従つて、上記良品基準に合
格するための静電容量の温度変化率T1、T2は第
1成分の組成内容で決定され、CaCO3が15.5モル
%未満では±8%以上になる。一方、CaCO3が
26.0モル%を超えると、2次焼成時に結晶粒子ま
で酸化が進み、εが7000以下に低下しかつtanδが
2%〜3%と悪くなる。従つて、xの好ましい範
囲は0.31〜0.52であり、より好ましい範囲は0.34
〜0.46である。 実施例 2 第1成分(Sr(1-x)Cax)TiyO2y+1
…99.40モル% 第2成分としてLa2O3 …0.10モル% 第3成分としてMnO2 …0.50モル% の組成で、実施例1と同一方法でコンデンサを製
作し、各特性を同様に測定したところ、第2表に
示す結果が得られた。但し、第1成分の組成を第
2表に示すように8段階に変化させた。
【表】
この第2表から明らかなように、第2成分及び
第3成分の物質を変えても、実施例1と同様な結
果が得られる。 実施例 3 第1成分(Sr(1-x)Cax)TiyO2y+1
…99.40モル% 第2成分としてWO3 …0.10モル% 第3成分としてBi2O3 …0.50モル% の組成で、実施例1と同一方法でコンデンサを製
作し、各特性を同様に測定したところ、第3表に
示す結果が得られた。但し、第1成分の組成を第
3表に示すように8段階に変化させた。
第3成分の物質を変えても、実施例1と同様な結
果が得られる。 実施例 3 第1成分(Sr(1-x)Cax)TiyO2y+1
…99.40モル% 第2成分としてWO3 …0.10モル% 第3成分としてBi2O3 …0.50モル% の組成で、実施例1と同一方法でコンデンサを製
作し、各特性を同様に測定したところ、第3表に
示す結果が得られた。但し、第1成分の組成を第
3表に示すように8段階に変化させた。
【表】
この第3表から明らかなように、第2成分及び
第3成分の物質を変えても、実施例1と同様な結
果が得られる。 実施例 4 第1成分(Sr(1-x)Cax)TiyO2y+1
…99.40モル% 第2成分としてWO3 …0.10モル% 第3成分としてCuO …0.50モル% の組成で、実施例1と同一方法でコンデンサを製
作し、各特性を同様に測定したところ、第4表に
示す結果が得られた。但し、第1成分の組成を第
4表に示すように4段階に変化させた。
第3成分の物質を変えても、実施例1と同様な結
果が得られる。 実施例 4 第1成分(Sr(1-x)Cax)TiyO2y+1
…99.40モル% 第2成分としてWO3 …0.10モル% 第3成分としてCuO …0.50モル% の組成で、実施例1と同一方法でコンデンサを製
作し、各特性を同様に測定したところ、第4表に
示す結果が得られた。但し、第1成分の組成を第
4表に示すように4段階に変化させた。
【表】
この第4表から明らかなように、TiO2の配合
割合即ちyの値は、素体の焼結性により決まり、
49.5モル%未満即ち1.01<yでは、焼結性が悪く
なる。一方、TiO2が50.5モル%を超えると即ち
y<0.99となるとεが急激に低下し、またtanδも
3%以上になり、更に素体同志の融着も生じ易く
なる。従つて、yの好ましい範囲は、0.99〜1.01
である。 実施例 5 第1成分(Sr(1-x)Cax)TiyO2y+1
…99.40モル% 第2成分としてLa2O3 …0.10モル% 第3成分としてBi2O3 …0.50モル% の組成で、実施例1と同一方法でコンデンサを製
作し、各特性を同様に測定したところ、第5表に
示す結果が得られた。但し、第1成分の組成を第
5表に示すように4段階に変化させた。
割合即ちyの値は、素体の焼結性により決まり、
49.5モル%未満即ち1.01<yでは、焼結性が悪く
なる。一方、TiO2が50.5モル%を超えると即ち
y<0.99となるとεが急激に低下し、またtanδも
3%以上になり、更に素体同志の融着も生じ易く
なる。従つて、yの好ましい範囲は、0.99〜1.01
である。 実施例 5 第1成分(Sr(1-x)Cax)TiyO2y+1
