JPS63110877A - 電子スチルカメラ - Google Patents
電子スチルカメラInfo
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- JPS63110877A JPS63110877A JP61256361A JP25636186A JPS63110877A JP S63110877 A JPS63110877 A JP S63110877A JP 61256361 A JP61256361 A JP 61256361A JP 25636186 A JP25636186 A JP 25636186A JP S63110877 A JPS63110877 A JP S63110877A
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- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 66
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims abstract description 25
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 18
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 14
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000001444 catalytic combustion detection Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
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- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/715—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors using frame interline transfer [FIT]
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
- H04N25/53—Control of the integration time
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は固体イメージセンサで被写体の光学像を写す電
子スチルカメラに関する。
子スチルカメラに関する。
(従来の技術)
電子スチルカメラは、光学的なカメラと異なり被写体の
静止画像を固体イメージセンサにより受光し電子的に記
録するカメラである。
静止画像を固体イメージセンサにより受光し電子的に記
録するカメラである。
従来の電子スチルカメラを第7図に示す。この電子スチ
ルカメラにおいて、被写体の像を写すために、レリーズ
スイッチ8をオンさせると、電源(図示せず)がオンし
、固体イメージセンサ3、信号処理部4、記録部5、駆
動回路6、制御部7が動作状態に立上がる。被写体から
の光は、固体イメージセンサ3上にその光学像が結像す
るようにレンズ1により収束される。感光時間設定部9
に予め設定された感光時間T Intだけ、メカニカル
シャッタ2が開き、被写体の光学像に応じた画像信号が
固体イメージセンサ3より信号処理部4に出力される。
ルカメラにおいて、被写体の像を写すために、レリーズ
スイッチ8をオンさせると、電源(図示せず)がオンし
、固体イメージセンサ3、信号処理部4、記録部5、駆
動回路6、制御部7が動作状態に立上がる。被写体から
の光は、固体イメージセンサ3上にその光学像が結像す
るようにレンズ1により収束される。感光時間設定部9
に予め設定された感光時間T Intだけ、メカニカル
シャッタ2が開き、被写体の光学像に応じた画像信号が
固体イメージセンサ3より信号処理部4に出力される。
この画像信号は記録部5により感光記録媒体に記録され
る。
る。
(発明が解決しようとする問題点)
このように従来の電子スチルカメラでは、固体イメージ
センサへの光量の調節をおこなうのにメカニカルシャッ
タを用いている。しかしながら、メカニカルシャッタは
高精度の機械部品であるため価格が高いという問題があ
った。しかもメカニカルシャッタは設定値に対して実際
の感光時間に誤差が大きく、感光時間に対する許容範囲
の狭い電子スチルカメラでは、メカニカルシャッタの誤
差のために画質劣化が起きるという問題があった。
センサへの光量の調節をおこなうのにメカニカルシャッ
タを用いている。しかしながら、メカニカルシャッタは
高精度の機械部品であるため価格が高いという問題があ
った。しかもメカニカルシャッタは設定値に対して実際
の感光時間に誤差が大きく、感光時間に対する許容範囲
の狭い電子スチルカメラでは、メカニカルシャッタの誤
差のために画質劣化が起きるという問題があった。
