JPH01248107A - 光導波路 - Google Patents
光導波路Info
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- JPH01248107A JPH01248107A JP7707988A JP7707988A JPH01248107A JP H01248107 A JPH01248107 A JP H01248107A JP 7707988 A JP7707988 A JP 7707988A JP 7707988 A JP7707988 A JP 7707988A JP H01248107 A JPH01248107 A JP H01248107A
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- Japan
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- crystal
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- Pending
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 19
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 abstract description 5
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光導波形回路に用いられる３次元光導波路に
関する。
関する。
〔従来の技術］
光通信システムを構成するためには、光導波形回路が必
要になり、光導波形回路には３次元光導波路が用いられ
る。光を光導部内に閉じ込めるには、周囲を屈折率ある
いは実効的屈折率の低い領域で囲むことが必要である。
要になり、光導波形回路には３次元光導波路が用いられ
る。光を光導部内に閉じ込めるには、周囲を屈折率ある
いは実効的屈折率の低い領域で囲むことが必要である。
従来の３次元光導波路には、第２［１（ａ）〜（Ｃ）に
示すような構造のものがある。埋め込み型では、結晶基
板（１）内に屈折率分布を持たせて光を光導部（２）に
閉じ込めている。リッジ型では、結晶基板（１）上に高
屈折率である先導・波路Ｎ（３）をリッジ型にして、ま
たストリップ装荷型では、光導波層（４）上に屈折率の
より低いストリップ膜（５）を装荷して、それによって
生じる等価屈折率変化を利用して光を閉し込めている。
示すような構造のものがある。埋め込み型では、結晶基
板（１）内に屈折率分布を持たせて光を光導部（２）に
閉じ込めている。リッジ型では、結晶基板（１）上に高
屈折率である先導・波路Ｎ（３）をリッジ型にして、ま
たストリップ装荷型では、光導波層（４）上に屈折率の
より低いストリップ膜（５）を装荷して、それによって
生じる等価屈折率変化を利用して光を閉し込めている。
〔発明が解決しようとする課題］
しかしながら、従来の３次元光導波路構造には次のよう
な問題点がある。すなわち、埋め込み型では・、中間に
エツチング工程を入れて２回の光導波層の成長を行うた
め、再成長界面による光損失の問題がある。またリッジ
型およびストリップ装荷型では、第２図（ｂ）、（Ｃ）
から明らかなように、横方向の光閉じ込め作用が十分で
はない。
な問題点がある。すなわち、埋め込み型では・、中間に
エツチング工程を入れて２回の光導波層の成長を行うた
め、再成長界面による光損失の問題がある。またリッジ
型およびストリップ装荷型では、第２図（ｂ）、（Ｃ）
から明らかなように、横方向の光閉じ込め作用が十分で
はない。
〔課題を解決するための手段］
本発明は以上のような点にかんがみてなされたもので、
その目的とするところは、再成長界面の問題を解決し、
かつ、横方向の制御を改善した先導波路を提供すること
にあり、その要旨は、結晶基板面をドライエツチングし
て形成されたリッジ上に、光導部がＭＯＣＶＤ （有機
金属化学気相成長）法により形成されたことを特徴とす
る光導波路である。
その目的とするところは、再成長界面の問題を解決し、
かつ、横方向の制御を改善した先導波路を提供すること
にあり、その要旨は、結晶基板面をドライエツチングし
て形成されたリッジ上に、光導部がＭＯＣＶＤ （有機
金属化学気相成長）法により形成されたことを特徴とす
る光導波路である。
ドライエツチングの主流技術であるＲＩＥ（反応性イオ
ンエツチング）では、条件を最適化すれば、微細でかつ
異方性に優れた加工を行うことができる。本発明によれ
ば、リッジの側壁はドライエツチングにより加工される
ため、その側壁は垂直な特定の結晶面にすることができ
る。このようにして形成されたリッジを有する結晶基面
上に、ＭＯＣＶＤ法により結晶成長を行うと、特定の結
晶面であるリッジ側壁には結晶成長が進まず、リッジ上
面およびエツチング底面にのみ結晶が成長する。リッジ
上面に積層した結晶を光導部として用いると、この光導
部は、横方向については、空気とのみ境界面を形成して