…99.40モル% 第2成分としてLa2O3 …0.10モル% 第3成分としてBi2O3 …0.50モル% の組成で、実施例1と同一方法でコンデンサを製
作し、各特性を同様に測定したところ、第5表に
示す結果が得られた。但し、第1成分の組成を第
5表に示すように4段階に変化させた。
【表】
この第5表から明らかなように、第2成分及び
第3成分の物質を変えても、実施例4と同様な結
果が得られる。 実施例 6 第1成分(Sr(1-x)Cax)TiyO2y+1
…99.40モル% 第2成分としてCeO2 …0.10モル% 第3成分としてMnO2 …0.50モル% の組成で、実施例1と同一方法でコンデンサを製
作し、各特性を同様に測定したところ、第6表に
示す結果が得られた。但し、第1成分の組成を第
2表に示すように4段階に変化させた。
第3成分の物質を変えても、実施例4と同様な結
果が得られる。 実施例 6 第1成分(Sr(1-x)Cax)TiyO2y+1
…99.40モル% 第2成分としてCeO2 …0.10モル% 第3成分としてMnO2 …0.50モル% の組成で、実施例1と同一方法でコンデンサを製
作し、各特性を同様に測定したところ、第6表に
示す結果が得られた。但し、第1成分の組成を第
2表に示すように4段階に変化させた。
【表】
この第6表から明らかなように、第2成分及び
第3成分の物質を変えても、実施例4と同様な結
果が得られる。 上記実施例1〜6から明らかなように、
CaCO3の量が増加すると温度特性が向上する。
一方、SrCO3の量が減少すると、εが小さくなり
且つtanδが高くなる。従つてxの好ましい範囲は
0.31〜0.52であり、またyの好ましい範囲は0.99
〜1.01である。このため、実施例1〜6に於ける
試料番号1、8、9、16、17、24、25、28、29、
32、33、36は本発明の範囲外のものである。 実施例 7 半導体化を寄与する第2成分の種類及び添加量
(モル%)の変化によつてコンデンサの特性がど
のように変化するかを調べるために、 第1成分(Sr0.58Ca0.42)TiO3
……97.400〜99.89モル% 第2成分としてCeO2、La2O3、WO3、GdO3、
Y2O3、Dy2O3から選択された1種
…0.005〜2.500モル% 第3成分としてCuO …0.100モル% で100モル%となる組成のコンデンサを実施例1
と同一の方法で作り、同一の方法で特性を測定し
たところ、第7表(A)〜(C)の結果が得られた。 但し、第1成分は、 SrCO3 29モル% CaCO3 21モル% TiO2 50モル% で100モル%となる組成で作られた(Sr0.58Ca0.42)
TiO3である。また、第3成分はCuO 0.1モル%
一定であるので、第3成分を第7表(A)〜(C)に載せ
ることを省略した。また、第1成分は、総和の
100モル%から第2成分のモル%と第3成分の0.1
モル%との和のモル%を差し引いた値即ち残部で
あり、例えば、試料番号37では99.895モル%、試
料番号38では99.89モル%、試料番号39では99.80
モル%、試料番号40では99.40モル%、試料番号
41では98.90モル%、試料番号42で397.9モル%、
試料番号43では97.4モル%であるので、第1成分
を第7表(A)〜(C)に載せることを省略した。
第3成分の物質を変えても、実施例4と同様な結
果が得られる。 上記実施例1〜6から明らかなように、
CaCO3の量が増加すると温度特性が向上する。
一方、SrCO3の量が減少すると、εが小さくなり
且つtanδが高くなる。従つてxの好ましい範囲は
0.31〜0.52であり、またyの好ましい範囲は0.99
〜1.01である。このため、実施例1〜6に於ける
試料番号1、8、9、16、17、24、25、28、29、
32、33、36は本発明の範囲外のものである。 実施例 7 半導体化を寄与する第2成分の種類及び添加量
(モル%)の変化によつてコンデンサの特性がど
のように変化するかを調べるために、 第1成分(Sr0.58Ca0.42)TiO3
