JPS63100744A - ゲ−ト敷き詰め形マスタスライスlsi設計方式 - Google Patents

ゲ−ト敷き詰め形マスタスライスlsi設計方式

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Publication number
JPS63100744A
JPS63100744A JP61245302A JP24530286A JPS63100744A JP S63100744 A JPS63100744 A JP S63100744A JP 61245302 A JP61245302 A JP 61245302A JP 24530286 A JP24530286 A JP 24530286A JP S63100744 A JPS63100744 A JP S63100744A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wiring
master slice
gate
chip
height
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61245302A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasuo Takanashi
高梨 泰夫
Yousuke Nagao
長尾 葉介
Motoyuki Suzuki
基之 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Software Engineering Co Ltd
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Software Engineering Co Ltd
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Software Engineering Co Ltd, Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Software Engineering Co Ltd
Priority to JP61245302A priority Critical patent/JPS63100744A/ja
Publication of JPS63100744A publication Critical patent/JPS63100744A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/10Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
    • H01L27/118Masterslice integrated circuits

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はLSI設計方式に係り、特にゲート敷き詰め形
マスタスライスLSIの配置配線最適化に好適なLSI
設計方式に関する。
〔従来の技術〕
従来、多品種少量生産されるLSIの設計方式として、
あらかじめゲートが埋め込まれているセル配置位置と配
線領域が固定されており、その端子間の配線だけを行う
ことによりLSIの設計が完了するゲートアレイ方式と
、セル配置位置及び配線領域を任意に定められるスタン
ダード方式とが知られている。一方、最近、あらかじめ
LSIチップ全面にセル構成用ゲートを埋め込んでおき
、設計者がそれらのうち任意のゲートを使用してセルを
構成し、そのセル端子間を配線することにより所望の論
理機能を実現できるゲート敷き詰め形マスタスライスL
SIが出現している。
なお、ゲート敷き詰め形マスタスライスLSIについて
は、例えば日経エレクトニクス1985年6月3日号第
165頁から第167頁にかけて論じられている。
[発明が解決しようとする問題点〕 ゲートアレイ方式によりゲート敷き詰め形マスタスライ
スLSIを設計した場合、ゲートの有効活用ができず、
チップ面積が増大する。一方、スタンダードセル方式に
より設計しようとする場合は、ゲート敷き詰め形マスタ
スライスLSI上のセル配置制約が考慮されていないの
で、そのまNではマスタスライスに適合せず、適用不可
という問題がある。
本発明の目的は、ゲート敷き詰め形マスタスライスLS
Iについて、セル配置制約を考慮しながら配置配線設計
の最適化を行うことにある。
〔問題点を解決するための手段〕
上記目的は、チップサイズを最小にするよう考慮しなが
ら仮の配置配線設計をし、次にゲート敷き詰め形マスタ
スライスLSIのセル配置上の制約に適合するようセル
配置・配線領域の調整をし、最後に設計規則を満足する
かチエツクを行い、チエツク結果が不満足のときは設計
規則を満足する方向にパラメタを変え、最初に戻って再
試行を繰り返すことにより達成される。
〔作 用〕
チップサイズを最小にするように配置配線設計を行うこ
とにより、チップ上のゲートの有効活用が実現される。
また、設計規則チエツクを行うのは、仮配置配線結果を
ゲート敷き詰め形マスタスライス上に適用した時、セル
配置上の制約からその配置配線結果が最適でない場合が
生ずることを防ぐためであり、パラメタを変えて再試行
を繰り返すことによりこの問題を解消する。
【実施例〕
以下、本発明の一実施例について図面を用いて詳細に説
明する。
第2図はゲート敷き詰め形マスクスライスLSIチップ
の概略図であり、LSIチップ1の全面に渡りセル列と
して使用可能なゲート列2が埋め込まれている。セル列
はこのゲート列2に一致する位置にのみ配電可能である
。セル列として使用しない場合、ゲート列上空はセル間
配線領域として使用できる。
第1図に、第2図のゲート敷き詰め形マスタスライスL
SIチップ1を用いて論理回路を構成する場合の、本発
明によるセルの配置配線設計手順を示す。
まず、LSIチップ1の幅Ωだけ制約条件として与え、
チップサイズが最小になるようにセルの仮配置配線設計
を行う(ステップ101)、第3図はこの結果を示した
もので、高さX、幅aのLSIの仮装置配線図が得られ
る。
次に、仮配置配線設計結果のチップ高さXをマスタスラ
イス高さと比較する(ステップ102)。
二Nで、ゲート敷き詰め形マスタスライスがaくXなる
高さaを持つとすると、論理回路を該マスタスライス上
にのせることは不可能と判断できる。
この時は、LSIチップ上にのせる論理規模の見直しが
必要になる(ステップ106)、一方、b〉Xなる高さ
bをゲート敷き詰め形マスタスライスが持つならば、こ
のマスタスライス上で論理回路を実現できる可能性があ
るといえる。
マスタスライスの高さが仮配置配線設計結果の高さXよ
り大の高さbである場合、第3図の配置配線結果をセル
列配置上の制約に沿って調整し再配置配線する(ステッ
プ403)、その結果を第4図に示す、第4図において
、チップ中央部のセル列間の幅がn、となり、第3図の
m、と異なるのは、チップ上の配置制約に沿ってセル列
位置の移動を行った−めであり、また、この時、m 、
 (n 。
とセル列間隔が広げられているのは、前記仮装置配線に
て得られた配線を実施するための配線領域容量を確保す
るためである。このようにして、ゲート敷き詰め形マス
タスライス上のセル配置条件に沿って最適な配置配線結
果が得られたことになる。
一方、仮配置配線結果をチップ上の制約にあわせて再調
整した場合、セル列や配線領域がチップ外へはみ出すこ
とがある。このため、上記配賦配線結果がマスタスライ
ス上におさまるかどうか判定しくステップ104)、お
さまらない場合は、セル間の配線チャネル領域をたて方
向に圧縮し、横方向に引き伸ばすようなパラメタを与え
て(ステップ105)、ステップ101に戻り、仮装置
配線を再試行することにより、配置配線の最適化を図る
本実施例によれば、小さなサイズのチップを有効に利用
して論理機能を実現することができる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば、ゲート敷き詰め
形マスタスライスLSIの配置配線可能性の見積りが容
易にでき、また設計上のパラメタを変えて反復試行する
ことにより設計最適化が行えるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
一第1図は本発明によるゲート敷き詰め形マスタスライ
スLSI設計手順の一実施例を示す図、第2図はゲート
敷き詰め形マスタスライスLSIの配置配線前の状態を
示す図、第3図は仮装置配線結果を示す図、第4図は第
3図をゲート敷き詰め形マスタスライスLSI上に適合
するよう調整した結果を示す図である。 1・・・ゲート敷き詰め形マスタスライスLSI、2・
・・ゲート列、 ml、m、、n2.m、・・・配線領域。 代理人弁理士  小 川 勝 男″、 、11X−、″ 第3図 %j

