CN110537302A - 半导体装置、半导体装置的制造方法 - Google Patents

半导体装置、半导体装置的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及的半导体装置的特征在于，具备：衬底；半导体激光器部，其形成于该衬底之上，具有相同组成的有源层和第1脊构造；以及相邻部，其是光调制器或者光波导，形成于该衬底之上，具有相同组成的芯层和第2脊构造，该相邻部与该半导体激光器部接触。并且，该第1脊构造在与该第2脊构造接触的第1接触部处宽度最大，该第2脊构造在与该第1脊构造接触的第2接触部处宽度最大。

Description

半导体装置、半导体装置的制造方法
技术领域
本发明涉及在同一衬底具有半导体激光器部和光调制器或者光波导的半导体装置及该半导体装置的制造方法。
背景技术
由于与光通信网络的大容量化相伴的要求，将半导体激光器部和光调制器或者光波导集成于同一衬底的半导体装置的使用正在增加。就集成了多个功能的光元件而言，每个功能需要不同的晶体构造。为了形成这样的光元件，大多采用重复进行使用了绝缘膜掩模的局部蚀刻和再生长的方法。
在专利文献1中，公开了针对在同一衬底之上具有脊型波导和高台面型波导的半导体光集成元件，使在波导的边界产生的光的反射降低的技术。在专利文献1中，以使得与光调制器部相比半导体激光器部更高的方式设置在台面条带的两外侧延伸的面的高度。
专利文献1：日本特开2008-066703号公报
发明内容
有时在1个衬底形成半导体激光器部以及光调制器或者光波导。
为了便于说明，将光调制器或者光波导称为“相邻部”。在使半导体激光器部和相邻部为脊型的情况下，该脊型的构造容易受到绝缘膜或者金属等的应力的影响。因此，存在以下问题，即，应力集中于将半导体激光器部与相邻部对接地接合的耦合部，使半导体装置的初始特性或者长期可靠性恶化。
例如，就半导体激光器部和EA调制器部分而言，最适当的波导宽度不同，因此需要在两者的耦合部的前后使脊宽度变化。另外，就半导体激光器部和EA调制器部分而言，形成脊时的蚀刻深度即所谓的脊深度不同，因此在两者的耦合部产生台阶。这样，当在耦合部处波导宽度变化亦或在耦合部设置了台阶时，应力特别是容易集中于耦合部，。
本发明就是为了解决上述问题而提出的，其目的在于提供能够抑制向半导体激光器部与光调制器或者光波导之间的耦合部的应力集中的半导体装置及该半导体装置的制造方法。
本发明涉及的半导体装置的特征在于，具备：衬底；半导体激光器部，其形成于该衬底之上，具有相同组成的有源层和第1脊构造；以及相邻部，其是光调制器或者光波导，形成于该衬底之上，具有相同组成的芯层和第2脊构造，该相邻部与该半导体激光器部接触，该第1脊构造在与该第2脊构造接触的第1接触部处宽度最大，该第2脊构造在与该第1脊构造接触的第2接触部处宽度最大。
本发明涉及的半导体装置的制造方法的特征在于，具备：成膜工序，在衬底之上形成相邻地设置了有源层和芯层的多层构造；掩模工序，在该多层构造之上形成掩模，该掩模具有该有源层的正上方的第1部分、该芯层的正上方的第2部分、以及将该第1部分与该第2部分连接的边界部分，该边界部分设置于该有源层与该芯层的边界正上方，与该第1部分和该第2部分相比宽度大；以及蚀刻工序，对该多层构造中从该掩模露出的部分直至该有源层或者该芯层露出为止地进行蚀刻。
本发明涉及的其他半导体装置的制造方法的特征在于，具备以下工序：在衬底之上，形成半导体激光器部以及相邻部，该半导体激光器部具有第2导电型的第1脊构造，该相邻部是光调制器或者光波导，具有第2导电型的第2脊构造，该相邻部与该半导体激光器部接触；以及在该半导体激光器部与该相邻部的边界正上方，通过掺杂了第1导电型的杂质的外延生长而形成与该第1脊构造和该第2脊构造接触的加强用脊。
本发明的其它特征在下面得以明确。
发明的效果
根据本发明，通过在半导体激光器部与光调制器或者光波导之间的耦合部形成宽度大的脊，从而能够抑制向该耦合部的应力集中。
附图说明
图1是实施方式1涉及的半导体装置的斜视图。
图2是外延生长后的半导体装置的剖面图。
图3是表示掩模的俯视图。
图4是蚀刻后的半导体装置的剖面图。
图5是成膜处理后的半导体装置的剖面图。
图6是去除了掩模后的半导体装置的剖面图。
图7是成膜处理后的半导体装置的剖面图。
图8是通过掩模工序而形成的掩模的俯视图。
图9是表示掩模的变形例的俯视图。
图10是将第1接触部与第2接触部的接触层去除后的半导体装置的斜视图。
图11是高度不同的第1脊构造和第2脊构造的斜视图。
图12是实施方式2涉及的半导体装置的斜视图。
图13是第1接触部和第2接触部的放大图。
图14是通过掩模工序而形成的掩模的俯视图。
图15是实施方式3涉及的半导体装置的斜视图。
图16是导电型变更工序后的半导体装置的斜视图。
图17是变形例涉及的半导体装置的斜视图。
图18是另外的变形例涉及的半导体装置的斜视图。
图19是其它变形例涉及的半导体装置的斜视图。
图20是向图19的半导体装置附加了电极，去除了无源波导的接触层后的半导体装置的斜视图。
具体实施方式
参照附图，对本发明的实施方式涉及的半导体装置和半导体装置的制造方法进行说明。对相同或者相应的结构要素标注相同的标号，有时省略重复说明。
实施方式1.
图1是实施方式1涉及的半导体装置10的斜视图。半导体装置10构成脊型光集成元件，该脊型光集成元件集成了半导体激光器部12和由EA(Electro-Absorption)调制器构成的相邻部14。相邻部14能够是除了EA调制器以外的光调制器或者光波导。
半导体装置10具备例如由n型InP形成的衬底16。在衬底16之上设置有例如由n型InP形成的下包层18。在下包层18之上，在半导体激光器部12形成有有源层20，在相邻部14形成有芯层30。有源层20和芯层30都是InGaAsP的多量子阱(MQW)构造。有源层20与芯层30对接地连接。有源层20也可以是由上侧的InGaAsP分离限制异质层(SCH层)与下侧的SCH层夹着MQW构造的结构。芯层30也可以同样地具有2层的SCH层。
在有源层20之上设置有例如由p型InP形成的第1上包层22。在芯层30之上设置有例如由p型InP形成的第2上包层32。在第1上包层22和第2上包层32之上例如由p型InGaAs形成接触层40。
半导体激光器部12的有源层20的组成是一致的。即，有源层20在x-y平面上的任意位置都具有预先确定的组成，组成不根据x-y平面上的位置而变化。在半导体激光器部12设置有在衬底16之上形成的第1脊构造R1。相邻部的芯层30的组成是一致的。即，芯层30在x-y平面上的任意位置都具有预先确定的组成，组成不根据x-y平面上的位置而变化。在相邻部14设置有在衬底16之上形成的第2脊构造R2。第1脊构造R1与第2脊构造R2对接地连接。
第1脊构造R1具备第1主体部Ra和第1接触部Rb。第1接触部Rb与第1主体部Ra相比设置于相邻部14侧。第1接触部Rb的宽度比第1主体部Ra的宽度大。宽度是指y方向的长度。第1脊构造R1在与第2脊构造R2接触的第1接触部Rb处宽度最大。
第2脊构造R2具备第2主体部Rc和第2接触部Rd。第2接触部Rd与第2主体部Rc相比设置于半导体激光器部12侧。第2接触部Rd的宽度比第2主体部Rc的宽度大。第2脊构造R2在与第1脊构造R1接触的第2接触部Rd处宽度最大。第2接触部Rd与第1接触部Rb接触。第2接触部Rd和第1接触部Rb的宽度与衬底16的宽度相等。这样，半导体装置10的脊构造在半导体激光器部12与相邻部14的边界处宽度最大。