いるため、横方向の光制御性は、従来の構造に比較して
改善される。
ンエツチング）では、条件を最適化すれば、微細でかつ
異方性に優れた加工を行うことができる。本発明によれ
ば、リッジの側壁はドライエツチングにより加工される
ため、その側壁は垂直な特定の結晶面にすることができ
る。このようにして形成されたリッジを有する結晶基面
上に、ＭＯＣＶＤ法により結晶成長を行うと、特定の結
晶面であるリッジ側壁には結晶成長が進まず、リッジ上
面およびエツチング底面にのみ結晶が成長する。リッジ
上面に積層した結晶を光導部として用いると、この光導
部は、横方向については、空気とのみ境界面を形成して
いるため、横方向の光制御性は、従来の構造に比較して
改善される。
以下図面に示した実施例に基づいて本発明を説明する。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明にかかる実施例の製作工
程を示したもので、まず、第１図（ａ）に示すように、
ＧａＡｓ３板（１）の＜１００＞面上にＲＩＥ（７）ド
ライエツチングにより、中１０１Ｍ、？Ｒ’さ２０−の
２本の溝を加工し、巾１ｔｎａのリッジを形成する。溝
の結晶方向は＜０１１＞であり、溝の垂直壁面は（ＯＴ
Ｉ）および（ＯＩＴ）である。次に、第１図（ｂ）に示
すように、ＧａＡｓ基板（６）上に、ＭＯＣＶＤ法によ
りＡ ＩＸＧ ａ １−１１Ａ Ｓ層（’１）５ｔｎａ
、 Ｇ ａ Ａ３層（８ａ）、（８ｂ） ３ ｔｎａ、
Ａｊ２＋＋Ｇａ１４Ａｓ層（９） ５ ｔｎａ（ｘ−０
，０３）を順次積層する。ＭＯＣＶＤ法の成長条件を選
択することにより、溝の壁面である（ＯＴＩ）および（
ＯＩＴ）にはほとんど結晶成長が生じないため、リッジ
上の結晶層と溝上の結晶層とは不連続になる。従って、
リッジ上のＡｌＸＧ ａ Ｉ−ＸＡ Ｓ層（７）、（９
）はクラッド層として、ＧａＡｓ層（８ｂ）は横方向に
ついて空気と境界面を構成する先導部としての機能を果
たし、全体として本先導波路を構成する。
程を示したもので、まず、第１図（ａ）に示すように、
ＧａＡｓ３板（１）の＜１００＞面上にＲＩＥ（７）ド
ライエツチングにより、中１０１Ｍ、？Ｒ’さ２０−の
２本の溝を加工し、巾１ｔｎａのリッジを形成する。溝
の結晶方向は＜０１１＞であり、溝の垂直壁面は（ＯＴ
Ｉ）および（ＯＩＴ）である。次に、第１図（ｂ）に示
すように、ＧａＡｓ基板（６）上に、ＭＯＣＶＤ法によ
りＡ ＩＸＧ ａ １−１１Ａ Ｓ層（’１）５ｔｎａ
、 Ｇ ａ Ａ３層（８ａ）、（８ｂ） ３ ｔｎａ、
Ａｊ２＋＋Ｇａ１４Ａｓ層（９） ５ ｔｎａ（ｘ−０
，０３）を順次積層する。ＭＯＣＶＤ法の成長条件を選
択することにより、溝の壁面である（ＯＴＩ）および（
ＯＩＴ）にはほとんど結晶成長が生じないため、リッジ
上の結晶層と溝上の結晶層とは不連続になる。従って、
リッジ上のＡｌＸＧ ａ Ｉ−ＸＡ Ｓ層（７）、（９
）はクラッド層として、ＧａＡｓ層（８ｂ）は横方向に
ついて空気と境界面を構成する先導部としての機能を果
たし、全体として本先導波路を構成する。
以上のようにして形成された先導波路の伝播損失は、波
長１．３μのシングルモードにおいて、１ｄＢ／Ｃ１以
下であり、第２図（ｂｌ、（Ｃ）に示されるリッジ型お
よびストリップ装荷型の１／３、第２図（ａ）に示され
る埋め込み型の１／２であった。
長１．３μのシングルモードにおいて、１ｄＢ／Ｃ１以
下であり、第２図（ｂｌ、（Ｃ）に示されるリッジ型お
よびストリップ装荷型の１／３、第２図（ａ）に示され
る埋め込み型の１／２であった。
以上説明したように本発明によれば、ドライエンチング
により形成されたリッジ上に、ＭＯＣＶＤ法により形成
されるため横方向の光制御性が改善された先導波路が得
られるという優れた効果がある。
により形成されたリッジ上に、ＭＯＣＶＤ法により形成
されるため横方向の光制御性が改善された先導波路が得
られるという優れた効果がある。
第１図（ａ）は本発明にがかる光導波路の一実施例のド
ライエツチング加工状態の斜視図、第１図（ｂ）は同実
施例の断面図、第２図（ａ）〜（Ｃ）は光Ｒ波路の従来
例の斜視図である。 ■・・・結晶基板、 ２・・・光導部、 ３，４・・・
光導波層、 ５・・・ストリップ膜、 ６・・・Ｇ
ａＡｓ基板、７ 、 ９ ・・・Ａ ｌ１ｘＧ ａ １
−＋ｔＡ ｓ Ｊｉｉ１８ａ、 ｓｂ・−・ｃ ａ Ａ
ＪＬ 特許出願人 古河電気工業株式会社（ａ）埋め込み
型 （ｂ）リノー゛型 （ｃ）ストリップ装荷型 第２図
ライエツチング加工状態の斜視図、第１図（ｂ）は同実
施例の断面図、第２図（ａ）〜（Ｃ）は光Ｒ波路の従来
例の斜視図である。 ■・・・結晶基板、 ２・・・光導部、 ３，４・・・
光導波層、 ５・・・ストリップ膜、 ６・・・Ｇ
ａＡｓ基板、７ 、 ９ ・・・Ａ ｌ１ｘＧ ａ １
−＋ｔＡ ｓ Ｊｉｉ１８ａ、 ｓｂ・−・ｃ ａ Ａ
ＪＬ 特許出願人 古河電気工業株式会社（ａ）埋め込み
型 （ｂ）リノー゛型 （ｃ）ストリップ装荷型 第２図
Claims (1)
- 結晶基板面をドライエッチングして形成されたリッジ上
