JPS63106992A - メモリ集積回路 - Google Patents

メモリ集積回路

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Publication number
JPS63106992A
JPS63106992A JP61252969A JP25296986A JPS63106992A JP S63106992 A JPS63106992 A JP S63106992A JP 61252969 A JP61252969 A JP 61252969A JP 25296986 A JP25296986 A JP 25296986A JP S63106992 A JPS63106992 A JP S63106992A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
signal line
refresh
address
ras
cas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61252969A
Other languages
English (en)
Inventor
Osamu Toyama
修 遠山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP61252969A priority Critical patent/JPS63106992A/ja
Publication of JPS63106992A publication Critical patent/JPS63106992A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野〕 本発明はメモリ集積回路に関し%特にリフレッシュが必
要なダイナミックRAMK関する。
(従来の技術〕 従来、ダイナミックRAMのリフレッシュ制御方式は″
’RASオンリイ・リフレッシュ”であれ、”CASビ
フォアRASリフレッシュ”であれ、一度のリフレッシ
ュ動作の指定によってひとつのロウアドレス分のリフレ
ッシュを行っていた。
近年、ダイナミックRAMのビットあ7t5の単価が安
くなってきたことなどによって、大規模な記憶装置が提
供されているが、この種の装置は複数の記憶モジュール
によって構成さnている。
(発明が解決しようとする問題点) 上述した従来の複数の記憶モジュールで構成された大規
模な記憶装置は、その効率を向上させるために、動作中
以外のモジュールには予め定められた回数のリフレッシ
ュを行う方式が採用されている。しかし、従来のダイナ
ミックRAMを使用すると、その回数分だけリフレッシ
ュ用のRASおよびCASのタイミングを与えなければ
ならないと云う欠点がある。
本発明の目的は%RASタイミングが入力されたときに
アドレス全保持するロウアドレスバッファと、OA8タ
イミングが入力されたときにアドレスを保持するカラム
アドレスバッファとを備え、)LASよすCASが先に
入力され九ことtgRし、カラムアドレスバッファの入
力1[の回数分だけリフレッシュ動作を指定し、動作指
定によりカウントアツプしてロウアドレスバッファヘリ
フレッシュアドレスを出力するとAsクロックを発生さ
せることによって上記欠点を除去し、リフレッシュ用の
RASおよびOAsのタイミング回数を少なくできるよ
うに構成したメモリ集積回路を提供することにある。
(問題点を解決するための手段〕 本発明によるメモリ集積回路はロウアドレスバッファと
、カラムアドレスバッファと、リフレッシュ制御器と、
アドレスカウンタと、Rへ作時のアドレスで指定された
回数のりフレツシxf一度に行うことができるようにM
OSダイナミックRAMによって構成したものである。
ロウアドレスバッファは、RASタイミングが入力され
たときにアドレスを保持する友めのものである。
カラムアドレスバッファは、OA8タイミングが入力さ
れたときにアドレスを保持するためのものである。
先に入力されたときに”OAsビフォアRASリフレツ
シエ”の動作を認識し、カラムアドレスバッファの値の
回数分だケリフレッシュ動作を指定するためのものであ
る。
アドレスカウンタは、リフレッシュ制御器からの動作指
定によpカウントアツプし、ロウアトレスバツファヘリ
フレッシュアドレスヲ出力するためのものである。
RASAsクロック器は、RASの入力時とリフレッシ
ュ制御器からの動作指定時とに)LASAsクロック生
する次めのものである。
(実施例) 次に、本発明について口面t−参照して説明する。
第1図は、本発明によるメモリ集積回路の一実施例を示
すブロック図である。第1図において、4は几/Wクロ
ック発生器、5はCASAsクロック器、6は凡Asク
ロック発生器、10はデータ入力バッファ、11はデー
タ出力バッファ、14はリフレッシュ制御器、17はア
ドレスカウンタ、20はロウアドレスバッファ。
21はカラムアドレスバッファ、24はロウデコーダ、
25はセンス増幅器およびI10ゲート、26はカラム
デコーダ、29はメモリアレイである。
R/Wクロック発生器4は、書込み動作時を指定する信
号線l上のWW大入力、カラムアドレスを保持するタイ
ミングを知らせる信号線8上のOA8クロックとを入力
して書込み時の書込みデータを保持するタイミングを知
らせるR/Wクロックを信号線7上に出力する。
σX石クロック発生器5は、信号線2上の「As入力に
より信号線8上にOA8クロックを出力する。i(、A
Sクロック発生器6は、信号線3上のRASAs入力複
数回のリフレッシュ時にRASのタイミングを知らせる
信号線16上の)(、A8)リガとにより、信号線9上
にRASAsクロック力する。
リフレッシュ制御器14は、信号線8上の(]A8り0
ツクと信号線9上のRASAsクロッを入力して”CA
SビフォアRASリフレッシュ”の動作を察知し、この
リフレッシュ動作時には信号線23上のカラムアドレス
により示された回数分だけアドレスカウンタ17の値を
カウントアツプさせるように信号線15上にカウンタク
ロックを与え、さらにRAS)リガを信号線16上に出
力する。
ロウアドレスバッファ20は、通常時には信号線19上
のアドレス入力A**t−保持し、す7L/ツシ二時に
は信号線18上のリフレッシュアドレスを保持して信号
線22上にロウアドレスを出力する。
カラムアドレスバッファ21は、信号線19上のアドレ
ス入力A**を信号線8上のOA Sクロックのタイミ
ングで保持し、信号線23上にカラムアドレスを出力す
る。データ人力バッファ10は、信号線7上の147W
クロツクのタイミングによって、信号線12上のデータ
入力Din’に保持し、信号線27上に曹込みデータを
出力する。データ出力バッファ11は、OA丁ジクロツ
クタイミングによって信号線28上の読出しデータを入
力して、信号線13上のデータ出力I)outを出力す
る。
ロウデコーダ24は、信号線22上のロウアドレスをデ
コードして、メモリアレイ29へ伝達する。カラムデコ
ーダ26は、信号線23上のカラムアドレス會デコード
してメモリアレイ29へ伝達する。アンス増幅器および
I10ゲート25は、メモリアレイ29へのデータの入
力/出力を制御する。
次に、第2図のタイムチャートを参照して本実施例の動
作を説明する。
信号線2上のCASA力が信号線3上のRASA力より
も先に入力されたものとすれば、′rK1ビフォアRA
Sリフレッシュ”の動作が実行される。信号線2上のO
A8A力が宜下ったとき、信号線19上のアドレス人力
A**はAcであったとする。ここで1本説明ではAc
■3とする。カラムアドレスバッファ21は信号線8上
のOA8Aロックの立下りで上記Ac〔−3〕を保持し
、信号線23上のカラムアドレスの出力iAcとする。
リフレッシュ制御器14は”OA8Aフォア1(、A8
リフレッシュ”であること全察知し、信号線23上のカ
ラムアドレスを入力し、信号線15を介してカウンタク
ロックをアドレスカウンタ17へ(Ac+1)回だけ出
力する。本実施例の場合には、Ac5−3であるので(
Ac+1)=4回と々る。これにより、信号線18上の
リフレッシュアドレスがAであれば、A+41でカウン
トアツプされる。
リフレッシュ制御器14は、信号線23上のカラムアド
レスの値Acの回数(本実施例の場合は3回〕だけ、信
号線16上のRAS)リガを第2図のタイミングで出力
する。
これによって、凡A8クロック発生器6は信号線9上の
RASAロックを、信号線3上の几A8人力によって1
回だけ出力し、信号線16上のRASAリガによって3
回だけ出力し、会計で4回だけ出力する。このとき、信
号線22上のロウアドレスはAからA+3まで変化し、
AからA+31での4つのアドレス分だけリフレッシュ
を行ったことになる。
本説明ではAcの値が3で、リフレッシュの回数が4回
の場合で説明したが、信号線2上のOA8A力の立下り
時、信号線19上のアドレス入力A**のAci任意の
値に設定することにより、任嵩の回数だけリフレッシュ
を行うことができる。
(発明の効果) 本発明は以上説明したように、”CASビフォアILA
sリフレッシュ”の動作時にOA8A力の立下り時のア
ドレス入力の値を入力して、その値をリフレッシュの制
御に使用することにより、ひとつのリフレッシュ命令で
任意の回数のリフレッシュに行うことができると云う効
果がある。
特に近年、大容量の記憶装置が複数の記憶モジュールに
よって構成されており、未使用時のモジュールでリフレ
ッシュ動作を複数回にわたつて行ってお夕、使用時のリ
フレッシュ動作と通常動作との間の競合をさける方式が
提案されているが、この場会にはハードウェア量會低減
できると云う効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明によるメモリ集積回路の一実施例を示
すブロック図である。 M2図は、81図の動作を示すタイムチャートである。 4・・・)L/Wクロック発生器 5・・・CASクロック発生器 6・・・i(、ASクロック発生器 10・・・データ入力バッファ 11・・・データ出カバソファ 14・・・リフレッシュ制御器 17・・・アドレスカウンタ 20・・・ロウアドレスバッファ 21・・・カラムアドレスバッファ 24・・・ロウデコーダ 25・・・センス増幅器およびI10ゲート26・・・
カラムデコーダ 29・・・メモリアレイ 1〜3.7〜9,12,13.15.16,18゜19
.22.23,27.28・・・信号線特許出願人  
日本電気株式会社 代理人 弁理士 井 )  ロ   4才1図 矛211