对半导体装置10的制造方法进行说明。首先，在由n型InP形成的衬底16之上由n型InP形成下包层18，然后，使有源层20、第1上包层22依次外延生长。图2是外延生长后的半导体装置的剖面图。下包层18是n型的InP，有源层20是InGaAsP的多量子阱构造，第1上包层22是p型的InP。虚线的左侧是成为半导体激光器部12的部分，虚线的右侧是成为相邻部14的部分。
接着，形成掩模。图3是表示掩模24的俯视图。掩模24在半导体激光器部12的第1上包层22之上以条带状形成。掩模24的材料例如是SiO2。掩模24的图案是通过例如进行使用了抗蚀图案的光致蚀刻而形成的。
接着，进行蚀刻处理。图4是蚀刻后的半导体装置的剖面图。通过RIE等干蚀刻对未被掩模24覆盖的部分直至有源层20的中途为止地进行蚀刻。然后，通过使用酒石酸等具有InGaAsP与InP的蚀刻选择性的药剂进行蚀刻，从而对有源层20的剩余部分进行蚀刻。由此，使下包层18露出。
接着，进行成膜处理。图5是成膜处理后的半导体装置的剖面图。使芯层30和第2上包层32依次外延生长。该生长被称为对接生长。由此，在相邻部14的下包层18之上形成芯层30，在该芯层30之上形成第2上包层32。
接着，去除掩模24。图6是去除了掩模24后的半导体装置的剖面图。掩模24例如通过氢氟酸进行去除。如果去除了掩模24，则在表面露出第1上包层22和第2上包层32。
接着，进行成膜处理。图7是成膜处理后的半导体装置的剖面图。在该工序中，首先，通过对将p型InP作为材料的包层进行追加生长，从而使第1上包层22和第2上包层32变厚。然后，在第1上包层22和第2上包层32之上使接触层40生长。接触层40的材料例如是p型InGaAs。到此为止的各工序是用于在衬底16之上形成相邻地设置了有源层20与芯层30的多层构造的工序。将这些工序汇总而称为成膜工序。成膜工序的内容只要结果上来说完成图7所示的构造即可，不限定于上述工艺。
接着，处理进行至掩模工序。在掩模工序中，将使图1的第1脊构造R1与第2脊构造R2的平面形状一致的掩模形成于接触层40之上。图8是通过掩模工序而形成的掩模50的俯视图。掩模50例如是通过进行使用了抗蚀图案的光致蚀刻而形成的SiO2膜。
掩模50在多层构造之上具备：有源层20的正上方的第1部分50A；芯层30的正上方的第2部分50B；以及边界部分50C，其将第1部分50A与第2部分50B连接，设置于有源层20与芯层30的边界正上方。边界部分50C的宽度比第1部分50A、第2部分50B的宽度大。此外，在越与半导体激光器部12远离则使第2脊构造R2的第2主体部Rc的宽度越大的情况下，例如还能够设置如图9所示的第2部分50B′。
接着，处理进行至蚀刻工序。在蚀刻工序中，对多层构造中的从掩模50露出的部分进行蚀刻。例如，通过RIE等干蚀刻对接触层40、第1上包层22以及第2上包层32进行蚀刻。接着，使用氢氟酸而去除掩模50，由此完成半导体装置10的基本晶体构造。此外，电极形成于第1主体部Ra和第2主体部Rc之上，不形成于第1接触部Rb和第2接触部Rd之上。
就本发明的实施方式1涉及的半导体装置10而言，在第1脊构造R1设置宽度大的第1接触部Rb，在第2脊构造R2设置宽度大的第2接触部Rd，使第1接触部Rb与第2接触部Rd接触，因而第1脊构造R1与第2脊构造R2的接触面积大。因此，能够避免在形成了半导体装置10的基本晶体构造之后进行的绝缘膜形成和金属形成所引起的应力在对接部集中。即，能够抑制向半导体激光器部12与光调制器或者光波导即相邻部14之间的耦合部的应力集中。
就本发明的实施方式1涉及的半导体装置和半导体装置的制造方法而言，通过使有源层20与芯层30接触的部分的脊宽度变大，从而抑制向半导体激光器部12与光调制器或者光波导之间的耦合部的应力集中。能够在不失去该特征的范围内进行各种变形。例如，也可以使有源层20与芯层30的组成不同。即，能够通过对接生长而将种类不同的波导芯耦合。另外，虽然优选第1接触部Rb与第2接触部Rd的宽度相等，但不需要使它们的宽度与衬底16的宽度一致。也可以在半导体激光器部12和相邻部14追加前面并未叙述的层。例如也可以在半导体激光器部12设置衍射光栅层。
为了实现最适当的波导宽度，也可以是第1主体部Ra与第2主体部Rc的宽度不同。这样的脊例如具有与图9的掩模50相同的平面形状。包含半导体激光器部12与相邻部14的边界的部分有时被称为无源波导。通过不在该无源波导设置接触层40，从而能够加强半导体激光器部12与相邻部14的隔离。图10是将第1接触部Rb与第2接触部Rd的接触层40去除后的半导体装置的斜视图。通过将第1接触部Rb与第2接触部Rd的接触层40去除，从而能够增强半导体激光器部12与相邻部14的隔离。图10还示出在第1主体部Ra之上形成的电极EL1以及在第2主体部Rc之上形成的电极EL2。
第1脊构造R1的脊高度与第2脊构造R2的脊高度也可以不同。图11是第1脊构造R1的脊高度与第2脊构造R2的脊高度不同的半导体装置的斜视图。在半导体激光器部12的整体形成有有源层20，与此相对，芯层30仅形成于相邻部14的一部分。因此，第1脊构造R1与第2脊构造R2相比z方向长度小。在第1脊构造R1与第2脊构造R2的高度不同的情况下，应力特别容易集中在两者的连接部处，但通过设置第1接触部Rb和第2接触部Rd，从而能够避免在半导体激光器部12与相邻部14的边界产生台阶。这样，对于半导体激光器部12和相邻部14的脊宽度在两者的连接部处变化，或在两者的连接部存在台阶的情况，设置第1接触部Rb和第2接触部Rd是特别有效的。
关于在实施方式1中所说明的变形，还能够应用于以下的实施方式涉及的半导体装置和半导体装置的制造方法。此外，以下的实施方式涉及的半导体装置和半导体装置的制造方法与实施方式1的共通点多，因而以与实施方式1的不同点为中心进行说明。
实施方式2.
图12是实施方式2涉及的半导体装置的斜视图。第1脊构造R1具有第1接触部Rb以及与第1接触部Rb接触的第1主体部Ra。第2脊构造R2具有第2接触部Rd以及与第2接触部Rd接触的第2主体部Rc。第1接触部Rb在第2脊构造R2侧宽度最大。即，第1接触部Rb的宽度在第1主体部Ra侧最小，越接近第2脊构造R2则越大，在第2脊构造R2侧最大。
第2接触部Rd在第1脊构造R1侧宽度最大。即，第2接触部Rd的宽度在第2主体部Rc侧最小，越接近第1脊构造R1则越大，在第1脊构造R1侧最大。
图13是第1接触部和第2接触部的放大图。在俯视观察时，第1接触部Rb与第1主体部Ra的连接部60a、第1接触部Rb与第2接触部Rd的连接部60b、以及第2接触部Rd与第2主体部Rc的连接部60c以没有角的方式平滑地形成。换言之，在成为弯折部分的连接部60a、连接部60b以及连接部60c施加R倒角，在第1接触部Rb以及第2接触部Rd附近没有角。
图14是通过掩模工序而形成的掩模50的俯视图。掩模50的平面形状与图12的脊形状一致。边界部分50D的宽度比衬底的宽度小。在掩模50的弯折部分施加R倒角。通过使用该掩模50进行蚀刻工序，从而完成图12的半导体装置。
就实施方式2涉及的半导体装置而言，除了在实施方式1中所说明的抑制应力集中的效果以外，由于在第1接触部Rb以及第2接触部Rd附近没有角，因此能够抑制向脊的弯折部分的应力集中。在实施方式2中，第1脊构造R1和第2脊构造R2在俯视观察时的弯折部分施加R倒角是重要的。可以在不失去该特征的范围内进行各种变形。例如，也可以在除了通过图13所说明的部分以外的部分设置脊弯折的部分。
实施方式3.
图15是实施方式3涉及的半导体装置的斜视图。第1接触部Rb具备中央部Rf以及设置于中央部Rf左右的端部Re、Rg。中央部Rf的有源层20和第1上包层22是p型。与此相对，端部Re、Rg的有源层20和第1上包层22是n型。
第2接触部Rd具备中央部Ri以及设置于中央部Ri左右的端部Rh、Rj。中央部Ri的芯层30和第2上包层32是p型。与此相对，端部Rh、Rj的芯层30和第2上包层32是n型。因此，第1脊构造R1和第2脊构造R2的导电型在第1接触部Rb和第2接触部Rd的端部是第1导电型，在除此以外的部分是第2导电型。第1导电型是n型，第2导电型是p型。
优选端部Re、Rg、Rj、Rh的n型半导体的密度大于或等于1E+18cm-3。端部Re、Rg、Rj、Rh的n型半导体例如是Si、S、Se或者Te。
对实施方式3涉及的半导体装置的制造方法进行说明。首先，实施实施方式1的成膜工序。刚完成成膜工序之后的有源层和芯层全部是p型。在成膜工序之后，在掩模工序之前实施导电型变更工序。在导电型变更工序中，使在俯视观察时包含有源层与芯层的边界的边界区域的两端的有源层和芯层成为n型。
图16是导电型变更工序后的半导体装置的斜视图。由虚线包围的区域是边界区域70。向边界区域70的两端的部分注入n型的杂质，或进行n型的杂质的扩散。例如离子注入Si、S、Se或者Te，或进行它们的扩散。由此，能够在边界区域70的端部形成n型的区域N1、N2。图16的n型的区域N1、N2在整个谐振器长度方向上形成，但只要至少使边界区域70的端部是n型即可。
在导电型变更工序之后进行掩模工序。在掩模工序中，例如形成与图8相同形状的掩模50。通过掩模50的边界部分50C而覆盖边界区域70的两端。接着进行蚀刻工序，由此能够完成图15所示的半导体装置。
就本发明的实施方式3涉及的半导体装置而言，第1接触部Rb和第2接触部Rd的端部Re、Rg、Rj、Rh成为高浓度的n型，因此通过载流子等离子体效果而导致折射率下降，能够抑制对接部处的光分布的扩展。即，能够抑制对接部处的y方向的光的扩展。在第1接触部Rb和第2接触部Rd存在p区域和n区域两者，但第1接触部Rb和第2接触部Rd是为了半导体激光器部12与EA调制器等相邻部14的电隔离而不形成电极的所谓无源区域，因此没有不良影响。
也可以使半导体装置的各部分的导电侧反转。使第1导电型是n型，使第2导电型是p型，但也可以使第1导电型是p型，使第2导电型是n型。
图17是变形例涉及的半导体装置的斜视图。该半导体装置与图15的半导体装置的不同点在于：在包含半导体激光器部12与相邻部14的边界的部分即无源波导不具有接触层40；以及示出了电极EL1、EL2。通过将第1接触部Rb与第2接触部Rd的接触层40去除，从而能够加强半导体激光器部12与相邻部14的隔离。
图18是另一个变形例涉及的半导体装置的斜视图。在实施方式3中，在导电型变更工序中采用了杂质注入或者杂质扩散，但也可以通过外延生长而形成第1导电型的脊。第1脊构造R1和第2脊构造R2具有p型的导电型。在第1脊构造R1和第2脊构造R2的侧面形成有加强用脊R3、R4。加强用脊R3、R4具有n型的导电型。加强用脊R3、R4是通过作为与第1脊构造R1和第2脊构造R2不同的工序的外延生长工序而形成的。
对图18所记载的半导体装置的制造方法进行说明。首先，在衬底16之上形成第2导电型的第1脊构造R1以及第2导电型的第2脊构造R2。第1脊构造R1和第2脊构造R2基本上通过在实施方式1中所说明的成膜工序、掩模工序以及蚀刻工序而形成。但是，在本实施方式的蚀刻工序中，除了接触层40、第1上包层22以及第2上包层32以外，还对从掩模露出的有源层20和芯层30进行蚀刻。接着，通过掺杂了第1导电型的杂质的外延生长而形成加强用脊R3、R4。加强用脊R3、R4以在半导体激光器部12和相邻部14的边界正上方与第1脊构造R1和第2脊构造R2接触的方式形成。其结果，沿着半导体激光器部12与相邻部14之间的耦合部而形成加强用脊R3、R4。如此，完成图18的半导体装置。
图19是与图17、18不同的变形例涉及的半导体装置的斜视图。该半导体装置是将图15的端部Re、Rg、Rh、Rj在y方向延长而成的。通过使n型的端部Re、Rg、Rh、Rj在y方向变长，从而使第1脊构造R1和第2脊构造R2的p型的部分的宽度恒定。图19公开了第1脊构造R1和第2脊构造R2的p型的部分的宽度是恒定的这一情况。这样，通过对端部Re、Rg、Rh、Rj的y方向长度进行变更，从而能够调整对接部处的光分布的扩展。图20是向图19的半导体装置附加电极EL1、EL2，去除了无源波导的接触层40后的半导体装置的斜视图。
此外，图15、17、19、20的第1接触部Rb和第2接触部Rd的宽度与衬底16的宽度一致，图18的加强用脊R3、R4延伸至衬底16的侧面。但是，能够使图15、17、19、20的n型的脊的宽度缩小，亦或使图18的加强用脊R3、R4的宽度缩小。另外，例如对于图15所示的第1脊构造R1和第2脊构造R2，也可以像在实施方式2中所说明的那样向在俯视观察时宽度变化的部分施加R倒角。这样，能够将上述的各实施方式涉及的半导体装置和半导体装置的制造方法的特征进行组合而提高本发明的效果。因此，对于上述的全部半导体装置，也可以例如使第1主体部Ra与第2主体部Rc的宽度不同，亦或使半导体激光器部12与相邻部14的脊高度不同。