……97.400〜99.89モル% 第2成分としてCeO2、La2O3、WO3、GdO3、
Y2O3、Dy2O3から選択された1種
…0.005〜2.500モル% 第3成分としてCuO …0.100モル% で100モル%となる組成のコンデンサを実施例1
と同一の方法で作り、同一の方法で特性を測定し
たところ、第7表(A)〜(C)の結果が得られた。 但し、第1成分は、 SrCO3 29モル% CaCO3 21モル% TiO2 50モル% で100モル%となる組成で作られた(Sr0.58Ca0.42)
TiO3である。また、第3成分はCuO 0.1モル%
一定であるので、第3成分を第7表(A)〜(C)に載せ
ることを省略した。また、第1成分は、総和の
100モル%から第2成分のモル%と第3成分の0.1
モル%との和のモル%を差し引いた値即ち残部で
あり、例えば、試料番号37では99.895モル%、試
料番号38では99.89モル%、試料番号39では99.80
モル%、試料番号40では99.40モル%、試料番号
41では98.90モル%、試料番号42で397.9モル%、
試料番号43では97.4モル%であるので、第1成分
を第7表(A)〜(C)に載せることを省略した。
【表】
【表】
【表】
【表】
上記第7表に於ける第2成分の内、La2O3、
Gd2O3、Y2O3、Dy2O3、CeOは、ABO3型ペロブ
スカイト構造のAサイト即ちSrCaサイトに入り
込むものと考えられ、一方、WO3はBサイト即
ちTiサイトに入るものと考えられる。ところで、
第2成分が0.01モル%未満では、原子価制御とし
ての効果が小さく、抵抗の小さい結晶粒子を得る
ことが困難になる。また、2次焼成時に結晶粒子
まで酸化されてしまい、tanδが約3%悪くなり且
つ比誘電率εも低下する。一方、第2成分が2モ
ル%を超えると、Aサイトに入り込むと考えられ
る添加物については1次焼成においての焼結性が
悪くなり、原子価制御による半導体化が困難にな
る。これに対して、Bサイトに入り込むWO3に
ついては、焼結温度が低下し、結晶粒子の再分解
が生じ、粒子が細かくなり、WO3の一部が粒界
に偏析しやすくなり、これにより素体同志の融着
が生じ、且つεも低下する。従つて、第2成分の
好ましい範囲は0.01〜2.00モル%であり、より好
ましい範囲は0.10〜1.00モル%である。このた
め、第7表(A)〜(C)で試料番号37、43、44、50、
51、57、58、64、65、68、74のものは本発明の範
囲外のものである。 実施例 8 第3成分の種類及び添加量(モル%)の変化に
よつてコンデンサ特性がどのように変化するかを
調べるために、 第1成分(Sr0.58Ca0.42)TiO3
…96.50〜99.89モル% 第2成分としてCeO2、WO3、CeO2の一種
…0.10〜0.50モル% 第3成分としてCuO、MnO2、Bi2O3、PbOの一
種 …0.01〜3.00モル% で総和が100モル%となる組成物で実施例1と同
一方法でコンデンサを作り、同一方法で特性を測
定したところ、第8表(A)〜(D)の結果が得られた。 但し、第1成分は、 SrCO3 29モル% CaCO3 21モル% TiO3 50モル% で100モル%となる組成で作られた(Sr0.58Ca0.42)
TiO3である。ところで、第3成分は、粒界に偏
析して粒界成分の一部と化合又は単独に存在し、
2次焼成を行うことで粒界に於けるこれ等の物質
が酸化され、粒界絶縁層を形成する。従つて、粒
子はN型半導体、粒界は絶縁体の粒界絶縁型半導
体磁器コンデンサが得られる。
Gd2O3、Y2O3、Dy2O3、CeOは、ABO3型ペロブ
スカイト構造のAサイト即ちSrCaサイトに入り
込むものと考えられ、一方、WO3はBサイト即
ちTiサイトに入るものと考えられる。ところで、
第2成分が0.01モル%未満では、原子価制御とし
ての効果が小さく、抵抗の小さい結晶粒子を得る
ことが困難になる。また、2次焼成時に結晶粒子
まで酸化されてしまい、tanδが約3%悪くなり且