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)あらかじめLSIチップ全面にセル構成用ゲート
    を埋め込んでおき、それらのうち任意のゲートを使用し
    てセルを構成し、そのセル端子間を配線することにより
    所望の論理機能を実現するゲート敷き詰め形マスタスラ
    イスLSIにおいて、 イ、配置上の制約から自由にした状態でチップサイズを
    最小にするように仮配置配線設計し、 ロ、上記イの結果を、前記マスタスライスでのセル配置
    上の制約条件に適合するよう配置配線調整し、 ハ、上記ロの結果が設計規則を満足しない時、設計規則
    を満足させるようパラメタを変えて上記イに戻り再試行
    する、 処理を繰り返し実行することにより最適な配置配線結果
    を得ることを特徴とするゲート敷き詰め形マスタスライ
    スLSI設計方式。
JP61245302A 1986-10-17 1986-10-17 ゲ−ト敷き詰め形マスタスライスlsi設計方式 Pending JPS63100744A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61245302A JPS63100744A (ja) 1986-10-17 1986-10-17 ゲ−ト敷き詰め形マスタスライスlsi設計方式

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JP61245302A JPS63100744A (ja) 1986-10-17 1986-10-17 ゲ−ト敷き詰め形マスタスライスlsi設計方式

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS63100744A true JPS63100744A (ja) 1988-05-02

Family

ID=17131649

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61245302A Pending JPS63100744A (ja) 1986-10-17 1986-10-17 ゲ−ト敷き詰め形マスタスライスlsi設計方式

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JP (1) JPS63100744A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0448651A (ja) * 1990-06-14 1992-02-18 Nec Corp 配置改良方式

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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