JPS63118743A - 像形成消去方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、像形成消去方法に関する。詳しくは特定の素
子に紫外波長のレーザー光により像を形成し、加熱する
ことにより形成した像を消去する方法に関する。

〔従来の技術〕

特定の光を照射することにより吸収波長が変化し、この
吸収波長が変化したものに暗所で熱を与えたり、特定の
波長の光を照射することにより元に戻る化合物はフォト
クロミック化合物として古くから種々のものが知られて
いる（例えば、繊維高分子研究所研究報告ＮＯ，１４１
（１９８４−３））。しかしながらこれらのものは、固
体中では上述の可逆反応が十分な速さで進行しないこと
から表示素子、記録素子などの光学素子としては利用し
難いものとされていた。これを解決する方法として媒体
として特殊なものを使用することが試みられている（例
えば特開昭６１−１７５０８３号公報等）。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上述の特殊な媒体を用いる方法では、媒体として特殊な
ものを選択するだけではなく、更にフォトクロミンク化
合物そのものを修飾する必要があり、素子の原料が極め
て高価であるという問題がある。

本発明者らは入手が容易で安価な原料からなる像形成素
子を用いた像形成消去方法について鋭意探索し、特定の
化合物の組合せからなる素子を用いると容易に像の形成
消去ができることを見出し、本発明を完成した。

〔問題点を解決するための手段〕

即ち、本発明は、ポリアクリル酸エステル及び／又はポ
リメタクリル酸エステル中にＮ　　ｉｉ！換芳香族アミ
ン誘導体を分散してなる素子に紫外波長のレーザー光を
照射してＮ−置換芳香族アミン誘導体を励起することに
より像形成を行ない、更に該素子を加熱することにより
消去することを特徴とする像形成消去方法である。

本発明においては、ポリマー媒体としてポリアクリル酸
エステル及び／又はポリメタクリル酸のエステルが用い
られる。ポリアクリル酸エステルやポリメタクリル酸エ
ステルとしては、ポリアクリル酸メチル、ポリアクリル
酸エチル、ポリアクリル酸プロピル、ポリアクリル酸ブ
チル、ポリメタクリル酸メチル、ポリメタクリル酸エチ
ル、ポリメタクリル酸プロピル、ポリメタクリル酸ブチ
ル或いはそれらを構成する単量体の共重合体が例示され
る。特にポリメタクリル酸メチルが好ましく使用できる
。

ポリマー媒体として他の樹脂、例えば、ポリスチレン、
ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ４−メチルペンテ
ン−１、ポリフェニルエーテル等を用いたのではレーザ
ー光により後述のＮ−置換芳香族アミン誘導体を励起し
ても像を形成し得ない。

本発明において、Ｎ−置換芳香族アミン誘導体としては
、好ましくはＮ−置換ρ−フェニレンジアミン、Ｎ−置
換ベンジジン及びそれらの誘導体であり、例えば、Ｎ、
Ｎ、Ｎ’、Ｎ’−テトラメチル−ｐ−フェニレンジアミ
ン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’−テトラエチル−ｐ−フェニレ
ンジアミンのような４つの炭化水素残基でＮ−置換され
たｐ−フェニレンジアミン或いはＮ、Ｎ。

Ｎ’、Ｎ’−テトラメチルベンジジン、Ｎ、Ｎ、Ｎ”Ｎ
ｌ−テトラフェニルベンジジンのような４つの炭化水素
残基でＮ−置換されたベンジジンが好ましく用いられる
。ここでＮ−置換芳香族アミン誘導体の濃度としてはポ
リマー１ｋｇ当たり１Ｏ−ｆｆｉ〜１０−１０−１Ｏ／
ｋｇ。

通常１０４〜１０−”ｍｏｌ／ｋｇとするのが一般的で
ある。

濃すぎると素子としての機械強度が低下するだけでなく
、レーザー光照射に対する光収率が低下し好ましくない
、又薄すぎるとレーザー光を照射しても吸収の変化が小
さく好ましくない。

本発明において上記Ｎ−置換芳香族アミン誘導体のポリ
アクリル酸エステル及び／又はポリメタクリル酸エステ
ル中への分散方法については特に制限はなく、両者を溶
解する溶剤中に溶解せしめた後、溶媒を除去して素子と
する方法、ポリマーを加熱溶融してＮ　−７ｆ換芳香族
アミン誘導体を混合する方法、対応する単量体にＮ−置
換芳香族アミン誘導体を溶解した後、重合開始剤の存在
下、或いは不存在下に加熱して重合せしめる方法等が例
示できる。

本発明においては上述の素子に紫外波長のレーザー光を
照射することで像形成が行なわれる。ここで紫外波長の
レーザー光としては、上述のＮ−置換芳香族アミン誘導
体が吸収を有する波長領域のレーザー光が用いられ、好
ましくは２５０〜３８０ｎｌＩ程度の光が用いられる。

これらの波長のレーザー光を発振し得るものとしてはル
ビーレーザーの２次高調波（３４７ｎｍ）、ＸｅＣ＋（
３０８ｎｓ）、ＫｒＦ　（２４８ｎ＊）、Ｘｅ　Ｆ　（
３５１ｎｍ）などのガスによるエキシマ−レーザー、Ｙ
ＡＧレーザーの３次、４次高調波などが例示でき、光強
度としては数ｍＪ／ｐｕｌｓｅ程度より大きいものが通
常使用される。レーザー光の照射は、上述のポリアクリ
ル酸エステル及び／又はポリメタクリル酸エステルの７
ｇ以下の温度、通常常温ないしそれ以下の温度で行なわ
れ、レーザー光によってＮ−Ｗ換芳香族アミン誘導体を
励起することによって照射された部分が着色し、像が形
成される。

本発明においては上述の方法で形成された像は加熱する
ことにより消去される。加熱方法としては種々の方法が
採用でき、単に素子を加熱することによっても消去でき
る。この際に必要な温度としては短時間で像を消去する
ためにはポリアクリル酸エステル及び／又はポリメタク
リル酸エステルのガラス転移温度Ｔｇ以上であるが、比
較的時間をかけて消去するためにはそれより低い温度で
あっても良い。加熱するより良い方法としては、ポリア
クリル酸エステル及び／又はポリメタクリル酸エステル
の赤外？■域での吸収波長の光を照射する方法であり、
このようにすることでより狭い範囲の像を消去すること
ができる。このための光源としては通常の赤外ランプに
よる光を必要に応じ狭いスポットに集光して、或いは赤
外部に発振波長を有するレーザー光が例示できる。

〔実施例〕

以下、実施例を挙げて本発明を更に説明する。

実施例１ メタクリル酸メチル１００ｄにＮ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’−テ
トラメチル−ｐ−フェニレンジアミン８．２■とアゾビ
スイソブチロニトリル８．２■を溶解し、６０°Ｃで２
０時間、次いで１２０°Ｃで１０時間加熱することでポ
リメタクリル酸メチル中にＮ、　Ｎ、　Ｎ’　、　Ｎ’
−テトラメチル−ｐ−フェニレンジアミンを分散した素
子（直径１　ｍｍの線状）を形成した。この素子にルビ
ーレーザー（日本電気■製″５ＬＧ２００９”）の２次
高調波（３４７Ｗｍ、１４ｎｓ、　１５ｍＪ）を照射し
た。光が照射したところだけ４青色に着色した。室温で
２日間置き、着色が変化していないのを確認した。この
着色した試料に赤外線ランプ（東芝■製、１００Ｗ）の
集光したスポットを５秒間照射して加熱したところ脱色
した。

実施例２ Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ”−テトラメチル−ｐ−フェニレンジ
アミンに代えてＮ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’−テトラメチルベン
ジジンを用いた他は実施例１と同様とした。レーザーを
照射した部分は黄色に着色した。又、この着色部に炭酸
ガスレーザー（１０，６μｍ　、５０Ｗ）により赤外光
を照射すると実施例１と同様に脱色した。

実施例３ メタクリル酸メチル１００Ｉ１１に代えてメタクリル酸
メチル８０ｄとアクリル酸メチル２０ｄを用いた他は実
施例１と同様として素子を作った。この素子にエキシマ
−レーザー（３０８ｎ＋＋＋、　　１５０ｍＪ、ラムダ
フィシツク社製）を用いて光を照射したところ濃青色に
着色した。この着色は実施例２と同様に赤外レーザーで
加熱することで脱色できた。

〔発明の効果〕

本発明の方法は紫外波長のレーザー光を用いてＮ−置換
芳香族アミン誘導体を励起することによって着色し像を
形成し、赤外光を照射することによって加熱して脱色し
消去することができ、表示手段、記録手段として極めて
有効である。

特許出願人　　三井東圧化学株式会社 手続補正書（自発） 昭和６２年２月１６日 特許庁長官　黒　１）明　雄　殿 ■、事件の表示 昭和６１年特許願第２６４０６７号 ２、発明の名称 像形成消去方法 ３、補正をする者 事件との関係　　特許出願人 住所　東京都千代田区霞が関三丁目２番５号名称　（３
１２）三井東圧化学株式会社明細書の発明の詳細な説明
の欄 ５、補正の内容 （１）明細書第３頁第１３〜１４行の「ポリメタクリル
酸のエステル」を「ポリメタクリル酸エステル」と訂正
する。

（２）同第６頁第８行の’ＴｇＪをｒＴｇＪと訂正する
。

（３）同第６頁第１９行の’ＴｇＪを’Ｔｇ　Ｊと訂正
する。

（４）同第８頁第１０行の「５０ＷＪを「２Ｗ」と訂正
する。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、ポリアクリル酸エステル及び／又はポリメタクリル
   酸エステル中にＮ−置換芳香族アミン誘導体を分散して
   なる像形成素子に紫外波長のレーザー光を照射してＮ−
   置換芳香族アミン誘導体を励起することにより像形成を
   行ない、更に該素子を加熱することにより像を消去する
   ことを特徴とする像形成消去方法。 ２、加熱が赤外光の照射によるものである特許請求の範
   囲第１項記載の像形成消去方法。