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. @RAS@タイミングが入力されたときにアドレスを保
    持するためのロウアドレスバッファと、@CAS@タイ
    ミングが入力されたときにアドレスを保持するためのカ
    ラムアドレスバッファと、@RAS@より@CAS@が
    先に入力されたときに“@CAS@ビフオア@RAS@
    リフレッシュ”の動作を認識し、前記カラムアドレスバ
    ッファの値の回数分だけリフレッシュ動作を指定するた
    めのリフレッシュ制御器と、前記リフレッシュ制御器か
    らの動作指定によりカウントアップし、前記ロウアドレ
    スバツフアへリフレツシユアドレスを出力するためのア
    ドレスカウンタと、前記@RAS@の入力時と前記リフ
    レッシュ制御器からの動作指定時とに@RAS@クロッ
    クを発生するための@RAS@クロック発生器とを具備
    し、前記“@CAS@ビフオア@RAS@リフレッシュ
    ”の動作時に前記@CAS@の動作時のアドレスで指定
    された回数のリフレッシュを一度に行うことができるよ
    うにMOSダイナミックRAMによつて構成したことを
    特徴とするメモリ集積回路。
JP61252969A 1986-10-24 1986-10-24 メモリ集積回路 Pending JPS63106992A (ja)

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JP61252969A JPS63106992A (ja) 1986-10-24 1986-10-24 メモリ集積回路

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JP61252969A JPS63106992A (ja) 1986-10-24 1986-10-24 メモリ集積回路

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JPS63106992A true JPS63106992A (ja) 1988-05-12

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ID=17244673

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61252969A Pending JPS63106992A (ja) 1986-10-24 1986-10-24 メモリ集積回路

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JP (1) JPS63106992A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6413292A (en) * 1987-07-07 1989-01-18 Matsushita Electronics Corp Dynamic type storage device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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