JPS5821312A - 半導体磁器コンデンサ素体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は高誘電率を有し、静電容量の温度特性が優れて
いる（　Ｓｒ　、Ｃａ　）　ＴｉＯＨ糸半導体磁器コン
デンサ票体及素体の製造方法に関するものである。

今日、電子機器の技術革新が目覚しく１例えばマイクロ
テープカセットレコーダ、携帯用ステレオラジオなどが
超小型化されている。このような電子機器の小型化に伴
−１それぞれの電気回路に使用される磁器コンデンサも
回路基板への配設密度を高めるためにできる限り不調化
されることが望まれている。また同時に超小型化された
電子機器は、温度環境の異なるところへ移動されること
が多く、温度が著しく異なるところで使用されるため１
組み込まれる磁器コンデンサは、特に温度変化に対し安
定であることが望まれている。

そこで１本発明の目的は、見掛けの比誘電率が７０００
以上であり、またコンデンサにした際の静電容量の温度
特性が±７４以下であり、またｔａｎａが１．５嗟以下
であり、更Ｋまた絶縁抵抗Ｒが１０４ＭΩ（比抵抗ｃ１
００−ｃｍ　）以上である半導体磁器コンデンサ素体及
びその製造方法を提供することにある。

上記目的を達成するための本発明は、　（Ｓｒ（１−２
）Ｃａｘ　）　ＴｉｙＯ１ｙ＋１　（但し、ｘｘｏ、３
１〜０．５２．７＝０．９９〜１．０１である）（以下
、第１成分と呼ぶ）を９５．５０〜９９．９４モ＃　４
　、　ＣａＯ２、Ｌａ１Ｏ，。

ＷＯａ　、　ａａ、ｏａ、Ｙ鵞Ｏａ−及びＤＹ鵞Ｏｓの
うちの少な（とも−極の金属酸化物（以下、＠２２成と
呼ぶ〕を０．０１〜２．００モル畳、Ｃｕｂ、　ＭｎＯ
，、Ｂｉ２Ｏ３，及ヒＰｂＯのうちの少なくとも一種の
金属酸化物（以下、第３成分と呼ぶ）を０．０５〜２．
５０モル畳。

を含んでいることを特徴とする半導体磁器コンデンサ素
体に係わるものである。

上記本発明によれば、上記の特性を満足する半導体磁器
コンデンサ素体゛を提供することが出来る。

また、上記目的を達成するための、方法の発明は、還元
性又は中性雰囲気で焼成して半導体磁器とする工程と、
ＩＩ２化性雰囲気で熱処理して粒界を絶縁体化する工程
とを有して半導体磁器コンデンサ素体を製造する方法に
係わるものである。

上記本発明によれば容易且つ確５ｊ！に上記の特性を満
足する半導体磁器コンデごす素体を製造することが可能
になる。

以下、！Ｊ！施例について述べる。

実施例】 工業用原料として販売されている５ｒＣＯ，、ＣａＣ０
゜Ｔｉｅ、を夫々用意し、下記の第１表に示す組み合せ
の配合割合に秤量し、ボールミルで１０時間攪拌し、乾
燥して粉砕した後９５０℃〜１２５０℃で２時間焼成し
た後、粉砕して第１成分とした。

次に、下記の組成となるように％成分を秤量した。

第１成分Ｃ８ｒ＜　ｌ−ｘ＞　Ｃａｘ）　ＴｉｙＯｍｙ
＋ｔ　＋慟９９．４モル鳴＃Ｉ２成分としてＣｅＯ，・
・・・・・・・・・・・０．１モル憾第３成分としてＣ
ｕＯ・・・・・・・・・・・・０．５モル鳴次に、上記
原料をボールミルで１０時間攪拌した後乾燥させ、しρ
する後粉砕した。

次に、有機バインダとしてポリビニルアルコールを１０
〜】５重量憾混入して造粒し、これを３０００　ｋｇ／
ｃｍ”の圧力で、直径１　Ｏｍｍ　、厚み０．６ｍｍの
円＊に成形した後、バインダを飛ば丁ために８００℃の
熱処理を施し、しかる後、還元性雰曲気中で】３５０℃
〜１４２０℃、３時間焼成（以下。

これを１次焼成と呼ぶ〕した。

次に、１次焼成によって得られた半導体磁器素体を空気
中で９００℃〜】２００℃、３時間焼成（以下、これを
２次焼成と呼ぶ）し１粒界の絶縁体化をなした。

次に、第１図に模式的に示す如く、磁器素体ｔｌ＋の両
主面に銀ペースト塗布焼付電極１２１　＋３１を形成し
。

コンデンサを完成させた。尚、磁器素体ｉｌ＋は、主と
して１次焼成によって形成されるＮ［半導体の結晶粒＋
４１と、主として２次続１７Ｒ，によって形成される絶
１１５１とから成る。

次に、このコンデンサの静電容量Ｃ及びｔａｎ　１を］
　ｋＨｚの周波数で測定した。そして、兇揖上の比誘電
率εを求めた。また２０℃を基準にして一２５℃及び＋
８５℃に於ける変化率を測定した。

即ち、２０℃の時の静電容量Ｃ！。と−２５℃の時の静
電容量Ｃ−１と＋８５℃の時の静電容量Ｃ８１とを測定
し、−２５℃の場合の静電容量変化率′ｒ１をで求め、
また８５℃の場合の静電容量をで求めた。ｆた比抵抗Ｐ
をｐ＝ｌ（−で求めた。但し、Ｒは電極１２＋　（３１
間の絶縁抵抗、ｔは素体ｉｌ＋の内厚、Ｓは電極面積で
あり１本実施例の場合、ｔは約０・５ｍｍ、ｓは約３８
．４６５ｍｍ鵞である。

第１表はａ、　１ａｎＩ１．　Ｐ、　Ｔ１．　　及びＴ
、の測定結果を示すものであり、第２図は第１表に基づ
いて。

ＣａＣＯＨの変化に対するｔａｎｋ、及びＴｈＴ、の変
化を示すものである。

上記５１表及び第２図ρ）ら明らかなように、Ｘを０．
３】〜０．５２の範囲と丁れば、Ｃが７０００以上、ｔ
ａｎｓがＬ５１以下、−が】ＯΩｓｃｍ、Ｔｌ及びＴ、
の絶対値が７（憾）以１の良品基準に合格するコンデン
サが得られる。

また、　５ｒＣＯ１とＣａＣ０１との配合割合の変化に
よって静電容量の温度変化率Ｔ、、Ｔ、が変化している
ことがＩ８る。これ１７１．５ｒＯ−ＣａＯ−Ｔｉｅ、
固溶体の変態点がＳｒＣＯ３とＣａＣ０１の配合割合を
変えることＶＣより移動するためである。そして、　ｃ
ａｃｏａの配合割合が大きくなると、温度変化率Ｔ１．
Ｔ、は小さくなる。一方比鋳亀率Ｃ及び比抵抗Ｐは、第
２成分、第３Ｉ！を分を自足した場合にはほとんど変化
はなｉ、従つ工、上記良品基準に合格するための静電容
量の温度変化率Ｔ１．Ｔ、は第１成分の組成内容で決定
され、　ＣａＣ０１が１５．５モル憾禾満では土８嗟以
上になる。一方、　ＣａＣ０１が２６．０七ル憾を超え
ると、２次焼成時に結晶粒子まで酸化が進み。

Ｃが？　０００　Ｊ！、ｌ下に低下しかつｔａｎＪが２
参〜３傷と悪くなる。従って、Ｘの好ましい範咄は０．
３１〜０．５２であり、より好ましい範ｌは、０．３４
〜０．４６である。

実施例２ ＃！】成分（Ｓｒ（１−χ）Ｃａｘ）ＴｉＹＯｍｙ＋１
　”９９．４モル鳴第２成分としてＬａ１０ｇ　　　・
・甲・・・・・・・０．１モル憾ＩＭ３成分としてＭｎ
Ｏ，・・・・・・・・・・・・０．５モル畳の組成で、
実施例１と同一方法でコンデンサを製作し１％特性を同
様に測定したところ、４２表に示す結果が得られた・但
し、第１成分の組成を第２表に示すよ５に８段階に変化
させた。

この第２表から明らかな１５に、ＪＩＩ２成分及びＪＩ
Ｉ３成分の物質を変えても、実施例１と同様な結果が得
られる。

実施例３ 第】成分（Ｓｒ（１−２）Ｃａｘ）ＴｉｙＯｍｙ＋ｔ　
ｏｓ　９９．４−ｒ−ル憾第２成分としてＷＯ畠　　　
　・・・・・・・・・・・・０．１モル憾第３成分とし
てＢｉ、０．　　　・・・・、・・・・・・、−、−０
，５七ル嘔の組成で、実施例】と同一方法でコンデンサ
を製作し、ｑ！ｒ４！性を同様に測定したところ、第３
表に示す結果が得られた。但し、ＪｉｔＩｌａ分の組成
を第３表に示すよ５に８段階に変化させた。

１１ この第３表ρ）ら明らかなように、第２ａ分及び第３成
分の物質を変えても、実施例１と同様な結果が得られる
。

実施例４ 第】成分（Ｓｒ（１−２）Ｃａｘ）ＴｉｙＯ雪ｙ＋１　
＋＋　９９．４モル鳴第２成分としてＷＯ８・・・・・
・・・・・・・０．１モル鳴第３成分としてＣｕＯ・・
・・・・・・・・・・０．５モル鳴り組成で、実施例】
と同一方法でコンデンサを製作し１％特性を同様Ｖｃｌ
ｌ定したところ、第４表に示す結果が得られた。但し、
第１成分の組成を第４表に示すように４段階に変化させ
た。

この第４表から明らかなように、Ｔ１０．の配合割合即
ちｙの値は、素体の焼結性により決まり。

４９．５モル畳未満即ち１．０３＜７では、焼結性が悪
くなる。−万、　Ｔｉｅ曹が５０．５％ル鳴を超えると
即ちＹ　＜　０．９９となるとεが急激に低下し、また
ｔａｎ　＃も３嘔以上になり、更に素体同志の融着も生
じ易（なる。従って、ｙの好ましい範曲は。

０．９９〜１．０１である。

＊ｍｆｌ１５ 第１平分（Ｓｒ（１−ｚ）Ｃａｘ）ＴｉｙＯｍｙ＋１＋
＋９９．４モル％第２成分としてＬａ１０ｇ　　　・・
・・・・・・・・・・０．１モル鳴第３成分としてＢｉ
、０．　　　・川・・・・・・・・０．５モル鳴の組成
で、実施例】と同一方法でコンデンサを動作し、ｑ！ｒ
特性な゛同様に測定したところ、第５表に示す結果が得
られた。但し、Ｉ！１成分の組成な第５表に示す１５に
４段階に変化させた。

この第５表から明らかなように、第２成分及び第３成分
の物質を変えても、実施Ｍ４と同様な結−果が得られる
。

実施例６ Ｉｉ１成分（Ｓｒ（１−ｘ）Ｃａｘ）Ｔｉ）’０鵞ｙ＋
ｘ　　９９．４　モル％＠２成分としてＣａＯ２・・・
・・・・・・・・・０．１モル憾第３成分としてＭｎＯ
，・・・・・・・・・・・・０．５モル鳴り組成で、実
施例】と同一方法でコンデンサを製作し、各特性を同様
に測定したところ、第６表に示す結果が得られた。但し
、１！］成分の組成を第２表に示すように４段階に変化
させた。

この第６表から明らかなよう′に、第２成分及び第３成
分の物質を変えても、実施例４と同様な結果が得られる
。

上記実施例１〜６から明らかなように、　　ＣａＣＵ。

の量が増加すると温度特性が向上する。一方、５ｒＣ０
３の量が減少すると、ｇが小さくなり且っｔａｎＪが高
（なる。従ってＸの好ましい範囲は０．３１〜０．５２
であり、またｙの好・ましい範囲は０．９９〜］、０】
である。このため、実施例】〜６に於ける試料番号１．
８，９．】６．１？、２４．２５，２８゜２９．３２，
３３．３６は本発明の範囲外のものである。

実施例７．１ 半導体化を寄与する第２成分の種類及び添加量（モル鳴
）の変化によってコンデンサの特性がどのよ５に変化す
るかを調べるために。

第１成分（Ｓｒ０．、、　Ｃａ０．、、　）　Ｔｉ０１
・・・・・・・・・・・・　９７．４〜９９．８９５モ
ル憾第２成分とＬ　”ＣＣｅＯ，、Ｌａ、０．　、　Ｗ
Ｏｌ、　Ｇｄ０１　、　Ｙ、０１　。

ＤＹｔＯｓから選択された１種・・・・０．００５〜２
．５モル憾第３成分としてＣｕＯ・山・・・・・・・・
０．１モル畳で１００モル畳となる組成のコンデンサを
実施例１と同一の方法で作り、同一の方法で特性を測定
したところ、第７表囚〜ρの結果が得られた。

但し、第１ａ分は。

５ｒＣＯｊ２９　モル憾 ＣａＣ０１２１モル畳 １°ｉ０＊　　　　５０モル畳 で】００モル畳となる組成で作られた（Ｓｒ０．、、Ｃ
ａ・、４鵞）　Ｔｉ０１である。ｆた。Ｉｉ３成分に’
Ｘ　ＣｕＯＯ，１−Ｅ−Ｊｌ／　１４一定であるので、
＃！３成分を第７表（Ａ）〜（Ｃ）Ｋ載せることを省略
した。また、第１ＩｉＬ分は、総和の１００モル畳から
＠２ｆｆ分のモル憾と第３成分の０．３モル畳との和の
モル噛を差し引−たｆＬＩｉｕち残部であり１例えば、
試料番号３７では９９．８９５モルｑｂ、試料番号３８
では９９．８９モル畳、試料番号３９では９９．８０モ
ル畳、試料番号４ｏでは９９．４０モル鳴、試料番号４
１では９８．９０モルｌＳ、試料番号４２で６９７．９
モル優、試料番号４３では９７．４モル畳であるので、
第１成分を第７表（Ｎ〜（Ｑに畝ぜることを省略した。

上記第７表に於ける第２成分の内、Ｌａ、Ｏｊ、Ｇｄ。

０３．　ＹＩＯＩ、　Ｄ）’ｔｏｎ、　ＣｅＯは、ＡＢ
ＯＪＩＩプ日プスカイト日進スカイト構造ち５ｒｃａサ
イトに入り込ムものと考えられ、一方、　ＷＯ，はＢサ
イト即ち１′ｉヤイトに入るものと考えられる。ところ
で、第２成分が０．０　］モル参未満では、原子価制御
としての効果が小さく、抵抗の小さい結晶粒子を得るこ
とが困難になる。また、２次焼成時に結晶粒子まで酸化
されてしまい、ｔａｎｌが約３藝悪（なり且つ比誘電率
Ｃも低下する。一方、第２成分が２モル嘔を超えると、
Ａサイトに入り込むと考えられる＃＆加物については１
次ｖａＩ！ｔにおいての焼結性が急くなり、原子価制御
による半導体化が困難になる。これに対して、Ｂサイト
に入り込むＷｏｌについては、ｍａｉｍ度が低下し、結
晶粒子の再分解が生じ１粒子が細かくなり、Ｗｏｌの一
部が粒界に偏析しゃ丁くなり、これＫより素体同志の融
着が生じ、且つεも低下する。従って、第２成分の好ま
しい範囲は０．０１〜２モル鳴であり、より好ましい範
囲は０．１〜】モル畳である。このため、第７ＩＩＩ囚
〜０で試料番号３７，４３．４４，５０，５］。

！？、６８．６４，６５．６８．７４　　のものは本発
明の範囲外のものである。

実施例８ 第３成分の種類及び添加量（モル４）の変化によってコ
ンデンヤ特性がとのよ５に変化するかを―べるために。

第　】　成分　（”＋−１８Ｃ１ｏ、ａｌ　　）　　Ｔ
ｉ０−・・・・・・・・・・・・　９６．５〜９９．８
９モル畳ＩＩ２成分としてＣａＯ２、ＷＯＩ　、　Ｃｅ
Ｏ２ｆ）一種・・・・・・・・・・・・　０．１〜０．
５モル憾第３成分としてＣｕＯ、ＭｒｉＯ＠　、　Ｂ１
１０．、ｐｂｏの一種・・・・・・・・・・・−０，０
１〜３モル憾で総和が１００モル唾となる組成物で実施
例１と同一方法でコンデンヤを作り、同一方法で特性を
測定したところ、第８表（Ｎ〜０の結果が得られた。

但し、ｊｌＮ成分は。

５ｒＣＯ＠　　　２９モル４ ＣａＣＯ，２３モル憾 Ｔｉｅ、　　　　５０モル憾 で］　００　％　＃　鳴となる組成で作られたｔ”ｒｓ
、５ａｃａｅ、ａｌ）　ＴｉＯ３である。ところで、第
３成分は１粒界に偏析して粒界成分０＞　＝　８と化合
又は単独に存在し。

１１１ ２次焼成を行うことで粒界に於けるこれ等の物質が酸化
され０粒界絶縁層を形成する。従って１粒子はＮ１ｊＪ
Ｉ半導体１粒界は絶縁体の粒界絶縁徴半導体磁器コンデ
ンヤが得らｔｔ、ル。

上記第８表（Ｎ〜鋤から明らかなように１粒界の絶縁性
の向上、及びｔａｎ　ａを良好にする効果を有する＠３
３成が、０．０５５七ル鳴満では−が低くなって十分な
絶縁性を有することが不可能になり。

且つｔａｎ　Ｉも悪くなる。一方、第３成分が２．５七
ル鳴を超えると１粒界偏析物が素体表面に染み出し、素
体同志の融着が生じ、更にまた６の低下。

ｔａｎδの悪化が生じる。従って、第３成分の好ましい
範囲は０．０５〜２．５七ル鳴でありｓ、ｃり好ｆしい
範囲は０．５〜１モル憾である。

実施例９ 第２成分を、　ＣｅＯ，、Ｌａ、０１．ＷＯＢ、Ｇｄ、
０１．　Ｙ、（Ｊ、。

及びＬ）”！ｍｕｓの内の２１１以上としＣ％１種の場
合と同様な効果が得られることを確かめるために。

＃！】成分Ｃ３ｒ６．ＨＣａｏ、ｓ＠）ＴｉＯ畠−、、
、・、、、、、、、残部第２成分として＃！９表に示す
複数物質・・・・・・・・・・・・　＃！９表のモル優
第３成分としてＣｕＯ・・・・・・・・・・・・０．１
モル鳴で１００モル憾となる組成によって試料番号１３
８〜】８】のコンデンサな実１例１と同一の方法テ作り
、同一方法で特性の測定を行った。尚、第１成分”　（
”’　＠、＠４　Ｃａ　ｏ　４＠　）　Ｔｉ０１４２　
。

５ｒＣＯ，３７モル鳴 ＣａＣ０，１８モル％ Ｔｉｅ、　　　　５０モル憾 で３００モル鳴となる配合物によって作った。

９９表（Ａ） 纂　　９　　表　　（ｋｓ） 第　　９　　表　　（Ｃ） 第　　９　　表　　（Ｄ） 第　　９　　表　　ＣＢ） 上記＃Ｉ９表から明らかなよ５Ｖｃ、第２成分を２種以
上の組合せとしても、１種の場合と同様な効果が得られ
る。尚、試料番号１３８〜１４３，３５６〜３６９．１
７３〜］？８に於イ”Ｃハ、　Ａ　Ｂ　ＯＨｆ）　ヘａ
ブスカイト型構造でのＡサイトに複数の添加物が置換さ
れると考えられる。この場合に於いて、第２成分の合計
が２モル優を超えると、試料番号１４２．３４３，３６
０．１６］、１６５，１６９，１７５゜１７８に示され
る！５に、］ｌＩ［の場合と同様に未焼結となる。一方
、試料番号］４４〜１５５．１７０〜１７２．１７９〜
３８］Ｋ於いては、第２成分の中ＫＡサイトに置換する
物質とＢサイトに置換する物質との両方が含まれている
。この場合、第２成分の合計が２モル鳴を超えると、ｉ
１換が十分に行われなくなり、ｔ＊されなかった添加物
が結晶粒子の成長を阻止し、また粒子間及び素体表面等
へ析出する。従って、１次焼成後の粒子の抵抗が大きく
なり過ぎ、２次焼成後に於１／１″Ｃも、害が小さく且
つｔａｎＪが悪（なる。従って、２種以上の物質を第２
成分とする場合に於いても、第２成分の好ましい範囲は
、０．０１〜２モル憾である。

実施例］０ 第３成分を２８以上の物質としても差支えないことをａ
ｍするために。

第１ａ分（Ｓｒ　１１，１１４　Ｃａ　＊、ｉａ　）　
Ｔｉｅｓ　　＝””・・・’Ａ　ｉｉ第２成分としてＣ
ｅ０１　　　・・・・・・・・・・・・０．５モル嘔第
３成分として第１０表の物質 ・・・・・・・・・・・・第１０表のモル唾で１００モ
ル鳴となる組成によって試料番号１８２〜２３Ｇのコン
デンサを実施例】と同一の方法で作り、同一方法で特性
の測定を行った。尚第１成分の（Ｓｒ、、、、　Ｃａ０
．ｓ、　）　Ｔｉｅ、は、１！施９１１９と同一の方法
で作った。

第　　１０　　表　　（Ａ） 累　　１０　　表　　（Ｂ） 纂　　１０　　表　　（Ｃ） 上記第】０表から明らかなように、第３成分を複数の物
質の組み合せとしても、０．０５〜２．５０モル憾範囲
であれば、実施例８に於ける１種の場合と同様な作用効
果を得ることが出来る。尚第１０表に於いて、試料番号
３８２，１８６，３８７．１９］　。

３９８．２０３．２０６，２３０のものは実施例８の場
合と同様な理由で本発明の範囲外である。

実施９１３ ｉ１Ｎ成分を得るための５ｒＴｉ０１及びＣａＴｉ０．
と。

第２成分としてＣｅＯ，、Ｌｍ、ＯＢ、ＷＯＩ、　Ｇｃ
ｔ、ｏ、、ｙ。

ｏ、、　ＤＦｓＯａから選択された酸化物と。

第３ａ分としてＣｕＯ、ＭｎＯ，、Ｂ１１０．　、　ｐ
ｂｏ　　から選択されｒ、ニーＩＲ化物と。

を第１１表に示す割合に秤量′シ、ボールミルで１０時
間攪拌後、乾燥、粉砕を行−１これに有機パインｆとし
エポリビニルアルコールを］　Ｏ〜１５重量憾混入して
造粒し、実施例１と同一方法でコンデンヤを作り、同一
方法で特性を調定したところ。

第】】表の結果が得られた。

尚第１１表に於ける第１成分のモル嘔は、（Ｓｒ（１−
ｚ　）　Ｃａｘ　）　ＴｉＶＯｔｙ＋Ｉ　Ｋ換算して示
されて−る。

また、焼成後に得られる（　Ｓｒ　（１−ｚ　）　Ｃａ
ｘ　）　Ｔｉｙ　Ｏｓｙ＋Ｉ　Ｋ於けるＸの値は、第１
】表のＣａＴｉ０．のモル鳴の欄の数値の　／１０Ｇと
等しい。また各試料のｙは】である。

上記＃Ｉ】】表から明らかなように、第１ｇ分を得るた
めＫ　５ｒＴｉＯ，及びＣａＴ　ｉＯｇを原料として′
％。

実施例】〜】０と同様な作用効果が得られる。尚。

静電容量の温度特性Ｔ、、Ｔ、は５ｒＴｉ　０１とＣａ
Ｔｉ０ａとの配合割合でほぼ決定される。従って、温度
特性は、この実施例の場合でも、　５ｒＯ−ＣａＯ−Ｔ
ｉ０１固溶体のＳｒＯとＣａＯとの割合変化による変態
点の移動に関係する。このため１本実施例では、　５ｒ
ＴｉＯ。

とＣａＴｉ０．とで第１成分Ｓｒ　（１＋ｘ　）　Ｃａ
ｘＴｉＯｓが作られ、第２成分及び第３成分は実施例】
〜１０と同様な働きをな丁。そして、この実施例の場合
は。

Ｘが０．３１〜Ｇ、５２　、第１成分が９５．５０〜９
９．９４モル僑、第２１ｉｉ、分が０．０］〜２−＆ル
鳴、第３ａ分が０．０５〜２．５モル優であるこ：とが
好まし一〇上記の実施例１〜１１に於いては、原料組成
が示されているが、焼成後に於ける組成％原料組成とほ
ぼ同一である。但し、実施例１１に於い又は。

５ｒＴｉＯ，とＣａＴｉ０．とが焼ＥＩ　Ｗｋ　Ｋ　Ｓ
ｒ　（１−Ｘ　）　Ｃａｘ　Ｔｉ０１になる。

尚上Ｗｉｒ２実施例及びその他の実験により１久のこと
が確認されている。

（ａｌ　　第２及び第３成分の原料を酸化物とぜすに。

焼成によつ℃最終的に酸化物になる例えば水酸化物、硝
酸塩、シュウ酸塩、金属元票、炭鍍塩等を使用して４．
ｃｚ。また、　（Ｓｒ（１−ｘ）Ｃａｗ）Ｔｉｙ　Ｏ＠
ｙ　＋　１も実施例以外の化合物又は元素によって得１
もよい。

（ｂｌ　　還元性雰囲気中での加熱温度は、好ましくは
１３００〜］５０６℃の範囲であり、１３５０〜１４５
０℃の範囲がより好ましいこと。更にこの処３１時間は
２〜８ＦＩＩ１間が好ましいこと。

（ｃｌ　　再酸化処理は８５０’１０〜］３００”Ｃで
１〜５時間行うことが好ましいこと。

（ｄｌ　　本発明に係わるコンデンサ素体の性質を損わ
ない範囲で１例えばＡＩ、０．．８ｉ偽等の更に別の物
質を付加しても差支えないこと。

（ｅ）　　有機結合剤の好ましい範囲は、１ｌＥ１．第
２゜及び第３成分の合計に対して５〜２０重量憾、より
好ましい範囲は１０〜１５ｆｉｌｌ傷であること。

（ｆｌ　　５Ｊ！施例］】に於いて、第２及び第３成分
を複数物質としても全（同様な効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１崗は実施例１に係わるコンデンサを模式的に示す断
面図である。第２図は実施例ＩＫ於けるＣａｎｏｅとｔ
ａｎ　ＩＩ　、　ＴＩ、　ＴＩとの関係な示す特性図で
ある。 尚図面に用いられている符号に於いて、（１１はコンデ
ンサ素体、（２）（３１は電極である。 代理人　高野則次

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １１）　　（Ｓｒ　（１−ｘ）　（Ｊｘ　）　ＴｉｙＯ
   ，ｙ＋１　（但し、ｘ＝０．３３〜０．５２．　ｙ＝ｏ
   、ｓｓ　〜１．０１である〕１９５．５０〜９９．９４
   モル憾。 ＣｅＯ，、ＬａｇＯＢ　、　ＷＯｌ　、　Ｇｄ、ｏｌ、
   　ＹＩＯＩ　、　及ヒＤ’ｆ　ｍｏｎのうちの少なくと
   も一種の金属酸化物ｖＯ，０３〜２．００モル鳴。 ＣｕＯ、ＭｎＯ，、Ｂｉ、０１　、　　及びＰｂＯｔｖ
   　５ちの少な（とも一種の金属酸化物ｖｏ、ｏｓ〜２．
   ５０モル嘔。 を含んでいることン特徴とする半導体磁器コンデンサ素
   体。 （２）　　（Ｓｒ（１−１）Ｃａｗ）Ｔｌｙ０１ｙ＋１
   　（但し、ｘ＝０．３１〜０−５２　、　ｙ　＝　０．
   ９９〜１．０１である）を９５．５０〜９９．９４モル
   参と。 Ｃｅ０１　、ＬａＨＯＢ　、　ＷＯ３、ｅａ、ｏ、　、
   ＹＩＯＩ　、及びｌ）Ｙ　＊Ｏａのうちの少な（とも一
   種の金属酸化物ｖＯ，０３〜２．００モル鳴と。 ＣｕＯ、ＭｎＯ，、ａｔ、ｏ、、及びＰｂＯｔｖうチノ
   少なくとも一種の金属酸化物ｙ　ｏ、ｏ　ａ〜２．５０
   モル嘔と。 有機バインダと、 から成る混合物ン所定寸法に成形すること。 次［、前記成形によって得た成形物を還元性又は中性雰
   囲気で焼成し℃半導体磁器とすること。 次に、前記半導体磁器を酸化性雰囲気で熱処理すること
   。 を含む半導体磁器コンデンサ素体の製造方法。 （３）　　前記ｔＩ８成は１３５０℃〜１４５０℃によ
   る焼成であり、前記熱処理は大気中９５０℃〜１２５０
   ℃の熱処理である％軒請求の範囲第２項記載の牛導体磁
   器コンデンｆ素体の製造方法、　　　　′々・＋４７　
   　前記（Ｓｒ（１−ｚ）Ｃａｘ）ＴｉｙＯ１ｙ＋１は。 Ｔ盪Ｏｔ　　　４９．５〜５０，５モル畳。 ＣａＣ０，１５，５〜２６．０％Ａｌ＆。 ＳｒＣＯ３２４，０〜３４．５モル鳴 （但Ｌ０．９９≦（５ｒＣＯ，＋　Ｃｍ　ｃｏ、　）　
   ／　Ｔ　ｉｏｎ≦１．０１）で生成されたものである特
   許請求の範囲第２項又は第３項記載の半導体磁器コンデ
   ンサ素体の製造方法。 １５１　　ＣａＴｉ０．及び５ｒＴｉ０１を（Ｓｒ　（
   １−ｚ　）　Ｃａｘ　）’ｆｌｙＯ，ｙ＋１（但し、ｘ
   　−０，３］　〜０．５２　、　ｙ　＝　０．９９〜１
   ．０’ｌテ＆る）Ｋ換算して９５．５０〜９９．９４−
   Ｔ−ル鳴と、 ＣｅＯ，、Ｌａ１０ｇ、ＷＯ，、Ｇｄ、ｏｌ、　ｙ、ｏ
   、、及びＤＹ＊Ｏｓのうちの少なくとも一種の金ｌｌ４
   ｆｌｔ化物を０．ＯＪ〜２．０００モル畳。 ＣｕＯ、Ｍｎ０１．Ｂ１１０Ｈ１及びｐｂｏの５ちの少
   なくとも一種の金属酸化物を０．０５〜２．５００モル
   畳。 有機バインダと。 から成る混合物を所定寸＠に成形すること。 次に、前記成形によって得た成形物を還元性又は中性雰
   囲気で焼成して半導体磁器とすること。 次に、前記半導体磁器を酸化性雰囲気で熱処理ｙること
   。 を含む半導体磁器コンデンヤ素体の製造方法。 ＋６３　　ｉｌｌ記焼成Ｇ２１３５０”Ｃ−３４５０℃
   ＫＪ７ｂ焼成であり、前記−処□理は大気中９５０　’
   ＩＣ’〜１２５０Ｔの熱処理である特許請求の範１１Ｊ
   Ｉ５項記載の半導体磁器コンデンサ素体の製造方＠。