JPS63110629A - 気相成長方法 - Google Patents
気相成長方法Info
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- JPS63110629A JPS63110629A JP25606486A JP25606486A JPS63110629A JP S63110629 A JPS63110629 A JP S63110629A JP 25606486 A JP25606486 A JP 25606486A JP 25606486 A JP25606486 A JP 25606486A JP S63110629 A JPS63110629 A JP S63110629A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔（概要〕
クロライド気相成長（ＶＰＥ）等において、原料金属、
またはその化合物（クラスト）の不均一な消費が成長速
度の経時変化を起こすという問題を解決するため、原料
金属への原料ガス導入を原料金属を入れるソースポート
の各マス（枡）の上部に配置された複数の吹き出し口よ
り供給するようにした方法を提起する。
またはその化合物（クラスト）の不均一な消費が成長速
度の経時変化を起こすという問題を解決するため、原料
金属への原料ガス導入を原料金属を入れるソースポート
の各マス（枡）の上部に配置された複数の吹き出し口よ
り供給するようにした方法を提起する。
本発明はクロライドＶＰＥ 、ハイドライドＶＰＥ等に
おけるエビ厚の制御性のよい気相成長方法に関する。
おけるエビ厚の制御性のよい気相成長方法に関する。
原料ガスとして成長結晶の成分元素のクロライドや、ハ
イドライドを用いたクロライドＶＰＥ 、ハイドライド
ＶＰＥ等は得られる結晶の高純度性により、種々の構造
のデバイスへの応用が期待されている。
イドライドを用いたクロライドＶＰＥ 、ハイドライド
ＶＰＥ等は得られる結晶の高純度性により、種々の構造
のデバイスへの応用が期待されている。
その際、エピタキシャル厚さの制御はデバイス形成上の
重要な点となり、その制御性の向上が期待される。
重要な点となり、その制御性の向上が期待される。
成長する結晶として、例えば、インジウム燐（ＩｎＰ）
層の成長は集積回路や、半導体レーザの製造に広く応用
されている。
層の成長は集積回路や、半導体レーザの製造に広く応用
されている。
第２図は従来例を説明するクロライドＶＰＥ装置の断面
図である。
図である。
図において、成長室５内の高温部に原料金属としてＶ族
のインジウム（Ｉｎ） ２を各マスに入れたソースポー
ト４を置き、低温部に被成長基板としてＩｎＰ基板６を
載せたサセプタ７を置く。
のインジウム（Ｉｎ） ２を各マスに入れたソースポー
ト４を置き、低温部に被成長基板としてＩｎＰ基板６を
載せたサセプタ７を置く。
ガス導入口３より、原料ガスとして■族の燐（Ｐ）のハ
ロゲン化物、例えば塩化Ｆｉ（ＰＣＩ３）と希釈用の水
素（Ｈ２）を供給する。
ロゲン化物、例えば塩化Ｆｉ（ＰＣＩ３）と希釈用の水
素（Ｈ２）を供給する。
この状態で、ＴｎＰ基板６上にｍ−ｖ族混晶半導体の１
ｎＰ結晶のエピタキシャル成長を行う。
ｎＰ結晶のエピタキシャル成長を行う。
このように従来例では、■族原料金属へ■族原料ガスを
上流側より水平に供給している。
上流側より水平に供給している。
従来例では、原料ガスを原料金属の片側から水平に供給
しているため、上流側より原料金属が消費され、そのた
めに原料金属の面積が成長途中で変わり、それにともな
い成長速度が変動するという問題があった。
しているため、上流側より原料金属が消費され、そのた
めに原料金属の面積が成長途中で変わり、それにともな
い成長速度が変動するという問題があった。
上記問題点の解決は、成長室の高温部に原料金属（また
はその化合物）を、該成長室の該高温部に隣接する低温
部に被成長基板を置き、原料ガスを該原料金属上に複数
の吹き出し口より吹きつけ、かつ該原料金属より該被成
長基板の方向に流して、該被成長基板上に該原料金属と
該原料ガスの成分よりなる結晶を成長する気相成長方法
により達成される。
はその化合物）を、該成長室の該高温部に隣接する低温
部に被成長基板を置き、原料ガスを該原料金属上に複数
の吹き出し口より吹きつけ、かつ該原料金属より該被成
長基板の方向に流して、該被成長基板上に該原料金属と
該原料ガスの成分よりなる結晶を成長する気相成長方法
により達成される。
原料ガスを原料金属の入ったソースポートの各マスへ上
部から供給することにより、原料金属の消費量の差が各
マス間で少なくなり、一部のマスだけが先になくなると
いうことが解消される。
部から供給することにより、原料金属の消費量の差が各
マス間で少なくなり、一部のマスだけが先になくなると
いうことが解消される。
そのために、被成長基板への反応ガスの供給量に経時変
化が少なくなり、成長速度が安定する。
化が少なくなり、成長速度が安定する。
第１図は本発明を説明するクロライドＶＰＥ装置の断面
図である。
図である。
図において、成長室５内の高温部に原料金属として■族
のＩｎ ２を各マスに入れたソースポート４を置き、低
温部に被成長基板としてＩｎＰ基板６を載せたサセプタ
７を置く。
のＩｎ ２を各マスに入れたソースポート４を置き、低
温部に被成長基板としてＩｎＰ基板６を載せたサセプタ
７を置く。
成長室の温度は、例えば高温部は８００℃、低温部は６
００〜７００℃に保つ。
００〜７００℃に保つ。
また、成長室の高温部と低温部間は単調な温度勾配をも
たせる。
たせる。
ソースポート４の各マスに対して吹き出し口を有する原
料ガス導入口１より、ＰＣＩ、とＨ２の混合ガスを供給
する。
料ガス導入口１より、ＰＣＩ、とＨ２の混合ガスを供給
する。
ガス導入口３より、希釈用のＨ２を供給する。
成長室５に右側より導入したＩ’ＣＩ３＋１１２は加熱
された原料金属のＩｎ ２と反応してＩｎＣｌとＰ４を
生成し、これらが被成長基板６上に輸送されてＴｎＰ層
をエピタキシャル成長する。
された原料金属のＩｎ ２と反応してＩｎＣｌとＰ４を
生成し、これらが被成長基板６上に輸送されてＴｎＰ層
をエピタキシャル成長する。
このように本発明では、■族原料金属へＶ族原料ガスを
均一に上部より供給している。
均一に上部より供給している。
実施例においては、ＰＣｌ３によるクロライドＶＰＥを
用いたが、これの代わりにＰｌ（、によるハイドライド
νＰＥを用いてもよい。
用いたが、これの代わりにＰｌ（、によるハイドライド
νＰＥを用いてもよい。
以上詳細に説明したように本発明による気相成長法によ
り、成長速度が安定化し、エピタキシャル層の厚さの制
御が容易になった。
り、成長速度が安定化し、エピタキシャル層の厚さの制
御が容易になった。
その結果、仕様のきびしい構造のデバイスに対応できる
ようになった。
ようになった。
第１図は本発明を説明するクロライドＶＰＥ装置の断面
図、 第２図は従来例を説明するクロライドＶＰＥ装置の断面
図である。 図において、 ■は原料ガス導入口、 ２は原料金属でＩｎ、 ３はガス導入口、 ４はソースポート、 ５は成長室、 ６は被成長基板でＩｎＰ基板、 ７はサセプタ である。
図、 第２図は従来例を説明するクロライドＶＰＥ装置の断面
図である。 図において、 ■は原料ガス導入口、 ２は原料金属でＩｎ、 ３はガス導入口、 ４はソースポート、 ５は成長室、 ６は被成長基板でＩｎＰ基板、 ７はサセプタ である。
Claims (1)
- 成長室の高温部に原料金属を、該成長室の該高温部に隣
接する低温部に被成長基板を置き、原料ガスを該原料金
属上に複数の吹き出し口より吹きつけ、かつ該原料金属
より該被成長基板の方向に流して、該被成長基板上に該
原料金属と該原料ガスの成分よりなる混晶を成長するこ
とを特徴とする気相成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25606486A JPS63110629A (ja) | 1986-10-28 | 1986-10-28 | 気相成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25606486A JPS63110629A (ja) | 1986-10-28 | 1986-10-28 | 気相成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63110629A true JPS63110629A (ja) | 1988-05-16 |
Family
ID=17287397
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25606486A Pending JPS63110629A (ja) | 1986-10-28 | 1986-10-28 | 気相成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63110629A (ja) |
-
1986
- 1986-10-28 JP JP25606486A patent/JPS63110629A/ja active Pending
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