つ比誘電率εも低下する。一方、第2成分が2モ
ル%を超えると、Aサイトに入り込むと考えられ
る添加物については1次焼成においての焼結性が
悪くなり、原子価制御による半導体化が困難にな
る。これに対して、Bサイトに入り込むWO3に
ついては、焼結温度が低下し、結晶粒子の再分解
が生じ、粒子が細かくなり、WO3の一部が粒界
に偏析しやすくなり、これにより素体同志の融着
が生じ、且つεも低下する。従つて、第2成分の
好ましい範囲は0.01〜2.00モル%であり、より好
ましい範囲は0.10〜1.00モル%である。このた
め、第7表(A)〜(C)で試料番号37、43、44、50、
51、57、58、64、65、68、74のものは本発明の範
囲外のものである。 実施例 8 第3成分の種類及び添加量(モル%)の変化に
よつてコンデンサ特性がどのように変化するかを
調べるために、 第1成分(Sr0.58Ca0.42)TiO3
…96.50〜99.89モル% 第2成分としてCeO2、WO3、CeO2の一種
…0.10〜0.50モル% 第3成分としてCuO、MnO2、Bi2O3、PbOの一
種 …0.01〜3.00モル% で総和が100モル%となる組成物で実施例1と同
一方法でコンデンサを作り、同一方法で特性を測
定したところ、第8表(A)〜(D)の結果が得られた。 但し、第1成分は、 SrCO3 29モル% CaCO3 21モル% TiO3 50モル% で100モル%となる組成で作られた(Sr0.58Ca0.42)
TiO3である。ところで、第3成分は、粒界に偏
析して粒界成分の一部と化合又は単独に存在し、
2次焼成を行うことで粒界に於けるこれ等の物質
が酸化され、粒界絶縁層を形成する。従つて、粒
子はN型半導体、粒界は絶縁体の粒界絶縁型半導
体磁器コンデンサが得られる。
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
上記第8表(A)〜(D)から明らかなように、粒界の
絶縁性の向上、及びtanδを良好にする効果を有す
る第3成分が、0.05モル%未満ではρが低くなつ
て十分な絶縁性を有することが不可能になり、且
つtanδも悪くなる。一方、第3成分が2.5モル%
を超えると、粒界偏析物が素体表面に染み出し、
素体同志の融着が生じ、更にまたεの低下、tanδ
の悪化が生じる。従つて、第3成分の好ましい範
囲は0.05〜2.50モル%であり、より好ましい範囲
は0.50〜1.00モル%である。 実施例 9 第2成分を、CeO2、La2O3、WO3、Gd2O3、
Y2O3、及びDy2O3の内の2種以上としても1種
の場合と同様な効果が得られることを確かめるた
めに、 第1成分(Sr0.64Ca0.36)TiO3 …残部 第2成分として第9表に示す複数物質
…第9表のモル% 第3成分としてCuO …0.10モル% で100モル%となる組成によつて試料番号138〜
181のコンデンサを実施例1と同一の方法で作り、
同一方法で特性の測定を行つた。尚、第1成分の
(Sr0.64Ca0.36)TiO3は、 SrCO3 37モル% CaCO3 18モル% TiO3 50モル% で100モル%となる配合物によつて作つた。
絶縁性の向上、及びtanδを良好にする効果を有す
る第3成分が、0.05モル%未満ではρが低くなつ
て十分な絶縁性を有することが不可能になり、且
つtanδも悪くなる。一方、第3成分が2.5モル%
を超えると、粒界偏析物が素体表面に染み出し、
素体同志の融着が生じ、更にまたεの低下、tanδ
の悪化が生じる。従つて、第3成分の好ましい範
囲は0.05〜2.50モル%であり、より好ましい範囲
は0.50〜1.00モル%である。 実施例 9 第2成分を、CeO2、La2O3、WO3、Gd2O3、
Y2O3、及びDy2O3の内の2種以上としても1種
の場合と同様な効果が得られることを確かめるた
めに、 第1成分(Sr0.64Ca0.36)TiO3 …残部 第2成分として第9表に示す複数物質
