JPS63114239A - 半導体搭載用基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は半導体装置に用いられる半導体搭載用基板に関
するもので、特にピングリットアレイ及びハイフリット
ＩＣ２Ｊ、板等のパッケージ用基板に関するものである
。

（従来の技術） 従来、特開昭５９−１８１６５０号公報に示す如くこの
種の半導体搭載用基板は、その半導体搭載部に半導体素
子を４！置固定するとともに、この半導体素子と基板ヒ
に形成した導体回路とをボンディングワイヤー等を使用
して電気的に接続して、半導体装置として利用されるも
のである。

ところて、この種の半導体搭載用基板か積層構造を採る
場合、半導体搭載部及び導体回路か形成された配線基板
（以下、これを下基板と称する）に、半導体搭載部に対
応する開口部か形成された配線基板（以ド、これを上基
板と称する）を接着シートを介して熱圧着することによ
り製造される。

このような積層構造を採る半導体搭載用基板としては、
従来は第８図に示したようなものである。すなわち、接
合に用いられる接着シート（２４）はＢステージ状態に
あるため、これを上記方法に従い熱圧着すると、Ｂステ
ージ状態にある樹脂の−・部（２４ａ）がその熱硬化に
伴いボンディング端子（２１）、Ｌにはみ出してくる。

そして、場合によっては、ボンディング端子（２１）上
にはみ出した樹脂の−・部（２４ａ）か半導体搭載部（
２５）を有する下基板（２２）のボンディング端子（２
１）上にさらに流れ出し、これによってボンディング端
子（２１）上が覆われるから、下基板（２２）のボンデ
インクエリアの欠如を招き、半導体搭載部（２５）内に
搭載される半導体素子とボンディング端子（２１）との
ホンディングワイヤー等による接続が不可梯となること
がある。

また、第９図は、この接着シート（２４）の一部（２４
ａ）のはみ出しを予想し、接着シート（２４）に上基板
（２コ）に形成された開口部のサイズより広い開口部を
あらかじめ形成して、これを下基板（２２）と上基板（
２３）との間に挟んで熱圧着することにより製造された
積層構造を採る半導体搭載用基板を示したものである。

この図に示す如く、熟圧若時のズレや、予想以下の樹脂
のはみ出しにより、上基板（２３）の開Ｌ１部の接合面
側に微少な隙間４＜形成される。この隙間には、半導体
素子をボンディングワイヤー等で基板」】に形成した導
体回路（２１）と電気的にｔａ続ｌノだ後、耐水性等の
信頼性を高める目的で半導体搭載部を樹脂封止するとき
に、空気のたまりが生じる場合かあり、このような空気
のたまりが生じると、その後の処理ｒ程内ての加熱によ
り空気が封止樹脂内を移動しボンディングワイヤーを切
ることがあり、電気的信頼性の低ドをもたらすのである
。

（発明が解決しようとする問題点） 本発明は以上の様な実状に鑑みてなされたもので、その
解決しようとする問題点は、導体回路を形成した下基板
に、開口部を有する１枚以上の上基板が接着シー１〜を
介して積層された場合に生じる接着シートのボンディン
グ端子上への流れである。

そして、本発明の目的とするところは、開口部ををした
上基板の開口部の内周線上の接着側を削除する構成とす
ることにより、、ｈＪ＆板の開口部の内周線上からはみ
出す樹脂の暖を減少させ、下基板に形成されたボンディ
ング端子の有効ボンディングエリアを確保することにあ
り、また上基板の開口部の端面を例えば斜め方向に面取
りすることにより、半導体素子を樹脂封止した際、空気
のたまりを防止して、電気的接続の信頼性を向上させた
半導体搭載用基板を提供することにある。