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、正確な感
光時間で写して良い画質を得ることができるとともに、
メカニカルシャッタを用いることなく安価に作ることが
できる電子スチルカメラを提供することを目的とする。
光時間で写して良い画質を得ることができるとともに、
メカニカルシャッタを用いることなく安価に作ることが
できる電子スチルカメラを提供することを目的とする。
(問題点を解決するための手段)
上記目的を達成するために、本発明による電子スチルカ
メラは、被写体の光学像を結像する光学系と;この光学
系により結像された光学像を受光し光信号に応じた電荷
を発生する複数の感光画素を有する感光部と、この感光
部の感光画素における電荷を読出し読出された電荷を転
送する転送部と、前記感光画素で発生し前記転送部によ
り転送された信号電荷を一時的に蓄積する蓄積部と、前
記感光画素で発生し前記転送部により転送された不要電
荷を排出する電荷排出手段と、前記蓄積部に蓄積された
信号電荷を所定の順序で画像信号として取出す取出手段
とを有する固体イメージセンサと;感光時間の開始時に
、前記感光画素に蓄積された不要電荷を前記転送部で読
出し前記電荷排出手段まで転送して排出し、前記感光時
間の終了 □時に、前記感光時間の間前記感光
画素に蓄積された信号電荷を前記転送部で読出し前記蓄
積部まで転送して蓄積し、前記取出手段により、前記蓄
積部に蓄積された信号電荷を所定の順序で画像信号とし
て取出すように制御する制御手段と;前記固体イメージ
センサからの画像信号を記録する記録手段とを備えたこ
とを特徴とする。
メラは、被写体の光学像を結像する光学系と;この光学
系により結像された光学像を受光し光信号に応じた電荷
を発生する複数の感光画素を有する感光部と、この感光
部の感光画素における電荷を読出し読出された電荷を転
送する転送部と、前記感光画素で発生し前記転送部によ
り転送された信号電荷を一時的に蓄積する蓄積部と、前
記感光画素で発生し前記転送部により転送された不要電
荷を排出する電荷排出手段と、前記蓄積部に蓄積された
信号電荷を所定の順序で画像信号として取出す取出手段
とを有する固体イメージセンサと;感光時間の開始時に
、前記感光画素に蓄積された不要電荷を前記転送部で読
出し前記電荷排出手段まで転送して排出し、前記感光時
間の終了 □時に、前記感光時間の間前記感光
画素に蓄積された信号電荷を前記転送部で読出し前記蓄
積部まで転送して蓄積し、前記取出手段により、前記蓄
積部に蓄積された信号電荷を所定の順序で画像信号とし
て取出すように制御する制御手段と;前記固体イメージ
センサからの画像信号を記録する記録手段とを備えたこ
とを特徴とする。
(作 用)
本発明による電子スチルカメラは以上のように構成され
ているので、所定の感光時間の間だけ固体イメージセン
サの感光部で発生した信号電荷を、同じ固体イメージセ
ンサ内の蓄積部に蓄積しておき、その後所定の順序で画
像信号として出力する。
ているので、所定の感光時間の間だけ固体イメージセン
サの感光部で発生した信号電荷を、同じ固体イメージセ
ンサ内の蓄積部に蓄積しておき、その後所定の順序で画
像信号として出力する。
(実施例)
本発明の第1の実施例による電子スチルカメラの全体の
構成を第1図に、この電子スチルカメラにおける固体イ
メージセンサの詳細な構成を第2図、第3図に示す。
構成を第1図に、この電子スチルカメラにおける固体イ
メージセンサの詳細な構成を第2図、第3図に示す。
レンズ1は被写体からの光を収束し、被写体の光学像を
固体イメージセンサ13の感光面上に結像するようにす
る。レリーズスイッチ8はオペレータにより操作され、
被写体の像を写すべくこの電子スチルカメラを起動する
。感光時間は感光時間設定部9により予め定められてい
る。固体イメージセンサ13は、駆動回路16により上
記感光時間の間だけ発生した信号電荷を蓄積するように
制御され、結像された光学像に応じた電気的な画像信号
に変換する。信号処理部4は、固体イメージセンサ13
からの画像信号を処理し、記録部5に出力する。記録部
5は、信号処理部4で処理された画像信号を記録する。
固体イメージセンサ13の感光面上に結像するようにす
る。レリーズスイッチ8はオペレータにより操作され、
被写体の像を写すべくこの電子スチルカメラを起動する
。感光時間は感光時間設定部9により予め定められてい
る。固体イメージセンサ13は、駆動回路16により上
記感光時間の間だけ発生した信号電荷を蓄積するように
制御され、結像された光学像に応じた電気的な画像信号
に変換する。信号処理部4は、固体イメージセンサ13
からの画像信号を処理し、記録部5に出力する。記録部
5は、信号処理部4で処理された画像信号を記録する。
記録方法としては例えば磁気光記録媒体に記録する方法
がある。制御部17は、レリーズスイッチ8および感光
時間設定部9からの信号に基づいて、駆動回路16、固
体イメージセンサ13、信号処理部4、記録部5を制御
する。
がある。制御部17は、レリーズスイッチ8および感光
時間設定部9からの信号に基づいて、駆動回路16、固
体イメージセンサ13、信号処理部4、記録部5を制御
