JPS63187496A - ダイナミツク・ランダム・アクセス・メモリの制御方式 - Google Patents

ダイナミツク・ランダム・アクセス・メモリの制御方式

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Publication number
JPS63187496A
JPS63187496A JP62019859A JP1985987A JPS63187496A JP S63187496 A JPS63187496 A JP S63187496A JP 62019859 A JP62019859 A JP 62019859A JP 1985987 A JP1985987 A JP 1985987A JP S63187496 A JPS63187496 A JP S63187496A
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unit
signal
identifier
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JP62019859A
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English (en)
Inventor
Shinji Nanba
難波 信治
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ
の制御方式に関し、特にそのリフレッシ二il!御方式
に関する。
(従来の技術) ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(以下、D
RAMと記す、)は、情報をM OS FETのゲート
電極下の容量の電荷として記憶しているうこの電荷は、
リーク電流のため徐々に失われる。したがって、時間の
経過と共に記憶している情報は失われろ、記憶している
情報を失わないためには、この電荷が失われる前に再生
してやる必要がある。一般に、この電荷の再生の操作、
すなわち情報の再生操作は、DRAMのリフレッシュと
呼ばれている。
通常のD RA Mでは、1回のリフレッシュ操作で再
生されろ情報は全体の一部分である。1回のリフレッシ
ュ操作で再生される単位をリフレッシュ単位と呼ぶこと
にする。通常のD RA Mは、数百のリフレッシュ単
位からなっており、そのため、すべての情報を再生する
には数百回のリフレッシュを必要とする。
さらに、ひとつのリフレッシュ単位に対していえば、1
回のリフレッシュでは充分ではなく、DRAMの仕様で
定められた間隔(以下、散大リフレ・lシュ間隔と記す
、)よりも短い周期で繰り返し繰り返しリフレッシュし
なければ、清報は失われてしまう。なぜならば、情報を
記憶している電荷の放電が止まることはないからである
そういうわけで、通常のDRAMシステムでは、散大リ
フレッシュ間隔よりも翅い周期で数百回のリフレッシュ
操作を繰り返し繰り返し行っている。
(発明が解決しようとする問題点) ところで、1回のリフレッシュ操作に要する時間は、D
RAMへの通常のアクセス1回に要する時間と同じぐら
いである。そして、リフレッシュ中には、通常のアクセ
スを行うことができない。
つまり、リフレッシュ操作によってDRAMシステムの
メモリアクセス実効速度が小さく抑えられてしまってい
る。本発明は、リフレッシュ操作の回数を減少させるこ
とにより、メモリアクセス実効速度を向上せしめるDR
AMの制御方式を提供することにある。
(問題点を解決する為の手段) 本発明によるDRAM制御方式は、各リフレッシュ単位
を一意に識別するリフレッシュ単位識別。
子を定め、 全てのリフレッシュ単位について、リフレッシュ単位算
にそのリフレッシ、!、単位に対するリフレッシュ要求
の有無を表すデータを記憶するリフレッシュ要求記憶手
段と、 与えられたリフレッシュ単位識別子で表されるリフレッ
シュ単位に対するリフレッシュ要求の有無を表す与えら
れたデータをリフレッシュ要求記憶手段に記憶せしめる
リフレッシュ要求設定手段と、 与えられた識別子で表されるリフレッシュ単位に対する
リフレッシュ要求の有無を表すデータをリフレッシュ要
求記憶手段から取り出すリフレッシュ要求取り出し手段
と、 DRAMのサイクル・タイムよりも充分大きな時間間隔
で、全てのリフレッシュ単位に対するリフレッシュ単位
識別子をあらかじめ定められた厘に発生し、発生した各
々のりフレンシュ単位識別子で表されるリフレッシュ単
位に対するリフレッシュ・チェック要求を発生するとい
う動きを、最大リフレッシュ間隔の半分より充分洩<、
かつ3分の1よりも充分長い繰り返し周期でもって行、
つリフレッシュ・チェック要求手段と、 与えられたリフレッシュ単位識別子で表されるリフレッ
シュ単位に対するリフレッシュ要求の有無を表すデータ
を、リフレッシュ要求取り出し手段によりリフレッシュ
要求記憶手段から取り出し、リフレッシュ要求の有無を
調べ、リフレッシュ要求がない場合には、そのリフレッ
シュ単位に対するリフレッシュ要求が有るというデータ
をリフレッシュ要求設定手段によりリフレッシ2要求記
憶手段に記憶せしめ、また、リフレッシュ要求が有る場
合には、そのリフレッシュ単位に対するリフレッシュ要
求が無いというデータをリフレッシュ要求設定手段によ
りリフレッシュ要求記憶手段に記憶せしめ、かつ、その
リフレッシュ単位の識別子とともにリフレッシュ要求を
発生するリフレッシュ要求発生手段と、 リフレッシュ要求があったときメモリ・アクセス中でな
いならば直ちにリフレッシュを許可し、メモリ・アクセ
ス中ならばメモリ・アクセスの終了を待ってリフレッシ
ュを許可し、メモリ・アクセス要求があったとき同時に
リフレッシュ要求がないならば直ちにメモリ・アクセス
を許可し、リフレ・Vシュ中ならばリフレッシュの終了
を待ってメモリ・アクセスを許可し、もってリフレッシ
ュとメモリ・アクセスとが衝突しないように−I停する
調停手段と、 調停手段の許可を得て、リフレッシュ要求発生手段の発
生したリフレッシュ要求によって与えられる識別子で表
されろリフレッシュ単位をリフレッシュするリフレッシ
ュ制御手段と、 外部からメモリへのアクセスが発生ずると、調停手段の
許可を得てそのメモリ・アクセスを興行すると共に、ア
クセスされるアドレスを含むリフレッシュ単位の識別子
とリフレッシュ要求が無いというデータをリフレッシュ
要求設定手段に与えて、そのリフレッシュ単位に対する
リフレッシュ要求が無いことをリフレッシュ要求記憶手
段に記憶せしめるメモリ・アクセスi!Im手段とを含
んで梢成される。
(作用) DRAMのリフレッシュ操作は、リフレッシュするリフ
レッシュ単位を指定して、そのリフレッシュ単位をリフ
レッシュする。リフレッシュされるリフレッシ、1.I
?、位のリフレッシュ相位識別子は、通常の読みだし書
き込みの際に使われるアドレス信号(複数f!i4)の
内の7〜10@の信号(以下、リフレッシュ単位識別信
号と記す、)を使ってDRAMに与えらえる。リフレッ
シュ単位識別信号は、DRAMの品種ごとに異なってい
る。
一般にDRAMは、リフレッシュ操作時だけではなく、
読みだし書き込みの際にも同時にリフレッシュが行われ
る。このときリフレッシュされるのは、読みだしまたは
杏き込みが行われたアドレスにある情報だけでなく、そ
のアドレスを含む一つのリフレッシュ単位内のすべての
情報である。
このときリフレッシュされるリフレッシュ単位は、読み
だしまたは書き込みが行われるアドレスを指定するため
に使われるアドレス信号の内で、リフレッシュ操作時に
リフレッシュ単位を指定するリフレッシュ単位識別信号
のために共用されるアドレス信号によって指定される。
本発明に係る方式は、読みだし書き込みの操作とは独立
に定期的にリフレッシュを行うという従来の方式の代わ
りに、読みだし書き込みによってリフレッシュされたリ
フレッシュ惟位に対するリフレッシュ操作をできるだけ
遅らせることにより、リフレッシュ操作の回数を減少せ
しめる。
すなわち、本発明に係る方式のメモリ・アクセス制御手
段は、外部からの要求によって、読みだし書き込み操作
を行うと、その時リフレッシュされたリフレッシュ単位
(アクセスされたアドレスを含む)の識別子とリフレッ
シュ要求が無いというデータをリフレッシュ要求設定手
段に与えて、そのリフレッシュ単位に対するリフレッシ
ュ要求が無いことをリフレッシュ要求記憶手段に記憶せ
しめろ。またリフレッシュ要求発生手段は、リフレッシ
ュ操作をリフレッシュ制御手段に要求すると共に、リフ
レッシュ要求設定手段によってそのリフレッシュ単位に
対するリフレッシュ要求が無いというデータをリフレッ
シュ要求記憶手段に記憶せしめる。
間車のため、ひとつのリフレッシュ単位に着目して説明
をする。リフレッシュ・チェック要求手段は、最大リフ
レッシュ間隔の半分より充分短く、かつ3分の1よりも
充分長い繰り返し周期でもって、このリフレッシュ単位
識別子と共にリフレッシュ・チェック要求を発生する。
リフレッシュ要求発生手段は、このリフレッシュ単位識
別子と共にリフレッシュ・チェック要求を受は取ると、
このリフレッシュ単位金別子で表されろリフレッシュ単
位に対するリフレッシュ要求のITWを表すデータを、
リフレッシュ要求穴り出し手段によりリフレッシュ要求
記憶手段がら取り出し、リフレッシュ要求の有無を調べ
ろ、リフレッシ!−要求がない場合には、このリフレッ
シ;、単位に対するリフレッシュ要求が有るというデー
タをリフレッシュ要求設定手段によりリフレッシュ要求
記憶手段に記憶せしめ、また、リフレッシュ要求が有る
場合には、このリフレッシュ単位に対するリフレッシュ
要求が無いというデータをリフレッシュ要求設定手段に
よりリフレッシュ要求記憶手段に記憶せしめ、かつ、こ
のリフレッシュ単位の識別子とともにリフレッシュ要求
を発生する。リフレッシュ要求が発生すると、リフレッ
シュ制御手段は−I停手段の許可を得て、このリフレッ
シュ単位識別子で示されるリフレッシュ単位をリフレッ
シュする。
一つのリフレッシュ単位について、最大リフレッシュ間
隔の半分より充分短く、かつ3分の1よりも充分長い繰
り返し周期でもって、このような動作を繰り返し繰り返
し行うことになる。さらに、−周期の間には、すべての
リフレッシュ単位について、あらかじめ定められた順で
、上記動作を行う。
また、りI停手段は、リフレッシュ制御手段のリフレッ
シュとメモリ・アクセス手段のメ七り・アクセスとが衝
突しないようにメモリ・アクセスおよびリフレッシュを
許可する。メモリ・アクセス制御手段は、調停手段から
の許可を待って、メモリ・アクセスとリフレッシュ要求
記憶手段への前述の操作を行う。
本発明にかかるDRAM制御方式は、以上のように動作
してリフレッシュ操作の回数を減少させる。
(実施例) つぎに、本発明の実施例について図面を参照して詳細に
説明する。
第1図は、本発明の一実施例を示すブロック図である。
第1I21のD RA M制御方式は、256にビット
のDRAM32個を制御して、1ワードか32ビツト、
全体で256にワードのメモリシステムを構成するため
のものであり、32個のD RA M :含んでいる。
この256にビットD RA Mのリフレッシュ単位は
、全部で256個であり、その識別子は8ビツトで構成
される。
外部から供給されるクロック信号CLKは、周波数f=
108H2、すなわち周期T= 100nSでもって第
1図のメモリシステムをドライブする。このメモリシス
テムは、1ワ一ド単位に読み書きを行うことができる。
すなわち、メモリアクセス信号MACCを“1′°にし
た後あらかじめ定められた時間間隔でアドレス信号糸〇
に読み書きを行うアドレスを、読み書き制御信号11/
Wに読み書きの別を、香くときには、データ信号りに書
き込みデータを、それぞれセットすることにより1ワ一
ド単位に読み書きを行うことができる。読み書きの動作
の完了は、レディ信号RDYの値によって知ることがで
きろ。例えば、レディ信号RDYが°“1”になった時
に動作が完了し、読みだしの場合には、データ信号りに
読みだした1ワードのデータが得られる。
さて、リフレッシュ要求記憶手段は、256x 1ビツ
トのスタティックRAM (以下、SRAMと記す、)
5からなる。SRAM5のアクセスタイムは、例えば2
0nSである。SRAM5の各アドレスには、そのアド
レスの値と同一の値をリフレッシュ単位識別子の値とし
て持つリフレッシュ単位に対するリフレッシュ要求の有
無を表すデータが記憶される。例えば、記憶されている
データの値が、u OI+ならばリフト・ソシュ要求が
無いことを示し、61′ならばリフレッシュ要求が有る
ことを示す。
識別子信号IOをアドレス端子ADっ〜A D 、に与
え、書き込み許可端子■rEに伍“0′″の書き込み制
御信号WRI rEを与えると、識別子信号o+Eのリ
フレッシ;、単位識別子で表されるリフレッシュ単位に
対するリフレッシュ要求の有無を表すデータが、要求信
号!(Qとしてデータ出力端子DQに得られる。
また、識別子信号10をアドレス端子ADo〜^p7に
与え、書き込み許可端子Wトに値“1゛°力書き込み制
Fl信号WR1rEを与えると、識別子イシ号ID上の
リフレッシュ単位識別子で表されるリフレッシュ単位に
対するリフレッシュ要求の有無を現すデータとして、デ
ータ入力端子D1に与えられているデータ信号DATA
の値を記憶する。
リフレッシュ要求設定手段とリフレッシュ要求取り出し
手段は、設定読みだし回路4からなり、つぎの4つの動
作を行う。
■第一の識別子信号10.上のリフレッシュ単位識別子
で表されるリフレッシュ単位に対するリフレッシュ要求
の有無を表すデータを要求信号RQ順に出力する。
すなわち、読みだし要求信号RDRQが′1′′になる
と、書き込み制御信号WRIIEに“0″′を、識別子
信号10に第一の識別子信号10.の値を出力し、S 
g A M5から第一の識別子信号1011のリフレッ
シュ学1位識別子で表されるリフレッシュ単位に対する
リフレッシュ要求の有無を表すデータを要求信号+?Q
に得、その伍ご要求信号RQ1に出力する。
■第一の識別子信号10.上のリフレッシュ単位識別子
で表されるリフレッシュ単位に対するリフレッシュ要求
の有無を表すデータとして、リフレッシュ要求有りとい
うデータをSRAMうに記憶せしめる。
jなわち、セット要求信号5ETR(lが“1”になる
と、識別子信号jpに第一の識別子信号101の値を、
データ信号DAIへに“1″を、書き込み制御信号WR
ITEに“1″をそれぞれ出力し、第一の識別子信号1
01上のリフレッシュ単位識別子で表されるリフレッシ
ュ単位に対するリフレッシュ要求の有無を表すデータと
して、リフレッシュ要求有りというデータをSRAM5
に記憶せしめる。
■第一の識別子信号10.上のリフレッシュ単位識別子
で表されるリフレッシュ即位に対するリフレッシュ要求
の有無を表すデータとして、リフレッシュ要求無しとい
うデータをSRAM5に記憶せしめる。
すなわち、第一のリセット要求信号R3TRQ。
が“1″にりると、識別子信号IDに第一の識別子信号
101の値を、データ信号D^IAに“O”を、書き込
み制御信号WRI rEに“1°′をそれぞれ出力し、
第一の識別子信号10.上のリフレッシュ単位識別子で
表されるリフレッシュ単位に対するリフレッシュ要求の
有無を表すデータとして、リフレッシュ要求無しという
データをSRAM5に記憶せしめる。
C)第二の識別子信号ID2上のリフレッシュ単位識別
子で表されるリフレッシュ即位に対するリフレッシコ、
要求の有無を表すデータとして、リフレッシュ要求無し
というデータをSRAM5に記憶せしめる。
すなわち、第二のリセット要求信号R8rRQ2が“1
″になると、識別子信号IQに第二の識別子信号ID2
の値を、データ信号[IATA4こ“0″を、書き込み
制御信号WRI rLに“1”をそれぞれ出力し、第二
の識別子信号102上のリフレッシュ単位識別子で表さ
れるリフレッシュII−位に対するリフレッシュ要求の
有無を表すデータとして、リフレッシュ要求無しという
データをSRAMうに記憶せしめる。
設定読みだし回路4は、クロック信号CLKに同期して
動作する。クロック信号CLにの値が“1″の開に■ま
たは■の動作を行い、“0”の間に■または■の動作を
行う。
リフレッシュ−チェック要求手段は、72分の1分周器
1と 256進カウンタ2とからなり、110 I+か
ら1ずつ増えて“255′″まで行きまた“0″に戻る
という順で、7,2μSごとにリフレッシュ単位識別子
〇にIDとチェック要求信号CにIIQを発生し、リフ
レッシュチェック要求を行う、すなわち、72分の1分
周器1は、供給されたクロック信号CLKを72分の1
に分周してチェック要求信号CKRQを発生すると同時
に256進カウンタ2をドライブする。
256進カウンタ2はチェック要求信号CKHO’gカ
ウントし8ビツトのリフレッシュ単位識別子Cに10を
発生する。
リフレッシュ要求発生手段は、リフレッシュ要求発生回
路3からなり、チェック要求信号CKRQを受けると、
リフレッシュ即位識別子CKIDeflり込み、そのリ
フレッシュ単位に対するリフレッシュ要求が有るかない
かを調べる。そのために、収り込んだリフレッシュ単位
識別子CKIDを第一の識別子信号10.に出力し、読
みだし要求信号RD RQを“1′にして設定読みだし
回路4に対してリフレッシュ単位識別子Cに10に対す
るリフレッシュ要求の有無を表すデータの読みだしを要
求する。設定読みだし回I?!4かちリフレッシュ単位
識別子Cに10に対するリフレッシュ要求の有無を表す
データを要求信号RQ、に得ると、その値を調べ、“0
”、すなわち、要求がないならば、第一の識別子、信号
10、にリフレッシュ単位識別子CにIDを出力し、セ
ット要求信号5LTRQを”1″にして、このリフレッ
シ2.単位識別子CKIDで表されるリフレッシュ単位
に対するりフレフシ;。要求が有るということを表すデ
ータを記憶するように、設定読みだし回路4に要求する
。また、要求信号!!Q1の値が“1”、すなわち、要
求があるならば、第一の識別子信号10、にリフレッシ
ュ単位識別子CKIDを出力し、第一のリセット要求信
号R3IN(bを“1”にして、このリフレッシュ唯位
識別千〇KII)で表されるリフレッシュ単位に対する
リフレッシュ要求が無いということを表すデータを記憶
するように、設定読みだし回路4に要求し、かつ、第一
のリフレッシュ単位識別子信号REiD1にリフレッシ
ュ単位識別子GKIOを出力し、第一のリフレッシュ要
求信号REFRQ、を“1″にして、リフレッシュ単位
識別子〇にID″C″表されるリフレッシュ単位に対す
るリフレッシ5.要求を発生する。
調停手段は調停回路8からなり、リフレッシュ要求信号
REFRQ2とメモリ・アクセス要求信号MARQとを
受は取り、つぎのように動作してリフレッシュ許可信号
REFACK、メモリ・アクセス許可信号MAACにを
発生する。すなわち、リフレッシュ要求信号REFRQ
2の値が“1″、すなわちリフレッシュ要求がある鳩舎
には、メモリ・アクセス要求の有無にかかわらず図には
示していないが調停回路内にあるメモリ・アクセス中か
否かを示す信号を調べる。この信号がメモリ・アクセス
中でないことを示すならば、直ちに、メモリ・アクセス
中を示すならば、この信号がメモリ・アクセス中でない
ことを示すようになるまで待って、リフレッシュ許可信
号REFACにを発生する。この時、図には示していな
いが調停回路内にあるリフレッシュ中か否かを示す信号
を、リフレッシュ中であることを示すようにせしめ、リ
フレッシュ操作に要する時間の後、リフレッシュ中でな
いことを示すようにせしめる。また、リフレッシュ要求
信号REFRQ2の値が“0”でメモリ・アクセス要求
信号MARQの値が“1”、すなわちリフレッシュ要求
が無くて、メモリ・アクセス要求が有る場合には、リフ
レッシュ中か否かを示す信号をり1べろ、リフレッシュ
中でなければ直ちに、リフレッシュ中であれば、その信
号がリフレッシュ中でないことを示すようになるまで待
って、メモリ・アクセス許可信号MAACにを発生する
。この時、前述のメモリ・アクセス中か否かを示す信号
をメモリ・アクセス中であることを示すようにせしめ、
メモリ・アクセスに要する時間の後、メモリ・アクセス
中でないことを示すようにせしめる。
リフレッシュflfttl1手段は、リフレッシュ制御
回路6からなり、第一のリフレッシュ要求信号REFR
Q、が1″になると、第一のリフレッシュ単位識別子R
EFID、を取り込み、第二のリフレッシュ要求信号1
?EFIIQ2を“1″にして、調停回路8に許可を求
める。許可が得られるとリフレッシュ許可信号1tLF
ACにが“1”になるので、それを待って後、第二のリ
フレッシュ要求信号F!E)R−02を“0″にし、リ
フレッシュ即位識別子REFIDに取つ込んだ第一のリ
フレッシュ単位識別子RE)10゜の値を出力し、リフ
レッシュ信号!?L)を“1 ”にし、メモリ制御回路
9に対してリフレッシュ操作を起動する。
メモリ・アクセス制御手段は、メモリアクセス制御回路
7からなり、外部からのメモリ・アクセスを実行する。
すなわち、メモリアクセス信号MACCが“1′′にな
ると、メモリアクセス制御回路7はメモリ・アクセス要
求信号す11Qを“1 ”にして、調停回路8に対して
メモリ・アクセスの許可をもとめる。それと平行して、
あらかじめ定められた順に与えられるアドレス信珍^p
、読み古き制御信号Rhを、また書き込み力時は、デー
タ信号りをも取り込む、調停回路8から許可が得られメ
モリ・アクセス許可信号MAACKが゛1パになると、
メモリアクセス制御回路7はメモリ・アクセス要求信号
MARQを“0”にし、取り込み終えた、あるいは取り
込み途中のアドレス信号へ〇、読み書き制御信号R/縁
、および書き込みの時は、データ信号りをそれぞれアド
レス信号^D1、読み書き制御信号1(/W、 、およ
びデータ信号D1に出力し、メモリアクセス信号MAC
CIを1′°にし、メモリ制御回路9に対して、メモリ
・アクセスを起動する。
メモリ・アクセスに要する時間が過ぎると、レディ信号
RDYをあらかじめ定められた間“1′°にしてメモリ
・アクセスを完了する。読みだし操作の場合は、データ
信号D1に読みだしデータが得られるので、レディ信号
RDYが1″の間、データ信号D1の値をデータ信号り
に出力する。メモリアクセス制御回#t7はまたメモリ
をアクセスしている間に、アドレス信号ADで指定され
るアドレスを含むリフレッシュ単位の識別子を第二の識
別子信号102に出力し、第二のリセット要求信号R8
’1RQ2を“1″にして、アドレス信号へ〇で指定さ
れるアドレスを含むリフレッシュ90位に対するリフレ
ッシュ要求が無いというデータを設定読みだし回路4を
介して、SRAMうに記憶せしめる。
メモリ制御回路9は、D RA M o 1000〜D
 RAM 3110313 ff、*制御して、リフレ
ッシュ操作、読みだし操作および書き込み操作を行う回
路であり、リフレッシュ信号11LFの値が“1″にな
ると、リフレッシュ単位識別子RL)10で表されるリ
フレッシュ単位を指定して、通常RASオンリー・リフ
レッシュと呼ばれるリフレッシュ操作を行う。また、メ
モリアクセス信号MMCCIが“1″になると、アドレ
ス信号AD、で指定されたアドレスに対して、読み杏き
制御信号1t/Wlで指定された読みだし、または、書
き込み操作を行う。
D RAMo 1000〜D RAM5t1031は、
256にビットのDRAM−LSIである。このLSI
は、サイクルタイム210nS、アクセスタイム150
nS、最大リフレッシュ間隔4rlSで、リフレッシュ
単位は256個あり、1つのリフレッシュ単位は102
4ビツトで、いわゆるロウアドレスの上位8ビツトで指
定される。
つぎに、全体の動作を説明する。72分の1分周器1と
256進カウンタ2は、リフレッシュ単位識別子CKI
Dを・7.21Jsごとに更新し、チェック要求信号C
KRQを発生して、リフレッシュ単位識別子CKIDで
表されるリフレッシュ単位に対するリフレッシュ要求の
有無のチェックを要求する。リフレッシュ要求発生回路
3は、チェック要求信号CKRQによって起動され、リ
フレッシュ単位識別子〇にIDで表されるリフレッシュ
単位に対するリフレッシュ要求の有無のチェックを行う
、すなわち、第一の識別子信号101にリフレッシュ弔
位識別千〇に10の値を出力し、読みだし要求信号RD
 HQを“1″にして、設定読みだし回路4にリフレッ
シュ単位識別子CにID″!″表されるリフレッシコ、
単位に対するリフレッシュ要求の有無を表すデータの読
みだし要求を行う。設定読みだし回路4とSRAM5と
は、前述のように動作して、リフレッシュ単位識別子C
KID″′C表されるリフレッシュ単位に対するリフレ
ッシュ要求の有無を表すデータを要求信号RQ、として
リフレッシュ要求発生回路3に返す。リフレッシュ要求
発生回路3は、要求信号RQ、の値を調べろうその便が
、“0”ならばそのリフレッシュ即位に対するリフレッ
シュ要求が有ることを表すデータをSRA、M5に書き
込む。すなわち、第一の識別子信号10.にリフレッシ
ュ単位識別子Cに10の値を出力し、セット要求信号5
ETRQを°゛1′″にして、設定読みだし回路4に対
してリフレッシュや位識別千CKIDで表されるリフレ
ッシュ単位に対するリフレッシュ要求が有るというデー
タのセット要求を行う。設定読みだし回路4とSRAM
5とは、前述のように動作してS RA !’、’15
にリフレッシュ単位識別子CKl[lで表されるリフレ
ッシ1.単位に対するリフレッシュ要求が有るというデ
ータを記憶する。そして、動作を終了する。
ここまで説明した動作をまとめると、つぎのように言う
ことができる。すなわち、チェック要求信号CKRQに
より、リフレッシュ要求発生回路3が起動されると、リ
フレッシュ要求発生回路3はリフレッシュ学位識別子C
KID”t:表されるリフレッシュ単位に対するリフレ
ッシ;、要求の有無をチェックし、要求が無い場合には
SRAM5にそのリフレッシュ単位に対するリフレッシ
ュ要求が有るというデータを記憶させ、終了する。
さて、要求信号RQ、の値が“1”の場合の動作の説明
に戻る。このときには、リフレッシュ要求発生回路3は
、そのリフレッシュ単位に対するリフレッシュ要求が無
いことを表すデータをSRAM5に書き込む。すなわち
、第一の識別子信号101にリフレッシュ単位識別子C
KIDの値を出力し、第一のリセット要求信号flsT
RQ、を“1″にして、設定読みたし回路4に対してリ
フレッシュ単位識別子GKIOで表されるリフレッシュ
単位に対するリフレッシュ要求が無いというデータのセ
ット要求を行う、設定読みだし回路4とS RA M 
5とは、前述のように動作してSRAM5にリフレッシ
ュ単位識別子CKIDで表されるリフレッシュ単位に対
するリフレッシコ、要求が無いというデータを記憶する
。また、リフレッシュ要求発生回!!83は、リフレッ
シ;、単位識別子〇KIDの値をリフレッシュ単位識別
子信号RLFIDtに出力し、リフレッシュ要求信号R
ORQ、を“1“にして、リフレッシュ制御回路6に対
して、リフレッシュ単位識別子GKIDの値で表される
リフレッシュ単位のリフレッシュを要求する。
リフレッシュ制御回路6は、リフレッシュ要求信号RE
FRQ1が“1′″になったので、つぎのような動作を
開始する。まず、リフレッシュ要求信号RE)RQ2を
“1°゛にして調停回路8にリフレッシュの許可を求め
る。調停回路8は前述のように動作して、リフレッシュ
の操作の許可を与える。すなわち、メモリアクセス中で
なければ、メ是り・アクセス要求信号H^IIQの伍に
かかわらず直ちにリフレッシュ許可信号REFACKの
値を“1”にし、メモリアクセス中ならば、メモリアク
セス終了後、直ちにリフレッシュ許可信号REFACK
の値を“1′。
にする。リフレッシ;、制御回路6はリフレッシュ許可
信号FIEFACにの値が′1′”になったことを検出
すると、リフレッシュ単位識別子信号!?EFIDtの
値、すなわち、リフレッシュ単位識別子CKjDの値を
リフレッシュ単位識別子1tEFIDとして出力し、リ
フレッシュ信号11EFの値を“1”にして、メモリ制
御回路9を囲動し、リフレッシュ単位識別子CKIDで
表されろリフレッシ;、#位に対するリフレッシュ操作
を行う。リフレッシュ操作が終了するとリフレッシュ要
求信号REFRQ2を“0”にする。
以上の動作をまとめろと、つぎのように言うことができ
る。すなわち、チェック要求信号CKRQが発生すると
、リフレッシュ単位識別子CKIDで表されるリフレッ
シュ単位に対するリフレッシュ要求の有無をチェックし
、要求が無い場合にはSRAMうにそのリフレッシュ単
位に対するリフレッシュ要求か有るというデータを記憶
させ、終了する。
要求か有る場合には、S RA M 5にそのリフレッ
シュ単位に対するリフレッシュ要求が無いというデータ
を記憶させろと共に、メモリアクセス中でないならば直
ちに、メモリアクセス中ならばそのアクセスが終了後直
ちに、そのリフレッシュ単位に対するリフレッシュ操作
を行い、終了する。
このような動作が、すべてのリフレッシュ単位について
、7.2μsの時間間隔でリフレッシュ単位識別子の値
が0,1.・・・、  255.0.1.・・・。
255、0. 1.・・・の順で繰り返される。一つの
りフレフシ;。単位についてみると、7.2μ、Hx 
256=1843.2gs、すなわち、1.8432m
5の周期でこの動作が繰り返される。
つぎに、外部からのメモリアクセス操作の動きについて
説明する。外部からのメモリアクセス操作は、メモリア
クセス信号)IAccの値が“1′″になることにより
起動され、あらかじめ定められた順で、アドレス信号A
D、読み書き制御信号R/14、データ信号D(書き込
みアクセス時のみ)が入力される。メモリアクセス制御
回路7は、メモリアクセス信号MACCの像が“1′′
になると、メモリ・アクセス要求信号MARQを“1”
にして調停回路8にメモリアクセスの許可をもとめる。
調停回路8は、メモリ・アクセス要求信号)IAFIG
が“1′になると、前述のように動作して、メモリアク
セスを許可する。すなわち、リフレッシュM制御口#t
6からのリフレッシュ要求信号REF)IO2の値が“
0″で、かつ、リフレッシュ操作中でなければ、直ちに
、そうでなければ、要求されている、或は、実行中のリ
フレッシュ操作が終了し、かつ、その時点で、リフレッ
シュ要求信号+(EFRQ2の値が“Onであるという
条件が成り立つまで待って、メモリ・アクセス許可信号
MAACKを“1”にする、メモリアクセス制御回路7
は、調停口M@8から許可を受けろと、あらかじめ定め
られたタイミングでメモリアクセス信号MACC,、読
み書き制御信号R/W、、アドレス信号へ〇!、データ
信号Ds  (8き込みアクセス時のみ)をメモリ制御
回路9に対して供給し、所望のアクセスを行う。読みだ
しアクセスの時には、データ信号D1に読みだしデータ
が得られるのでその値をデータ信号りに出力する。この
とき、レディ信号RDYを出力して外部との同期をとる
。書き込みアクセス時も同様にレディ信号RDYを出力
して外部との同期をとる。
また、メモリアクセス制御回路7は、調停回路8から許
可を得ると、アクセスしているアドレスが属しているリ
フレッシュ単位のリフレッシュ単位識別子を第二の識別
子信号102に出力し、第二のリセット要求信号R8r
RQ2を“1”にして、アクセスしているアドレスが属
しているリフレッシy、 JtL位に対するリフレッシ
ュ要求が無いというデータを記憶するように設定読みだ
し回路4に要求する。設定読みだし回路4とS RA 
Mうとは、前述のように動作して、メモリアクセスを行
っているアドレスの属するリフレッシ、:+、 lF、
位に対するリフレッシュ要求が然いというデータをS 
RAM 5に記憶する。そして、メモリアクセスが終了
すると、メモリ・アクセス要求信号MAI(Qを0″に
するう 以上、述べたメモリアクセスの動作を要約すると、つぎ
のようになる、すなわち、外部がらめメモリアクセスは
、リフレッシュ要求がなく、かつリフレッシュ中でもな
いタイミングを選んで実行され、同時にアクセスされた
アドレスを含むリフレッシュ単位に対するリフレッシュ
要求が無いというデータをS RA M5に記憶させる
以上が、本実施例の装置の動作説明である。続いて、こ
の装置がいかにして本発明の目的を達成しているかにつ
いて説明する。この装置においては、従来の装置と同様
、情報が失われることはない。さらに、単位時間あたり
のリフレッシュ操作の回数は、従来の装置に比べて減少
する。以下に、図面を参照しながら、上記の二点につい
て説明する。
第2図は、ある一つのリフレッシュ単位に関する本装置
の動作の概略を説明する図である。横軸は特開であり、
CPi、CPi+1、CPi+2、CP i +3、C
Pi+4は、それぞれ、このリフレッシュ単位に対する
i番目、i+1番目、i+2番目、i+3#目、i+4
番目のリフレッシュ・チェック要求の発生時点を表す(
iは正の整数)、この図の(a)、 (b)、 (c)
、 (d)は、それぞれ、メモリアクセスとリフレッシ
ュ操作の時間的な組合せの違いによる動作を示す、これ
らの図で、「↓」の付いた■は、このリフレッシュ単位
に対するリフレッシュ操作を表し、「↓」の付いた@は
、このリフレッシュ単位に属するアドレスに対するメモ
リアクセスを表す、パルス図形は、SRAM5の保持す
るこのリフレッシュ単位に対するリフレッシュ要求の値
を表す、高いレベルで「リフレッシュ要求有り」を表し
、低いレベ7pて゛「リフレッシュ要求無し」を表して
いる。以下、(a)、 (b)、 (c)、 (d)の
順に説明する。
第2図(a)は、リフレッシュ・チェック要求発生時点
CPLで、S RA M 5から「リフレッシュ要求育
つ」という値が読みだされ、直後の■でリフレッシュ操
作を行った後、リフレッシュ・チェック要求発生時点C
Pi+2までの間にこのリフレッシ;、単位に属するア
ドレスに対するメモリアクセスが全く無い場合の動作で
ある。この場合には、■でリフレッシュ操作を行うとき
にリフレッシュ要求発生回路3がSRAM5の記憶する
値を「リフレッシュ要求無しjに変えるウリフレッシュ
・チェック要求発生時点CPiからCPi+1までの間
にこのリフレッシュ単位に対するメモリアクセスが無い
ので、リフレッシュ・チェック要求発生時点CPi+1
では、リフレッシュ要求発生回路3がSRAM5の記憶
する伍を「リフしソシニ要求有り」に変える。さらに、
リフレッシュ・チェック要求発生時点CPi+1からC
Pi+2までの間にこのリフレッシュ単位に対するメモ
リアクセスが無いので、リフレッシュ・チェック要求発
生時点CPi−’、2では、リフレッシュ要求発生回路
3がリフレッシュを要求し、■でリフレッシュ操作が行
われる。このとき、S RAM 5−の記憶する値は、
リフレッシュ要求発生口#I3によって、「リフレッシ
ュ要求無し」に変えられる。
第21図(b)は、リフレッシュ・チェック要求発生時
点CPiで、第21¥I (a)と同じであり、このリ
フレッシコ、単位に属するアドレスに対するメモリアク
セスが、リフレッシュ、・チェック要求発生時点CPi
からCPi+1までの間に1回以上有り、リフレッシュ
・チェック要求発生時点CPi+1からCPi+2まで
の間に全く無かった場合力図である。さて、6jでメモ
リアクセスが行われると、メモリアクセス制御回路7は
、S RAM 5に1リフレッシュ要求無し」という値
を記憶させろ、リフレッシュ・チェック要求発生時点C
Pi+1では、図に示すように「リフレッシュ要求無し
」という値が読みだされ、かつ、このリフレッシュ単位
に属するアドレスに対するメモリアクセスがリフレッシ
;、・チェック要求発生時点CPi+1からCP i 
+2までの間に全く無いので、リフレッシュ・チェック
要求発生時点CPi+1以後の動作は、第2図1a)の
リフレッシュ・チェック要求発生時点CPi+1以後の
動作と同じになる。なお、SRAM5の保持する値が「
リフレッシュ要求無し」の時に行われるメモリアクセス
は、その後の動作に影響を与えないので、以下の説明で
は省略することにするう 第2図(C)は、リフレッシュ・チェック要求発生時点
CPiでは、第21a(a)と同じであり、このリフレ
ッシュ単位に対するメモリアクセスが、リフレッシュ・
チェック要求発生時点CPi+1からCPi+2の間に
1回以上有り、リフレッシュ・チェック要求発生時点C
Pi+2からCPi+3の間には、全く無かった場合を
示す。■は、これらのメモリアクセスの内の最初のアク
セス時点を示す、この時、S RA M 5の保持する
値は、メモリアクセスiii tM回路7により「リフ
レッシュ要求無し」という値に変えられる。そして、図
に示すように、リフレッシュ・チェック要求発生時点C
Pi+2では、「リフレッシュ要求無し」という値が読
みだされ、かつ、リフレッシュ・チェック要求発生時点
CPL+3までの間に、このリフレッシュ単位に対する
メモリアクセスが全く無いので、リフレッシュ・チェッ
ク要求発生時点CPi’−,2以後の動作は、第2図(
a)のCPi+1以後め動修と同じになる。
第2図(d)は、リフレッシュ・チェック要求発生時点
CPtでは、第2図(a)と同じであり、このリフレッ
シュ単位に対するメモリアクセスが、リフレッシュ・チ
ェック要求発生時点CPi+1がらCPi−’、2の間
に1回以上有り、CPl+2からCP i +3の開に
も1回以上有り、リフレッシュ・チェック要求発生時点
CPi+3からCPi+4の間には、全く無かった場合
を示す。
[相]は、第2図(C)と同機に、それぞれの期間にお
けろ最初のメモリアクセス時点を示す、リフレッシュ・
チェック要求発生時点CPiからCPi+2までの動作
は、第2図(C)と同じである。二つ目の■の時点で、
S RA M 5の値が、「リフレッシュ要求無し」と
いう値に変えられる。リフレッシュ・チェック要求発生
時点CPi+3以後の動作は、第2図(a)のリフレッ
シュ・チェック要求発生時点CPi+1以後の動作と同
じである。
第2図(d)において、リフレッシュ・チェック要求発
生時点CPi+3がらCP i +4の開に、このリフ
レッシュ単位に仄するアドレスに対するメモリアクセス
が有った場合の動作も同様になる。
このことから、リフレッシュ操作が行われ、そのつぎの
リフレッシュチェック要求発生時点を含みそれ以後の引
き続くn個(nは2以上の整数)のリフレッシュチェッ
ク要求発生時点で区切られたn−1個の期間の各々の期
間に、このリフレッシュ単位に眞するアドレスに対して
少なくとも各1回のメモリアクセスがあると、第21a
(c)、(d)から分かるように二回目のリフレッシュ
操作が行われる時点が、第2図(a)に比べてn−1期
間後ろにずれる。
前述のように、メモリアクセスを行うと、そのアドレス
を含むリフレッシュ単位が自動的にリフレッシュされる
ので、第2図のΦの時点では、■の時点と同様にそのリ
フレッシュ単位は、リフレッシュされている。第2図で
、引き続く二つのリフレッシュの間、すなわち、引き続
くOと■、■とめ、■とOlおよび■と■の内、もっと
も長い時14!′1間隔は、3つの引き続くリフレッシ
ュ要求発生時点間の時間間隔3.68641Sにほぼ等
しい。
「はぼ」というのは、初めの■の時点がメモリアクセス
との競、合で1メモリサイクル(本実施例の装置では、
300nS )遅れたり、二つ目のOの時点がメモリア
クセスとの競合で1メモリサイクル遅れカニつすること
があるからである。それでも、最g値は、3.6867
n+Sであり、本実施例のDRAMの定める散大リフレ
ッシコ1間隔411tSよりも充分思い。
全てのリフレッシュ単位について上に述べたことがいえ
るので、本実施例の装置においては、情報が失われるこ
とはない。
また、第2図(c)、(d)のようにリフレッシュ操作
が行われ、そのつぎのリフレッシュチェック要求発生時
点を含みそれ以後の引き続くn個(nは2以上の整数)
のリフレッシュチェック要求発生時点で区切られたn−
1個の期間の各々の期間に、このリフレッシュ単位に属
するアドレスに対して少なくとも各1回のメモリアクセ
スがあると、あるリフレッシュ操作とつぎのリフレッシ
ュ操作との間隔が、第2図(a)にくらべて、((n−
1)X 1.8432) Is長くなる。全てのリフレ
ッシュ単位について、このことがいえるので、リフレッ
シュ操作の頻度も低下することになる。
以上述べたことから、本実施例の装置では、DRA−M
の情報を失うこと黒く、リフレッシュ操作の頻度を少な
くすることができメモリアクセス実効速度を向上せしめ
ることができる。
なお、本実施例の装置においては、記恒容鬼が256K
kであるが、512にW、IMW、などでも構わない、
この場合には、256にビットのDRAMを二つまたは
、四つのバンクに分けて、アドレスの1位1ビツトまた
は2ビツトをデコードして、読み書きするバンクを選択
する。このとき、jK釈されなかったバンクに対しては
、そのアドレスの属するリフレッシュltt位に対して
RASオンリーリフレッシュを行えばよい。リフレッシ
ュ・チェックにより起動されるリフレッシュ操作は、全
てのバンクに対して同時に行う。また、一度にアクセス
できるデータ幅が32ビツトであるが、8ビツト、16
ビツト等でも構わない。
(発明の効果) 本発明は、通常のメモリアクセスによるリフレッシュの
効果を有効に利用することにより、リフレッシュ操作の
回数を減らすことができ、メモリアクセスの実効速度を
向上させる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示すブロック図、第21U
(a)〜(d)は第1図実施例の動作の概要を示すタイ
ミング図である。 1・・・72分の1分周器、2・・・256進カウンタ
、3・・・リフレッシュ要求発生回路、4・・・設定読
みだし回路、5・・・S RA M、6・・・リフレッ
シ;、制御回路、7・・・メモリアクセス制御回路、8
・・・調停口髭、9 ・、n モIJ制n@路、100
0〜1031−D RA P、i 、。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1回のリフレッシュ動作によってリフレッシュされるリ
    フレッシュ単位をひとつ以上有するダイナミック・ラン
    ダム・アクセス・メモリ・システムの、制御方式におい
    て、 各リフレッシュ単位を一意に識別するリフレッシュ単位
    識別子を定め、 全てのリフレッシュ単位について、リフレッシュ単位毎
    にそのリフレッシュ単位に対するリフレッシュ要求の有
    無を表すデータを記憶するリフレッシュ要求記憶手段と
    、 与えられたリフレッシュ単位識別子で表されるリフレッ
    シュ単位に対するリフレッシュ要求の有無を表す与えら
    れたデータを前記リフレッシュ要求記憶手段に記憶せし
    めるリフレッシュ要求設定手段と、 与えられた識別子で表されるリフレッシュ単位に対する
    リフレッシュ要求の有無を表すデータを前記リフレッシ
    ュ要求記憶手段から取り出すリフレッシュ要求取り出し
    手段と、 ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリのサイクル
    ・タイムよりも充分大きな時間間隔で、全てのリフレッ
    シュ単位に対するリフレッシュ単位識別子をあらかじめ
    定められた順に発生し、発生した各々のリフレッシュ単
    位識別子で表されるリフレッシュ単位に対するリフレッ
    シュ・チェック要求を発生するという動きを、最大リフ
    レッシュ間隔の半分より充分短く、かつ3分の1よりも
    充分長い繰り返し周期でもって行うリフレッシュ・チェ
    ック要求手段と、 与えられたリフレッシュ単位識別子で表されるリフレッ
    シュ単位に対するリフレッシュ要求の有無を表すデータ
    を、前記リフレッシュ要求取り出し手段により前記リフ
    レッシュ要求記憶手段から取り出し、リフレッシュ要求
    の有無を調べ、リフレッシュ要求がない場合には、その
    リフレッシュ単位に対するリフレッシュ要求が有るとい
    うデータを前記リフレッシュ要求設定手段により前記リ
    フレッシュ要求記憶手段に記憶せしめ、また、リフレッ
    シュ要求が有る場合には、そのリフレッシュ単位に対す
    るリフレッシュ要求が無いというデータを前記リフレッ
    シュ要求設定手段により前記リフレッシュ要求記憶手段
    に記憶せしめ、かつ、そのリフレッシュ単位の識別子と
    ともにリフレッシュ要求を発生するリフレッシュ要求発
    生手段と、リフレッシュ要求があったときメモリ・アク
    セス中でないならば直ちにリフレッシュを許可し、メモ
    リ・アクセス中ならばメモリ・アクセスの終了を待って
    リフレッシュを許可し、メモリ・アクセス要求があった
    とき同時にリフレッシュ要求がないならば直ちにメモリ
    ・アクセスを許可し、リフレッシュ中ならばリフレッシ
    ュの終了を待ってメモリ・アクセスを許可し、もってリ
    フレッシュとメモリ・アクセスとが衝突しないように調
    停する調停手段と、 この、調停手段の許可を得て、前記リフレッシュ要求発
    生手段の発生したリフレッシュ要求によって与えられる
    識別子で表されるリフレッシュ単位をリフレッシュする
    リフレッシュ制御手段と、外部からメモリへのアクセス
    が発生すると、前記調停手段の許可を得てそのメモリ・
    アクセスを実行すると共に、アクセスされるアドレスを
    含むリフレッシュ単位の識別子とリフレッシュ要求が無
    いというデータを前記リフレッシュ要求設定手段に与え
    て、そのリフレッシュ単位に対するリフレッシュ要求が
    無いことを前記リフレッシュ要求記憶手段に記憶せしめ
    るメモリ・アクセス制御手段とを含むことを特徴とする
    ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリの制御方式
JP62019859A 1987-01-29 1987-01-29 ダイナミツク・ランダム・アクセス・メモリの制御方式 Pending JPS63187496A (ja)

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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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