JPS63117233A - 圧力センサーの製造方法 - Google Patents

圧力センサーの製造方法

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JPS63117233A
JPS63117233A JP62274625A JP27462587A JPS63117233A JP S63117233 A JPS63117233 A JP S63117233A JP 62274625 A JP62274625 A JP 62274625A JP 27462587 A JP27462587 A JP 27462587A JP S63117233 A JPS63117233 A JP S63117233A
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silicon
forming
wafer
silicon wafer
bonding
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マティ　ミッコアー
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    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
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    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （１）＠明の分野 本発明は、２つのシリコンウェーハがその間にある薄い
ガラス層と共に陽極結合されている、変容室圧カドラン
スデューサーを製造する方法に関する。
（２）従来の技術 米国特許第４，４１５．９４８号は２つの高度にｒ−ピ
ングさｎ九シリコンウェーハで、その１つに腐刻さまた
空胴を有するものを、１つのウェーハ上に析出さルた中
間のガラス被覆を使用することにより結合することを教
示している。その他方のウェーハは靜゛框精合にエリ被
覆さｎたウェーＩ・に封止さ八る。この装置において、
シリコン自身が導電体の役をなし、フィードスルーは使
用さｎない。この′＃許に、−度にドーピングされたシ
リコンウェーハが使用さｎる場合およびシリコンウェー
ハの間に囲い込まｎた空胴の内１Ｉｌ１１表面上の強属
化’ｉｔ惚への接触がその一度にドーピングされたシリ
コンの中の島い尋１１Ｌ注の通路によってなさ匹る場合
に有利に用いることのできる特別な構成を教示もしなけ
ｎは示唆もしていない。
米国特許第４．４２０．７９０号に、二ば化ケイ素の不
動態化層により被覆した２枚のシリコン板の間にシリコ
ンスペーサーを挿入することにより、また二酸化ケイ素
と窒化ケイ素の層を組合わすことにより空胴を形成する
ことを教示している。こｎらの層はコンデンサー電極！
極を゛電気的に絶縁する。
センサー空胴は着封されないで、周囲に対して開放され
℃いる。２枚のシリコン板μμんだ降起により結合され
ており、そして板の間の間隔はスペーサーにより一定に
維持されている。
米国特許！４，４２４．７１３号はガラス、シリコンお
よびガラスの板から成るセンサー構造を１乍ることを教
示している。シリコンはガラスに対して靜′ａ結合によ
り封止されている。シリコン板は両側に空胴を有し、一
方の側の上の空胴は他の側のものより大きくて、シリコ
ンのｐ＃膜に応力沫去を与える。この特許の教示ば、圧
力センサーのシリコン崗腺かがラス板に七の前と後の表
面両方に陽極精舎により結合さｎでいるがラス−シリコ