する。
本実施例における固体イメージセンサ13は、n形半導
体基板20上に形成され、第2図に示すように2N行×
M列の感光画素21を有している。
体基板20上に形成され、第2図に示すように2N行×
M列の感光画素21を有している。
これら感光画素21は第1フィールドの感光画素21a
と第2フィールドの感光画素21bから構成されている
。第1フィールドの感光画素21aと第2フィールドの
感光画素21bは、第2図に示すように列方向にひとつ
おきに並んでいる。すなわち、これら第1フィールドの
感光画素21aと第2フィールドの感光画素21bは、
テレビジョン信号における奇数フィールドと偶数フィー
ルドに対応している。
と第2フィールドの感光画素21bから構成されている
。第1フィールドの感光画素21aと第2フィールドの
感光画素21bは、第2図に示すように列方向にひとつ
おきに並んでいる。すなわち、これら第1フィールドの
感光画素21aと第2フィールドの感光画素21bは、
テレビジョン信号における奇数フィールドと偶数フィー
ルドに対応している。
感光画素21の隣には、それぞれ4相駆動CCDにより
構成されたM個の列方向レジスタ23が設けられている
。この列方向レジスタ23は感光画素21a、21bで
発生した信号電荷を転送する。列方向レジスタ23には
それぞれ4相駆動CCDにより構成されたM個の蓄積レ
ジスタ24が設けられ、これら蓄積レジスタ24は列方
向レジスタ23から転送された信号電荷を蓄積するとと
もに、必要に応じてその信号電荷を転送する。行方向レ
ジスタ25は、列方向レジスタ23および蓄積レジスタ
24の転送方向とは垂直な行方向に電荷を転送するレジ
スタであって、M個の蓄積レジスタ24からの電荷を受
は転送する。列方向レジスタ23の蓄積レジスタ24と
反対側には不要電荷を排出するためのドレイン27が設
けられている。これらドレイン27は列方向レジスタ2
3で転送された不要電荷を排出する。行方向レジスタ2
5の出力側には、画像信号を取出すための出力端子26
が接続されている。なお、感光画素21以外の列方向レ
ジスタ23、蓄積レジスタ24、行方向レジスタ25、
ドレイン27は、光遮蔽膜33により光が入射しないよ
うに遮蔽されている。
構成されたM個の列方向レジスタ23が設けられている
。この列方向レジスタ23は感光画素21a、21bで
発生した信号電荷を転送する。列方向レジスタ23には
それぞれ4相駆動CCDにより構成されたM個の蓄積レ
ジスタ24が設けられ、これら蓄積レジスタ24は列方
向レジスタ23から転送された信号電荷を蓄積するとと
もに、必要に応じてその信号電荷を転送する。行方向レ
ジスタ25は、列方向レジスタ23および蓄積レジスタ
24の転送方向とは垂直な行方向に電荷を転送するレジ
スタであって、M個の蓄積レジスタ24からの電荷を受
は転送する。列方向レジスタ23の蓄積レジスタ24と
反対側には不要電荷を排出するためのドレイン27が設
けられている。これらドレイン27は列方向レジスタ2
3で転送された不要電荷を排出する。行方向レジスタ2
5の出力側には、画像信号を取出すための出力端子26
が接続されている。なお、感光画素21以外の列方向レ
ジスタ23、蓄積レジスタ24、行方向レジスタ25、
ドレイン27は、光遮蔽膜33により光が入射しないよ
うに遮蔽されている。
第3図(a)、(b)に感光画素21と列方向レジスタ
23の転送電極28の詳細を示す。第3図(a)に示す
ように、第1フィールドの感光画素21aに対して2つ
の転送電極28a、28bが、第2フィールドの感光画
素21bに対して2つの転送電極28c、28dが配さ
れている。すなわち、2N個の感光画素21に対して列
方向レジスタ23には4N個の転送電極28が設けられ
ている。第3図(b)に示すように、感光画素21aと
列方向レジスタ23の埋込みチャネル32は、半導体基
板20の表面に形成されたp型半導体層30のチャネル
ストップ領域31に挟まれた領域に形成されていて、と
もにn形半導体である。p型土導体層30は感光画素2
1下で薄くなっており、感光画素21aで発生した過剰
電荷はこの薄いp型半導体層34を介して、高い正電圧
が印加されている半導体基板20に排出される。
23の転送電極28の詳細を示す。第3図(a)に示す
ように、第1フィールドの感光画素21aに対して2つ
の転送電極28a、28bが、第2フィールドの感光画
素21bに対して2つの転送電極28c、28dが配さ
れている。すなわち、2N個の感光画素21に対して列
方向レジスタ23には4N個の転送電極28が設けられ
ている。第3図(b)に示すように、感光画素21aと
列方向レジスタ23の埋込みチャネル32は、半導体基
板20の表面に形成されたp型半導体層30のチャネル
ストップ領域31に挟まれた領域に形成されていて、と
もにn形半導体である。p型土導体層30は感光画素2
1下で薄くなっており、感光画素21aで発生した過剰
電荷はこの薄いp型半導体層34を介して、高い正電圧
が印加されている半導体基板20に排出される。
埋込みチャネル32上には絶縁膜29を介して転送電極
28bが配されている。絶縁膜29上は、前述のように
開口部22を除いて光遮蔽膜33により遮蔽されている
。
28bが配されている。絶縁膜29上は、前述のように
開口部22を除いて光遮蔽膜33により遮蔽されている
。
蓄積レジスタ24は列方向レジスタ23と独立の4相ク
ロツクパルスにより駆動される。この蓄積レジスタ24
には列方向に8N個以上の転送電極が設けられている。
ロツクパルスにより駆動される。この蓄積レジスタ24
には列方向に8N個以上の転送電極が設けられている。
すなわち、各蓄積レジスタ24は2N個以上の信号電荷
を一時的に保持することができる。
を一時的に保持することができる。
次に第4図のタイムチャートを用いて動作を説明する。
被写体の像を写すために、レリーズスイッチ8をオンさ
せると、電源(図示せず)がオンし、固体イメージセン
サ13、信号処理部4、記録部5、駆動回路16、制御
部17が動作状態に立上がる。
せると、電源(図示せず)がオンし、固体イメージセン
サ13、信号処理部4、記録部5、駆動回路16、制御
部17が動作状態に立上がる。
被写体からの光は、固体イメージセンサ13上にその光
学像が結像するようにレンズ1により収束される。しか
し、固体イメージセンサ13の蓄積レジスタ24および
列方向レジスタ23の埋込みチャネル32には不要電荷
が残存している可能性があるので、先ず列方向レジスタ
23および蓄積レジスタ24に、この不要電荷をドレイ
ン27側に転送させる4相クロツクパルス(逆転送パル
ス)44.50を印加する。この逆転送パルス44.5
0は少なくともN測量にのパルスであることが望ましい
。
学像が結像するようにレンズ1により収束される。しか
し、固体イメージセンサ13の蓄積レジスタ24および
列方向レジスタ23の埋込みチャネル32には不要電荷
が残存している可能性があるので、先ず列方向レジスタ
23および蓄積レジスタ24に、この不要電荷をドレイ
ン27側に転送させる4相クロツクパルス(逆転送パル
ス)44.50を印加する。この逆転送パルス44.5
0は少なくともN測量にのパルスであることが望ましい
。
逆転送パルス44.50を印加して列方向レジスタ23
および蓄積レジスタ24に残存している不要電荷を排出
すると、次に時刻t1で読出しパルス40を印加し、第
1フィールドの感光画素21aに蓄積された不要電荷を
列方向レジスタ23に読出す。この読出しパルス40は
実際には転送電極28bに正の高電圧1を印加すること
により、p型土導体層30の表面部35に電位の井戸を
形成して、感光画素21aに蓄積された電荷を転送電極
28b下の埋込みチャネル32に転送する。読出しパル
ス40のパルス幅は10μs程度が望ましい。
および蓄積レジスタ24に残存している不要電荷を排出
すると、次に時刻t1で読出しパルス40を印加し、第
1フィールドの感光画素21aに蓄積された不要電荷を
列方向レジスタ23に読出す。この読出しパルス40は
実際には転送電極28bに正の高電圧1を印加すること
により、p型土導体層30の表面部35に電位の井戸を
形成して、感光画素21aに蓄積された電荷を転送電極
28b下の埋込みチャネル32に転送する。読出しパル
ス40のパルス幅は10μs程度が望ましい。
読出しパルスによる不要電荷の読出し後、引続き列方向
レジスタ23に逆転送パルス45を印加し、感光画素2
1aから読出された不要電荷をドレイン27に排出する
。逆転送パルス45では高レベル電位Vllがアース電
位、低レベル電位VLが負電位になっているので、逆転
遂時に表面部35に電位の井戸は形成されず、感光画素
21aの電荷が列方向レジスタ23に流入することはな
い。感光画素21での過剰電荷はp!!半導体層34を
経て半導体基板20に排出される。したがって、逆転送
パルスを印加して不要電荷を排出しているときに、感光
画素21から列方向レジスタ23に不要電荷が流入する
ことはない。なお、逆転送パルス45のパルス数はN’
個(N’ >N)であり、周期は1μs以下であるこ
とが望ましい。
レジスタ23に逆転送パルス45を印加し、感光画素2
1aから読出された不要電荷をドレイン27に排出する
。逆転送パルス45では高レベル電位Vllがアース電
位、低レベル電位VLが負電位になっているので、逆転
遂時に表面部35に電位の井戸は形成されず、感光画素
21aの電荷が列方向レジスタ23に流入することはな
い。感光画素21での過剰電荷はp!!半導体層34を
経て半導体基板20に排出される。したがって、逆転送
パルスを印加して不要電荷を排出しているときに、感光
画素21から列方向レジスタ23に不要電荷が流入する
ことはない。なお、逆転送パルス45のパルス数はN’
個(N’ >N)であり、周期は1μs以下であるこ
とが望ましい。
第1フィールドの感光画素21aの不要電荷を排出した
のち、時刻t2で読出しパルス41を印加し、第2フィ
ールドの感光画素21bに蓄積された不要電荷を列方向
レジスタ23に読出す。読出しパルス41による不要電
荷の読出し後、引続き列方向レジスタ23に逆転送パル
ス46を印加し、感光画素21bから読出された不要電
荷をドレイン27に排出する。
のち、時刻t2で読出しパルス41を印加し、第2フィ
ールドの感光画素21bに蓄積された不要電荷を列方向
レジスタ23に読出す。読出しパルス41による不要電
荷の読出し後、引続き列方向レジスタ23に逆転送パル
ス46を印加し、感光画素21bから読出された不要電
荷をドレイン27に排出する。
読出しパルス40.41により、時刻t1、t2でそれ
ぞれ感光画素21a、21bの不要電荷がクリアされ、
信号電荷の蓄積が開始される。
ぞれ感光画素21a、21bの不要電荷がクリアされ、
信号電荷の蓄積が開始される。
感光時間設定部9に設定されている感光時間Tintが
経過するまで、感光画素21a、21bで信号電荷の蓄
積をおこなう。
経過するまで、感光画素21a、21bで信号電荷の蓄
積をおこなう。
第1フィールドの感光画素21aが蓄積を終了するのは
、時刻tlより感光時間Tint経過後の時刻t3とな
るが、逆転送パルス45の印加後この時刻t3に至るま
でに列方向レジスタ23にスミャや暗電流による雑音電
荷が発生している可能性があるので、時刻t3の前に逆
転送パルス47を列方向レジスタ23に印加してこの雑
音電荷をドレイン27に排出しておくことが望ましい。
、時刻tlより感光時間Tint経過後の時刻t3とな
るが、逆転送パルス45の印加後この時刻t3に至るま
でに列方向レジスタ23にスミャや暗電流による雑音電
荷が発生している可能性があるので、時刻t3の前に逆
転送パルス47を列方向レジスタ23に印加してこの雑
音電荷をドレイン27に排出しておくことが望ましい。
雑音電荷の排出後、時刻t3で読出しパルス42を印加
し第1フィールドの感光画素21aの信号電荷を列方向
レジスタ23に読出す。引続き列方向レジスタ23と蓄
積レジスタ24にそれぞれ順転送パルス48と51を印
加して読出された信号電荷を行方向レジスタ25へ向か
う方向に転送し、信号電荷を蓄積レジスタ24に転送し
蓄積する。なお順転送パルス48.51は位相が逆相と
なっている点が異るだけで逆転送パルス45.46.4
7と同じである。すなわち順転送パルス48.51のパ
ルス数はN′個(N’ >N)であり、周期は1μs以
下であることが望ましい。
し第1フィールドの感光画素21aの信号電荷を列方向
レジスタ23に読出す。引続き列方向レジスタ23と蓄
積レジスタ24にそれぞれ順転送パルス48と51を印
加して読出された信号電荷を行方向レジスタ25へ向か
う方向に転送し、信号電荷を蓄積レジスタ24に転送し
蓄積する。なお順転送パルス48.51は位相が逆相と
なっている点が異るだけで逆転送パルス45.46.4
7と同じである。すなわち順転送パルス48.51のパ
ルス数はN′個(N’ >N)であり、周期は1μs以
下であることが望ましい。
第1フィールドの感光画素21aの信号電荷の転送を終
了すると、時刻t2より感光時間Tint経過後の時刻
t4で読出しパルス43を印加し、第2フィールドの感
光画素21bの信号電荷を列方向レジスタ23に読出す
。引続き列方向レジスタ23と蓄積レジスタ24にそれ
ぞれ順転送パルス49と52を印加して読出された信号
電荷を行方向レジスタ25へ向かう方向に転送する。そ
の結果、第1フィールドおよび第2フィールドの信号電
荷が蓄積レジスタ24に転送され蓄積されたことになる
。
了すると、時刻t2より感光時間Tint経過後の時刻
t4で読出しパルス43を印加し、第2フィールドの感
光画素21bの信号電荷を列方向レジスタ23に読出す
。引続き列方向レジスタ23と蓄積レジスタ24にそれ
ぞれ順転送パルス49と52を印加して読出された信号
電荷を行方向レジスタ25へ向かう方向に転送する。そ
の結果、第1フィールドおよび第2フィールドの信号電
荷が蓄積レジスタ24に転送され蓄積されたことになる
。
蓄積レジスタ24に第1フィールドと第2フィールドの
信号電荷が蓄積された後、時刻t5からラインシフトパ
ルス53.54、保持パルス55を印加し、信号処理部
4および記録部5の記録フォーマットにあわせたタイミ
ングで行方向レジスタ25を経由して信号電荷が出力端
子26から読出される。これは従来のインターライン転
送CCDで知られているいわゆるラインシフト動作と同
じである。その結果、第1フィールドの画像信号は時刻
t5から時刻t6の間に取出され、第2フィールドの画
像信号は時刻t7から時刻t8の間に取出され、信号処
理部4で処理され、記録部5で記録される。時刻t6か
らt7の間は垂直ブランキング期間に相当し、ラインシ
フト動作は行われない。
信号電荷が蓄積された後、時刻t5からラインシフトパ
ルス53.54、保持パルス55を印加し、信号処理部
4および記録部5の記録フォーマットにあわせたタイミ
ングで行方向レジスタ25を経由して信号電荷が出力端
子26から読出される。これは従来のインターライン転
送CCDで知られているいわゆるラインシフト動作と同
じである。その結果、第1フィールドの画像信号は時刻
t5から時刻t6の間に取出され、第2フィールドの画
像信号は時刻t7から時刻t8の間に取出され、信号処
理部4で処理され、記録部5で記録される。時刻t6か
らt7の間は垂直ブランキング期間に相当し、ラインシ
フト動作は行われない。
