JPS63108305A - 光導波路の結合方法 - Google Patents
光導波路の結合方法Info
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- JPS63108305A JPS63108305A JP25381986A JP25381986A JPS63108305A JP S63108305 A JPS63108305 A JP S63108305A JP 25381986 A JP25381986 A JP 25381986A JP 25381986 A JP25381986 A JP 25381986A JP S63108305 A JPS63108305 A JP S63108305A
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- optical waveguide
- waveguide
- optical
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- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 58
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 15
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 6
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 17
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 101100328086 Caenorhabditis elegans cla-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 229920000742 Cotton Polymers 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、集積化光素子の作製技術に係り、特に半導体
レーザと光導波路の良好な結合部の形成に関する。
レーザと光導波路の良好な結合部の形成に関する。
集積化光素子の作製技術に関して、特に導波路の突合せ
結合に関しては、エレクトリックス、レター１８．５
（１９８２年）第２０４頁から第２０５頁（Ｅｌｅｃｔ
、Ｌｅｔｔ、 １８．５ （１９８２） ｐｐ２０４−
２０５）および、アイ・イー・イー・イー、ジャーナル
、オフ−カンタム、エレクトロニクス・第ＱＥ−１８巻
、（１９８２）第１７８３頁から第１７８９頁（ＩＥＥ
Ｅ、 Ｊ、 ＱＥ、 ＶＯｌ、 ＱＥ−１８゜１０ （
１９８２） ｐＩ）１７８３−１７８９）で述べられて
いるが、液相エピタキシャル成長で結合効率の高い半導
体Ｖ−ザと光導波路の結合を形成することは、きわめて
困難であった。
結合に関しては、エレクトリックス、レター１８．５
（１９８２年）第２０４頁から第２０５頁（Ｅｌｅｃｔ
、Ｌｅｔｔ、 １８．５ （１９８２） ｐｐ２０４−
２０５）および、アイ・イー・イー・イー、ジャーナル
、オフ−カンタム、エレクトロニクス・第ＱＥ−１８巻
、（１９８２）第１７８３頁から第１７８９頁（ＩＥＥ
Ｅ、 Ｊ、 ＱＥ、 ＶＯｌ、 ＱＥ−１８゜１０ （
１９８２） ｐＩ）１７８３−１７８９）で述べられて
いるが、液相エピタキシャル成長で結合効率の高い半導
体Ｖ−ザと光導波路の結合を形成することは、きわめて
困難であった。
従来の技術では、集積化光素子を作製する場合に、各光
素子との結合部において、光伝送損失がきわめて大きく
なった。本発明の目的は、各光素子との結合効率を高め
、光伝送損失の少ない集積化光素子の炸裂を可能匡する
ことにある。
素子との結合部において、光伝送損失がきわめて大きく
なった。本発明の目的は、各光素子との結合効率を高め
、光伝送損失の少ない集積化光素子の炸裂を可能匡する
ことにある。
上記目的は、選択エツチングが可能な多層構造を有する
光導波路１を形成し、その光導波方向端の、導波層をク
ラッド層よりも奥までエツチングし、また、導波路１の
導波層をはさむ上下のクラッド層を、光導波路２の光軸
が光導波路１の光軸に一致するようにエツチングした後
に、液相エピタキシャル成長で光導波路２を形成するこ
とにより達成される。
光導波路１を形成し、その光導波方向端の、導波層をク
ラッド層よりも奥までエツチングし、また、導波路１の
導波層をはさむ上下のクラッド層を、光導波路２の光軸
が光導波路１の光軸に一致するようにエツチングした後
に、液相エピタキシャル成長で光導波路２を形成するこ
とにより達成される。
先導波路１の光導波方向端部を選択エツチングして、光
導波層をクラッド層よシも夷にすることによシ、光導波
路２の導波層が、なめらかな形状で光導波路１の導波層
に結合し、きわめて散乱の少ない結合部が形成できる。
導波層をクラッド層よシも夷にすることによシ、光導波
路２の導波層が、なめらかな形状で光導波路１の導波層
に結合し、きわめて散乱の少ない結合部が形成できる。
また、光導波路１において、上記のような選択エツチン
グを行った後に導波層をはさむ上下のクラッド層を光導
波路１の光軸と光導波路２の光軸が一致するような深さ
にエツチングすることで、高い結合効率が得られる。
グを行った後に導波層をはさむ上下のクラッド層を光導
波路１の光軸と光導波路２の光軸が一致するような深さ
にエツチングすることで、高い結合効率が得られる。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例を第１図〜第１０図によシ説明す
る。
る。
実施例１
半導体レーザと光導波路を結合する場合、回折格子を有
するＩｎＰ基板１上に＋ ＩｎＧａＡｓＰ導波層２．Ｉ
ｎＧａＡｓＰ活性層３、ＩｎＰクラッド層４、工ｎＧａ
Ａ’Ｐキャップ層５から成るレーザ用多層構造を液相エ
ピタキシャル成長で形成し、０ｆ（ｈマスク６を付ける
。（第２図）エッチャント１（Ｈｌ Ｂｏａ ： Ｈｌ
０１ ： Ｈｚ Ｏ冨４：１：１）でキャップ層５を
エツチングしく第３図）、次にエッチャント２ （ＨＣ
Ｌ ： Ｈｓ Ｐｏ４＝ １ ： ３ ）でクラッド層
４をエツチングした後に（第４図）、再びエッチャント
１で、導波層２お工び活性層３を、レーザのキャビティ
方向に、クラッド層ニジも深くエツチングする（第５図
）。
するＩｎＰ基板１上に＋ ＩｎＧａＡｓＰ導波層２．Ｉ
ｎＧａＡｓＰ活性層３、ＩｎＰクラッド層４、工ｎＧａ
Ａ’Ｐキャップ層５から成るレーザ用多層構造を液相エ
ピタキシャル成長で形成し、０ｆ（ｈマスク６を付ける
。（第２図）エッチャント１（Ｈｌ Ｂｏａ ： Ｈｌ
０１ ： Ｈｚ Ｏ冨４：１：１）でキャップ層５を
エツチングしく第３図）、次にエッチャント２ （ＨＣ
Ｌ ： Ｈｓ Ｐｏ４＝ １ ： ３ ）でクラッド層
４をエツチングした後に（第４図）、再びエッチャント
１で、導波層２お工び活性層３を、レーザのキャビティ
方向に、クラッド層ニジも深くエツチングする（第５図
）。
この基板上に液相エピタキシャル成長によって光導波層
７、クラッド層８、キャップ層９を形成すると、その結
合部は、第１図に示すように、半導体レーザの活性層３
と光導波路の導波層７が、きわめて滑らかに結合し、高
い結合効率が得られる。
７、クラッド層８、キャップ層９を形成すると、その結
合部は、第１図に示すように、半導体レーザの活性層３
と光導波路の導波層７が、きわめて滑らかに結合し、高
い結合効率が得られる。
実施例２
実施例１では各層ごとにエツチングしたが、全ノーを一
度にエツチングした後に（第６図）第７図に示す二うに
、光導波層のみを選択エツチングして結晶成長してもよ
い。
度にエツチングした後に（第６図）第７図に示す二うに
、光導波層のみを選択エツチングして結晶成長してもよ
い。
実施例３
実施例１、および実施例２において、光導波層の選択エ
ツチングを行った後に、基板を選択エツチングして、段
差を形成する（第８図）。この時のエツチング深さは、
光導波路２の光導波層の厚さ２ｄの半分のｄとする。段
差ｄを形成した後に光導波路２の結晶成長を行なえば、
第９図に示すように、光導波路１と光導波路２の光軸を
一致させることができる。
ツチングを行った後に、基板を選択エツチングして、段
差を形成する（第８図）。この時のエツチング深さは、
光導波路２の光導波層の厚さ２ｄの半分のｄとする。段
差ｄを形成した後に光導波路２の結晶成長を行なえば、
第９図に示すように、光導波路１と光導波路２の光軸を
一致させることができる。
実施例４
実施例１および実施例２において、光導波路１を形成す
る結晶成長で、第１０図に示すように厚さ２ｄのクラツ
ドノ１を形成した上に導波、−を形成する。この光導波
路１を同様に選択エツチングして、光導波路２を結合し
ても、実施例３と同様の効果が得られる。
る結晶成長で、第１０図に示すように厚さ２ｄのクラツ
ドノ１を形成した上に導波、−を形成する。この光導波
路１を同様に選択エツチングして、光導波路２を結合し
ても、実施例３と同様の効果が得られる。
本発明によれば、集積化元素子を作製するにあたシ、各
素子の結合効率を高め、損失を下げることができる。
素子の結合効率を高め、損失を下げることができる。
第１図は本発明によるＤＦＢレーザと光導波路の結合部
断面図、第２図はＶ−ザ多層構造断面図、第３図はキャ
ップ層をエツチングした時の断面図、第４図はクラッド
層をエツチングした時の断面図、第５図は導波ノーおよ
び活性層をエツチングした時の断面図、第６図は導波路
１の全層を一度にエツチングした時の断面図、第７図は
導波層のみをエツチングした時の断面図、第８図は光導
波路２形成前に基板をエツチングした時の断面図、第９
図は基板に段差をつけて光導波路２を結合した時の断面
図、第１０図は光導波層の下にクラッド層を設けた場合
の光導波路１の断面図である。 １−Ｉ ｎ Ｐ基板、２ ・ ＩｎＧａＡｓＰ導波層、
３・・・ＩｎＧａＡＳＰ活性層、４・・・ＩＩＩＰクラ
ッド層、５・・・ＩｎＧａＡＳＦキャップ層、５−・−
８ｉＱ、−ｑ、ｘ、り、７・・・ＩｎＧａＡＳＰ導波層
、８・・・ＩｎＰクラッド層、９・・・ＩｎＧａＡｓＰ
キャップ層、１０・・・回折格子、１１・・・導波層、
１２・・・基板、１３・・・導波ノー、１４・・・クラ
ッド層、１５・・・クラッド層、１６・・・導波層、１
７・・・クラッド層。 第１ 凹 ３ ＆（ｒａＡｓｆ’坩生）ｉ ６ ５ｒＯｚｖ
ｘ７ ’ｆ Ｉｙ＋ＱｔハＳｌ’４Ｑ−Ｉ
７’：ｌｔｏ Ｕ３ｎ棉号 系２Ｉ！ｌ 第４図 第３（！１ 第５１！！ クラ１．ド１ ＝ キャ、、７゛４ ＳＬ（ｈマスク 篇６図 第３ 固 名ｌＯ凹 第 ７２
断面図、第２図はＶ−ザ多層構造断面図、第３図はキャ
ップ層をエツチングした時の断面図、第４図はクラッド
層をエツチングした時の断面図、第５図は導波ノーおよ
び活性層をエツチングした時の断面図、第６図は導波路
１の全層を一度にエツチングした時の断面図、第７図は
導波層のみをエツチングした時の断面図、第８図は光導
波路２形成前に基板をエツチングした時の断面図、第９
図は基板に段差をつけて光導波路２を結合した時の断面
図、第１０図は光導波層の下にクラッド層を設けた場合
の光導波路１の断面図である。 １−Ｉ ｎ Ｐ基板、２ ・ ＩｎＧａＡｓＰ導波層、
３・・・ＩｎＧａＡＳＰ活性層、４・・・ＩＩＩＰクラ
ッド層、５・・・ＩｎＧａＡＳＦキャップ層、５−・−
８ｉＱ、−ｑ、ｘ、り、７・・・ＩｎＧａＡＳＰ導波層
、８・・・ＩｎＰクラッド層、９・・・ＩｎＧａＡｓＰ
キャップ層、１０・・・回折格子、１１・・・導波層、
１２・・・基板、１３・・・導波ノー、１４・・・クラ
ッド層、１５・・・クラッド層、１６・・・導波層、１
７・・・クラッド層。 第１ 凹 ３ ＆（ｒａＡｓｆ’坩生）ｉ ６ ５ｒＯｚｖ
ｘ７ ’ｆ Ｉｙ＋ＱｔハＳｌ’４Ｑ−Ｉ
７’：ｌｔｏ Ｕ３ｎ棉号 系２Ｉ！ｌ 第４図 第３（！１ 第５１！！ クラ１．ド１ ＝ キャ、、７゛４ ＳＬ（ｈマスク 篇６図 第３ 固 名ｌＯ凹 第 ７２
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、光導波路１及び光導波路２を基板上に、有機的に結
合させる結晶成長の方法において、光導波路１の端面の
一部を選択的にエッチングしたのちに光導波路２の結晶
成長を行う事を特徴とする光導波路の結合方法。 ２、上記記載の光導波路１及び光導波路２を形成する結
晶成長において、結晶成長前の基板表面に段差を与えて
結晶成長することを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の光導波路の結合方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25381986A JPS63108305A (ja) | 1986-10-27 | 1986-10-27 | 光導波路の結合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25381986A JPS63108305A (ja) | 1986-10-27 | 1986-10-27 | 光導波路の結合方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63108305A true JPS63108305A (ja) | 1988-05-13 |
Family
ID=17256576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25381986A Pending JPS63108305A (ja) | 1986-10-27 | 1986-10-27 | 光導波路の結合方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63108305A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001189523A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
| JP2002344067A (ja) * | 2001-05-21 | 2002-11-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光集積素子の製造方法 |
| JP2010109215A (ja) * | 2008-10-31 | 2010-05-13 | Nec Corp | 半導体光集積素子および半導体光集積素子の製造方法 |
| KR200457874Y1 (ko) * | 2008-11-04 | 2012-01-06 | 황상미 | 화장품 용기 |
-
1986
- 1986-10-27 JP JP25381986A patent/JPS63108305A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001189523A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
| JP4514868B2 (ja) * | 1999-12-28 | 2010-07-28 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2002344067A (ja) * | 2001-05-21 | 2002-11-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光集積素子の製造方法 |
| JP2010109215A (ja) * | 2008-10-31 | 2010-05-13 | Nec Corp | 半導体光集積素子および半導体光集積素子の製造方法 |
| KR200457874Y1 (ko) * | 2008-11-04 | 2012-01-06 | 황상미 | 화장품 용기 |
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