ン界面における応力を除去することを含む。ガラス板の
上の電極への接触はがラス板の中の金属化された孔によ
ってなされる。
米国特許第４．３９０．９２５号は、ガラス板に靜１的
に結合されたシリコン板の中に多数の相互に接続された
空胴を有するセンサーを作ることを教示する。そのよう
な構造は高圧センサーであると教示されている。
米国特許第４，１８４．１８９号は、封止用がラス混合
物により約５００°Ｏで結合された２枚の金属化ガラス
板を有するセンサーを作ることを教示ｒる。板の間の間
隔はジムストック（論整用具、例えは、ガラス封止用ス
ペーサーリング）により達成される。コンデンサーのた
めの金属化ガードリングが１史用さ扛る。
米国符、ｆｆ−第４．２０７，６０４号ζ、ガラスフリ
ットを融解することにより封止され之一対の金属化絶縁
板を有する圧力センサーを作ることを教示する。コンデ
ンサー用金属化が−ｖ　ＩＪングが使用される。
米国特許第４．３４５．２９９号は、容量性トランスデ
ユーサ−を形成するため円形封止リングを有する２枚の
金属化セラミック支持体を使用することを教示する。
米国特許第４，１７７．４９６号は一対の薄い絶縁板（
アルミナ石英、パイレックス）を金属化してコンデンサ
ーを形成することを教示する。がラスフリット筐たはセ
ラミック基材を焼き付けて封止する。
米国特許５ｇ４，２６１，０８６号は、腐刻さＧた空胴
な有する１枚のシリコンウェーハを使用しかつそれを比
較的厚いガラス支持体（例えは、１　ａｇ〜２１１１１
）に陽＆結合することによりセンサーを作ることを教示
する。コンデンサー電極はガラスを金属化すること、お
よびシリコン空胴の狭面を高度ｒこドーピングすること
ＶＣより形成さ匹る。電気的接触はガラス中の金属化し
た孔ン通して作られる。
米国特許第４．３８６，４５３号に、ガラス支持体に陽
極結合され℃、腐刻さ几た空胴を有する１枚のクリコン
ウェーハを使用することによりセンサーを作ることを教
示する。がラス中にあけられた孔の金属被覆がある。金
属被覆さ往た孔にコンデンサープレートへ接触を作るた
めの電気的フィードスルーとして使用される。
たとい既知の容量型圧力センサーがあるにしても、感知
用空胴の密封の維持において改善さルた信頼性を有しか
つ加熱サイクルによって不利な影響を受けない圧力セン
サーを持つ必要はなお存続する。これらに本発明が克服
する若干の問題である。
発明の資約 本発明に、空胴な有するシリコンウェーハをシリコン支
持体にパイレックスガラス層を介して陽極結合にエリ結
合してｎ−型シリコン中に高度にｒ−ピングされたｐ十
通路の電気的フィードスルーを有する容量性圧力センサ
ーを形成する技術を含む。１つのコンデンサー電極が高
度にドーピングさｎたシリコン六回である場合には、パ
イレックス／金属／パイレックスのサンドインチ層が結
合区域に用いられる。両方の′成極が誘電層によりシリ
コン支持体から絶縁されている場合には、直接のシリコ
ン／パイレックス結合を作ることができる。コンデンサ
ー電極への′電気的接続は軽度にドーピングされたｎ−
型シリコン中の高度にドーピングされたｐ十通路によっ
て作られる。ｎ−型シリコンはｐ十区域に関して逆方向
バイアス電圧を与えられることができ、そしてそれはフ
ィードスルー間のｐ−ｎ接合絶縁のインピーダンスを増
加させる。
こ１は、腐刻された空胴を有するクリコンウェーハが厚
い（１〜２１）パイレックスガラス支持体へ陽極結合さ
れているシリコン谷量注圧力センサーにおける改良であ
る。本発明のセンサーにおいては、膨張係数の熱的不整
合は２つのシリコン片を結合する薄い（５〜１０μｍ）
パイレックスガラス層に制限される。こＡｒｓ、熱サイ
クリングの間センサー上の応力を大いに減少させる。第
２に、コンデンサー電極憔への電気的接続は軽度にｒ−
ピングされたｎ−型シリコン中の高度にＰ−ピングされ
たｐ十通路により作りれる。その接続通路はシリコンの
不可欠な部分でらるので、感知用空胴の密封に影響し得
るような封止の問題に電気的フィー−スルーによって遭
遇さｎない。
発明の詳細な説明 第１図について、圧力センサー５０は、ｎ−型不純物で
駐くげ−ピングされかつ空胴５乞有するシリコンウェー
ハ１をｆむ。シリコン支持体ウェーハ２もまたｎ−型不
純物で軽くドーピングされている。シリコンウェーハ１
の一部μ、空胴５に隣接するその比較的薄い厚さのため
に隔膜３の役をする。高度にホウ素ドーピングさｎたｐ
＋の、シリコンウェーハ１のｆｉ［ｆｆ１４ｉコンデン
？−’［ｔｆｆｌの役をする。
シリコン支持体２を通る尋″＊ａ通路９Ａと９Ｂに高度
にアルミニウムドーピングさＧたｐ十区域から形成され
かつそ：ｎ、−ｅＪｔ衣面゛祇極４狭面空胴５の区域の
シリコン支持体２に瞬接して形成さＧた金属クロム−金
ｄＬ憔６Ａとに接触を作っている。
その上時に、パイレックスガラス層７Ａが７リコン支持
体ウェーハ２の上に析出されている。金属層８（例えば
、クロムｌたはニッケルの）が空胴５を囲む陽極結合区
域の中のパイレックス層７Ａの部分上に析出されている
。金属層８は陽極結合の際にパイレックス層７Ｂにバイ
アス電圧を与えるために使用さする。パイレックスガラ
ス層７ｓは金属層８の上およびパイレックスがラス層７
Ａのその他の露出区域の上に形成される。蛍属″戒極６
八は導電性通路９Ａの露出区域の上に形成さノＬ１かつ
空胴５区域内のパイレックスがラス層７Ｂの上に広がっ
ている。強属パッド６Ｂは支持体ウェーハ２の上に、制
度にげ−ピングさｎ　ｆｃ４　を性通路９Ｂの露出部分
の区域に形成され、かつパイレックスガラス層７Ｂの一
部の上に広がっている。
゛電極６Ｂは空胴５と位置が合致せずかつシリコンウェ
ーハ１の高度にドーピングさ／Ｌ　ｆｃ＝面゛延極４に
接触している。ウェーハ１とシリコン支持体２が互いに
厘ねらｎ１加熱さｎて、電圧をかけｂすると、金属層８
０区域においてｌ＠極１萌合η５生じる。
シリコン支持体ウェーハ２の底側の、空胴５の方に面す
るシリコン支持体２の表面とは反対側の表向上に、それ
ぞれ４′ｔｌＬ性通路９Ａと９Ｂと合致した位置にシリ
コン支持体２の中へ形成されたくほみであるフィードス
ルー穴２１Ａと２１Ｂがある。高度にドーピングされた
ｐ十導電性表面区域１２人と１２Ｂがそれ七れフィーげ
スルー穴２１Ａと２１Ｂの壁側に形成さルる。フィード
スルー穴の使用により短かい高Ｐ−ピングｐ十通路９Ａ
と９Ｂを可能ならしめる。金属の接触パッＦ１０人と１
０Ｂがフィーげスルー穴２１Ａと２Ｂ内にそれぞれ作ら
れて、導電性通路９Ａと９Ｂの一端にそれぞれ接触し、
そしてシリコン支持体ウェーハ２の底の表面の一部の上
に広がっている。二ば化ケイ素層１１がシリコン支持体
２の底の表面を、フィーげスルー穴２１Ａと２７Ｂの区
域を除く全域に亘って覆っている。フィードスルー壁の
上の高ドーピングホウ素ｐ十表面層１２μシリコン支持
体２と金属の接触パッド１０との間のｐ−ｎ接合絶縁を
与える。
シリコン支持本ウェーハ２をシリコンウェーハ１ｉＣ陽
極結合する方法はスパッタリングによりシリコンウェー
ハ２の上にパイレックス層７Ａを約６−５μｍの厚さに
町田させることを含む。この方法に層ＩＡをシリコンウ
ェーハ２に結合する。
金層薄膜８（例えば、クロムまたにニッケルの）が、結
合の生じる区域内のパイレックス層７Ａ上に蒸着される
。次に他のパイレックス層γＢが金属薄膜８の上に析出
さｎる。シリコンウェーハ１をパイレックス層ＩＢへ陽
極結合する際には、約数６ボルトの陽電位が金属薄膜８
に（パイレックス層ＩＢを横切る電界が破壊電界より小
でめるように）印加され、そしてシリコンウェーハ１に
陽電位が印７ＩＩｌされる。これｒＣ４００−５００℃
の温度で行われる。これらの温度でに、パイレックス層
７ＢＶ３ｓのナトリウムイオンニ動くことができて、シ
リコンウェーハ／パイレックス層ＩＢの界面力ら移動し
云ってｄラス層７Ｂとシリコンウェーハ１との間に冶金
を生じさせる。
約４００−５００′’ＯＫ　＆いて、ウェーハ１と２は
真性キギリャの熱発生により支持本ウェーハ２からウェ
ーハ１へ接点６Ｂにより電気的に短絡される。これらの
温度においてにｎ−ｐ接合絶縁は無効になる。したがっ
て、支持体ウェーハ２に陽電位をそしてウェーハ１に陽
電位を印加することによりパイレックス薄ｍ７Ｂをバイ
アスすることはで＠ない。これを克服するために、パイ
レックス薄膜７Ｂｉ、シリコンウェーハ１と２の両者か
ら４気的に絶縁され℃いる金属層８によりバイアスされ
なければならない。
次に述べるのにシリコンウェーハ２のシリコンウェーハ
１への陽極結合におけるカｌ工＠階の散約である。
１）　　（１−型物質で軽くｒ−ピングされたシリコン
ウェーハ１と２は酸化されるがまたＨｆｆｌ化ケイ素に
より被覆さｎる。
２）ウェーハ１上の酸化物はホトリトグラフィ技術を用
いてパターンをつけらｎる。空胴の位置にある酸化物は
ＨＦ緩衝欣中でエツチングにより除去さ八る。次に異方
性エッチ液（例えば、ＫＯＨ／　ａ２ｏ浴液）を用いて
空胴がシリコン中に腐刻される。クリコンウェーハの両
側エツチングが適当な厚さの隔膜３乞得るために必安な
こともるる。
６）ＩＡりの酸化物がウェーハ１の両側から剥ぎとられ
てから、空胴側の全表面はホウ素により高度にドーピン
グされて高度に導電性のＰ土層４を形成する。この層は
コンデンサーの電極の１つをなし、かつまた接触パッド
６Ｂを経由してフィードスルー９に接触を作るために用
いられる。
加工はシリコン支持体ウェーハ２のだめの追加の工程に
より続く。
４ン　ウェーハ２の上の酸化物１１がパターンヶ画かれ
てから第２段階における工うにフィードスルーのための
位置で除去される。深いアクセス孔がこれらの位置でシ
リコン中に腐刻されて、フィードスルー９を作るために
使用さくＬるＡＡ！／８１共融混合物共融混合物小端を
短縮ｒる。
５）２−５μの厚さのアルミニウム短点がアクセス孔の
底へシャドウマスクを通して蒸層さルる。
次にウェーハはアルゴンのような不后注４囲気中で温度
勾配炉に入れられ、そこでは温度勾配がウェーハに垂直
であり、１２００°０において２００　”０／（：ＩＩ
Ｌである。生成するアルミニウム／シリコン共融混合物
は温度勾配の方向にウェーハを通過して移行し、後に高
度にｐ＋ドーピングされた通路９を残し、それが電極４
と６Ａへの接触を作るための電気的フィーげスルーの役
をする。
６）アクセス壁六面１２Ａと１２Ｂはホウ素またにアル
ミニウムでドーピングさ１て、これらの区域をｐ＋にす
る。これは金属接触パッド１０＆と１０Ｂの、ｎ−型シ
リコン支持体ウェーハ２からのｐ−ｎ接合絶縁を可能な
らしめ、したがって２つの電極フィーげスルー９−１０
間のインピーダンスを増加させる。
７）ウェーハ２の空１Ｊｌ１１１１１１１１の改化物が
除去さＧてから、厚さ約６−５μｍの第１パイレツクス
盾γＡがウェーハ上に（例えは、スパッタリングｖｃよ
りン析出される。次に金属の結合環８（列えは、クロム
またばニッケルの）が、シャドウマスクを通して電子ビ
ーム蒸着にエリ析出される。この正方形の金属環は空胴
な囲み、そしてウェーハ１と２の間の結合区域を形成す
る。次に第２パイＶツクス層７Ｂが析出される。ホトリ
トグラフィーとエツチング技術がフィーげスルーの位ｔ
ｓｉ９でパイレックスを除去するため′に使用される。
８）次にクロム／金の電極接触パッド６ムと接触パッド
６Ｂがパイレックス層７Ｂの上に析出さＧる。こｎは真
空系内でクヤーウマスクを通して蒸着により行うことが
できる。
９）ウェーへの陽極結合は次のようにして行わ社る。す
なわち、２枚のウェーハ１と２を仲やきらんとそろえて
から、共に真空中に入れ、４００°Ｃに加熱し、ウェー
ハ１（陽゛域位にある）に関して数百ボルト（パイレッ
クスの破壊磁界以下）の陽電位を金属層８に印加する。
この方法にシリコンウェーハ１とパイレックス層７Ｂと
の間の気密封止を作ることになる。ウェーハ２へのスパ
ッタリングさ匹たパイレックス層ＩＡの接Ｎｄまた金属
８に陽電位を、そし℃ウェー・・２にＩ破電位を印加す
ることにより強化することもできる。
１［］）ウェーハ２の裏側のフィーダスルーへの金Ｗ４
接触パツげ１０μシヤドワマスクを通して蒸着またはス
パッタリングされる。
第２図について、第２図上の番号は第１図と同じ型の安
素を示す。単一のパイレックスｔｉ５１７がウェーハ２
の上に析出されている。二酸化ケイ素ｊ−１６が・ウェ
ーハ１の空胴５に接して成長され℃、いる。金属電極１
３　ｒＣ（ｖＩＩＪえは、りｏＡｔ′ｆｃＵ金の蒸気か
ら）層１６の上に析出される。ウェーハ１上のシリコン
に、結合区域１５において層１６とシリコンとの間に僅
かに熊視し得る段差しかないように絶縁層１６を収容す
るため内側へ腐刻されている。
第２図について、各童注圧カセンサー６０において金属
′ｉと極１３μ二酸化ケイ累１６によりウェーハ１から
電気的に絶縁されている。こＧに、陽極結合の温度４０
０　’Ｇにおいて、フィードスルー９相互の間のｐ−ｎ
接合絶縁が無効になるとき、シリコンウェーハ１はなお
パイレックス層１Ｔによりシリコンウェーハ２から電気
的に絶縁さ１しているので、有利である。ウェーハ１と
ウェーハ２の間にシリコン／金属間の接続を経由する電
気的通路は存在しない。この事実は、パイレックス層１
７とシリコンウェーハ１との間に陽極請合が、ウェーハ
１を陽にそしてウェーハ２を陰にバイアス′４位を与え
ることにより、生ずること？可能ならしめる。後者の陰
バイアスは結合区域においてパイレックス層をもまた鴎
にバイアスする。
第１図に示さ牡たセンサーとのその他の相違点は、位置
１４に２げる空胴の端の周囲のシリコンウェーハが僅か
に１エツチバツク”されていることである。これＶよ、
二酸化ケイ素層１６（ウェーハ１上にスパッタリングさ
几たかまたは成長された）が債会区域のシリコン表面１
５に合致するか僅かに下におることを保証するために行
ゎｎる。
こｎは、ウェーハ１のシリコン表面がウェーハ２のパイ
レックス層Ｔと直接に接触することを可能ならしめる。
上方の電極１３への４気的接触は金属接点６Ｂおよび高
度にドーピングされたｐ＋フィードスル−９によりなさ
れる。電気的フィードスルー９にケース１に示されたと
同じ＜、ｐ−ｎ接接合絶縁にエリ相互から絶縁されてい
る。その絶縁はウェーハ２をフィードスルーに関しバン
クバイアスすることにより強化することができる。その
他の加工段階は第１図に関連して述べた方法と同様でめ
る。
第６図は第２図に示された構造に類似の圧力センサーで
ある。相当する部分はプライム符号（′）を付けた同じ
表示番号を有する。ｇ６図のセンサーは第２図のセンサ
ーと、第６図の′成極への′畦気的接続が空胴な有する
ウェーハを通してなされるという点で異なる。第２図で
は、′１気的接続が空胴を有しないウェーハを通してな
さくしている。
いろいろな修正と変形があり得ることは、本発明に関係
ある分野の熟練者には疑Ｖ＞なく思いつくことであろう
。例えば、圧力センサー用の特別な形の空胴がここに開
示されたものの変形としてあり得るであろう。それによ
り本開示が技術をａ歩させた教示に清本的に頼るこれら
およびすべて七の他の変形は本発明の範囲内にあると見
なされることが適当でおる。
【図面の簡単な説明】
第１図に不発明の！−Ａ１の態様によるセンサーの断面
図であり、このセンサーでは陽極、結合が「に気的に絶
縁さ６た金−層を用いてなされている。 ４２図は不発明の第２の態様によるセンサーの断面図で
あり、このセンサーでは陽極結合が２つの電気的に絶縁
されたシリコンウェーハを用いてなされている。 第６図に第２図の態様の変形でろり、ここでは°這気的
フィードスルー檄続が空胴を有するウェーハを通して作
らｎている。 〔記号〕 第１図 １・・・シリコンウェーハ ２・・・シリコン支持体ウェーハ ３・・・隔膜 ４・・・コンデンサー成極 ５・・・空胴 ６Ａ・・・金属電極 ６Ｂ・・・俊触パッド ７Ａ、７Ｂ・・・パイレックスプラス層８・・・金属層 ９Ａ、９Ｂ・・・フィードスルー １ＯＡ、１０Ｂ・・・接触パッド １１・・・二は化ケイ素層 １２Ａ、１２Ｂ・・・ｐ−＋−４電柱表面層２１Ａ、２
１Ｂ・・・フィー−スルー穴５０・・・圧力センサー 第２図 １３・・・金属電極 １４・・・空胴の端 １５・・・シリコン表面 １６・・・二酸化ケイ素層 １７・・・パイレックスプラス層 ６０・・・圧力センサー

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）２つのシリコンウェーハを結合して容量性圧力セ
    ンサーを製造する方法であつて、 第１のシリコンウェーハを形成する段階、 第２のシリコンウェーハを形成する段階、 第１の容量プレートを前記第１のシリコンウェーハ上に
    作る段階、 第２の容量プレートを前記第２のシリコンウェーハ上に
    作る段階、 第１と第２の高度にドーピングされた電気半導性フィー
    ドスルー通路を第２のシリコンウェーハを通して作り、
    その結果第１の導電性通路を第１の容量プレートと接触
    させるために使用でき、そして第２の導電性通路を第２
    の容量プレートと接触させるために使用できるようにす
    る段階、第１と第２のシリコンウェーハの間の陽極結合
    が望まれる区域にそれらのシリコンウェーハの１つの上
    にガラス層を作る段階、および そのガラス層を他の１つのシリコンウェーハと陽極結合
    する段階、 を含む、２つのシリコンウェーハを結合して容量性圧力
    センサーを製造する方法。
  2. （２）陽極結合が望まれるガラス層の上に金属薄膜を作
    る段階、および 陽極結合が望まれる金属層の上に第２次のガラス層を作
    る段階、 をさらに含み、そして陽極結合の段階が金属薄膜とシリ
    コンウェーハとの間に電圧をかけて第２次ガラス層に陽
    極結合させることをを含む、特許請求の範囲第１項に記
    載の方法。
  3. （３）第１と第２のシリコンウェーハを形成する段階が
    ｎ−型キャリヤで第１と第２のシリコンウェーハを一度
    にドーピングすること、 第１容量プレートを作る段階が、第１シリコンウェーハ
    の第２シリコンウェーハに面する側に高度にドーピング
    されたｐ＋型導電性区域を有する隔膜を形成すること、
    および 第２容量プレートを作る段階が、第１のウェーハの隔膜
    に面する第２シリコンウェーハ上に金属被覆を作ること
    、 を含む、特許請求の範囲第２項に記載の２つのシリコン
    ウェーハを結合する方法。
  4. （４）第１と第２のフィードスルー通路を作る段階が、
    第１のフィードスルー通路を、第２容量プレートと間隔
    をおいた関係にある第１容量プレートと合致させること
    、および第２のフィードスルー通路を第２容量プレート
    に合致させることを含む、特許請求の範囲第３項に記載
    の２つのシリコンウェーハを結合する方法。
  5. （５）第１と第２の導電性通路を作る段階が、各通路の
    位置に凹んだフィードスルーの穴を作り、それによりそ
    の通路の位置において第２シリコンウェーハの厚さを減
    少させる段階、 フィードスルー穴の表面上に高度にドーピングされたｐ
    ＋導電性区域を作る段階、および フィードスルー穴の表面に沿つて金属の導電性通路を形
    成する段階、 を含む、特許請求の範囲第４項に記載の２つのシリコン
    ウェーハを結合する方法。
  6. （６）第１の導電性通路の位置において第１のシリコン
    ウェーハに面する第２のシリコンウェーハの側に金属の
    接触パッドを作る段階をさらに含む、特許請求の範囲第
    ５項に記載の２つのシリコンウェーハを結合する方法。
  7. （７）第１容量プレートを作る段階が、 第１のシリコンウェーハ中に空洞を作り、それにより容
    量性圧力センサーのための隔膜の輪郭を定めること、 隔膜の第２のシリコンウェーハに面する側の上に二酸化
    ケイ素層を形成すること、および 二酸化ケイ素層の上に第１金属被覆を作ること、を含む
    、特許請求の範囲第１項に記載の２つのシリコンウェー
    ハを結合する方法。
  8. （８）前記の陽極結合の段階が、第１のシリコンウェー
    ハと第２のシリコンウェーハの間に電圧をかけることを
    含む、特許請求の範囲第７項に記載の２つのシリコンウ
    ェーハを結合する方法。
  9. （９）第１と第２のシリコンウェーハの間のはまり具合
    と結合を改良するため比較的平坦な表面を形成するよう
    に二酸化ケイ素層の周辺の第１のシリコンウェーハの表
    面をエッチングする段階をさらに含む、特許請求の範囲
    第８項に記載の２つのシリコンウェーハを結合する方法
    。
  10. （１０）第１容量プレートを作る段階が ガラス層の上に第１の金属被覆の形成を含み、そして第
    ２容量プレートを作る段階が、 第２のシリコンウェーハ中に空洞を作り、それにより容
    量性圧力センサーのための隔膜の輪郭を定めること、 第１のシリコンウェーハに面する側の隔膜の上に二酸化
    シリコン層を形成すること、および二酸化シリコン層の
    上に第２の金属被覆を作ること、 を含む、特許請求の範囲第１項に記載の２つのシリコン
    ウェーハを結合する方法。
  11. （１１）前記の陽極結合の段階が第１のシリコンウェー
    ハと第２のシリコンウェーハの間に電圧をかけることを
    含む、特許請求の範囲第７項に記載の２つのシリコンウ
    ェーハを結合する方法。
  12. （１２）第１と第２のシリコンウェーハの間のはまり具
    合と結合を改良するため比較的平坦な表面を形成するよ
    うに二酸化ケイ素層の周辺の第２のシリコンウェーハの
    表面をエッチングする段階をさらに含む、特許請求の範
    囲第８項に記載の２つのシリコンウェーハを結合する方
    法。
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