JPS63114316A - ブ−トストラツプ回路 - Google Patents
ブ−トストラツプ回路Info
- Publication number
- JPS63114316A JPS63114316A JP61150799A JP15079986A JPS63114316A JP S63114316 A JPS63114316 A JP S63114316A JP 61150799 A JP61150799 A JP 61150799A JP 15079986 A JP15079986 A JP 15079986A JP S63114316 A JPS63114316 A JP S63114316A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- signal
- terminal
- circuit
- bootstrap circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 3
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 241000981595 Zoysia japonica Species 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はブートストラップ回路に関し、特に電界効果ト
ランジスタを用いたブートストラップ回路に関する。
ランジスタを用いたブートストラップ回路に関する。
従来この種のブートストラップ回路は、第3図に示すよ
うにnMO8)ランジスタM1とnMOsトランジスタ
M2が接地端子と電源端子間に直列接続されて挿入され
出力端子OKブートストラップ容量C1が接続されてい
る。なお説明はすべて+電源の場合を想定して行なう。
うにnMO8)ランジスタM1とnMOsトランジスタ
M2が接地端子と電源端子間に直列接続されて挿入され
出力端子OKブートストラップ容量C1が接続されてい
る。なお説明はすべて+電源の場合を想定して行なう。
第2図はブートストラップ回路の動作信号波形図である
。nMOsトランジスタM1のゲートに人より出力Oの
電圧Voは V、=VD−V÷h(uz) ・・・・
・・+II(VD ;電源電圧、vtb(M2) ;
)/ −2カVo (0時(D M2のしきい電圧)と
なる。次にI”が■よシ少し遅れて立上ると出力Oの電
圧V、/はブートストラップ容量C1を介してもち上が
るが浮遊容量C2の為I Vo’ = Vo+ −x VD・−・・(21C1+
C2 となる。このようにして電源電圧を越える電圧Vo/が
得られる。
。nMOsトランジスタM1のゲートに人より出力Oの
電圧Voは V、=VD−V÷h(uz) ・・・・
・・+II(VD ;電源電圧、vtb(M2) ;
)/ −2カVo (0時(D M2のしきい電圧)と
なる。次にI”が■よシ少し遅れて立上ると出力Oの電
圧V、/はブートストラップ容量C1を介してもち上が
るが浮遊容量C2の為I Vo’ = Vo+ −x VD・−・・(21C1+
C2 となる。このようにして電源電圧を越える電圧Vo/が
得られる。
上述した従来のブートストラップ回路には2つの問題点
がある。それはVth(Mz)が高ければ■。
がある。それはVth(Mz)が高ければ■。
が低くなる事が(1)式に、浮遊容fC2が大きければ
押し上がる比率が減シvo′が低くなる事が(2)式に
それぞれ表わされている。このうち浮遊容量C2に関し
ては設計時にブートストラップ容量C1を十分大きくす
る等である程度改善できるがnMO8トランジスタM2
の基板バイアス特性が悪いと回路設計のみでは改善する
事ができない。このnMOsトランジスタのしきい値7
丁は 1MxcDLIい値1>lVt1. かつM2のlJ−
スKVoカ加りッft時Vv lVt 1>v、 ・
・・(3)の関係を満足する限多絶対値を低くすればよ
い。
押し上がる比率が減シvo′が低くなる事が(2)式に
それぞれ表わされている。このうち浮遊容量C2に関し
ては設計時にブートストラップ容量C1を十分大きくす
る等である程度改善できるがnMO8トランジスタM2
の基板バイアス特性が悪いと回路設計のみでは改善する
事ができない。このnMOsトランジスタのしきい値7
丁は 1MxcDLIい値1>lVt1. かつM2のlJ−
スKVoカ加りッft時Vv lVt 1>v、 ・
・・(3)の関係を満足する限多絶対値を低くすればよ
い。
結局のところOv附近の7丁を選ぶ為、工程のばらつき
により出力が低レベルを出す限fiM2に電流が流れて
しまうことになシがちであシ、従ってこの方法は0M0
8回路には使用できない。
により出力が低レベルを出す限fiM2に電流が流れて
しまうことになシがちであシ、従ってこの方法は0M0
8回路には使用できない。
上述した従来のブートストラップ回路唸、出力電圧の最
大値をできるだけ大きくとる必要上しきい電圧の低いト
ランジスタを電源側に有するため出力電圧が低レベルの
とき貫通電流が流れて消費電力が大きくなりCMO8集
積回路に使用できないという問題点があった。
大値をできるだけ大きくとる必要上しきい電圧の低いト
ランジスタを電源側に有するため出力電圧が低レベルの
とき貫通電流が流れて消費電力が大きくなりCMO8集
積回路に使用できないという問題点があった。
本発明の目的社消費電力の節減されたブートス、トラッ
プ回路を提供することにある。
プ回路を提供することにある。
°〔問題点を解決するための手段〕
本発明のブートストラップ回路は、第1導電型の第1の
トランジスタ、前記第1のトランジスタのしきい電圧よ
シOに近く電源電圧の基板バイアス印加時にビンチオン
する程度でディプレッジ百ン型トランジスタよシOK近
いしきい電圧を有する第1導電型の第2のトランジスタ
及び第2導電型の第3のトランジスタを直列接続して接
地端子と電源端子間に挿入してなシ、前記第2のトラン
ジスタのゲートに所定の入力信号を供給する入力信号端