标号的说明
10半导体装置，12半导体激光器部，14相邻部，16衬底，18下包层，R1第1脊构造，Ra第1主体部，Rb第1接触部，Rc第2主体部，Rd第2接触部。

Claims (14)

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
衬底；
半导体激光器部，其形成于所述衬底之上，具有相同组成的有源层和第1脊构造；以及
相邻部，其是光调制器或者光波导，形成于所述衬底之上，具有相同组成的芯层和第2脊构造，该相邻部与所述半导体激光器部接触，
所述第1脊构造在与所述第2脊构造接触的第1接触部处宽度最大，所述第2脊构造在与所述第1脊构造接触的第2接触部处宽度最大。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述第1接触部与所述第2接触部的宽度相等。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
所述第1接触部和所述第2接触部的宽度与所述衬底的宽度相等。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述第1脊构造和所述第2脊构造在所述第1接触部以及所述第2接触部附近，向在俯视观察时弯折的部分施加了R倒角。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述第1脊构造具有与所述第1接触部接触的第1主体部，
所述第2脊构造具有与所述第2接触部接触的第2主体部，
所述第1接触部在所述第2脊构造侧宽度最大，
所述第2接触部在所述第1脊构造侧宽度最大，
在俯视观察时，所述第1接触部与所述第1主体部的连接部、所述第1接触部与所述第2接触部的连接部以及所述第2接触部与所述第2主体部的连接部以没有角的方式平滑地形成。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述第1脊构造和所述第2脊构造的导电型在所述第1接触部和所述第2接触部的端部是第1导电型，在除此以外的部分是第2导电型。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，
所述第1脊构造和所述第2脊构造的第2导电型的部分的宽度恒定。
8.根据权利要求6或7所述的半导体装置，其特征在于，
所述第1导电型是n型，所述第2导电型是p型，所述第1导电型的部分的n型半导体的密度大于或等于1E+18cm-3。
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，
在所述第1接触部和所述第2接触部的端部掺杂了Si、S、Se或者Te。
10.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：
成膜工序，在衬底之上形成相邻地设置了有源层和芯层的多层构造；
掩模工序，在所述多层构造之上形成掩模，该掩模具有所述有源层的正上方的第1部分、所述芯层的正上方的第2部分、以及将所述第1部分与所述第2部分连接的边界部分，该边界部分设置于所述有源层与所述芯层的边界正上方，与所述第1部分和所述第2部分相比宽度大；以及
蚀刻工序，对所述多层构造中从所述掩模露出的部分直至所述有源层或者所述芯层露出为止地进行蚀刻。
11.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
刚完成所述成膜工序后的所述有源层和所述芯层是第2导电型，
在所述成膜工序之后，在所述掩模工序之前，具备使在俯视观察时包含所述有源层与所述芯层的边界的边界区域的两端的所述有源层和所述芯层变为第1导电型的导电型变更工序，
所述掩模的所述边界部分覆盖所述边界区域的两端，在所述蚀刻工序中，对从所述掩模露出的所述有源层和所述芯层进行蚀刻。
12.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
在所述导电型变更工序中，向所述边界区域的两端注入第1导电型的杂质。
13.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
在所述导电型变更工序中，向所述边界区域的两端进行第1导电型的杂质的扩散。
14.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备以下工序：
在衬底之上，形成半导体激光器部以及相邻部，该半导体激光器部具有第2导电型的第1脊构造，该相邻部是光调制器或者光波导，具有第2导电型的第2脊构造，该相邻部与所述半导体激光器部接触；以及
在所述半导体激光器部与所述相邻部的边界正上方，通过掺杂了第1导电型的杂质的外延生长而形成与所述第1脊构造和所述第2脊构造接触的加强用脊。
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