（問題点を解決するためのＬ段） 以上の問題点を解決するために、本発明か採った手段は
。

「半導体素子搭載部及び導体回路が形成された配ｖ；Ｌ
基板と、前記半導体素子搭載部に対応する開口部及び導
体回路が形成された１枚以上の配線基板とを、各々接着
層を介して積層された構造からなる゛ト導体搭佐用基板
において、前記開口部が形成された１枚以上の配線基板
の開「１部周辺の接合面側に、凹部を形成したことを特
徴とする半導体ＭＦＪＩＪ′ｆ１基板」である。

以下、この手段を図面に示した具体例に従って詳細に説
明する。

第１図は本発明による積層構造を採る゛ト導一体搭佐用
基板（１０）の−例を示す創視図であり、このｌａに示
されたｔ導体搭載用基板（１０）は一般にピングリット
アレイとよばれるものである。

この半導体ｐＳＪＩ＆用基板（１０）は、樹脂素材から
成る基材のヒ面に半導体搭載部部（１５）及導体回路（
１１）が形成されている下基板（１２）と、樹脂素材か
ら成る基材に開口部（ＩＳａ）及び導体回路（１１）が
形成されているｈＰＡ板（１３）とが、接着シート（１
４）を介して熱圧着されているもので、この半導体搭載
用基板（１０）においては、第２図に示すように、上基
板（＋３）の開口部（ｌｓａ）の接合面側の内周に面取
り加工を施すことにより面取り部（１６）が形成されて
いる。なお、下基板（１２）に形成した導体回路（１１
）の半導体搭載部（１５）側に突出した部分はボンディ
ング端子となるものである０以上のことにより、−ｈ基
板（１３）の接合面側の開口部（１５ａ）は被接合面側
である下基板（１２）の半導体搭載部（１５）より広く
なった状態となっている。そして、上基板（１３）の開
口部（１５ａ）周辺の接合面側には、第２図に示すよう
に、四部（３０）が形成しである。この凹部（３０）は
、而取り加工等により形成されるものであり、−１−、
基板（１３）の開［１部（１５ａ）周辺全体に連続して
形成したり、あるいは開口部（１５ａ）の周辺に部分的
に形成するものである。

四部（コ０）を形成するための上基板（１３）に対する
面取り加工は、この基板（１３）の開口部（１５ａ）を
中抜き加１°する場合に同時に行って面取り部（１６）
を形成する。このようにして、四部（：ｌＯ）を形成す
る場合、開口部（１５ａ）か形成された上基板（１３）
の接合面側の開口部（ｌｓａ）内周縁りを削除して、第
２図に示すような斜め面取り加工することにより面取り
部（１６）を形成する他に、第３図に示すような曲面加
工により曲面部（１７）を形成することや、第４関に示
すような切削加工により段部（１８）を形成することも
１ｑ能である。

また、この上基板（１３）の下側に配置される接着シー
ト（１４）にも、開口部（１５ａ）に対応する開口部を
当該接着シート（Ｉ４）をあらかじめ中抜き加工するこ
とにより形成する必要があるが、この開口部を形成する
場合、その大きさは上基板（ｉｇの接合面側の開口部（
１５ａ）より広く、そして−上基板（１３）の面取り加
工等を施した接合面側の開「コ部位より狭い大きさで加
工を行うことが望ましい。

以上のような四部（３０）としての、面取り加工による
面取り部（１６）、曲面加工による曲面部（１７）ある
いは切削加工による段部（１８）を−上基板（１３）に
形成することにより、接着シート（１４）の接合部を上
基板（１３）の開口部（１５ａ）より広げて、接着シー
ト（１４）の上基板（＋２）に形成されているボンディ
ング端子（＋　１　）　ｋへの流れ出しを減少させ、″
Ｆ上基板１２）のボンディング端子（１１）のボンディ
ングエリアの確保かでき、又接合部に微少な隙間が形成
されないため、樹脂封七の際の電気的信頼性を向ヒさせ
ることができるのである。

また、接着層を形成する接着シート（１４）としては、
プリプレグ又はＢステージを施したψ着剤により形成し
たものであることが望ましい。その理由は、当該接着シ
ート（１４）を挟んでＩ−基板（１３）及び上基板（１
２）を熱圧着した場合に両者の接着を効率良く行なうこ
とができるからである。さらに。