…第9表のモル% 第3成分としてCuO …0.10モル% で100モル%となる組成によつて試料番号138〜
181のコンデンサを実施例1と同一の方法で作り、
同一方法で特性の測定を行つた。尚、第1成分の
(Sr0.64Ca0.36)TiO3は、 SrCO3 37モル% CaCO3 18モル% TiO3 50モル% で100モル%となる配合物によつて作つた。
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
上記第9表から明らかなように、第2成分を2
種以上の組合せとしても、1種の場合と同様な効
果が得られる。尚、試料番号138〜143、156〜
169、173〜178に於いては、ABO3のペロブスカ
イト型構造でのAサイトに複数の添加物が置換さ
れると考えられる。この場合に於いて、第2成分
の合計が2モル%を超えると、試料番号142、
143、160、161、165、169、175、178に示される
ように、1種の場合と同様に未焼結となる。一
方、試料番号144〜155、170〜172、179〜181に於
いては、第2成分の中にAサイトに置換する物質
とBサイトに置換する物質との両方が含まれてい
る。この場合、第2成分の合計が2モル%を超え
ると、置換が十分に行われなくなり、置換されな
かつた添加物が結晶粒子の成長を阻止し、また粒
子間及び素体表面等へ析出する。従つて、1次焼
成後の粒子の抵抗が大きくなり過ぎ、2次焼成後
に於いても、εが小さく且つtanδが悪くなる。従
つて、2種以上の物質を第2成分とする場合に於
いても、第2成分の好ましい範囲は、0.01〜2.00
モル%である。 実施例 10 第3成分を2種以上の物質としても差支えない
ことを確認するために、 第1成分(Sr0.64Ca0.36)TiO3 …残部 第2成分としてCeO2 …0.50モル% 第3成分として第10表の物質…第10表のモル% で100モル%となる組成によつて試料番号182〜
210のコンデンサを実施例1と同一の方法で作り、
同一方法で特性の測定を行つた。尚第1成分の
(Sr0.64Ca0.36)TiO3は、実施例9と同一の方法で
作つた。
種以上の組合せとしても、1種の場合と同様な効
果が得られる。尚、試料番号138〜143、156〜
169、173〜178に於いては、ABO3のペロブスカ
イト型構造でのAサイトに複数の添加物が置換さ
れると考えられる。この場合に於いて、第2成分
の合計が2モル%を超えると、試料番号142、
143、160、161、165、169、175、178に示される
ように、1種の場合と同様に未焼結となる。一
方、試料番号144〜155、170〜172、179〜181に於
いては、第2成分の中にAサイトに置換する物質
とBサイトに置換する物質との両方が含まれてい
る。この場合、第2成分の合計が2モル%を超え
ると、置換が十分に行われなくなり、置換されな
かつた添加物が結晶粒子の成長を阻止し、また粒
子間及び素体表面等へ析出する。従つて、1次焼
成後の粒子の抵抗が大きくなり過ぎ、2次焼成後
に於いても、εが小さく且つtanδが悪くなる。従
つて、2種以上の物質を第2成分とする場合に於
いても、第2成分の好ましい範囲は、0.01〜2.00
モル%である。 実施例 10 第3成分を2種以上の物質としても差支えない
ことを確認するために、 第1成分(Sr0.64Ca0.36)TiO3 …残部 第2成分としてCeO2 …0.50モル% 第3成分として第10表の物質…第10表のモル% で100モル%となる組成によつて試料番号182〜
210のコンデンサを実施例1と同一の方法で作り、
同一方法で特性の測定を行つた。尚第1成分の
(Sr0.64Ca0.36)TiO3は、実施例9と同一の方法で
作つた。
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
上記第10表から明らかなように、第3成分を複
数の物質の組み合せとしても、0.05〜2.50モル%
範囲であれば、実施例8に於ける1種の場合と同
様な作用効果を得ることが出来る。尚第10表に於
いて、試料番号182、186、187、191、198、201、
206、210のものは実施例8の場合と同様な理由で
本発明の範囲外である。 実施例 11 第1成分を得るためのSrTiO3及びCaTiO3と、 第2成分としてCeO2、La2O3、WO3、Gd2O3、
Y2O3、Dy2O3から選択された酸化物と、 第3成分としてCuO、MnO2、Bi2O3、PbOか
ら選択された酸化物と、 を第11表に示す割合に秤量し、ボールミルで10時
間撹拌後、乾燥、粉砕を行い、これに有機バイン
ダとしてポリビニルアルコールを10〜15重量%混
入して造粒し、実施例1と同一方法でコンデンサ
を作り、同一方法で特性を測定したところ、第11
表の結果が得られた。 尚第11表に於ける第1成分のモル%は、
(Sr(1-x)Cax)TiyO2y+1に換算して示されてい
る。また、焼成後に得られる(Sr(1-x)Cax)
TiyO2y+1に於けるxの値は、第11表のCaTiO3
のモル%の欄の数値の1/100と等しい。また各試
料のyは1である。
数の物質の組み合せとしても、0.05〜2.50モル%
範囲であれば、実施例8に於ける1種の場合と同
様な作用効果を得ることが出来る。尚第10表に於
いて、試料番号182、186、187、191、198、201、
206、210のものは実施例8の場合と同様な理由で
本発明の範囲外である。 実施例 11 第1成分を得るためのSrTiO3及びCaTiO3と、 第2成分としてCeO2、La2O3、WO3、Gd2O3、
Y2O3、Dy2O3から選択された酸化物と、 第3成分としてCuO、MnO2、Bi2O3、PbOか
ら選択された酸化物と、 を第11表に示す割合に秤量し、ボールミルで10時
間撹拌後、乾燥、粉砕を行い、これに有機バイン
ダとしてポリビニルアルコールを10〜15重量%混
入して造粒し、実施例1と同一方法でコンデンサ
を作り、同一方法で特性を測定したところ、第11
表の結果が得られた。 尚第11表に於ける第1成分のモル%は、
(Sr(1-x)Cax)TiyO2y+1に換算して示されてい
る。また、焼成後に得られる(Sr(1-x)Cax)
TiyO2y+1に於けるxの値は、第11表のCaTiO3
のモル%の欄の数値の1/100と等しい。また各試
料のyは1である。
【表】
【表】
【表】
上記第11表から明らかなように、第1成分を得
るためにSrTiO3及びCaTiO3を原料としても、実
施例1〜10と同様な作用効果が得られる。尚、静
電容量の温度特性T1、T2はSrTiO3とCaTiO3と
の配合割合でほぼ決定される。従つて、温度特性
は、この実施例の場合でも、SrO―CaO―TiO2
固溶体のSrOとCaOとの割合の変化による変態点
の移動に関係する。このため、本実施例では、
SrTiO3とCaTiO3とで第1成分Sr(1-x)CaxTiO3が
作られ、第2成分及び第3成分は実施例1〜10と
同様な働きをなす。そして、この実施例の場合
は、xが0.31〜0.52、第1成分が95.50〜99.94モ
ル%、第2成分が0.01〜2モル%、第3成分が
0.05〜2.5モル%であることが好ましい。 上記の実施例1〜11に於いては、原料組成が示
されているが、焼成後に於ける組成も原料組成と
ほぼ同一である。但し、実施例11に於いては、
SrTiO3とCaTiO3とが焼成後にSr(1-x)CaxTiO3に
なる。 尚上記実施例及びその他の実験によつて次のこ
とが確認されている。 (a) 第2及び第3成分の原料を酸化物とせずに、
焼成によつて最終的に酸化物になる例えば水酸
化物、硝酸塩、シユウ酸塩、金属元素、炭酸塩
等を使用してもよい。また、(Sr(1-x)Cax)
TiyO2y+1も実施例以外の化合物又は元素に
よつて得てもよい。 (b) 還元性雰囲気中での加熱温度は、好ましくは
1300〜1500℃の範囲であり、1350〜1450℃の範
囲がより好ましいこと。更にこの処理時間は2
〜8時間が好ましいこと。 (c) 再酸化処理は850℃〜1300℃で1〜5時間行
うことが好ましいこと。 (d) 本発明に係わるコンデンサ素体の性質を損わ
ない範囲で、例えばAl2O3、SiO2等の更に別の
物質を付加しても差支えないこと。 (e) 有機結合剤の好ましい範囲は、第1、第2、
及び第3成分の合計に対して5〜20重量%、よ
り好ましい範囲は10〜15重量%であること。 (f) 実施例11に於いて、第2及び第3成分を複数
物質としても全く同様な効果が得られる。
るためにSrTiO3及びCaTiO3を原料としても、実
施例1〜10と同様な作用効果が得られる。尚、静
電容量の温度特性T1、T2はSrTiO3とCaTiO3と
の配合割合でほぼ決定される。従つて、温度特性
は、この実施例の場合でも、SrO―CaO―TiO2
固溶体のSrOとCaOとの割合の変化による変態点
の移動に関係する。このため、本実施例では、
SrTiO3とCaTiO3とで第1成分Sr(1-x)CaxTiO3が
作られ、第2成分及び第3成分は実施例1〜10と
同様な働きをなす。そして、この実施例の場合
は、xが0.31〜0.52、第1成分が95.50〜99.94モ
ル%、第2成分が0.01〜2モル%、第3成分が
0.05〜2.5モル%であることが好ましい。 上記の実施例1〜11に於いては、原料組成が示
されているが、焼成後に於ける組成も原料組成と
ほぼ同一である。但し、実施例11に於いては、
SrTiO3とCaTiO3とが焼成後にSr(1-x)CaxTiO3に
なる。 尚上記実施例及びその他の実験によつて次のこ
とが確認されている。 (a) 第2及び第3成分の原料を酸化物とせずに、
焼成によつて最終的に酸化物になる例えば水酸
化物、硝酸塩、シユウ酸塩、金属元素、炭酸塩
等を使用してもよい。また、(Sr(1-x)Cax)
TiyO2y+1も実施例以外の化合物又は元素に
よつて得てもよい。 (b) 還元性雰囲気中での加熱温度は、好ましくは
1300〜1500℃の範囲であり、1350〜1450℃の範
囲がより好ましいこと。更にこの処理時間は2
〜8時間が好ましいこと。 (c) 再酸化処理は850℃〜1300℃で1〜5時間行
うことが好ましいこと。 (d) 本発明に係わるコンデンサ素体の性質を損わ
ない範囲で、例えばAl2O3、SiO2等の更に別の
物質を付加しても差支えないこと。 (e) 有機結合剤の好ましい範囲は、第1、第2、
及び第3成分の合計に対して5〜20重量%、よ
り好ましい範囲は10〜15重量%であること。 (f) 実施例11に於いて、第2及び第3成分を複数
物質としても全く同様な効果が得られる。
第1図は実施例1に係わるコンデンサを模式的
に示す断面図である。第2図は実施例1に於ける
CaCO3とtanδ、T1、T2との関係を示す特性図で
ある。 尚図面に用いられている符号に於いて、1はコ
ンデンサ素体、2,3は電極である。
に示す断面図である。第2図は実施例1に於ける
CaCO3とtanδ、T1、T2との関係を示す特性図で
ある。 尚図面に用いられている符号に於いて、1はコ
ンデンサ素体、2,3は電極である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 (Sr(1-x)Cax)TiyO2y+1(但し、x=0.31
〜0.52、y=0.99〜1.01である)を95.50〜99.94モ
ル%、 CeO2、La2O3、WO3、Gd2O3、Y2O3、及び
Dy2O3のうちの少なくとも一種の金属酸化物を
0.01〜2.00モル%、 CuO、MnO2、Bi2O3、及びPbOのうちの少な
くとも一種の金属酸化物を0.05〜2.50モル%、 を含んでいることを特徴とする半導体磁器コンデ
ンサ素体。 2 (Sr(1-x)Cax)TiyO2y+1(但し、x=0.31
〜0.52、y=0.99〜1.01である)を95.50〜99.94モ
ル%と、 CeO2、La2O3、WO3、Gd2O3、Y2O3及び
Dy2O3のうちの少なくとも一種の金属酸化物を
0.01〜2.00モル%と、 CuO、MnO2、Bi2O3、及びPbOのうちの少な