に、光導部がＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相成長）法に
より形成されたことを特徴とする光導波路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7707988A JPH01248107A (ja) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | 光導波路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7707988A JPH01248107A (ja) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | 光導波路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01248107A true JPH01248107A (ja) | 1989-10-03 |
Family
ID=13623773
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7707988A Pending JPH01248107A (ja) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | 光導波路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01248107A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5970186A (en) * | 1997-03-11 | 1999-10-19 | Lightwave Microsystems Corporation | Hybrid digital electro-optic switch |
| US6022671A (en) * | 1997-03-11 | 2000-02-08 | Lightwave Microsystems Corporation | Method of making optical interconnects with hybrid construction |
| US6144779A (en) * | 1997-03-11 | 2000-11-07 | Lightwave Microsystems Corporation | Optical interconnects with hybrid construction |
| US6311004B1 (en) | 1998-11-10 | 2001-10-30 | Lightwave Microsystems | Photonic devices comprising thermo-optic polymer |
-
1988
- 1988-03-30 JP JP7707988A patent/JPH01248107A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5970186A (en) * | 1997-03-11 | 1999-10-19 | Lightwave Microsystems Corporation | Hybrid digital electro-optic switch |
| US6022671A (en) * | 1997-03-11 | 2000-02-08 | Lightwave Microsystems Corporation | Method of making optical interconnects with hybrid construction |
| US6144779A (en) * | 1997-03-11 | 2000-11-07 | Lightwave Microsystems Corporation | Optical interconnects with hybrid construction |
| US6434282B1 (en) | 1997-03-11 | 2002-08-13 | Lightwave Microsystems, Corporation | Optical interconnects with hybrid construction |
| US6449417B1 (en) | 1997-03-11 | 2002-09-10 | Lightwave Microsystems, Corp. | Optical interconnects with hybrid construction |
| US6311004B1 (en) | 1998-11-10 | 2001-10-30 | Lightwave Microsystems | Photonic devices comprising thermo-optic polymer |
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