上記の半導体搭載用基板（ｌＯ）としては、ビングリッ
ドアレイもしくはハイブリッドＩＣ基板であっ”Ｃもよ
いものである。

（発明の作用） 以上のような積層構造を採る半導体搭載用基板（１０）
を構成している上基板（１３）の開１１部（＋５ａ）の
内周を面取り加工等を施して四部（３０）を形成するこ
とにより、接着シー）（１４）がはみ出したとしても、
この接着シート（１４）のはみ出した部分は当該四部（
コ０）内に保持され、それ以北のボンデインク端子側へ
移動することはないのである。従って、Ｆ基板（１２）
のボンディング端子（導体回路（１１））側への接右シ
ート（１４）のはみ出しを減少させることか可使となり
、ボンディングの欠如を防１）：することかでき、又接
ｎシートの欠如による接着層の彎少な隙間の発生を防止
することができ、エポキシ樹脂等による封止後の電気的
信頼性は向上するのである。

また、本発明は、半導体Ｍ載部（１５）と導体回路（１
１）を形成した下基板（１２）に、開口部（１５ａ）及
び導体回路（１１）を形成した上基板（１：ｌ）を何枚
重ねようか、適応されるものである。

以下に、本発明を実施例に基づいて詳細に説明する。

（実施例） 実施例１ 第２図に示す如く、ガラス−エポキシ基板にて半導体搭
載！（１５）と導体回路（１１）を形成した下基板（Ｉ
２）と、ガラス−エポキシ基板にて開口部（１５ａ）及
び導体回路（１１）を形成した上基板（１３）（但し、
接合面側の開口部（ＩＳａ）内周には面取り加工が施さ
れている）とを接着シート（１４）を介して積層熱圧着
し、外部出力端子として導体ピンを装着したプラスチッ
クピングリッドアレイ用基板を形成した。この基板のｔ
導体搭載部（１５）に半導体素子を搭載実？Ｃ後、エポ
キシ樹脂等を用い封止した。この場合、上基板（１３）
の接合面側の開口部（１５ａ）内周は被接合面側の開口
部内周より広がるのである。これにより、被接合面側の
開口部からはみ出す接着シート（１４）のはみ出した部
分は四部（３０）内に保持されるから、この接着シート
（Ｉ４）の半導体格ａ、部（１５）側へのはみ出し量は
減少され。

′Ｆ上基板１２）のボンディングエリアは確保される。

又接着シート（１４）を中抜きする場合、１：、基板（
１３）の接合面側の開口部（１５ａ）より広く、そして
而取り加工を施された接合面側の開口部位より狭い大き
さて加工を行うことにより、接着シートの（１４）の欠
如により接着層に発生する微少な隙間を防＋ｈでき、エ
ポキシ樹脂等による封止後の電気的信頼性は向上した。

なお、本発明に係る上基板（１３）の開口部（１５ａ）
自問縁Ｈの接合面側の一部を削除する形状は、第３図に
示す如く曲面加工を施して曲面部（１７）を有する形状
の他、第４図に示す如くザグリ加工を施して０部（１８
）を有する形状がある。

１世 第５図に示す如く、ガラス−トリアジン基板にて半導体
Ｍａｔ￥８（＋５）と導体回路（１１）を形成した下基
板（１２）と、ガラス−トリアジン基板にて開口部（＋
５ａ）及び導体回路（１１）を形成した２枚の上基板（
１３）（＋９）　（但し、接合面側の開口部（ＩＳａ）
内周には面取り加工が施されている）とを接着シート（
１４）を介して積層熱圧着し、外部出力端子として導体
ピンを装着したプラスチックピングリッドアレイ用基板
を形成した。この基板の半導体搭載部（１５）に半導体
素子を搭載実装後、エポキシ樹脂を用い對１卜した。こ
の場合、上基板（１３）の接合面側の開口部（＋５ａ）
内周は被接合面側の開口部内周により広かり、被接合面
側の開口８１１（１５ａ）の太きさよりはみ出す接着シ
ートのはみ出し量は減少され、下基板（１２）及び上ノ
Ｓ板（１９）のボンディングエリアは確保される。又接
着シート（１４）を中抜きする場合、上基板（１：１）
（１９）の接合面側の開口部（＋５ａ）より広く、そし
て面取り加工を施された接合面側の開口部位より狭い大
きさで加工を行うことにより、接着シート（１４）の欠
如により接着層に発生する微少な隙間を防１１−でき、
エポキシ樹脂等によろ゛電気的信頼性は向ヒした。

なお、本発明に係るし基＆（１３）の開口部（１５ａ）
内周縁−にの接合面側の一部を削除する形状は、第６図
に示す如く曲面加工を施して曲面部（１７）を有する形
状の他、第７図に示す如くザグリ加工を施して段部（１
８）を有する形状がある。

（発明の効果） 以ノー詳述した通り１本９．明に係る半導体搭載用ノふ
板（１０）にあっては、半導体搭載部（１５）及び導体
回路（１１）が形成された下基板（１２）と、半導体装
置部（１５）に対応する開口部（１５ａ）及び導体回路
（１１）か形成された１教具−ヒのＦ基板（１コ）とを
、各々接着シー）　（１４）を介して積層熱圧着して形
成したことにその特徴かあり、これにより半導体搭載用
基板（１０）にあっては、積Ｆ！熱圧着の際、下基板（
１２）のボンディング端子（１１）への接着シート（１
’ｌ）の流れ出しによるボンディングエリアの欠如、す
なわち半導体素子と下基板（１２）の導体回路（１１）
とのボンディングワイヤーによる電気的接続の不漁を防
止し、又エポキシ樹脂等による′Ｍｔｈの際、接着シー
トの欠如からくる接着層の微少な隙間の発生による空気
のたまりを防Ｉ卜することができ、電気的信頼性を向上
させた′半導体搭載用基板（１０）か提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る半導体搭載用基板であるビングリ
ッドアレイな示す斜視図、第２図はｆＪＳ１図に示した
半導体搭載用基板の半導体搭載部の拡大縦断面図、第３
１’ＩＩ−第７図は各々未発＋１１の他の実施例を示す
第２図に対応した拡大縦断面図、第８図及び第９ＵＡは
従来の半導体搭載用基板のｔ導体Ｍｓ載部の拡大縦断面
図である。 符　　　号　　　の　　　説　　　明 １０・・・（本発明の）半導体搭載用基板、　１１・・
・導体回路（ボンディング端子）　、　１２−・・下基
板、１３−ｈ基板、１４−・・接＄シート、１５−’＃
；ｊＢｔ［ａｆｆｉ、ｌト・・面取り部、１７・・・曲
面部、１８・・・段部、１９・・・−上基板、　２０・
・・（従来の）半導体搭載用基板、２１−・・ボンディ
ング端子、２２・・・下基板、２３−ｈ基板、２４・・
・接着シート、２５・・・半導体搭載部、　３０−・・
凹部。 特許出願願人 イビデン株式会社 代　　理　　人 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図 第８図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）、半導体素子搭載部及び導体回路が形成された配線
   基板と、前記半導体素子搭載部に対応する開口部及び導
   体回路が形成された１枚以上の配線基板とを、各々接着
   層を介して積層された構造からなる半導体搭載用基板に
   おいて、 前記開口部が形成された１枚以上の配線基板の開口部周
   辺の接合面側に、凹部を形成したことを特徴とする半導
   体搭載用基板。 ２）、前記接着層はプリプレグ又はＢステージを施した
   接着剤により形成されることを特徴とする特許請求の範
   囲第１項記載の半導体搭載用基板。 ３）、前記半導体搭載用基板はピングリッドアレイもし
   くはハイブリッドＩＣ基板であることを特徴とする特許
   請求の範囲第１項あるいは第２項記載の半導体搭載用基
   板。