JPS63114316A - ブ−トストラツプ回路 - Google Patents

ブ−トストラツプ回路

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JPS63114316A
JPS63114316A JP61150799A JP15079986A JPS63114316A JP S63114316 A JPS63114316 A JP S63114316A JP 61150799 A JP61150799 A JP 61150799A JP 15079986 A JP15079986 A JP 15079986A JP S63114316 A JPS63114316 A JP S63114316A
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transistor
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bootstrap circuit
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Hatsuhide Igarashi
五十嵐 初日出
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はブートストラップ回路に関し、特に電界効果ト
ランジスタを用いたブートストラップ回路に関する。
〔従来の技術〕
従来この種のブートストラップ回路は、第3図に示すよ
うにnMO8)ランジスタM1とnMOsトランジスタ
M2が接地端子と電源端子間に直列接続されて挿入され
出力端子OKブートストラップ容量C1が接続されてい
る。なお説明はすべて+電源の場合を想定して行なう。
第2図はブートストラップ回路の動作信号波形図である
。nMOsトランジスタM1のゲートに人より出力Oの
電圧Voは V、=VD−V÷h(uz)        ・・・・
・・+II(VD ;電源電圧、vtb(M2) ; 
)/ −2カVo (0時(D M2のしきい電圧)と
なる。次にI”が■よシ少し遅れて立上ると出力Oの電
圧V、/はブートストラップ容量C1を介してもち上が
るが浮遊容量C2の為I Vo’ = Vo+ −x VD・−・・(21C1+
C2 となる。このようにして電源電圧を越える電圧Vo/が
得られる。
上述した従来のブートストラップ回路には2つの問題点
がある。それはVth(Mz)が高ければ■。
が低くなる事が(1)式に、浮遊容fC2が大きければ
押し上がる比率が減シvo′が低くなる事が(2)式に
それぞれ表わされている。このうち浮遊容量C2に関し
ては設計時にブートストラップ容量C1を十分大きくす
る等である程度改善できるがnMO8トランジスタM2
の基板バイアス特性が悪いと回路設計のみでは改善する
事ができない。このnMOsトランジスタのしきい値7
丁は 1MxcDLIい値1>lVt1. かつM2のlJ−
スKVoカ加りッft時Vv  lVt 1>v、 ・
・・(3)の関係を満足する限多絶対値を低くすればよ
い。
結局のところOv附近の7丁を選ぶ為、工程のばらつき
により出力が低レベルを出す限fiM2に電流が流れて
しまうことになシがちであシ、従ってこの方法は0M0
8回路には使用できない。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来のブートストラップ回路唸、出力電圧の最
大値をできるだけ大きくとる必要上しきい電圧の低いト
ランジスタを電源側に有するため出力電圧が低レベルの
とき貫通電流が流れて消費電力が大きくなりCMO8集
積回路に使用できないという問題点があった。
本発明の目的社消費電力の節減されたブートス、トラッ
プ回路を提供することにある。
°〔問題点を解決するための手段〕 本発明のブートストラップ回路は、第1導電型の第1の
トランジスタ、前記第1のトランジスタのしきい電圧よ
シOに近く電源電圧の基板バイアス印加時にビンチオン
する程度でディプレッジ百ン型トランジスタよシOK近
いしきい電圧を有する第1導電型の第2のトランジスタ
及び第2導電型の第3のトランジスタを直列接続して接
地端子と電源端子間に挿入してなシ、前記第2のトラン
ジスタのゲートに所定の入力信号を供給する入力信号端
と、前記第1.第3のトランジスタのゲートに前記入力
信号の反転信号を供給する反転信号入力端と、前記入力
信号の遅延信号をブートストラップ容量を介して、前記
第1.第2のトランジスタの接続点に印加する遅延信号
入力端を有するものである。
〔実施例〕
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
第1図は本発明の一実施例の回路図である。
この実施例と第3図の従来例との相違は、ゲートに反転
信号■を印加される9MO8)ランジスタM3が電源端
子VDと1MO8)ランジスタM2の間に挿入されてい
ることである。
1MO8)ランジスタM2と9MO8)ランジスタM3
は#ミは同時に導通もしくは遮断状態となるので動作信
号波形は第2図の通りである。
いま、もし、1MO8)ランジスタM2がオンしている
状態を維持し続けるとしてnMO8トランジスタM1.
9MO8トランジスタM3の関係を見るとこれは通常の
CMOSインバータである。っまシ従来出力Oが低レベ
ルの時回路に電流が流れたがこの回路においては過渡的
な貫通電流はともがくとして定常的に電流が流れる事は
ない。更に1MO8)ランジスタM2がない通常のCM
OSインバータの出力を押し上げようとしても9MO8
トランジスタのドレイン拡散層を順バイアスしてしまい
電源電圧VD以上には上がらない。っt、b出力Oには
対接地電位に対してのダイオードD1のみにしておく為
に4,1MO8)ランジスタM2は必要である。
なお、十電源で子方向へ押し上げる例について説明した
が、−電源で一方向へ変化させる場合には、以上の説明
において電源電圧、信号の極性を逆にし、トランジスタ
の導電型を入れかえればよい。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、定常的なかん通電
流がなく低消費電力でかつ押し上げ効率の高いブートス
トラップ回路が実現でき、CMO8集積回路に使用でき
るという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の回路図、第2図はブートス
トラップ回路の動作信号波形図、第3図は従来例の回路
図である。 Ml・・・・・・nMOSトランジスタ、M2・・・・
・・低しきい値のnMO8)ランシスタ、M3・・・・
・・9MO8)ランシスターC1・・・・・・ブートス
トラップ容量、C2・・・・・・浮遊容量、Dl・・・
・・・寄生ダイオード。 第 j 図 〒 第 2 図 手続判U正書 く方式〉 、事件の表示 昭和61年特許願第150799号、発
明の名称 ブートストラップ回路 、補正をする者 事件との関係       出 願 大佐 所    
東京都港区芝五丁目33番1号名 称    (423
)  日本電気株式会社代表者  関 本 忠 弘 、代理人 住 所 〒108東京都港区芝五丁目37番8号住友三
田ビル 電話 東京 (03)456−3111 (大代表)−
゛(連絡先 日本電気株式会社 特許部)6、補正の対
象 図面第2図 7、補正の内容 別紙のとおり。なお、補正の対象の欄に記載した事項以
外変更はない。 代理人 弁理士 内 原  會 。 第1 口 〒 第 2 ■

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 第1導電型の第1のトランジスタ、前記第1のトランジ
    スタのしきい電圧より0に近く電源電圧の基板バイアス
    印加時にピンチオフする程度でディプレッション型トラ
    ンジスタより0に近いしきい電圧を有する第1導電型の
    第2のトランジスタ及び第2導電型の第3のトランジス
    タを直列接続して接地端子と電源端子間に挿入してなり
    、前記第2のトランジスタのゲートに所定の入力信号を
    供給する入力信号端と、前記第1、第3のトランジスタ
    のゲートに前記入力信号の反転信号を供給する反転信号
    入力端と、前記入力信号の遅延信号をブートストラップ
    容量を介して前記第1、第2のトランジスタの接続点に
    印加する遅延信号入力端を有することを特徴とするブー
    トストラップ回路。
JP61150799A 1986-06-26 1986-06-26 ブ−トストラツプ回路 Expired - Fee Related JPH061891B2 (ja)

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JPH061891B2 JPH061891B2 (ja) 1994-01-05

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000008759A1 (fr) * 1998-08-03 2000-02-17 Hitachi, Ltd. Circuit integre a mos

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5516539A (en) * 1978-07-20 1980-02-05 Nec Corp Level shifter circuit

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WO2000008759A1 (fr) * 1998-08-03 2000-02-17 Hitachi, Ltd. Circuit integre a mos

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