と、前記第1.第3のトランジスタのゲートに前記入力
信号の反転信号を供給する反転信号入力端と、前記入力
信号の遅延信号をブートストラップ容量を介して、前記
第1.第2のトランジスタの接続点に印加する遅延信号
入力端を有するものである。
トランジスタ、前記第1のトランジスタのしきい電圧よ
シOに近く電源電圧の基板バイアス印加時にビンチオン
する程度でディプレッジ百ン型トランジスタよシOK近
いしきい電圧を有する第1導電型の第2のトランジスタ
及び第2導電型の第3のトランジスタを直列接続して接
地端子と電源端子間に挿入してなシ、前記第2のトラン
ジスタのゲートに所定の入力信号を供給する入力信号端
と、前記第1.第3のトランジスタのゲートに前記入力
信号の反転信号を供給する反転信号入力端と、前記入力
信号の遅延信号をブートストラップ容量を介して、前記
第1.第2のトランジスタの接続点に印加する遅延信号
入力端を有するものである。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第1図は本発明の一実施例の回路図である。
この実施例と第3図の従来例との相違は、ゲートに反転
信号■を印加される9MO8)ランジスタM3が電源端
子VDと1MO8)ランジスタM2の間に挿入されてい
ることである。
信号■を印加される9MO8)ランジスタM3が電源端
子VDと1MO8)ランジスタM2の間に挿入されてい
ることである。
1MO8)ランジスタM2と9MO8)ランジスタM3
は#ミは同時に導通もしくは遮断状態となるので動作信
号波形は第2図の通りである。
は#ミは同時に導通もしくは遮断状態となるので動作信
号波形は第2図の通りである。
いま、もし、1MO8)ランジスタM2がオンしている
状態を維持し続けるとしてnMO8トランジスタM1.
9MO8トランジスタM3の関係を見るとこれは通常の
CMOSインバータである。っまシ従来出力Oが低レベ
ルの時回路に電流が流れたがこの回路においては過渡的
な貫通電流はともがくとして定常的に電流が流れる事は
ない。更に1MO8)ランジスタM2がない通常のCM
OSインバータの出力を押し上げようとしても9MO8
トランジスタのドレイン拡散層を順バイアスしてしまい
電源電圧VD以上には上がらない。っt、b出力Oには
対接地電位に対してのダイオードD1のみにしておく為
に4,1MO8)ランジスタM2は必要である。
状態を維持し続けるとしてnMO8トランジスタM1.
9MO8トランジスタM3の関係を見るとこれは通常の
CMOSインバータである。っまシ従来出力Oが低レベ
ルの時回路に電流が流れたがこの回路においては過渡的
な貫通電流はともがくとして定常的に電流が流れる事は
ない。更に1MO8)ランジスタM2がない通常のCM
OSインバータの出力を押し上げようとしても9MO8
トランジスタのドレイン拡散層を順バイアスしてしまい
電源電圧VD以上には上がらない。っt、b出力Oには
対接地電位に対してのダイオードD1のみにしておく為
に4,1MO8)ランジスタM2は必要である。
なお、十電源で子方向へ押し上げる例について説明した
が、−電源で一方向へ変化させる場合には、以上の説明
において電源電圧、信号の極性を逆にし、トランジスタ
の導電型を入れかえればよい。
が、−電源で一方向へ変化させる場合には、以上の説明
において電源電圧、信号の極性を逆にし、トランジスタ
の導電型を入れかえればよい。
以上説明したように本発明によれば、定常的なかん通電
流がなく低消費電力でかつ押し上げ効率の高いブートス
トラップ回路が実現でき、CMO8集積回路に使用でき
るという効果がある。
流がなく低消費電力でかつ押し上げ効率の高いブートス
トラップ回路が実現でき、CMO8集積回路に使用でき
るという効果がある。
第1図は本発明の一実施例の回路図、第2図はブートス
トラップ回路の動作信号波形図、第3図は従来例の回路
図である。 Ml・・・・・・nMOSトランジスタ、M2・・・・
・・低しきい値のnMO8)ランシスタ、M3・・・・
・・9MO8)ランシスターC1・・・・・・ブートス
トラップ容量、C2・・・・・・浮遊容量、Dl・・・
・・・寄生ダイオード。 第 j 図 〒 第 2 図 手続判U正書 く方式〉 、事件の表示 昭和61年特許願第150799号、発
明の名称 ブートストラップ回路 、補正をする者 事件との関係 出 願 大佐 所
東京都港区芝五丁目33番1号名 称 (423
) 日本電気株式会社代表者 関 本 忠 弘 、代理人 住 所 〒108東京都港区芝五丁目37番8号住友三
田ビル 電話 東京 (03)456−3111 (大代表)−
゛(連絡先 日本電気株式会社 特許部)6、補正の対
象 図面第2図 7、補正の内容 別紙のとおり。なお、補正の対象の欄に記載した事項以
外変更はない。 代理人 弁理士 内 原 會 。 第1 口 〒 第 2 ■
トラップ回路の動作信号波形図、第3図は従来例の回路
図である。 Ml・・・・・・nMOSトランジスタ、M2・・・・
・・低しきい値のnMO8)ランシスタ、M3・・・・
・・9MO8)ランシスターC1・・・・・・ブートス
トラップ容量、C2・・・・・・浮遊容量、Dl・・・
・・・寄生ダイオード。 第 j 図 〒 第 2 図 手続判U正書 く方式〉 、事件の表示 昭和61年特許願第150799号、発
明の名称 ブートストラップ回路 、補正をする者 事件との関係 出 願 大佐 所
東京都港区芝五丁目33番1号名 称 (423
) 日本電気株式会社代表者 関 本 忠 弘 、代理人 住 所 〒108東京都港区芝五丁目37番8号住友三
田ビル 電話 東京 (03)456−3111 (大代表)−
゛(連絡先 日本電気株式会社 特許部)6、補正の対
象 図面第2図 7、補正の内容 別紙のとおり。なお、補正の対象の欄に記載した事項以
外変更はない。 代理人 弁理士 内 原 會 。 第1 口 〒 第 2 ■
Claims (1)
- 第1導電型の第1のトランジスタ、前記第1のトランジ
スタのしきい電圧より0に近く電源電圧の基板バイアス
