JPS63111622A - 半導体基板洗浄装置 - Google Patents
半導体基板洗浄装置Info
- Publication number
- JPS63111622A JPS63111622A JP61258742A JP25874286A JPS63111622A JP S63111622 A JPS63111622 A JP S63111622A JP 61258742 A JP61258742 A JP 61258742A JP 25874286 A JP25874286 A JP 25874286A JP S63111622 A JPS63111622 A JP S63111622A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- semiconductor substrate
- purge gas
- horn
- guide plate
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 18
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- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract 1
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
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Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野］
本発明は半導体製造工程において使用され、特に半導体
基板の洗浄を目的とされる半導体基板洗浄装置に関する
ものである。
基板の洗浄を目的とされる半導体基板洗浄装置に関する
ものである。
［従来の技術］
従来、このような装置は、半導体基板の裏面中央を基体
で保持し、基板表面をブラシと洗浄水を用いて洗浄する
構造のものであった。
で保持し、基板表面をブラシと洗浄水を用いて洗浄する
構造のものであった。
［発明が解決しようとする問題点］
半導体基板は表面にキズが入ると不良品となるため、従
来構造では半導体基板の表面を保持することは不可能で
あり、上述した従来の半導体基板洗浄装置は基体で裏面
を保持する構造となっているため、裏面の保持部分は洗
浄することができない。
来構造では半導体基板の表面を保持することは不可能で
あり、上述した従来の半導体基板洗浄装置は基体で裏面
を保持する構造となっているため、裏面の保持部分は洗
浄することができない。
本発明の目的は前記問題点を解消した半導体基板洗浄装
置を提供することにある。
置を提供することにある。
［問題点を解決するための手段］
本発明は半導体基板の裏面を洗浄液で噴射洗浄する洗浄
装置において、先端に向けてテーパ状に拡径させたホー
ン型基体とパージガス案内板とを内外２重に組合せ、内
側に位置するホーン型基体の開口縁に半導体基板の外縁
を当接させる座面を形成し、かつ外側に位置するホーン
型パージガス案内板で内側のホーン型基体の座面外周に
パージガス吹出孔を形成し、ホーン型基体内の真空室を
真空源に、また内外の基体とパージガス案内板との間の
パージガス室をガス源にそれぞれ接続させたことを特徴
とする半導体基板洗浄装置である。
装置において、先端に向けてテーパ状に拡径させたホー
ン型基体とパージガス案内板とを内外２重に組合せ、内
側に位置するホーン型基体の開口縁に半導体基板の外縁
を当接させる座面を形成し、かつ外側に位置するホーン
型パージガス案内板で内側のホーン型基体の座面外周に
パージガス吹出孔を形成し、ホーン型基体内の真空室を
真空源に、また内外の基体とパージガス案内板との間の
パージガス室をガス源にそれぞれ接続させたことを特徴
とする半導体基板洗浄装置である。
［実施例］
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第１図において、基板４とパージガス案内板３とを下部
に向けてテーパ状に拡径させたホーン型に構成し、基体
４とパージカス案内板３とを内外２重に組合せ、基体４
の開口縁に半導体基板１８の外縁１８ａを当接させる座
面４ａを形成し、該座面４ａに環状シール６を付着する
。一方、外側に位置するホーン型パージガス案内板３で
内側のホーン型基体４の座面外周にパージガス吹出孔９
ａを形成する。そしてホーン型基体４をスピンシャフト
２に支持し、基体４内の真空室１０をスピンシャフト２
内の真空口１７を介して真空源１９に接続し、かつスピ
ンシャフト２の回転駆動用モーター１を備える。
に向けてテーパ状に拡径させたホーン型に構成し、基体
４とパージカス案内板３とを内外２重に組合せ、基体４
の開口縁に半導体基板１８の外縁１８ａを当接させる座
面４ａを形成し、該座面４ａに環状シール６を付着する
。一方、外側に位置するホーン型パージガス案内板３で
内側のホーン型基体４の座面外周にパージガス吹出孔９
ａを形成する。そしてホーン型基体４をスピンシャフト
２に支持し、基体４内の真空室１０をスピンシャフト２
内の真空口１７を介して真空源１９に接続し、かつスピ
ンシャフト２の回転駆動用モーター１を備える。
一方、ホーン型パージガス案内板３はその動きを規制し
て固定的に設置し、内外のパージガス案内板３と基体４
との間に形成されるパージガス室９をパージガス源２０
に接続する。尚、ホーン型パージガス案内板３及び基体
４は昇降機構２１で高さ位置ＡとＢとの間を上下動され
る。
て固定的に設置し、内外のパージガス案内板３と基体４
との間に形成されるパージガス室９をパージガス源２０
に接続する。尚、ホーン型パージガス案内板３及び基体
４は昇降機構２１で高さ位置ＡとＢとの間を上下動され
る。
また、パージガス案内板３の真下にはドレンボックス８
を設置し、ドレンボックス８内に、複数個の噴射口１１
．１１・・・を上向きに有するノズル体５を設置する。
を設置し、ドレンボックス８内に、複数個の噴射口１１
．１１・・・を上向きに有するノズル体５を設置する。
１４はドレンボックス８に設けたドレン管である。７は
排気ボックスであり、１３は排気ボックス７に設けた排
気管である。
排気ボックスであり、１３は排気ボックス７に設けた排
気管である。
実施例において、半導体基板１８は搬送フＡ−り１２に
てａ方向に移送され０点まで送り込まれる。
てａ方向に移送され０点まで送り込まれる。
０点まで送り込まれた基板１８はシール６の面に接し、
スピンシャフト２を介して引かれる真空によりホーン型
基体４内の真空室１０が真空状態となり基板１８の表面
は基体４で覆われ、真空室１０内の真空圧により基板１
８の表面の外縁が吸着保持される。
スピンシャフト２を介して引かれる真空によりホーン型
基体４内の真空室１０が真空状態となり基板１８の表面
は基体４で覆われ、真空室１０内の真空圧により基板１
８の表面の外縁が吸着保持される。
次に保持された基板１８をＡ点よりＢ点の洗浄位置まで
下降させる。下降状態を第２図に示す。この状態でスピ
ンシャフト２、基体４を介しモーター１にて基板１８を
回転させながら基板１８裏面を基板下部に位置するノズ
ル体５の洗浄液導入口１５より洗浄液を導入し、複数個
の噴射口１１より洗浄液を噴射させ、基板１８の裏面の
洗浄を行なう。これと同時にパージガス案内板３のパー
ジガス導入口１６よりガスを導入し、基体４とパージガ
ス案内板３のすき間を通す。パージガスは基体４と案内
板３の間を流れ、基板１８側面を通してｄ方向に流出し
、基板１８側面と真空室への洗浄液のまわり込みを防止
する。
下降させる。下降状態を第２図に示す。この状態でスピ
ンシャフト２、基体４を介しモーター１にて基板１８を
回転させながら基板１８裏面を基板下部に位置するノズ
ル体５の洗浄液導入口１５より洗浄液を導入し、複数個
の噴射口１１より洗浄液を噴射させ、基板１８の裏面の
洗浄を行なう。これと同時にパージガス案内板３のパー
ジガス導入口１６よりガスを導入し、基体４とパージガ
ス案内板３のすき間を通す。パージガスは基体４と案内
板３の間を流れ、基板１８側面を通してｄ方向に流出し
、基板１８側面と真空室への洗浄液のまわり込みを防止
する。
以上の説明から明らかなように基板１８は基体で覆い基
板表面の外縁を吸着保持するようにしたので、表面をキ
ズつけることなく裏面のみを洗浄することができる。
板表面の外縁を吸着保持するようにしたので、表面をキ
ズつけることなく裏面のみを洗浄することができる。
［発明の効果］
以上説明したように本発明は半導体基板の表面をホーン
型の基体で覆って基板表面の外縁を吸着保持するように
したので、半導体基板の表面に悪影響を与えることなく
、基板の裏面全体を確実に洗浄することができる効果を
有するものである。
型の基体で覆って基板表面の外縁を吸着保持するように
したので、半導体基板の表面に悪影響を与えることなく
、基板の裏面全体を確実に洗浄することができる効果を
有するものである。
第１図は本発明の一実施例を示ず断面図、第２図は動作
状態を示す断面図である。
状態を示す断面図である。
Claims (1)
- （１）半導体基板の裏面を洗浄液で噴射洗浄する洗浄装
置において、先端に向けてテーパ状に拡径させたホーン
型基体とパージガス案内板とを内外２重に組合せ、内側
に位置するホーン型基体の開口縁に半導体基板の外縁を
当接させる座面を形成し、かつ外側に位置するホーン型
パージガス案内板で内側のホーン型基体の座面外周にパ
ージガス吹出孔を形成し、ホーン型基体内の真空室を真
空源に、また内外の基体とパージガス案内板との間のパ
ージガス室をガス源にそれぞれ接続させたことを特徴と
する半導体基板洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61258742A JPS63111622A (ja) | 1986-10-30 | 1986-10-30 | 半導体基板洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61258742A JPS63111622A (ja) | 1986-10-30 | 1986-10-30 | 半導体基板洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63111622A true JPS63111622A (ja) | 1988-05-16 |
Family
ID=17324451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61258742A Pending JPS63111622A (ja) | 1986-10-30 | 1986-10-30 | 半導体基板洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63111622A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003324090A (ja) * | 2002-04-26 | 2003-11-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| KR100412318B1 (ko) * | 2001-10-18 | 2003-12-31 | 주식회사 라셈텍 | 양면 동시 세정이 가능한 매엽식 웨이퍼 세정장치 |
| KR100429096B1 (ko) * | 2001-04-28 | 2004-04-28 | 주식회사 라셈텍 | 양면 동시세정이 가능한 매엽식 웨이퍼 세정장치 |
-
1986
- 1986-10-30 JP JP61258742A patent/JPS63111622A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100429096B1 (ko) * | 2001-04-28 | 2004-04-28 | 주식회사 라셈텍 | 양면 동시세정이 가능한 매엽식 웨이퍼 세정장치 |
| KR100412318B1 (ko) * | 2001-10-18 | 2003-12-31 | 주식회사 라셈텍 | 양면 동시 세정이 가능한 매엽식 웨이퍼 세정장치 |
| JP2003324090A (ja) * | 2002-04-26 | 2003-11-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
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