くとも一種の金属酸化物を0.05〜2.50モル%と、 有機バインダと、 から成る混合物を所定寸法に成形すること、 次に、前記成形によつて得た成形物を還元性又
は中性雰囲気で焼成して半導体磁器とすること、 次に、前記半導体磁器を酸化性雰囲気で熱処理
すること、 を含む半導体磁器コンデンサ素体の製造方法。 3 前記焼成は1350℃〜1450℃による焼成であ
り、前記熱処理は大気中950℃〜1250℃の熱処理
である特許請求の範囲第2項記載の半導体磁器コ
ンデンサ素体の製造方法。 4 前記(Sr(1-x)Cax)TiyO2y+1は、 TiO2 49.5〜50.5モル%、 CaCO3 15.5〜26.0モル%、 SrCO3 24.0〜34.5モル% (但し0.99≦(SrCO3+CaCO3)/TiO2≦1.01) で生成されたものである特許請求の範囲第2項又
は第3項記載の半導体磁器コンデンサ素体の製造
方法。 5 CaTiO3及びSrTiO3を(Sr(1-x)Cax)TiyO2y
+1(但し、x=0.31〜0.52、y=0.99〜1.01であ
る)に換算して95.50〜99.94モル%と、 CeO2、La2O3、WO3、Gd2O3、Y2O3、及び
Dy2O3のうちの少なくとも一種の金属酸化物を
0.01〜2.00モル%と、 CuO、MnO2、Bi2O3、及びPbOのうちの少な
くとも一種の金属酸化物を0.05〜2.50モル%と、 有機バインダと、 から成る混合物を所定寸法に成形すること、 次に、前記成形によつて得た成形物を還元性又
は中性雰囲気で焼成して半導体磁器とすること、 次に、前記半導体磁器を酸化性雰囲気で熱処理
すること、 を含む半導体磁器コンデンサ素体の製造方法。 6 前記焼成は1350℃〜1450℃による焼成であ
り、前記熱処理は大気中950℃〜1250℃の熱処理
である特許請求の範囲第5項記載の半導体磁器コ
ンデンサ素体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56119514A JPS5821312A (ja) | 1981-07-29 | 1981-07-29 | 半導体磁器コンデンサ素体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56119514A JPS5821312A (ja) | 1981-07-29 | 1981-07-29 | 半導体磁器コンデンサ素体及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5821312A JPS5821312A (ja) | 1983-02-08 |
JPS6312372B2 true JPS6312372B2 (ja) | 1988-03-18 |
Family
ID=14763149
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56119514A Granted JPS5821312A (ja) | 1981-07-29 | 1981-07-29 | 半導体磁器コンデンサ素体及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5821312A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5483028B2 (ja) * | 2011-02-24 | 2014-05-07 | 株式会社村田製作所 | 粒界絶縁型半導体セラミック、半導体セラミックコンデンサ、及び半導体セラミックコンデンサの製造方法 |
-
1981
- 1981-07-29 JP JP56119514A patent/JPS5821312A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5821312A (ja) | 1983-02-08 |
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