JPS63100972A - 塗布装置 - Google Patents
塗布装置Info
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- JPS63100972A JPS63100972A JP24417186A JP24417186A JPS63100972A JP S63100972 A JPS63100972 A JP S63100972A JP 24417186 A JP24417186 A JP 24417186A JP 24417186 A JP24417186 A JP 24417186A JP S63100972 A JPS63100972 A JP S63100972A
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- JP
- Japan
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- resist
- coating material
- coating
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Links
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 48
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 17
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims abstract description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 5
- 230000005484 gravity Effects 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は、基板に塗布材を塗布する塗布装置に関するも
のである。
のである。
(従来の技術)
塗布装置として例えば、レジスト溶液を基板に塗布する
ためのレジストの塗布装置がある。
ためのレジストの塗布装置がある。
従来のレジスト塗布装置としては1例えば第3図に示す
ようなものがある。すなわち、このレジストの塗布装置
は上部にレジスト溶液2を供給する供給口1を、下部に
レジスト溶液2を塗布する基板3およびこの基板3を水
平に保持し、回転させるスピナ4を備えている。
ようなものがある。すなわち、このレジストの塗布装置
は上部にレジスト溶液2を供給する供給口1を、下部に
レジスト溶液2を塗布する基板3およびこの基板3を水
平に保持し、回転させるスピナ4を備えている。
このレジスト塗布装置では、第3図に示すよう ′に
供給口1からレジスト溶液2を基板3の中央部に滴下さ
せ、スピナ4を回転させ遠心力により基板平面上に全面
にわたって分散させ、第4図に示すように基板表面にレ
ジスト[5を形成させるものである。
供給口1からレジスト溶液2を基板3の中央部に滴下さ
せ、スピナ4を回転させ遠心力により基板平面上に全面
にわたって分散させ、第4図に示すように基板表面にレ
ジスト[5を形成させるものである。
しかしながら、上記のように遠心力によりレジスト溶液
2を基板3平面上に分散させレジスト膜5を形成させる
場合、レジスト溶液2の流れは遠心力の方向、つまり基
板3の回転中心から放射状に半径方向に向く流れとなる
。ところで、基板3平面上には第5図に示すように凹凸
状のエツチング・パターンが設けられており、レジスト
溶液2の流れは、この凹凸状のエツチング・パターンの
段差6でせきとめられ、これより下流ではレジスト溶液
2の流れが不均一になり、レジスト膜には第6図に示す
ように基板3中心から放射状に不均一な領域7いわゆる
ウェーク・パターンが生じてしまうという問題があった
。
2を基板3平面上に分散させレジスト膜5を形成させる
場合、レジスト溶液2の流れは遠心力の方向、つまり基
板3の回転中心から放射状に半径方向に向く流れとなる
。ところで、基板3平面上には第5図に示すように凹凸
状のエツチング・パターンが設けられており、レジスト
溶液2の流れは、この凹凸状のエツチング・パターンの
段差6でせきとめられ、これより下流ではレジスト溶液
2の流れが不均一になり、レジスト膜には第6図に示す
ように基板3中心から放射状に不均一な領域7いわゆる
ウェーク・パターンが生じてしまうという問題があった
。
(発明が解決しようとする問題点)
上記のように従来のレジスト塗布装置では、基板上に設
けられたエツチング・パターンの凹凸状の段差のため、
基板回転中心から放射状にレジスト溶液の流れに不均一
な領域を生じ、レジスト膜が基板全域にわたって均一に
形成されない恐れがあった。
けられたエツチング・パターンの凹凸状の段差のため、
基板回転中心から放射状にレジスト溶液の流れに不均一
な領域を生じ、レジスト膜が基板全域にわたって均一に
形成されない恐れがあった。
そこで本発明は、上記の問題点等を解決するもので、基
板全域にわたって塗布材を均一に塗布することができる
塗布装置の提供を目的としている。
板全域にわたって塗布材を均一に塗布することができる
塗布装置の提供を目的としている。
〔発明の構成〕
(問題点を解決するための手段)
本発明の塗布装置においては、基板上に塗布材を供給し
た後に5塗布材を基板に押しつける方向に相対的に大き
な加速度を加えるように基板を鉛直方向に上昇、下降さ
せている。
た後に5塗布材を基板に押しつける方向に相対的に大き
な加速度を加えるように基板を鉛直方向に上昇、下降さ
せている。
(作 用)
このように構成されたものにおいては、塗布材が固化す
る前に基板を上下運動させ、特に塗布材が基板に強く押
しつけられるようにしたため、塗布材の各粒子が重力方
向に強い慣性力を受け、塗布材を均一な厚さ及び組成で
基板に塗布することができる。
る前に基板を上下運動させ、特に塗布材が基板に強く押
しつけられるようにしたため、塗布材の各粒子が重力方
向に強い慣性力を受け、塗布材を均一な厚さ及び組成で
基板に塗布することができる。
(実施例)
以下本発明の塗布装置をレジストの塗布装置に適用した
実施例を図面を参照して説明する。第1図は、本発明の
レジストの塗布装置の概念図で、第3図、第4図と同一
部分若しくは和尚する部分には同一符号を付してその説
明は省略する。
実施例を図面を参照して説明する。第1図は、本発明の
レジストの塗布装置の概念図で、第3図、第4図と同一
部分若しくは和尚する部分には同一符号を付してその説
明は省略する。
本発明のレジストの塗布装置が従来のそれと異なる点は
、基板が重力方向に往復運動することである。すなわち
基板3は、回転軸4の軸方向に上下運動をする。
、基板が重力方向に往復運動することである。すなわち
基板3は、回転軸4の軸方向に上下運動をする。
この上下運動パターンの一例を第2図に示す。
第2図(a)は、基板3がある位置を中心に上下に変位
したときの時間変化を表わしている。これに対応して第
2図(b)は速度パターン、第2図(c)は加速度パタ
ーンを示している。基板3上のレジスト溶液2の各粒子
には、第2図(C)に示す加速度に比例した力が加わる
。つまり、時刻t工t tz付近でレジスト溶液2の各
粒子には、基板3に押しつけられる強い力が加わる。時
刻11,1.付近以外では、各粒子には、基板3から離
れようとする力が加わるが、第2図(c)の加速度パタ
ーンから明らかなように、これは非常に小さな力である
ため、膜厚の均一化に影響を与えることはない。
したときの時間変化を表わしている。これに対応して第
2図(b)は速度パターン、第2図(c)は加速度パタ
ーンを示している。基板3上のレジスト溶液2の各粒子
には、第2図(C)に示す加速度に比例した力が加わる
。つまり、時刻t工t tz付近でレジスト溶液2の各
粒子には、基板3に押しつけられる強い力が加わる。時
刻11,1.付近以外では、各粒子には、基板3から離
れようとする力が加わるが、第2図(c)の加速度パタ
ーンから明らかなように、これは非常に小さな力である
ため、膜厚の均一化に影響を与えることはない。
このように、基板3にレジスト溶液2が強く押しつけら
れるような上下運動パターンを与えることによって、従
来生じていたウェーク、パターンが緩和され膜厚均一な
レジスト膜が形成できる。
れるような上下運動パターンを与えることによって、従
来生じていたウェーク、パターンが緩和され膜厚均一な
レジスト膜が形成できる。
本発明においては、基板3を上下運動させる機構に関し
ては限定しないが、例えば、所定の上下運動を与えるた
めの特殊な形状を有する溝付きカム等を回転させ、カム
の縁に回転軸4に設けたローラを沿わせて移動させ、こ
のローラがカムからはずれないように、ロッドで連結し
たローラをカムの縁に沿って形成された溝に当接させて
移動させるようにすればよい。
ては限定しないが、例えば、所定の上下運動を与えるた
めの特殊な形状を有する溝付きカム等を回転させ、カム
の縁に回転軸4に設けたローラを沿わせて移動させ、こ
のローラがカムからはずれないように、ロッドで連結し
たローラをカムの縁に沿って形成された溝に当接させて
移動させるようにすればよい。
なお、基板の上下運動はスピナ4の回転と同時に行なっ
てもよいし、レジスト溶液が均一に塗布された後にスピ
ナ4の回転を停止させ、レジスト溶液が固化しないうち
(レジスト溶液の粘度を調整して固化を遅らせる)に上
下運動させるようにしてもよい。
てもよいし、レジスト溶液が均一に塗布された後にスピ
ナ4の回転を停止させ、レジスト溶液が固化しないうち
(レジスト溶液の粘度を調整して固化を遅らせる)に上
下運動させるようにしてもよい。
さらには、スピナ4を回転させずに上下運動だけさせて
もよい0回転させない時には塗布の速度が鈍るが、その
ときには塗布材(レジスト溶液)の粘度を調整して対応
すればよい。
もよい0回転させない時には塗布の速度が鈍るが、その
ときには塗布材(レジスト溶液)の粘度を調整して対応
すればよい。
そして、回転させないために、基板が円形である必要は
なく、任意の形状の基板に塗布材を均一な厚さで塗布す
ることができる。
なく、任意の形状の基板に塗布材を均一な厚さで塗布す
ることができる。
このように、本発明の塗布装置は種々変形して適用する
ことができ、その範囲はレジストの塗布装置に限定され
るものではない。
ことができ、その範囲はレジストの塗布装置に限定され
るものではない。
以上説明してきたように、本発明によれば基板に塗布材
を均一な厚さ及び均一な組成で塗布することができる。
を均一な厚さ及び均一な組成で塗布することができる。
第1図は本発明の塗布装置に係るレジストの塗布装置の
概念図、第2図は本発明に係る基板の運動パターンの一
例を示す運動パターン線図、第3図と第4図は従来のレ
ジストの塗布装置を示す側面図、第5図と第6図は従来
の問題点を示す説明図である。 1・・・供給口 2・・・レジスト溶液(塗布材
)3・・・基板 4・・・回転軸代理人 弁理
士 則 近 憲 佑 同 竹 花 喜久男 第1図 第2図 第3図 第4図 第6図
概念図、第2図は本発明に係る基板の運動パターンの一
例を示す運動パターン線図、第3図と第4図は従来のレ
ジストの塗布装置を示す側面図、第5図と第6図は従来
の問題点を示す説明図である。 1・・・供給口 2・・・レジスト溶液(塗布材
)3・・・基板 4・・・回転軸代理人 弁理
士 則 近 憲 佑 同 竹 花 喜久男 第1図 第2図 第3図 第4図 第6図
Claims (2)
- (1)基板上に塗布材を供給する供給手段と、前記基板
を水平保持する保持手段と、 前記基板を鉛直方向に上昇、下降させ、前記塗布材を前
記基板に押しつける方向に相対的に大きな加速度を発生
させる上下移動手段とを具備することを特徴とする塗布
装置。 - (2)前記保持手段は、基板中心を回転中心として回転
可能であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
の塗布装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24417186A JPS63100972A (ja) | 1986-10-16 | 1986-10-16 | 塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24417186A JPS63100972A (ja) | 1986-10-16 | 1986-10-16 | 塗布装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63100972A true JPS63100972A (ja) | 1988-05-06 |
Family
ID=17114824
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24417186A Pending JPS63100972A (ja) | 1986-10-16 | 1986-10-16 | 塗布装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63100972A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0653683A1 (en) * | 1993-11-12 | 1995-05-17 | Semiconductor Systems, Inc. | Oscillatory chuck method and apparatus for coating flat substrates |
JPH0810609A (ja) * | 1994-06-30 | 1996-01-16 | Agency Of Ind Science & Technol | 薄膜作成方法および薄膜作成装置 |
-
1986
- 1986-10-16 JP JP24417186A patent/JPS63100972A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0653683A1 (en) * | 1993-11-12 | 1995-05-17 | Semiconductor Systems, Inc. | Oscillatory chuck method and apparatus for coating flat substrates |
US5798140A (en) * | 1993-11-12 | 1998-08-25 | Semiconductor Systems, Inc. | Oscillatory chuck method and apparatus for coating flat substrates |
JPH0810609A (ja) * | 1994-06-30 | 1996-01-16 | Agency Of Ind Science & Technol | 薄膜作成方法および薄膜作成装置 |
US5635241A (en) * | 1994-06-30 | 1997-06-03 | Agency Of Industrial Science And Technology | Method for producing thin film and apparatus therefor |
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