印加時にピンチオフする程度でディプレッション型トラ
ンジスタより0に近いしきい電圧を有する第1導電型の
第2のトランジスタ及び第2導電型の第3のトランジス
タを直列接続して接地端子と電源端子間に挿入してなり
、前記第2のトランジスタのゲートに所定の入力信号を
供給する入力信号端と、前記第1、第3のトランジスタ
のゲートに前記入力信号の反転信号を供給する反転信号
入力端と、前記入力信号の遅延信号をブートストラップ
容量を介して前記第1、第2のトランジスタの接続点に
印加する遅延信号入力端を有することを特徴とするブー
トストラップ回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61150799A JPH061891B2 (ja) | 1986-06-26 | 1986-06-26 | ブ−トストラツプ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61150799A JPH061891B2 (ja) | 1986-06-26 | 1986-06-26 | ブ−トストラツプ回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63114316A true JPS63114316A (ja) | 1988-05-19 |
JPH061891B2 JPH061891B2 (ja) | 1994-01-05 |
Family
ID=15504682
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61150799A Expired - Fee Related JPH061891B2 (ja) | 1986-06-26 | 1986-06-26 | ブ−トストラツプ回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH061891B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000008759A1 (fr) * | 1998-08-03 | 2000-02-17 | Hitachi, Ltd. | Circuit integre a mos |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5516539A (en) * | 1978-07-20 | 1980-02-05 | Nec Corp | Level shifter circuit |
-
1986
- 1986-06-26 JP JP61150799A patent/JPH061891B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5516539A (en) * | 1978-07-20 | 1980-02-05 | Nec Corp | Level shifter circuit |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000008759A1 (fr) * | 1998-08-03 | 2000-02-17 | Hitachi, Ltd. | Circuit integre a mos |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH061891B2 (ja) | 1994-01-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4042839A (en) | Low power dissipation combined enhancement depletion switching driver circuit | |
JPH05300727A (ja) | チャージポンプ回路 | |
JPH08103070A (ja) | チャージポンプ回路 | |
JPS62120121A (ja) | Cmos出力ドライブ回路 | |
GB1584056A (en) | Logic circuit using cmos transistors | |
US6861889B2 (en) | Amplitude converting circuit | |
JPH07177729A (ja) | チャージポンプ | |
TW305956B (ja) | ||
JPH0249519B2 (ja) | ||
JPS63114316A (ja) | ブ−トストラツプ回路 | |
EP0404125B1 (en) | Booster circuit | |
US6812774B2 (en) | Method and apparatus for generating a high voltage | |
JPH05191170A (ja) | ソースフォロワ回路 | |
JPS61117859A (ja) | 基板ポンプ回路 | |
JP2004153577A (ja) | インバータ回路 | |
JP3190940B2 (ja) | 昇圧回路 | |
JP3386661B2 (ja) | 出力バッファ | |
US5204553A (en) | Field effect transistor circuit | |
JP3224712B2 (ja) | 論理&レベル変換回路及び半導体装置 | |
JPH10341149A (ja) | 両極性レベルシフト回路 | |
JPH0897366A (ja) | 半導体装置 | |
JPH0563963B2 (ja) | ||
JPH117776A (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP3453455B2 (ja) | 昇圧回路 | |
JPH0219979B2 (ja) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |