JPH05257018A - 光導波路及びその製造方法 - Google Patents
光導波路及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH05257018A JPH05257018A JP5497892A JP5497892A JPH05257018A JP H05257018 A JPH05257018 A JP H05257018A JP 5497892 A JP5497892 A JP 5497892A JP 5497892 A JP5497892 A JP 5497892A JP H05257018 A JPH05257018 A JP H05257018A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- clad layer
- waveguide
- upper clad
- inp
- tapered
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
- G02B6/1228—Tapered waveguides, e.g. integrated spot-size transformers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 製作が容易でかつ導波損失の小さいテーパ状
の光導波路及びその製造方法を提供する。 【構成】 ＩｎＰ半導体基板１０１上にＩｎＰ下部クラ
ッド層１０２、ＩｎＧａＡｓＰコア層１０３及びＩｎＰ
上部クラッド層１０４が順次積層されてなる光導波路に
おいて、ＩｎＰ上部クラッド層１０４の一部を導波方向
に沿ってその幅及び高さが漸次増大したテーパ状リッジ
部１０６を形成してなり、このテーパ状に厚さが変化す
るテーパ状リッジ部１０６を有するＩｎＰ上部クラッド
層１０４に光を導波させることで、基板垂直方向に導波
光が漸次増大又は減少する導波光分布を形成することが
でき、高効率な光結合を可能とする。
の光導波路及びその製造方法を提供する。 【構成】 ＩｎＰ半導体基板１０１上にＩｎＰ下部クラ
ッド層１０２、ＩｎＧａＡｓＰコア層１０３及びＩｎＰ
上部クラッド層１０４が順次積層されてなる光導波路に
おいて、ＩｎＰ上部クラッド層１０４の一部を導波方向
に沿ってその幅及び高さが漸次増大したテーパ状リッジ
部１０６を形成してなり、このテーパ状に厚さが変化す
るテーパ状リッジ部１０６を有するＩｎＰ上部クラッド
層１０４に光を導波させることで、基板垂直方向に導波
光が漸次増大又は減少する導波光分布を形成することが
でき、高効率な光結合を可能とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体あるいは誘電体
基板上の光導波路に属するものであり、さらに具体的に
は上部クラッド層の厚さが導波路面内で徐々に変化した
構成を有する光導波路とその製造方法に関するものであ
る。
基板上の光導波路に属するものであり、さらに具体的に
は上部クラッド層の厚さが導波路面内で徐々に変化した
構成を有する光導波路とその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】レーザ、変調器、方向性結合器、受光器
などの光素子を一つの結晶基板上に形成し、各素子間を
光導波路で光学的に結合した半導体光集積回路は、各素
子間を光ファイバなどで結合するハイブリッド光回路に
比べて、素子間の光軸合わせが不必要でかつ回路全体の
面積が極めて小さいという利点を有している。しかし各
素子の構造は互いに異なるため、光導波路による効率的
な光結合は困難であり、また半導体光集積回路への光入
力端あるいはここからの光出力端では光ファイバとの結
合による光損失が生じる。この問題を回避するため、コ
ア層の厚さを除々に変化させたテーパー導波路が用いら
れて提案されている（Ｇ．Ｍｕｌｌｅｒ他、Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ， Ｖｏｌ．２７，Ｎ
ｏ．２０，ｐ１８３６（１９９１年）参照）。
などの光素子を一つの結晶基板上に形成し、各素子間を
光導波路で光学的に結合した半導体光集積回路は、各素
子間を光ファイバなどで結合するハイブリッド光回路に
比べて、素子間の光軸合わせが不必要でかつ回路全体の
面積が極めて小さいという利点を有している。しかし各
素子の構造は互いに異なるため、光導波路による効率的
な光結合は困難であり、また半導体光集積回路への光入
力端あるいはここからの光出力端では光ファイバとの結
合による光損失が生じる。この問題を回避するため、コ
ア層の厚さを除々に変化させたテーパー導波路が用いら
れて提案されている（Ｇ．Ｍｕｌｌｅｒ他、Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ， Ｖｏｌ．２７，Ｎ
ｏ．２０，ｐ１８３６（１９９１年）参照）。
【０００３】この従来技術に係るコア層の厚さを徐々に
変化させたテーパー導波路の一例を図４に示す。同図に
示すように、従来のテーパ導波路はＩｎＰ基板である下
部クラッド層１１の上部にエッチングによって長手方向
の一端が他端より厚みを有し且つ導波方向に沿ってその
厚さが漸大するテーパ形状のＩｎＧａＡｓＰコア１２が
形成されており、さらにこのコア１２の上面にはＩｎＰ
上部クラッド層１３を均一に再成長させている。
変化させたテーパー導波路の一例を図４に示す。同図に
示すように、従来のテーパ導波路はＩｎＰ基板である下
部クラッド層１１の上部にエッチングによって長手方向
の一端が他端より厚みを有し且つ導波方向に沿ってその
厚さが漸大するテーパ形状のＩｎＧａＡｓＰコア１２が
形成されており、さらにこのコア１２の上面にはＩｎＰ
上部クラッド層１３を均一に再成長させている。
【０００４】このテーパー導波路の入射端に入射された
光ビームは、導波路のコア層厚さの変化とともにその広
がりが変化して出射端より出射される。
光ビームは、導波路のコア層厚さの変化とともにその広
がりが変化して出射端より出射される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のテーパ
ー導波路は、コア層をテーパー形状にエッチングするこ
とが困難であるのみならず、上部クラッド層を再成長に
より形成するため、上部クラッド層の結晶性あるいは再
成長界面の平滑性が劣化しやすく、テーパー導波路内で
の導波損失が大きいという問題があった。
ー導波路は、コア層をテーパー形状にエッチングするこ
とが困難であるのみならず、上部クラッド層を再成長に
より形成するため、上部クラッド層の結晶性あるいは再
成長界面の平滑性が劣化しやすく、テーパー導波路内で
の導波損失が大きいという問題があった。
【０００６】本発明は、上記従来技術の問題点を解消
し、製作が容易でかつ導波損失の小さいテーパー状の光
導波路及びその製造方法を提供することを目的とする。
し、製作が容易でかつ導波損失の小さいテーパー状の光
導波路及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成する本発
明に係る光導波路の構成は、半導体あるいは誘電体基板
上に形成され、下部クラッド層、コア層及び上部クラッ
ド層の少なくとも三つの層が順次積層されてなる光導波
路において、上部クラッド層の厚さが導波路に沿った方
向に漸次変化していることを特徴とする。
明に係る光導波路の構成は、半導体あるいは誘電体基板
上に形成され、下部クラッド層、コア層及び上部クラッ
ド層の少なくとも三つの層が順次積層されてなる光導波
路において、上部クラッド層の厚さが導波路に沿った方
向に漸次変化していることを特徴とする。
【０００８】また、一方の本発明に係る光導波路の製造
方法は、半導体あるいは誘電体基板上に下部クラッド
層、コア層及び上部クラッド層を順次積層し、次いで、
導波方向に亙って漸次その幅が変化してなるテーパ状の
エッチングマスクを用い、前記上部クラッド層を選択エ
ッチングし、当該上部クラッド層の一部を上記エッチン
グマスクと同形のテーパ状リッジ部に加工した後、該エ
ッチングマスクを除去し、その後、当該リッジ形状部を
有する上部クラッド層を無選択的にエッチング加工する
ことを特徴とする。
方法は、半導体あるいは誘電体基板上に下部クラッド
層、コア層及び上部クラッド層を順次積層し、次いで、
導波方向に亙って漸次その幅が変化してなるテーパ状の
エッチングマスクを用い、前記上部クラッド層を選択エ
ッチングし、当該上部クラッド層の一部を上記エッチン
グマスクと同形のテーパ状リッジ部に加工した後、該エ
ッチングマスクを除去し、その後、当該リッジ形状部を
有する上部クラッド層を無選択的にエッチング加工する
ことを特徴とする。
【０００９】
【作用】基板上に下部クラッド層、コア層、上部クラッ
ド層を順次エピタキシャル成長する。次に、ＣＶＤ法を
用いて上部クラッド層上部全面に窒化硅素膜を推積し、
その後テーパー状のエッチングマスクとしての窒化硅素
膜を形成する。さらにテーパ状エッチングマスクと同形
の、テーパ状リッジ部を有する上部クラッド層を形成す
る。その後、窒化硅素マスクを除去し、テーパ状リッジ
部を有する上部クラッド層の全面をエッチングし、リッ
ジの上面だけでなく側面からもエッチングを施し、リッ
ジの幅が狭い場所ほどエッチング量が増える結果、テー
パー状に厚さが変化する上部クラッド層を形成する。
ド層を順次エピタキシャル成長する。次に、ＣＶＤ法を
用いて上部クラッド層上部全面に窒化硅素膜を推積し、
その後テーパー状のエッチングマスクとしての窒化硅素
膜を形成する。さらにテーパ状エッチングマスクと同形
の、テーパ状リッジ部を有する上部クラッド層を形成す
る。その後、窒化硅素マスクを除去し、テーパ状リッジ
部を有する上部クラッド層の全面をエッチングし、リッ
ジの上面だけでなく側面からもエッチングを施し、リッ
ジの幅が狭い場所ほどエッチング量が増える結果、テー
パー状に厚さが変化する上部クラッド層を形成する。
【００１０】
【実施例】以下、本発明に係る光導波路の好適な一実施
例を図面を参照して説明する。
例を図面を参照して説明する。
【００１１】図１及び図２は本実施例に係る光導波路の
形成過程を示す概略図を各々示す。図２に示すように、
本実施例に係る光導波路１００は、ＩｎＰ半導体基板１
０１上にＩｎＰ下部クラッド層１０２、ＩｎＧａＡｓＰ
コア層１０３及びＩｎＰ上部クラッド層１０４が順次積
層されてなる光導波路において、ＩｎＰ上部クラッド層
１０４の一部を導波方向に沿ってその幅及び高さが漸次
増大したテーパ状リッジ部１０６に形成してなるもので
ある。
形成過程を示す概略図を各々示す。図２に示すように、
本実施例に係る光導波路１００は、ＩｎＰ半導体基板１
０１上にＩｎＰ下部クラッド層１０２、ＩｎＧａＡｓＰ
コア層１０３及びＩｎＰ上部クラッド層１０４が順次積
層されてなる光導波路において、ＩｎＰ上部クラッド層
１０４の一部を導波方向に沿ってその幅及び高さが漸次
増大したテーパ状リッジ部１０６に形成してなるもので
ある。
【００１２】よって、ＩｎＰ上部クラッド層１０４の一
部を導波方向に沿ったテーパ状リッジ部１０６とするこ
とにより、導波路の両端（Ａ端及びＢ端）における導波
光の基板垂直方向の強度分布が大小異なるものとしてい
る。この結果、テーパ状に厚さが変化するテーパ状リッ
ジ部１０６を有するＩｎＰ上部クラッド層１０４に光を
導波させることで、基板垂直方向に導波光が漸次増大又
は減少する導波光分布を形成することができ、高効率な
光結合を可能としている。
部を導波方向に沿ったテーパ状リッジ部１０６とするこ
とにより、導波路の両端（Ａ端及びＢ端）における導波
光の基板垂直方向の強度分布が大小異なるものとしてい
る。この結果、テーパ状に厚さが変化するテーパ状リッ
ジ部１０６を有するＩｎＰ上部クラッド層１０４に光を
導波させることで、基板垂直方向に導波光が漸次増大又
は減少する導波光分布を形成することができ、高効率な
光結合を可能としている。
【００１３】以下、本実施例に係る光導波路の形成方法
を説明する。
を説明する。
【００１４】工程１ 図１（Ａ）に示すように、ＩｎＰ基板１０１上にＭＯＶ
ＰＥ（有機金属気相エピタキシャル法）法を用いて厚さ
０．５μｍのＩｎＰからなる下部クラッド層１０２、厚
さ０．１μｍのＩｎＧａＡｓＰからなるコア層１０３、
厚さ５μｍのＩｎＰからなる上部クラッド層１０４を順
次エピタキシャル成長する。
ＰＥ（有機金属気相エピタキシャル法）法を用いて厚さ
０．５μｍのＩｎＰからなる下部クラッド層１０２、厚
さ０．１μｍのＩｎＧａＡｓＰからなるコア層１０３、
厚さ５μｍのＩｎＰからなる上部クラッド層１０４を順
次エピタキシャル成長する。
【００１５】工程２ 図１（Ｂ）に示すように、ＣＶＤ法を用いて上部クラッ
ド層１０４の上部全面に厚さ０．２μｍの窒化硅素膜１
０５を推積し、その後のフォトプロセスおよびフッ素系
ＲＩＥ法により、長さ（Ｌ）５００μｍ，一方の端（Ａ
端）での幅（Ｄ 1)１０μｍ、他方の端（Ｂ端）での幅
（Ｄ2)２μｍのテーパー状のエッチングマスクとしての
窒化硅素膜１０５を形成する。さらに図１（Ｃ）に示す
ように、塩素系ＲＩＥ法を用いてＩｎＰ上部クラッド層
１０４をエッチングし、テーパ状エッチングマスク１０
５と同形の、テーパ状リッジ部１０６を有するＩｎＰ上
部クラッド層１０４を形成する。
ド層１０４の上部全面に厚さ０．２μｍの窒化硅素膜１
０５を推積し、その後のフォトプロセスおよびフッ素系
ＲＩＥ法により、長さ（Ｌ）５００μｍ，一方の端（Ａ
端）での幅（Ｄ 1)１０μｍ、他方の端（Ｂ端）での幅
（Ｄ2)２μｍのテーパー状のエッチングマスクとしての
窒化硅素膜１０５を形成する。さらに図１（Ｃ）に示す
ように、塩素系ＲＩＥ法を用いてＩｎＰ上部クラッド層
１０４をエッチングし、テーパ状エッチングマスク１０
５と同形の、テーパ状リッジ部１０６を有するＩｎＰ上
部クラッド層１０４を形成する。
【００１６】工程３ 図２（Ａ）に示すように、緩衝フッ酸により窒化硅素マ
スクを除去した後、塩素系ＲＩＥ法を用いてテーパ状リ
ッジ部１０６を有する上部クラッド層１０４の全面をエ
ッチングする。上記工程（３）におけるエッチングで
は、工程（２）のエッチングと異なりエッチングマスク
を用いないため、リッジの上面だけでなく側面からのエ
ッチングが顕著になる。したがってリッジの幅が狭い場
所（図中Ｂ端側）ほどエッチング量が増えるため、テー
パー状に厚さが変化する（リッジ部の高さが漸次変化す
ると共に、リッジ部上面１０６ｂが屋根型で且つ傾斜が
変化する）テーパ状リッジ部１０６を有する上部クラッ
ド層が形成される。
スクを除去した後、塩素系ＲＩＥ法を用いてテーパ状リ
ッジ部１０６を有する上部クラッド層１０４の全面をエ
ッチングする。上記工程（３）におけるエッチングで
は、工程（２）のエッチングと異なりエッチングマスク
を用いないため、リッジの上面だけでなく側面からのエ
ッチングが顕著になる。したがってリッジの幅が狭い場
所（図中Ｂ端側）ほどエッチング量が増えるため、テー
パー状に厚さが変化する（リッジ部の高さが漸次変化す
ると共に、リッジ部上面１０６ｂが屋根型で且つ傾斜が
変化する）テーパ状リッジ部１０６を有する上部クラッ
ド層が形成される。
【００１７】この結果、導波路のＡ点のリッジ部の高さ
（Ｈ1 ）が３μｍでＢ点のリッジ部の高さ（Ｈ2 ）が
０．１μｍとなる幅及び高さ並びにそのリッジ部上面１
０６ｂがＢ端からＡ端に向って漸次増大したテーパ状リ
ッジ部１０６が形成される。
（Ｈ1 ）が３μｍでＢ点のリッジ部の高さ（Ｈ2 ）が
０．１μｍとなる幅及び高さ並びにそのリッジ部上面１
０６ｂがＢ端からＡ端に向って漸次増大したテーパ状リ
ッジ部１０６が形成される。
【００１８】この光導波路の端部Ａ端とＢ端における導
波光の基板垂直方向の強度分布を図２に示す。端面Ａで
は上部クラッド層が厚いため導波光が上部クラッド層側
に広く分布しているのに対して、端面Ｂでは上部クラッ
ド層が薄いため導波光の分布は狭くなっており、この導
波路ＡからＢへあるいはＢからＡへ光を導波させること
で基板垂直方向に導波光の分布の分布を大小させる機能
を有している。
波光の基板垂直方向の強度分布を図２に示す。端面Ａで
は上部クラッド層が厚いため導波光が上部クラッド層側
に広く分布しているのに対して、端面Ｂでは上部クラッ
ド層が薄いため導波光の分布は狭くなっており、この導
波路ＡからＢへあるいはＢからＡへ光を導波させること
で基板垂直方向に導波光の分布の分布を大小させる機能
を有している。
【００１９】このように本実施例に係る光導波路は、光
の導波方向に沿って厚さがテーパ状に変化した上部クラ
ッド層を有する光導波路の構成を特徴とするものであ
り、従来の厚さがテーパ状に変化したコア層を有する光
導波路と比べて、上部クラッド層を再成長する必要がな
いため、製作が容易でかつ導波損失が小さいという利点
がある。
の導波方向に沿って厚さがテーパ状に変化した上部クラ
ッド層を有する光導波路の構成を特徴とするものであ
り、従来の厚さがテーパ状に変化したコア層を有する光
導波路と比べて、上部クラッド層を再成長する必要がな
いため、製作が容易でかつ導波損失が小さいという利点
がある。
【００２０】本実施例においては、上部クラッド層の加
工に二回のエッチングを用いた例を示したが、これを、
サイドエッチング効果、あるいは結晶方位に依存したエ
ッチングの異方性を利用した一回のエッチングで行なう
ことも可能である。またマスクとしては窒化硅素以外に
も例えば酸化硅素やレジストなどを用いることができ
る。
工に二回のエッチングを用いた例を示したが、これを、
サイドエッチング効果、あるいは結晶方位に依存したエ
ッチングの異方性を利用した一回のエッチングで行なう
ことも可能である。またマスクとしては窒化硅素以外に
も例えば酸化硅素やレジストなどを用いることができ
る。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、半
導体基板上あるいは誘電体基板上に、テーパ状に上部ク
ラッド層の厚さが変化する光導波路を形成することによ
り、製作が容易でかつ高性能な光集積回路を実現できる
という利点がある。
導体基板上あるいは誘電体基板上に、テーパ状に上部ク
ラッド層の厚さが変化する光導波路を形成することによ
り、製作が容易でかつ高性能な光集積回路を実現できる
という利点がある。
【図１】本実施例に係る光導波路の形成過程を示す概略
図である。
図である。
【図２】本実施例に係る光導波路の形成過程を示す概略
図である。
図である。
【図３】本実施例に係る光導波路の導波光分布図であ
る。
る。
【図４】従来技術に係る光導波路の斜視図である。
１００ 光導波路 １０１ ＩｎＰ半導体基板 １０２ ＩｎＰ下部クラッド層 １０３ ＩｎＧａＡｓＰコア層 １０４ ＩｎＰ上部クラッド層 １０５ 窒化硅素膜 １０６ テーパ状リッジ部
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体あるいは誘電体基板上に形成さ
れ、下部クラッド層、コア層及び上部クラッド層の少な
くとも三つの層が順次積層されてなる光導波路におい
て、上部クラッド層の厚さが導波路に沿った方向に漸次
変化していることを特徴とする光導波路。 - 【請求項２】 半導体あるいは誘電体基板上に下部クラ
ッド層、コア層及び上部クラッド層を順次積層し、次い
で、導波方向に亙って漸次その幅が変化してなるテーパ
状のエッチングマスクを用い、前記上部クラッド層を選
択エッチングし、当該上部クラッド層の一部を上記エッ
チングマスクと同形のテーパ状リッジ部に加工した後、
該エッチングマスクを除去し、その後、当該テーパ状リ
ッジ部を有する上部クラッド層を無選択的にエッチング
加工することを特徴とする光導波路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5497892A JP3112115B2 (ja) | 1992-03-13 | 1992-03-13 | 光導波路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5497892A JP3112115B2 (ja) | 1992-03-13 | 1992-03-13 | 光導波路の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05257018A true JPH05257018A (ja) | 1993-10-08 |
| JP3112115B2 JP3112115B2 (ja) | 2000-11-27 |
Family
ID=12985742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5497892A Expired - Fee Related JP3112115B2 (ja) | 1992-03-13 | 1992-03-13 | 光導波路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3112115B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0845690A2 (en) * | 1996-11-29 | 1998-06-03 | Fujitsu Limited | Optical coupler |
| US6301283B1 (en) | 1998-01-28 | 2001-10-09 | Pioneer Electronic Corporation | Distributed feedback semiconductor laser |
| US6950588B2 (en) | 2002-02-19 | 2005-09-27 | Omron Corporation | Optical wave guide, an optical component and an optical switch |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9268089B2 (en) | 2011-04-21 | 2016-02-23 | Octrolix Bv | Layer having a non-linear taper and method of fabrication |
| EP2942652B1 (en) * | 2014-05-05 | 2018-10-10 | LioniX International B.V. | Layer having a non-linear taper and method of fabrication |
-
1992
- 1992-03-13 JP JP5497892A patent/JP3112115B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0845690A2 (en) * | 1996-11-29 | 1998-06-03 | Fujitsu Limited | Optical coupler |
| EP0845690A3 (en) * | 1996-11-29 | 2001-04-25 | Fujitsu Limited | Optical coupler |
| US6301283B1 (en) | 1998-01-28 | 2001-10-09 | Pioneer Electronic Corporation | Distributed feedback semiconductor laser |
| US6950588B2 (en) | 2002-02-19 | 2005-09-27 | Omron Corporation | Optical wave guide, an optical component and an optical switch |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3112115B2 (ja) | 2000-11-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5078516A (en) | Tapered rib waveguides | |
| US5720893A (en) | Tapered beam expander waveguide integrated with a diode lasesr | |
| US7546007B2 (en) | Broadband optical via | |
| US7359593B2 (en) | Integrated optical mode shape transformer and method of fabrication | |
| US5539845A (en) | Integrated optical polarization converter with enhanced periodic coupling and method of fabricating same | |
| JP2004133446A (ja) | 光モジュール及び製造方法 | |
| JP4377195B2 (ja) | 光モジュールの製造方法 | |
| JPH07253515A (ja) | 光学導波路の変換器とその製造方法 | |
| JPH05257018A (ja) | 光導波路及びその製造方法 | |
| CN110718849B (zh) | 一种用于单片集成芯片的对接耦合方法 | |
| JP2752851B2 (ja) | 光導波路の製造方法 | |
| JP2742391B2 (ja) | 半導体の光集積回路の製造方法 | |
| JP2013231753A (ja) | スポットサイズ変換器およびその製造方法 | |
| JP3074885B2 (ja) | 光導波路形成法 | |
| JP3019271B2 (ja) | 光導波路形成法 | |
| JPH0667043A (ja) | スポット変換素子およびその製造方法 | |
| CN114649745A (zh) | 掩埋结构半导体激光器及其制备方法 | |
| JP2601173B2 (ja) | 半導体光導波路およびその製造方法 | |
| KR930010131B1 (ko) | 테이퍼형 반도체 도파관 및 그의 제조방법 | |
| JP3788699B2 (ja) | 集積型光回路素子及びその製造方法 | |
| JP2002217446A (ja) | 光半導体集積素子及びその製造方法 | |
| JP3112114B2 (ja) | 半導体光導波路の製造方法 | |
| WO2004008203A1 (en) | Planar waveguide with tapered region | |
| US6607933B2 (en) | Double layer beam expander for device-to-fiber coupling | |
| JP3409605B2 (ja) | 半導体偏波回転素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20000822 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |