JPH0462948A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPH0462948A JPH0462948A JP2175057A JP17505790A JPH0462948A JP H0462948 A JPH0462948 A JP H0462948A JP 2175057 A JP2175057 A JP 2175057A JP 17505790 A JP17505790 A JP 17505790A JP H0462948 A JPH0462948 A JP H0462948A
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- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
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- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、半導体装置に関する。
本発明は半導体素子上の電極パッドとリードとが接続さ
れる半導体装置において、半導体素子上の電極パッドと
リードを接続する配線が施された部材を半導体素子に接
触させて、半導体素子とリードの間の導通を取ることに
よりワイヤーショト・エッヂショートやチップ欠け、ク
ラックを防止したものである。
れる半導体装置において、半導体素子上の電極パッドと
リードを接続する配線が施された部材を半導体素子に接
触させて、半導体素子とリードの間の導通を取ることに
よりワイヤーショト・エッヂショートやチップ欠け、ク
ラックを防止したものである。
従来、第５図に示す様に半導体素子１上の電極パッド２
とリード３の接続には、金線あるいは銅線等のワイヤー
９を熱圧着や超音波などで接続するワイヤーボンディン
グが知られていた。
とリード３の接続には、金線あるいは銅線等のワイヤー
９を熱圧着や超音波などで接続するワイヤーボンディン
グが知られていた。
しかし、従来のワイヤーボンディングは、高密度化（多
ビン化、パッケージの大型化）が進み、次のような問題
が起こる可能性を有していた。 ・モールド樹脂の流れや外的な力によってワイヤーが流
れ、隣接ワイヤーや隣接リードとショートしたりワイヤ
ーがダメージを受ける。 ・ワイヤーがだれて半導体素子側面とエッヂショトを起
こしたりワイヤーがダメージを受ける。 ・前記のようなワイヤーの流れやだれが生ずるためワイ
ヤーの長さに制限が生じる。 ・プラスチック樹脂等により封止された半導体装置の場
合、モールド樹脂と半導体素子の熱膨張係数の違い等に
よる熱応力が発生し、チップ欠けやクラックを起こす。 ・プラスチック樹脂等により封止された半導体装置の場
合、樹脂が吸湿したまま半田リフロー等高温化に投入さ
れた際、吸水した水が熱膨張し発生する外力等によるチ
ップ欠けやクラックを起こす。 そこで、本発明は従来のこのような問題点を解決するた
め、ワイヤー流れあるいはショートせず、チップ欠け、
クラックが発生しない半導体装置を提供することを目的
としている。
ビン化、パッケージの大型化）が進み、次のような問題
が起こる可能性を有していた。 ・モールド樹脂の流れや外的な力によってワイヤーが流
れ、隣接ワイヤーや隣接リードとショートしたりワイヤ
ーがダメージを受ける。 ・ワイヤーがだれて半導体素子側面とエッヂショトを起
こしたりワイヤーがダメージを受ける。 ・前記のようなワイヤーの流れやだれが生ずるためワイ
ヤーの長さに制限が生じる。 ・プラスチック樹脂等により封止された半導体装置の場
合、モールド樹脂と半導体素子の熱膨張係数の違い等に
よる熱応力が発生し、チップ欠けやクラックを起こす。 ・プラスチック樹脂等により封止された半導体装置の場
合、樹脂が吸湿したまま半田リフロー等高温化に投入さ
れた際、吸水した水が熱膨張し発生する外力等によるチ
ップ欠けやクラックを起こす。 そこで、本発明は従来のこのような問題点を解決するた
め、ワイヤー流れあるいはショートせず、チップ欠け、
クラックが発生しない半導体装置を提供することを目的
としている。
本発明の半導体装置は、半導体素子とリードとが接続さ
れる半導体装置において前記半導体素子上の電極パッド
と前記リードとを接続する配線が施された部材を前記半
導体素子を接触させることにより前記半導体素子上の前
記電極パッドと前記リードとが接続されてなることを特
徴とする。
れる半導体装置において前記半導体素子上の電極パッド
と前記リードとを接続する配線が施された部材を前記半
導体素子を接触させることにより前記半導体素子上の前
記電極パッドと前記リードとが接続されてなることを特
徴とする。
上記のように構成された部材に配線が施されているため
、電極パッドとリードがどんなにｉｆｆれていてもワイ
ヤーが流れたりショートする事なく全リード同時に半導
体素子とリードの間の導通が取れる。またモールド樹脂
より材料の自由度があるため、部材の材質の熱膨張係数
をモールド樹脂と半導体素子の間の値にすることによっ
て熱応力を緩和し、また弾性力のある材質を用いてチッ
プ欠け、クラックを防ぐことが出来る。
、電極パッドとリードがどんなにｉｆｆれていてもワイ
ヤーが流れたりショートする事なく全リード同時に半導
体素子とリードの間の導通が取れる。またモールド樹脂
より材料の自由度があるため、部材の材質の熱膨張係数
をモールド樹脂と半導体素子の間の値にすることによっ
て熱応力を緩和し、また弾性力のある材質を用いてチッ
プ欠け、クラックを防ぐことが出来る。
以下本発明について実施例に基づいて詳細に説明する。
本発明の部材１１を詳しく説明するためにその断面図を
第１図に示す。４は配線６上にあってパッド２と接続す
るバンブ、５は配線６上にあってリードフレーム３と接
続するためのバンブ、７は前記配線が前記パッドと前記
リード３部分以外のところを表面に出さないための絶縁
部分である。 第２図、第３図、第４図は本発明を用いた半導体装置の
断面図である。 第２図のキャップ状の部材１１の材質は、絶縁体で、熱
膨張係数が半導体素子１とモールド樹脂８の間の値ある
いは弾性力が大きく応力を吸収できるポリイミド樹脂や
エポキシ樹脂等の材質でできている。また部材１１には
、電極パッド２とリド３との導通を取るためレジストや
印刷により配線６が施されている。この部材１１を第２
図のようにキャップ状の部材１１をバンブ４とパッド２
、バンブ５とリード３が重なるように半導体素子１の上
から熱圧着、超音波あるいは接着剤等を用いリードにか
ぶせるように接続した後モールド樹脂８で樹脂封止して
いる。 なお、第３図の様に部材１１その物をパッケジの上半分
に用いた半導体装置を構成してもよい。 。第２図と同様に、部材１１を半導体素子１とリード３
に接続あるいは接着した後、部材１１その物をパッケー
ジの上半分に用い、半導体素子１の下面のみ樹脂封止し
である。 第４図は更に他の実施例を示す断面図で、第３図と同様
、部材１１を半導体素子１とリード３に接続あるいは接
着した後、部材１１その物をパッケージの上半分に用い
る。更に部材１０をパッケジの下半分として上記２つの
部材１１．１０で半導体素子を挟み込んだものである。 この場合、樹脂封止しないため、樹脂の材質は熱膨張係
数や応力緩和を考慮しなくても良く、セラミックやガラ
スの様に耐水性に優れた材質を使用でき、セラミックパ
ッケージと同程度の信頼性が得られる。 以上のような実施例において、部材１１に設けられた配
線６によりワイヤー流れ・ショートを防止される。また
絶縁部分７により応力が緩和される。
第１図に示す。４は配線６上にあってパッド２と接続す
るバンブ、５は配線６上にあってリードフレーム３と接
続するためのバンブ、７は前記配線が前記パッドと前記
リード３部分以外のところを表面に出さないための絶縁
部分である。 第２図、第３図、第４図は本発明を用いた半導体装置の
断面図である。 第２図のキャップ状の部材１１の材質は、絶縁体で、熱
膨張係数が半導体素子１とモールド樹脂８の間の値ある
いは弾性力が大きく応力を吸収できるポリイミド樹脂や
エポキシ樹脂等の材質でできている。また部材１１には
、電極パッド２とリド３との導通を取るためレジストや
印刷により配線６が施されている。この部材１１を第２
図のようにキャップ状の部材１１をバンブ４とパッド２
、バンブ５とリード３が重なるように半導体素子１の上
から熱圧着、超音波あるいは接着剤等を用いリードにか
ぶせるように接続した後モールド樹脂８で樹脂封止して
いる。 なお、第３図の様に部材１１その物をパッケジの上半分
に用いた半導体装置を構成してもよい。 。第２図と同様に、部材１１を半導体素子１とリード３
に接続あるいは接着した後、部材１１その物をパッケー
ジの上半分に用い、半導体素子１の下面のみ樹脂封止し
である。 第４図は更に他の実施例を示す断面図で、第３図と同様
、部材１１を半導体素子１とリード３に接続あるいは接
着した後、部材１１その物をパッケージの上半分に用い
る。更に部材１０をパッケジの下半分として上記２つの
部材１１．１０で半導体素子を挟み込んだものである。 この場合、樹脂封止しないため、樹脂の材質は熱膨張係
数や応力緩和を考慮しなくても良く、セラミックやガラ
スの様に耐水性に優れた材質を使用でき、セラミックパ
ッケージと同程度の信頼性が得られる。 以上のような実施例において、部材１１に設けられた配
線６によりワイヤー流れ・ショートを防止される。また
絶縁部分７により応力が緩和される。
【発明の効果】
以上説明した本発明の半導体装置によれば、半導体素子
上の電極パッドとリードとを配線の施された部材で接続
したと言う簡単な構造によって、ワイヤーを使う事なく
半導体素子とリードとの導通が取れ熱応力や他の外力を
緩和することから、ワイヤー流れ、ショート、チップ欠
け、クラックを防ぐ効果がある。
上の電極パッドとリードとを配線の施された部材で接続
したと言う簡単な構造によって、ワイヤーを使う事なく
半導体素子とリードとの導通が取れ熱応力や他の外力を
緩和することから、ワイヤー流れ、ショート、チップ欠
け、クラックを防ぐ効果がある。
第１図は、本発明の実施例を示す断面図。
第２図は、本発明の半導体装置の実施例を示す断面図。
第３図は本発明の半導体装置の他の実施例を示す断面図
。 第４図は本発明の半導体装置のさらに他の実施例を示す
断面図。 第５図は、従来技術の実施例を示す概要図。 １ ・ ・ ・ ２ ・ ・ ・ ３ ・ ・ ・ ４ ・ ・ ・ ５ ・ ・ ・ ６ ・ ・ ・ ７ ・ ・ ・ ８ ・ ・ ・ ９ ・ ・ ・ １０ ・ ・ ・ １１ ・ ・ ・ 半導体素子 前記半導体素子上の電極パッド リード パッド２に対応するバンブ リード３に対応するバンブ 配線 絶縁部分 モールド樹脂 金線、又は銅線等のワイヤ パッケージ下半分の部材 配線７の施された部材 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社
。 第４図は本発明の半導体装置のさらに他の実施例を示す
断面図。 第５図は、従来技術の実施例を示す概要図。 １ ・ ・ ・ ２ ・ ・ ・ ３ ・ ・ ・ ４ ・ ・ ・ ５ ・ ・ ・ ６ ・ ・ ・ ７ ・ ・ ・ ８ ・ ・ ・ ９ ・ ・ ・ １０ ・ ・ ・ １１ ・ ・ ・ 半導体素子 前記半導体素子上の電極パッド リード パッド２に対応するバンブ リード３に対応するバンブ 配線 絶縁部分 モールド樹脂 金線、又は銅線等のワイヤ パッケージ下半分の部材 配線７の施された部材 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社
Claims (1)
- 半導体素子とインナーリード（以下、簡略にするため
リードと呼ぶ。）とが接続される半導体装置において、
前記半導体素子上の電極パッドと前記リードとを接続す
る配線が施された部材を前記半導体素子に接触させるこ
とにより、前記半導体素子上の前記電極パッドと前記リ
ードとが接続されてなることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2175057A JPH0462948A (ja) | 1990-07-02 | 1990-07-02 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2175057A JPH0462948A (ja) | 1990-07-02 | 1990-07-02 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0462948A true JPH0462948A (ja) | 1992-02-27 |
Family
ID=15989481
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2175057A Pending JPH0462948A (ja) | 1990-07-02 | 1990-07-02 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0462948A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004071375A1 (en) * | 2003-02-12 | 2004-08-26 | Showa Denko Plastic Products Co., Ltd. | Medical container |
| JP2012178448A (ja) * | 2011-02-25 | 2012-09-13 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| EP4365943A1 (en) * | 2022-11-02 | 2024-05-08 | STMicroelectronics S.r.l. | Method of manufacturing semiconductor devices, corresponding component, semiconductor device and method |
-
1990
- 1990-07-02 JP JP2175057A patent/JPH0462948A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004071375A1 (en) * | 2003-02-12 | 2004-08-26 | Showa Denko Plastic Products Co., Ltd. | Medical container |
| JP2012178448A (ja) * | 2011-02-25 | 2012-09-13 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| EP4365943A1 (en) * | 2022-11-02 | 2024-05-08 | STMicroelectronics S.r.l. | Method of manufacturing semiconductor devices, corresponding component, semiconductor device and method |
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