JPS63122032A

JPS63122032A - 電界効果型光デイスク

Info

Publication number: JPS63122032A
Application number: JP61267580A
Authority: JP
Inventors: Norio Goto; 典雄後藤; Zene Kodera; 小寺　善衛; Nobuhiro Tokujiyuku; 徳宿　伸弘; Hisashi Nichibe; 日部　恒
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1986-11-12
Filing date: 1986-11-12
Publication date: 1988-05-26

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は光情報記録担体にかかわり、特に記録速度の向
上に好適な電界効果型光ディスクに関する。

〔従来の技術〕

光ディスクはディスク径１３０　Ｍで５００メガバイト
（　Ｍ　　Ｂｙｔｅ　）と極めて大容量のデータを記憶
出来る。しかし、情報記録においては大容量化とともに
必然的に記憶、抗出し速度の高速化が求められており、
光ディスクにおいてもその高速化が課題となっている。

従来の光ディスクの一つとして、特開昭５６−１４５５
３０号公報に記載されているようなものがあるこの光デ
ィスクにおいてはレーザ光の熱エネルギのみを用いて記
録を行っているが、レーザ光エネルギに限界があるため
その熱応答が遅く、高速で記録することがでさないとい
う問題があった。

また、他の従来の光メモリとして、日刊工業新聞社発行
「ニューセラミックス」の第１４８−１５０頁に記載さ
れたものがある。この光メモリは、アモルファス半導体
膜に数十ボルトの電圧を印加することによって、書込み
エネルギを２桁程度下げ、記録の高速化を図ったもので
ある。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記の前者の従来技術は記録速度向上の点について配慮
されておらず、記録速度が運いという問題があった。

また、後者の電界印加により記録の高速化を図った従来
技術には、記録膜に案内溝が形成されておらず、光ディ
スクとして使用する配慮がなされていないという問題が
あった。また、透明電極膜を安定に形成する配慮がされ
ておらず、感度むらが生じるという問題があった。

本発明の目的は、前記した従来技術の問題点を除去し、
高速で記録でき、かつ感度むらの低減を図った光ディス
クを提供するにある。

〔問題点を解決するための手段〕

上記目的は、記録膜を透明電極と電極ではさみ記録膜に
電界を印加できるようにすること、透明電極が案内溝で
のステップカバレージ不良により段切れを起すのを防止
するために、透明電極を案内溝のない平板基板面に形成
し、該案内溝をＵＶ樹脂を用いて２Ｐ法（Ｐｈｏｔｏ　
Ｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ　）により形成すること
、該ＵＶ樹脂上に記録膜を形成すること、および透明電
極と記録膜との間に介在するＵＶ樹脂の比抵抗を、ＵＶ
樹脂に帯電防止剤あるいは導電樹脂を添加することによ
り低下させることにより達成した。

〔作用〕

透明電極は平面上に形成されるので、案内溝上で問題と
なるステップカバレージ不良による段切れがなく、ディ
スク全面にわたって断線部がなく、−様に所定電界を案
内溝を有する記録膜に印加出来る。このため、記録感度
むらを防止出来、全面にわたって高速記録が安定に出来
る。

〔実施例〕

以下に、本発明を実施例によって詳細に説明する。第１
図は本発明の一実施例の断百図を示す。

本実施例においては、透明基板１として１．２寵厚のＰ
ＭＭＡ板を用い、その上に透明電極膜２としてネサ膜を
膜厚１０００λで形成し、その上に２Ｐ法（Ｐｈｏｔｏ
　Ｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｒ＋　）を用いて案内溝
を紫外線硬化（ＵＶ）樹脂層３で形成した。このＵＶ樹
脂層３は、比抵抗１０ＩｌｌΩ・１のＵＶ樹脂にポリオ
キシエチレンアルキルエーテル、グリセリン脂肪酸エス
テル等の帯電防止剤を添加し、比抵抗を１０’Ω・備ま
で低下させて形成されており、電界バッファ層としての
機能と、案内溝を形成するための機能とを有している。

さらに、このＵｖ樹脂層３上にはＳｂ　−Ｓｅ　−Ｂｉ
系のカルコゲナイド膜からなる厚さ１０ｏＯ＾の記録膜
４が形成され、その上に銅フタロシアニンからなる断熱
電極膜５が被覆され、さらにその上にｋｌが厚さ３００
０＾になるように蒸着形成され、最後に保護樹脂７が被
覆されている。

本実施例の電界効果型光ディスクに記録を行う場合には
、スイッチＳＷを介して電源８を透明電極膜２と電極６
に接続し、レーザ光９を印加する。。

そうすると、非晶質であった記録膜４は結晶化温度に高
められ、結晶化し、光学定数が変化する。

本実施例によれば、記録膜４に電界を印加した状態でレ
ーザ光が照射されるため、結晶化に必要なエネルギが無
電界時より低くなる。この結果、結晶化速度を高めるこ
とが出来、高速記録が可能となる。

再生時には電界は不用であり、非晶質、結晶質の光学定
数の差により信号を反射光量変化として検出することが
出来る。

なお、前記ＵＶ樹脂層３を介しての電界印加はＵＶ樹脂
のもつ静電容量および導電性付加処理による導電性で得
られ、電界印加終了後の静電容量のチャージアップは導
電性によりディスチャージ出来る。このため、再び記録
しようとしたときには、既にディスチャージされており
、何らの問題も残らない。

また、断熱電極５は記録感度向上のために設けたもので
あり、該断熱電極５としては金属よりも低熱伝導で電気
伝導度の大きな銅フタロシアニンのような導電性有機材
料が適している。

第２図は本発明の他の実施例の断面図を示す。

この実施例は、レーザ光のパワーに子桁がある場合の例
を示し、前記第１実施例と異る所は、断熱電極５を除去
し、記録膜４上に電極６を直接設けた点である。この場
合、前記第１笑施例が有する効果に加えて工程が一層削
減出来るという効果がある。

前記の第１．第２実施例によれば、透明電極２は平面上
に形成し、その上に他方の面に案内溝を有するＵＶ樹脂
層３を形成しているので記録膜４に安定的に案内溝を形
成することができる。また、透明電極２の段切れをな（
すことが出来、記録膜４に−様に電界を印加することが
出来る。この結果、記録膜４に案内溝が形成されている
にかかわらず、電界の印加不良による感度むらの発生を
防止することが出来る。

〔発明の効果〕

本発明によれば、記録膜に電界を印加した状態で記録で
きるので、高速記録可能な光ディスクを提供出来る。

また、透明電極膜を透明基板の平面上に形成し、その上
にＵＶ樹脂層を形成し案内溝を作成したので、案内溝を
有する記録膜を容易に形成することができると共に、透
明電極膜に段切れを起すことなく記録膜に−様な官界を
印加することができる。

このため、記録感度むらのない案内溝を有する光ディス
クを提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の断面図、鯖２図は本発明の
他の実施例の断面図である。１・・・透明基板　　　　　２・・・透明電極３・・・
ＵＶ樹脂案内溝層　４・・・記録膜５・・・断熱電極　
　　　　６・・・電、極７・・・枳護層７　、”：誓：゛・′

Claims

【特許請求の範囲】

（１）記録膜に電界を印加した状態でレーザ光を照射す
ることにより記録を行うようにした電界効果型光ディス
クにおいて、透明平板基板面上に形成された透明電極膜
、該透明電極膜上に形成されかつ、帯電防止剤又は導電
性樹脂を添加して導電性が付加され、該透明電極膜と反
対側の面に案内溝が形成された紫外線硬化樹脂層、該紫
外線硬化樹脂層上に形成された記録膜、およびその上に
形成された電極層を具備し、前記透明電極膜と電極層間
に電界を印加できるようにしたことを特徴とする電界効
果型光ディスク。
（２）前記紫外線硬化樹脂層に、２Ｐ法により案内溝を
形成したことを特徴とする前記特許請求の範囲第１項記
載の電界効果型光ディスク。
（３）前記記録膜と電極層間に、導電性有機材料からな
る断熱電極層を設けたことを特徴とする前記特許請求の
範囲第１項又は第２項記載の電界効果型光ディスク。