以に述べた一連の動作により、被写体の光学像が一枚記
録されたことになり、時刻t9で電源をオフし、記録動
作を終了する。
録されたことになり、時刻t9で電源をオフし、記録動
作を終了する。
このように本実施例によればメカニカルシャッタを用い
ないので部品点数が減り、安価な電子スチルカメラを実
現できる。また感光時間が電気的に設定できるので、極
めて正確に定めることができ、最適の感光時間を設定す
ることができ、良好な画質が得られる。さらに連続シャ
ッタ動作をする場合、電気的に感光開始間隔および感光
時間を定めることができるので、極めて正確にかつ良好
な画像を得ることができる。
ないので部品点数が減り、安価な電子スチルカメラを実
現できる。また感光時間が電気的に設定できるので、極
めて正確に定めることができ、最適の感光時間を設定す
ることができ、良好な画質が得られる。さらに連続シャ
ッタ動作をする場合、電気的に感光開始間隔および感光
時間を定めることができるので、極めて正確にかつ良好
な画像を得ることができる。
なお、非常に明るい被写体の場合でも、画像信号となる
信号電荷は、感光画素から離れた場所に位置している蓄
積レジスタに蓄積されているため、入射光による画質の
劣化はない。特にN′をNよりかなり多くし、蓄積レジ
スタ中の信号電荷が蓄積される部分を感光画素から離し
ておけば効果的である。また順転送動作時のスミア現象
に対しては、順転送パルスのパルス周期を1μs以下に
すれば、スミア現象の影響を受ける時間が250μS以
下となり(2N−500の場合)、画質劣化はほとんど
ない。
信号電荷は、感光画素から離れた場所に位置している蓄
積レジスタに蓄積されているため、入射光による画質の
劣化はない。特にN′をNよりかなり多くし、蓄積レジ
スタ中の信号電荷が蓄積される部分を感光画素から離し
ておけば効果的である。また順転送動作時のスミア現象
に対しては、順転送パルスのパルス周期を1μs以下に
すれば、スミア現象の影響を受ける時間が250μS以
下となり(2N−500の場合)、画質劣化はほとんど
ない。
また、本実施例による電子スチルカメラの場合、第1フ
ィールドの画像信号と第2フィールドの画像信号は厳密
には同時ではなく、読出し時刻にずれがある。すなわち
時刻tlと時刻t2の時間差が問題となりうる。しかし
ながら、逆転送パルスおよび順転送パルスのパルス幅を
1μs以下なので、2N−2N’−500とすれば、時
刻t1と時刻t2の時間差は250μs以下となり事実
上問題にならない。たとえば、1ms (シャッタスピ
ード1/1000)の感光時間であっても、極めて高速
に動いている被写体でもないかぎり、問題とならない。
ィールドの画像信号と第2フィールドの画像信号は厳密
には同時ではなく、読出し時刻にずれがある。すなわち
時刻tlと時刻t2の時間差が問題となりうる。しかし
ながら、逆転送パルスおよび順転送パルスのパルス幅を
1μs以下なので、2N−2N’−500とすれば、時
刻t1と時刻t2の時間差は250μs以下となり事実
上問題にならない。たとえば、1ms (シャッタスピ
ード1/1000)の感光時間であっても、極めて高速
に動いている被写体でもないかぎり、問題とならない。
本発明の第2の実施例による電子スチルカメラの固体イ
メージセンサ13の詳細な構成を第5図に示す。本実施
例では、列方向レジスタ23の蓄積レジスタ24側を延
長し、その延長部分に制御ゲート36を介して、ドレイ
ン37を設けている。
メージセンサ13の詳細な構成を第5図に示す。本実施
例では、列方向レジスタ23の蓄積レジスタ24側を延
長し、その延長部分に制御ゲート36を介して、ドレイ
ン37を設けている。
制御ゲート36をオンすることにより、列方向しジスタ
23で転送された不要電荷をドレイン37に排出し、制
御ゲート36をオフすることにより、列方向レジスタ2
3で転送された信号電荷を排出することなく蓄積レジス
タ24に転送することができる。なお本実施例で不要電
荷を排出する場合に列方向レジスタ23および蓄積レジ
スタ24に印加されるパルスは順転送パルスとなる。
23で転送された不要電荷をドレイン37に排出し、制
御ゲート36をオフすることにより、列方向レジスタ2
3で転送された信号電荷を排出することなく蓄積レジス
タ24に転送することができる。なお本実施例で不要電
荷を排出する場合に列方向レジスタ23および蓄積レジ
スタ24に印加されるパルスは順転送パルスとなる。
本発明は上記実施例に限らず種々の変形が可能である。
上記実施例では、列方向レジスタ23と蓄積レジスタ2
4に印加するパルスを第4図に示すように別々にしたが
、第6図に示すように同一のパルスを印加してもよい。
4に印加するパルスを第4図に示すように別々にしたが
、第6図に示すように同一のパルスを印加してもよい。
この場合、列方向レジスタ23には新たにラインシフト
動作パルス53.54と保持パルス55が印加されるが
、印加されたとしても列方向レジスタ23の電荷が蓄積
レジスタ24に順次転送されるだけであり問題はない。
動作パルス53.54と保持パルス55が印加されるが
、印加されたとしても列方向レジスタ23の電荷が蓄積
レジスタ24に順次転送されるだけであり問題はない。
また蓄積レジスタ24には新たに電荷排出のための逆転
送パルス45.46.47(第2の実施例では順転送パ
ルス)が印加されることになるが、印加されたとしても
蓄積レジスタ24の電荷が蓄積レジスタ24内をlli
に順次転送されるだけであり問題はない。
送パルス45.46.47(第2の実施例では順転送パ
ルス)が印加されることになるが、印加されたとしても
蓄積レジスタ24の電荷が蓄積レジスタ24内をlli
に順次転送されるだけであり問題はない。
また1−記実施例では不要電荷をドレインに排出してい
たが、ドレインを設けることなく行方向レジスタを介し
て外部に排出するようにしてもよい。
たが、ドレインを設けることなく行方向レジスタを介し
て外部に排出するようにしてもよい。
また感光時間が短く第1フィールドの不要電荷排出のた
めの転送パルスと第2フィールドの不要電荷排出のため
の転送パルスとが重なりあってしまう場合には、これら
転送パルスを連続して印加すればよい。
めの転送パルスと第2フィールドの不要電荷排出のため
の転送パルスとが重なりあってしまう場合には、これら
転送パルスを連続して印加すればよい。
また第1フィールドの感光画素の感光時間中に発生する
雑音電荷が少ない場合には、第1フィールドの感光画素
の信号電荷を読出す直前の転送パルスを省略してもよい
。
雑音電荷が少ない場合には、第1フィールドの感光画素
の信号電荷を読出す直前の転送パルスを省略してもよい
。
さらに」二記実施例では画像信号が2つのフィールド、
すなわち第1フィールドと第2フィールドに分かれてい
たが、信号処理部および記録部における方式によっては
、フィールドを分けなくともよい。
すなわち第1フィールドと第2フィールドに分かれてい
たが、信号処理部および記録部における方式によっては
、フィールドを分けなくともよい。
以上の通り、本発明によればメカニカルシャッタを用い
ることなく良い画質を得ることができる電子スチルカメ
ラを安価に堤供することができる。
ることなく良い画質を得ることができる電子スチルカメ
ラを安価に堤供することができる。
第1図は本発明の第1の実施例による電子スチルカメラ
の全体構成を示すブロック図、第2図は同電子スチルカ
メラの固体イメージセンサの構成を示す平面図、第3図
(a)、(b)は同固体イメージセンサの一部の詳細を
示す平面図及び断面図、第4図は同電子スチルカメラの
動作を示すタイムチャート、第5図は本発明の第2の実
施例による電子スチルカメラの固体イメージセンサの構
成を示す平面図、第6図は本発明の他の実施例による電
子スチルカメラの動作を示すタイムチャート、第7図は
従来の電子スチルカメラの全体構成を示すブロック図で
ある。 1・・・レンズ、2・・・メカニカルシャッタ、3.1
3・・・固体イメージセンサ、4・・・信号処理部、5
・・・記録部、6.16・・・駆動回路、7.17・・
・制御部、8・・・レリーズスイッチ、9・・・感光時
間設定部、20・・・半導体基板、21a、21b・・
・感光画素、22・・・開口部、23・・・列方向レジ
スタ、24・・・蓄積レジスタ、25・・・行方向レジ
スタ、26・・・出力端子、27・・・ドレイン、28
′・・・転送電極、29・・・絶縁膜、30・・・p型
半導体層、31・・・チャネルストップ領域、32・・
・埋込みチャネル、33・・・光遮蔽膜。 出願人代理人 佐 藤 −雄 2b 第2図
の全体構成を示すブロック図、第2図は同電子スチルカ
メラの固体イメージセンサの構成を示す平面図、第3図
(a)、(b)は同固体イメージセンサの一部の詳細を
示す平面図及び断面図、第4図は同電子スチルカメラの
動作を示すタイムチャート、第5図は本発明の第2の実
施例による電子スチルカメラの固体イメージセンサの構
成を示す平面図、第6図は本発明の他の実施例による電
子スチルカメラの動作を示すタイムチャート、第7図は
従来の電子スチルカメラの全体構成を示すブロック図で
ある。 1・・・レンズ、2・・・メカニカルシャッタ、3.1
3・・・固体イメージセンサ、4・・・信号処理部、5
・・・記録部、6.16・・・駆動回路、7.17・・
・制御部、8・・・レリーズスイッチ、9・・・感光時
間設定部、20・・・半導体基板、21a、21b・・
・感光画素、22・・・開口部、23・・・列方向レジ
スタ、24・・・蓄積レジスタ、25・・・行方向レジ
スタ、26・・・出力端子、27・・・ドレイン、28
′・・・転送電極、29・・・絶縁膜、30・・・p型
半導体層、31・・・チャネルストップ領域、32・・
・埋込みチャネル、33・・・光遮蔽膜。 出願人代理人 佐 藤 −雄 2b 第2図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、被写体の光学像を結像する光学系と、 この光学系により結像された光学像を受光し光信号に応
じた電荷を発生する複数の感光画素を有する感光部と、
この感光部の感光画素における電荷を読出し読出された
電荷を転送する転送部と、前記感光画素で発生し前記転
送部により転送された信号電荷を一時的に蓄積する蓄積
部と、前記感光画素で発生し前記転送部により転送され
た不要電荷を排出する電荷排出手段と、前記蓄積部に蓄
積された信号電荷を所定の順序で画像信号として取出す
取出手段とを有する固体イメージセンサと、感光時間の
開始時に、前記感光画素に蓄積された不要電荷を前記転
送部で読出し前記電荷排出手段まで転送して排出し、前
記感光時間の終了時に、前記感光時間の間前記感光画素
に蓄積された信号電荷を前記転送部で読出し前記蓄積部
まで転送して蓄積し、前記取出手段により、前記蓄積部
に蓄積された信号電荷を所定の順序で画像信号として取
出すように制御する制御手段と、 前記固体イメージセンサからの画像信号を記録する記録
手段と を備えたことを特徴とする電子スチルカメラ。 2、特許請求の範囲第1項記載の電子スチルカメラにお
いて、前記制御手段は、前記感光時間の終了前に前記転
送部に存在している電荷を前記電荷排出手段まで転送し
て排出することを特徴とする電子スチルカメラ。 3、特許請求の範囲第1項記載の電子スチルカメラにお
いて、 前記感光部は、第1フィールドの感光画素と第2フィー
ルドの感光画素とを有し、 前記制御部は、第1フィールドの感光時間の開始時に、
前記第1フィールドの感光画素に蓄積された不要電荷を
前記転送部で読出し前記電荷排出手段まで転送して排出
し、この不要電荷の排出後に前記第1フィールドの感光
時間とほぼ同じ第2フィールドの感光時間を開始させ、
この第2フィールドの感光時間の開始時に、前記第2フ
ィールドの感光画素に蓄積された不要電荷を前記転送部
で読出し前記電荷排出手段まで転送して排出し、前記第
1フィールドの感光時間の終了時に、前記第1フィール
ドの感光時間の間前記第1フィールドの感光画素に蓄積
された信号電荷を前記転送部で読出し前記蓄積部まで転
送して蓄積し、前記第2フィールドの感光時間の終了時
に、前記第2フィールドの感光時間の間前記第2フィー
ルドの感光画素に蓄積された信号電荷を前記転送部で読
出し前記蓄積部まで転送し、前記取出手段により、前記
蓄積部に蓄積された第1フィールドおよび第2フィール
ドの信号電荷を所定の順序で画像信号として取出すこと
を特徴とする電子スチルカメラ。4、特許請求の範囲第
3項記載の電子スチルカメラにおいて、前記制御手段は
、前記第1フィールドの感光時間の終了前に前記転送部
に存在している電荷を前記電荷排出手段まで転送して排
出することを特徴とする電子スチルカメラ。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61256361A JPH07118788B2 (ja) | 1986-10-28 | 1986-10-28 | 電子スチルカメラ |
US07/113,063 US4884142A (en) | 1986-10-28 | 1987-10-27 | Electronic camera having solid state image sensor with improved noise signal draining |
DE87115821T DE3787147T2 (de) | 1986-10-28 | 1987-10-28 | Elektronische Stehbildkamera. |
EP87115821A EP0265925B1 (en) | 1986-10-28 | 1987-10-28 | Electronic still camera |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61256361A JPH07118788B2 (ja) | 1986-10-28 | 1986-10-28 | 電子スチルカメラ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63110877A true JPS63110877A (ja) | 1988-05-16 |
JPH07118788B2 JPH07118788B2 (ja) | 1995-12-18 |
Family
ID=17291611
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61256361A Expired - Fee Related JPH07118788B2 (ja) | 1986-10-28 | 1986-10-28 | 電子スチルカメラ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4884142A (ja) |
EP (1) | EP0265925B1 (ja) |
JP (1) | JPH07118788B2 (ja) |
DE (1) | DE3787147T2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02131683A (ja) * | 1988-11-11 | 1990-05-21 | Minolta Camera Co Ltd | 電子シャッター付き電子カメラ |
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