JPH02165992A - 情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はヒートモードで記録および消去可能な第２高調
波発生材料を利用した情報記録媒体に関する。

［従来の技術］ 従来、書き換え可能な高密度記録方法として。

相転移現象を利用するものや、光磁気現象を利用するも
のや、液晶もしくは高分子液晶の電場配向を利用するも
のなどが知られている。しかしながら、相転移現象や光
磁気現象を利用するものは大きなコントラストをとるこ
とが困難てあり、また液晶や高分子液晶の電場配向を利
用するものは媒体に電極を設ける必要があり、コスト面
において不利であった。

一方、有機の非線形光学材料が高い非線形光学性能を持
つことが発見されてから、種々の有機材料が合成され、
その特性の評価がなされてきた。

特に、非線形光学効果のうちで、二次の高調波発生（Ｓ
ＨＧ）は、結晶構造に中心対称性がある場合には観測さ
れず、分子の配列が５ｔｌＧの発現に大きくかかわつて
いる。そこで、非線形光学効果を外部基において制御す
ることを目的として、ホスト分子中に非線形光学定数の
大きいゲスト分子を入れて、電界又は磁界を印加ｌノて
配向させる方法か知られている。

例えば、高分子液晶をホストとして、極性分子をゲスト
として、高分子液晶の電場配向を利用して極性分子を配
列することが試みられ、電圧印加によりＳＨＧが観測さ
れている［メレディス　ジ−アール等［マクロモレキュ
ルスＪ　（Ｍｅｒｅｄｉｔｈ。

Ｇ、　　Ｒ，ｅｔ　　ａｌ　　；　　Ｍａｃｒｏｍｏｌ
ｅｃｌｕｌｅｓ、）ｉｓ、　　１３８５　　頁、１９８
２年１ また、アモルファス高分子中に極性分子を配向させる例
としては、ポリメチルメタクリレート樹脂中にアゾ色素
を溶解して薄膜化した後、ガラス転移点以上に加熱し、
電圧を印加してアゾ色素分子を配列させながら冷却して
その構造を固定化することにより、８　Ｘ　１０−’ｅ
ｓｕの非線形光学定数が観測されている［シンガー　ケ
イ　デイ−、ソーン　ジェイ　イー、ララマ　ニス　ジ
ェイ　「アプライド　フィジックス　レターズＪ　（Ｓ
ｉｎｇｅｒＪ。

Ｄ、、　５ｏｈｎ、　Ｊ、　Ｅ、　ａｎｄ　Ｌａｌａｍ
ａ、　Ｓ−Ｊ　；　Ａｐｐｌ。

Ｐｈｙｓ、　Ｌｅｔｔ、、）　４９．２４８頁、１９８
６年］。

さらに、特開昭５７−４５５１９号公報、米国特許第４
．４２８，８７３号用細書等に高分子化合物を基体とす
るものに非線形光学応答性有機化合物を加えることによ
つて高分子非線形光学基体を得ることか記載されている
。

他方、特開昭６２−８４１３９号公報に記載されている
ように、アクリルアミド樹脂をホストポリマーとじ、非
線形光学応答性有機化合物をゲストとした非線形光学基
体が知られている。

これらのホスト−ゲスト系非線形光学材料は、その光学
材料に電界や磁界によって作り出された配向部と非配向
部の非線形光学応答（ＳＨＧなど）の差を利用すれば、
書き換え可能な情報記録媒体として利用できることは自
明である（特開昭６３−１４２５４：１号公報）。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、上記の様な従来例では、ホスト−ゲスト
系非線形光学材料からなる記録層中に電界などの外部か
らの力によって配向部を作り出すために、記録層をはさ
むように電極を設けなければならず、情報記録媒体の層
構成が複雑になり、大量生産に不向きであり、また生産
コストも高くなり実用性にとぼしかった。

本発明者らは、この様な従来技術に鑑みて研究を行った
結果、電界や磁界のような外部からの力を必要とするこ
となく、ヒートモードでの相変化を利用することにより
、ゲス１−有機化合物の分子配向を制御することができ
る大きなＳＨＧ活性を有する新規のホスト・ゲスト系材
料を見いだし、またこの材料が情報記録媒体の記録層と
して利用てきることを見い出し本発明の完成に至った。

［課題を解決するための手段］および［作用］即ち、本
発明は、少なくとも１種類の結晶性高分子を含有するホ
スト高分子化合物中に電子吸引基と電子供与基を併せも
つゲスト有機化合物を含有してなる複合体からなる記録
層を有することを特徴とする情報記録媒体である。

以下、本発明の詳細な説明する。

本発明における新規のホスト・ゲスト系材料は、ホスト
高分子化合物中にゲスト有機化合物を含有してなる複合
体からなり、ホスト高分子化合物には少なくとも一種類
の結晶性高分子が含まれており、ゲスト分子としてのゲ
スト有機化合物は電子供与基と電子吸引基を併せもつも
のである。

この複合体からなる材料は、溶融相から室温付近へ徐冷
することにより結晶化し、その結晶化するだけで分子配
向が達成される。すなわち、二次の超分極率βは大きい
がゲスト有機化合物単体では中心対称結晶であり、ＳＨ
Ｇ活性を全く示さないゲスト有機化合物を、結晶性高分
子を含有するホスト高分子化合物にブレンドし、溶融相
もしくは結晶分散温度から徐冷ｌノ、結晶化させること
で電界などの外部の力なしに中心対称性をもたない結晶
へ自発的に変化する。この様にして、本発明の情報記録
媒体の記録層を構成する複合体のホスト−ゲスト系非線
形光学材料に含有されている結晶性高分子は、ゲスト分
子の配列に大きな役割を果すものと考えられる。

しかし、溶融相もしくは結晶分散温度より室温付近に急
冷した場合は、中心対称性をもたない結晶への転移は起
こらず、非晶のままであり、５ＩＩＧ活性は小さい。従
って、本発明では上記複合体のホスト−ゲスト型非線形
光学材料を記録層として用いることにより、徐冷もしく
は急冷という手段でＳＨＧ活性の大きい結晶領域、もし
くはＳＨＧ活性の小さい非晶領域を任意に作り出し、こ
の２つの状態を読みだすことにより情報記録媒体として
の機能が達成される。つまり、ヒートモードでの相変化
を利用するため、電極や磁気コイル等は不用であり、低
コストの情報記録媒体を提供することかてきる。

第１図は本発明の情報記録媒体の構成例を示す断面図で
ある。同図において、基板ｌ上に記録層２が形成され、
さらにその上に３の保護層もしくは保護基板が設けられ
ている。基板１には、アクリル樹脂、ボリカーギネート
樹脂、エポキシ樹脂、スチレン樹脂などが用いられる。

３の保護層もしくは保護基板には、基板ｌに用いられる
ようなプラスチック類に加え、ポリエステル、ポリウレ
タン、セルロース誘導体、ナイロンなどのポリアミド樹
脂などが用いられるや記録層２は、少なくとも１種類の
結晶性高分子を含有するホスト高分子化合物中に電子吸
引基と電子供与基を併せもつゲスト有機化合物を含有１
ノてなる複合体からなる。

第２図（ａ）〜（ｄ）は、本発明の情報記録媒体Ｉ＼の
情報の書き込みプロセスを示す工程図である。

まず、第２図（ａ）で示されるように、記録層２は最初
の段階で溶融相もしくは結晶分散温度より徐冷化処理さ
れ、全面結晶化していると、レーザー光を入射すれば５
ｌ（Ｇ光が観測される。

次に、書き込みプロセスについて説明すると、第２図（
ｂ）に示す様に、レーザー光もしくは熱ヘツドで結晶溶
融温度まて加熱する。そして、加熱を停止すれば加熱部
は室温まで急冷される。この過程で加熱部分だけが結晶
状態からアモルファス状７ｇに変化する。すなわち、非
中心対称の部分配列からランタムな分子配列に変わり、
そのままの状態で保存される。

次に、読み出しは、第２図（Ｃ）に示す様に、溶融まて
の温度上昇を伴わない程度の弱い光を照射することによ
り行われ、加熱部分６のアモルファス部６では５ＩＩＧ
光は観測されない。

一方、第２図（ｄ）のように、結晶化している結晶部て
はＳＨＧ光か＃１Ｍされる。このアモルファス部６と結
晶部７の５ＩＩＧ強度の差から２つの状態を読み出すこ
とかできる。この読み出しの光源は書き込みに利用した
光源を弱くして用いることかできる。

メモリーを消去するときは、再び結晶溶融温度以上に加
熱し、徐々に加熱パワーを弱めることで徐冷し、結晶化
させることで最初の状態（第２図（ａ））にもどるので
、再度書き込むことができる。

照射するレーザー光に関しては、記録層の吸収特性を考
慮してそれに適する発振波長を有するレーザー、例えば
半導体レーザー、　Ｎｄ：　ＹＡＧレーザ−、Ｈｅ−Ｎ
ｅレーザー、アルゴンレーザー、Ｎｄニガラスレーザー
等が挙げられる。また、レーザー光以外の手段による加
熱方法、例えば抵抗体による熱ヘットなどを利用しても
よい。

光を利用して書き込みを行う場合、入射光を吸収して発
熱し、記録層を加熱することか必要である。そのために
、第３図（ａ）、（ｂ）に示すように、記録層２の上部
又は下部に照射光を選択的に吸収し、５ＩＩＧ光を透過
（または反射）する吸収Ｍ４を設けることかできる。

また、読み出しに関しては、第４図に示すように、光を
照射し、透過光のＳＨＧ光を検出する方式、または第５
図に示すように、ミラー等の反射層５で反射されたＳ　
Ｆｉ　Ｇ光を検出する方式が回旋である。

次に、記録層を構成するホスト高分子化合物とゲスト有
機化合物は塗布などの方法により均一な膜として形成さ
れる。塗布方法としては、ホスト高分子化合物およびゲ
スト有機化合物を適当な溶媒中に溶解し、スピンコード
法、デイツプ法、ブレードコート法などを用いることが
できる。塗布後は、乾燥により溶媒を留去して均質な膜
を形成できる。また、記Ｑ層には延伸配向を施したもの
を使用すこともできる。

次に、記録層の構成について詳しく述べる。

本発明における記録層を構成する結晶性高分子は、かな
り秩序をもった分子配列を示し、ｘ＆１回折により明確
な結晶構造が認められる高分子であり、具体的には、比
較的に単純な単量体構造をもつポリエチレンやポリプロ
ピレンなど、又は強い極性基をもつポリアクリロニトリ
ルなどや分子間に水素結合をつくりやすいポリアミド、
ポリエステル、またセルロースやタンパク質なとである
。

より好ましくは、下記の一般式［Ｉ］で表わされるモノ
マーを重合もしくは共重合した特願昭６３−１８６７５
２号記載のラクトン重合体、特願昭６：ｌ−０１２５７
５号記載のナイロン共重合体、ポリオキシアルキレンな
どがあげられる。

一般式［Ｉ］ ホスト高分子化合物は、これら一種もしくは二種以上の
ブレンド結晶性高分子単独で構成されてもよいし、結晶
性高分子とポリスチレンやポリメタクリル酸メチルなど
のアモルファス高分子とのブレンドにより構成されても
よい。

ただし、ホスト高分子化合物中に含有される結晶性高分
子の割合は、１０重量％未満ては結晶化度が極端に低下
するので、少なくとも１０重量％以上、より好ましくは
２０重量％以上である。

本発明において、記Ｑ層を構成するホスト−ゲスト系非
線形光学材料に使用されるゲスト有機化合物は分子中に
電子吸引基と電子供与基を併せもつ電荷非対称性電子構
造を有する化合物で、一般に分子量約１０００以下の低
分子化合物である。

電子供与基としては、アミノ基、アルキル基（メチル、
エチル、イソプロピル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル、ｔ
−ブチル、　５ｅｃ−ブチル、ｎ−オクチル、ｔ−オク
チル、ｎ−ヘキシル、シクロヘキシルなど）、アルコキ
シ基、（メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシな
ど）、アルキルアミノ基（Ｎ−メチルアミノ、Ｎ−エチ
ルアミノ、Ｎ−プロピルアミノ、Ｎ−ブチルアミノなど
）、ハイドロキシアルキルアミノ基（Ｎ−ハイドロキシ
メチルアミノ、Ｎ−（２−ハイドロキシエチル）アミノ
、Ｎ−（２−ハイドロキシプロピル）アミノ、Ｎ−（３
−ハイドロキシプロピル）アミノ、Ｎ−（４−ハイドロ
キシ）ブチルアミノなど）、ジアルキルアミノ＆（Ｎ、
Ｎ−ジメチルアミノ、Ｎ、Ｎ−ジエチルアミノ、Ｎ、Ｎ
−ジプロピルアミノ、Ｎ、Ｎ−ジブチルアミノ、Ｎ−メ
チル−Ｎ−エチルアミノ、Ｎ−メチル−Ｎ−プロとルア
ミノなど）、ハイドロキシアルキル−アルキルアミノ基
（Ｎ−ハイドロキシメチル−Ｎ−メチルアミノ、Ｎ−ハ
イドロキシメチル−Ｎ−エチルアミノ、Ｎ−ハイドロキ
シメチル−Ｎ−プロピルアミノ、Ｎ−（２−ハイドロキ
シエチル）−Ｎ−メチルアミノ、Ｎ−（２−ハイドロキ
シエチル）−Ｎ−エチルアミノ、Ｎ−（３−ハイドロキ
シプロピル）−Ｎ−メチルアミノ、Ｎ−（２−ハイドロ
キシプロピル）−Ｎ−エチルアミノ、Ｎ−（４−ハイド
ロキシブチル）−Ｎ−ブチルアミノなど）、ジハイドロ
キシアルキルアミノ基（Ｎ。

Ｎ−ジハイドロキシメチルアミノ、Ｎ、Ｎ−シー（２−
ハイドロキシエチル）アミノ、Ｎ、Ｎ−ジー（２−ハイ
ドロキシプロピル）アミノ、Ｎ、Ｎ−ジー（３−ハイド
ロキシプロピル）アミノ、Ｎ−ハイドロキシメチル−Ｎ
−（２−ハイドロキシエチル）アミノなと、ハロゲン原
子（Ｆ、Ｂｒ、Ｉ）　。

複素環基（Ｎ、Ｏ，Ｓを含む）、メルカプト基またはハ
イドロキシ基などを用いることができる。

また、電子吸引基としては、ニトロ基、シアノ基、ハロ
ゲン原子（Ｆ、Ｂｒ、Ｉ）　、　　）リフルオロメチル
基、カルボキシル基、カルボキシエステル基、カルボニ
ル基又はスルホニル基などを用いることができる。

これ等のゲスト有機化合物は、約０．４Ｘ　１０−”６
５０以上の二次の超分極率βを示すものが好ましい、ま
た、さらに好ましくは、ｔｏｘ　ＩＱ−：Ｉｏ　６５０
以上の二次の超分極率βを示す化合物が望ましい。

また、この二次の超分極率βは溶液またはガスの電界誘
導第二高調波発生（ＤＣ３ＨＧ）の測定により実験的に
求めることができる。［ガリトウ等（Ｇａｒｉｔｏ　ｅ
ｔ　ａｌ）　ｒフィジカル・レビュー　　Ｂ　　Ｊ２８
、　（Ｎｏ、１２）、６７６６頁（１９８３年）］また
本発明においては、ゲスト分子が結晶状態で中心対称性
をもつため、ゲスト分子単独では５ＩＩＧ活性をもたな
いような材料も有効に利用できる。

本発明に好適なゲスト有機化合物の具体例を以下に示す
。

ゲスト＊機化合物 βＸ　１０−”ｅｓｕ １１□Ｎ＋、Ｎ　Ｏ□ ゲスト有機化合物　　　　　βＸ　１０−”ｅｓｕまた
、ゲスト有機化合物は２種以上組合せて用いることかで
きる。

本発明で使用されるゲスト／ホスト型複合体は、ホスト
高分子化合物と、電子吸引基と電子供与基を併せもつゲ
スト有機化合物を共通の溶媒に溶解させ、次いで溶媒を
除去し、徐冷して結晶化させることにより製造すること
ができる。

好適な溶媒としては、トルエン、ベンゼン、メチレンク
ロリド、クロロホルム、アセトニトリル、テトラヒドロ
フラン、１．４ジオキサンなどが挙げられる。

さらに別な方法としては、複合体は、ゲスト成分とホス
ト成分とを混合し、この混合物を溶融相になるまて加熱
することによっても製造することができる。この溶融相
を室温まで冷却すると結晶化した複合体が得られる。ま
た、こうした複合体を延伸することにより、延伸軸に対
する配向性を付与し、非線形性を増大することもできる
。

ゲスト有機化合物は全複合体重量１００重量部に対し少
なくとも約１０重量部、好ましくは１５〜９０重量部の
量て存在させる。一般にゲスト成分を増やせば非線形性
は増大する。しかし、ホスト高分子化合物の種類によっ
ては、ゲスト有機化合物の含有量をさらに多くすると、
ゲスト分子単独の結晶が生じて担分離を起こし、非線形
性が低下する場合もある。

［実施例］ 次に、本発明の詳細を実施例にもとづき説明する。

実施例１ 本発明による情報記録媒体の製造を例示する。

ホスト高分子化合物として、次式で表わされるようなラ
クトン重合体１０重量部に ｎ　＝約３００ ベンゼン５０重量部、さらにゲスト有機化合物としてｐ
−ニトロアニリン２．５重量部を加え、攪拌しながら加
温し、溶解した。上記均一混合溶液を、ＩＴＯ（インジ
ウム　チン　オキサイド：　ＩｎｄｉｕｍＴｉｎ　０ｘ
ｉｄｅ）を蒸着した厚さ２■のガラス基板上に塗布した
後、７０°Ｃ付近に加温して溶媒を除去し、厚さ１昨謹
程度の記録層を形成した。記録層は７０℃付近から室温
まで、約２℃／ｗｉｎのスピードで徐冷し結晶化させ、
本発明の情報記録媒体を作製した。

光源としては、発振波長１．３１Ｌｍ、最大出力５ｍ１
１１の連続発振半導体レーザーを用いた。

このレーザー光を約ｌ１ｗの出力で、約１．５　ｐｍφ
のスポット径に集光し、１　ａｓｅｃのパルス光を照射
したところ、透過光中に波長６５０ロ鳳のＳＨＧがフォ
トマルチプライヤ−によりａｍされた。

次に、書き込みは以下の方法で行った。

５鳳Ｗの出力でレーザー光を１００＋＊ｓｅｃ照射した
。

すなわち、レーザー照射により光を吸収した　ＩＴＯ居
は加熱され、記録層の温度が上昇し、照射が終了後室温
まで急冷された。

次に、出力１ｍＷの読み出し光を前記の書き込んだ部分
に照射したところ、透過光中には波長６５０ｎｌのＳＨ
Ｇは［測されなかった。再び基板全面を７０℃まで加温
し、室温付近まで徐冷（約２°Ｃ／ｗｉｎ）し、記録層
を結晶化した。書き込みを行った場所に１鳳Ｗの読み出
し光を照射したところ、透過光中に６５０ｎ■のＳＨＧ
がＵ測され、消去されたことを確認した。

［上記ラクトン重合体の合成例］ １００重量部のεカプロラクトンを２００重量部のトル
エン、反応開始剤として５重量部のエチレングリコール
、重合触媒として０．１重量部の臭化フェニルマグネシ
ウムを混合し、６０〜７０　’Ｃで１０５時間重合して
、ＧＰＣによる測定で平均分子量約７万のラクトン重合
体を得た。融点は５６℃であった。

実施例２ ホスト高分子化合物として、次のポリオキシアルキレン
１０重量部 日本油脂製ＤＡ−３５０Ｆ エチルアルコール５０重量部、さらにゲスト有機化合物
としてｐ−ニトロアニリン２．５重量部を加え、加温溶
解した。

上記均一混合溶液をＩＴＯを蒸着した厚さ２ｍｓのガラ
ス基板上に塗布したのち、７０°Ｃ付近に加温して溶媒
を除去し、厚さ１０ｕｓ程度の記録層を形成した。以下
、実施例１と同様にして結晶化、書き込み、読み出し、
消去処理を施したところ、同様の効果か確認された。

実施例３ ホスト高分子化合物としてナイロン６／６６／１２／６
１０のナイロン４元共重合体（束し■製、ＣＭ８０００
）１０重量部にエチルアルコール５０重量部、ざラニｐ
−ニトロアニリン２．５重量部を加え、攪拌しなから６
５°Ｃまで加温し、溶解した。

上記均一混合溶液を、　　ＩＴＯを蒸着した厚さ２■の
ガラス基板上に塗布したのち、７０’Ｃ付近に加温して
溶媒を除去し、厚さ１０μ閣程度の記録層を形成した。

以下、実施例１と同様にして、結晶化、書き込み、読み
出し、消去処理を施したところ、同様の効果か確認でき
た。

実施例４ ホスト高分子化合物として実施例１と同様のラクトン重
合体７重量部にブチラール樹脂（積木化学■製、Ｂ［、
−８）３重量部、ゲスト有機化合物としてｐ−ニトロア
ニリン２６５重量部をベンゼンに加え、攪拌しながら７
０”Ｃに加温し溶解した。

上記均一混合溶液を、　　ＩＴＯを蒸着した厚さ２■の
ガラス基板上に塗布したのち、７０°Ｃ付近に加温して
溶媒を除去し、厚さ１０ト朧程度の記録層を形成した。

以下、実施例１と同様にして結晶化、書き込み、読み出
し、消去処理を施したところ、同様の効果が確認できた
。

実施例５ ホスト高分子化合物として、実施例１と同様のラクトン
重合体７重量部に、塩化ビニル樹脂（住友化学■製、Ｄ
Ｘ−ＮＬ）　３重量部、ベンゼン５０重量部、さらにゲ
スト化合物としてＮ、Ｎ−ジメチル−ｐ−二トロベンゼ
ン２．０重量部を加え、攪拌しながら７０℃に加温し、
溶解した。

上記均一混合溶液を、　ＩＴＯを蒸着した厚さ２ｍｍの
ガラス基板上に塗布したのち、７０℃付近に加温して溶
媒を除去し、厚さＩＯＨ程度の記録層を形成した。

以下、実施例１と同様にして結晶化、書き込み、読み出
し、消去処理を施したところ、同様の効果が確認できた
。

実施例６ ホスト高分子化合物としてナイロン６／６６／６１０の
ナイロン３元共重合体（東し■製、ＣＭ−４０００）　
７！Ｉｆ量部に、ブチラール樹脂（接水化学■製、ＢＬ
−１）３ｍｍ部、さらにゲスト有機化合物としてｐ−ニ
トロアニリン２．５重量部をエチルアルコール５０重置
部に加え、攪拌しながら６５℃まで加温し、溶解した。

反射層としてアルミニウムを蒸着した厚さ２１重のガラ
ス基板上に、波長１３００ｎｍの光をよく吸収するＮ、
Ｎ、Ｎ’　、Ｎ’−テトラキス（ｐ−ジエチルアミノ）
フェニルフェニレンジアミンジインモニウムシバ−クロ
レートをジクロロエタンに溶解塗布して光吸収層をもう
けた。さらに、基板上に上記ホスト−ゲスト均一溶液を
塗布したのち、７０°Ｃ付近に加温して溶媒を除去し、
厚さ１昨罷程度の記録層を形成した。

読み出しを反射光の５ｔ（Ｇを観測することで行った以
外は、実施例１と同様に、結晶化、書き込み、読み出し
、消去を行った結果、同様の効果が得られた。

［発明の効果］ 以上説明した様に０本発明によれば、少なくとも１種類
の結晶性高分子を含有するホスト高分子化合物中に電子
吸引基と電子供与基を併せもつゲスト有機化合物を含有
してなる複合体のホスト−ゲスト型非線形光学材料を記
録層として用いることにより、溶融相もしくは結晶分散
温度より徐冷もしくは急冷という手段で、ＳＨＧ活性の
大きい結晶領域、もしくはＳＨＧ活性の小さい非晶領域
を任意に作り出し、情報の書き込み、読み出し、消去を
行うことができる。

この様に、ヒートモードでの相変化を利用するため、電
極や磁気コイル等は不用であり、低コストの情報記録媒
体を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の情報記録媒体の構成例を示す断面図、
第２図（ａ）〜（ｄ）は情報記録媒体への情報の書き込
みプロセスを示す工程図、第３図（ａ）。 （ｂ）は本発明の情報記録媒体の他の構成例を示す断面
図、第４図および第５図は情報記録媒体の読み出し方式
を示す説明図である− １・・・基板　　　　　　　２・・・記録層３・・・保
護層　　　　　　４・・・吸収層５・・・反射層　　　
　　　６・・・アモルファス部７・・・結品部

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）少なくとも１種類の結晶性高分子を含有するホス
   ト高分子化合物中に電子吸引基と電子供与基を併せもつ
   ゲスト有機化合物を含有してなる複合体からなる記録層
   を有することを特徴とする情報記録媒体。 （２）前記記録層が加熱後、徐冷することにより全部も
   しくは一部分が結晶化している請求項１記載の情報記録
   媒体。 （３）前記結晶性高分子がラクトン重合体である請求項
   １または２記載の情報記録媒体。（４）前記結晶性高分
   子がポリオキシアルキレンである請求項１または２記載
   の情報記録媒体。 （５）前記結晶性高分子がナイロン共重合体である請求
   項１または２記載の情報記録媒体。 （６）前記記録層が延伸配向を施されている請求項１ま
   たは２記載の情報記録媒体。 （７）前記ゲスト有機化合物が０．４×１０＾−＾３＾
   ０ｅｓｕ以上の二次の超分極率βを示す請求項１記載の
   情報記録媒体。