JPS6298828A - 三値論理回路 - Google Patents
三値論理回路Info
- Publication number
- JPS6298828A JPS6298828A JP60238753A JP23875385A JPS6298828A JP S6298828 A JPS6298828 A JP S6298828A JP 60238753 A JP60238753 A JP 60238753A JP 23875385 A JP23875385 A JP 23875385A JP S6298828 A JPS6298828 A JP S6298828A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- field effect
- effect transistor
- output
- electric field
- transistor
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、三値論理回路、特に、C−MO8三イ[〜論
理回路における出力オン抵抗の低域に関する4゜〔従来
の技術〕 第2図は従来のC−MO8三値論理回路であり、ハイレ
ベル出力用チャンネル型MO8電界効果トランジスタ1
とミドルレベル出力用Pチャンネル型MO8電界効果ト
ランジスタ2とローレベル出力用Nチャンネル型MO8
電界効果トランジスタlとがそれぞれハイレベル用電源
VDD□ ミドルレベル用電源vDD2 ローレベル
用電源■3.と出力端子12との間に接続されており、
また入力端子10゜11からの信号が直接又はナントゲ
ート7、インバータ8を通ってそれぞれのトランジスタ
のゲートに入力される。
理回路における出力オン抵抗の低域に関する4゜〔従来
の技術〕 第2図は従来のC−MO8三値論理回路であり、ハイレ
ベル出力用チャンネル型MO8電界効果トランジスタ1
とミドルレベル出力用Pチャンネル型MO8電界効果ト
ランジスタ2とローレベル出力用Nチャンネル型MO8
電界効果トランジスタlとがそれぞれハイレベル用電源
VDD□ ミドルレベル用電源vDD2 ローレベル
用電源■3.と出力端子12との間に接続されており、
また入力端子10゜11からの信号が直接又はナントゲ
ート7、インバータ8を通ってそれぞれのトランジスタ
のゲートに入力される。
1述した従来の三値論理回路は、ミドルレベル出力用P
チャンネル型MO8%界効果トランジスタに;−、バッ
クゲート電、圧としてVDDIが印加されているため、
バックゲート電圧が印加されていない場合よシも、同一
ゲート電圧V。3での出力オン抵抗が大きくなる。した
がって、低出力オン抵抗にするためには、このミドルレ
ベル出力用Pチャンネル型MO8電界効果トランジスタ
のディメンジョンを太きくしなければならないという欠
点がある。
チャンネル型MO8%界効果トランジスタに;−、バッ
クゲート電、圧としてVDDIが印加されているため、
バックゲート電圧が印加されていない場合よシも、同一
ゲート電圧V。3での出力オン抵抗が大きくなる。した
がって、低出力オン抵抗にするためには、このミドルレ
ベル出力用Pチャンネル型MO8電界効果トランジスタ
のディメンジョンを太きくしなければならないという欠
点がある。
本発明のC−MO8三値論理回路は、高電圧源と出力端
子間に接続されたPチャンネル型電界効果トランジスタ
と、低電圧源と出力端子間に接続されたNチャンネル型
電果効果トランジスタと、中間電圧源と出力端子間に接
続されたNチャンネル型電界効果トランジスタと、中間
電圧源と出力端子との間に直列接続されたPチャンネル
型およびNチャンネル型電界効果トランジスタからなる
相補型MOSインバータ回路とを有し、中間電圧源と出
力端子に接続されたNチャンネル型電界効果トランジス
タのバックゲートが相補型MOSインバーター回路の出
力に接続されたことを特徴とする。
子間に接続されたPチャンネル型電界効果トランジスタ
と、低電圧源と出力端子間に接続されたNチャンネル型
電果効果トランジスタと、中間電圧源と出力端子間に接
続されたNチャンネル型電界効果トランジスタと、中間
電圧源と出力端子との間に直列接続されたPチャンネル
型およびNチャンネル型電界効果トランジスタからなる
相補型MOSインバータ回路とを有し、中間電圧源と出
力端子に接続されたNチャンネル型電界効果トランジス
タのバックゲートが相補型MOSインバーター回路の出
力に接続されたことを特徴とする。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例による回路図である。
Pチャンネル型MO8[界効果トランジスタ1はハイレ
ベル出力用、Nチャンネル型MO8電界効果トランジス
タ4はミドルレベル出力用、Nチャンネル型M08電界
効果トランジスタ3はローレベル出力用である。又、中
間電圧源■DD□と出力端子12との間に直列に接続さ
れたPチャンネル型MO5ill界効果トランジスタ5
とNチャンネル型MO8電界効果トランジスタ6で構成
されるインバータ16は入力がローレベル出力用Nチャ
ンネルMO8電界効果トランジスタのゲートに接続され
、出力がトランジスタ4のバックゲートに接続されてお
り、トランジスタ4のバックゲート電圧を制御するよう
になっている。
ベル出力用、Nチャンネル型MO8電界効果トランジス
タ4はミドルレベル出力用、Nチャンネル型M08電界
効果トランジスタ3はローレベル出力用である。又、中
間電圧源■DD□と出力端子12との間に直列に接続さ
れたPチャンネル型MO5ill界効果トランジスタ5
とNチャンネル型MO8電界効果トランジスタ6で構成
されるインバータ16は入力がローレベル出力用Nチャ
ンネルMO8電界効果トランジスタのゲートに接続され
、出力がトランジスタ4のバックゲートに接続されてお
り、トランジスタ4のバックゲート電圧を制御するよう
になっている。
今、出力がハイレベルまたは、ミドルレベルにある時、
ローレベル出力用トランジスタ3はオフしているのでイ
ンバーター160入力電圧はv33チャン/r−ル■ソ
ゴO≦ であり、インバータの出力電圧、すd)フモラ掲i−ト
ランジスタ2のバックゲート電圧ハ■DD2 となり2
のバックゲート電圧はv、Sとなる。すなわち。
ローレベル出力用トランジスタ3はオフしているのでイ
ンバーター160入力電圧はv33チャン/r−ル■ソ
ゴO≦ であり、インバータの出力電圧、すd)フモラ掲i−ト
ランジスタ2のバックゲート電圧ハ■DD2 となり2
のバックゲート電圧はv、Sとなる。すなわち。
ミドルレベル出力用トランジスタがオンしているとき、
そのバックゲートに印加される電圧vDD2は、そのと
きの出力電圧vDD2と同じであり、いわゆるバックゲ
ート’4圧が印加されていないのと同じ状態となる。
そのバックゲートに印加される電圧vDD2は、そのと
きの出力電圧vDD2と同じであり、いわゆるバックゲ
ート’4圧が印加されていないのと同じ状態となる。
以上説明したように本発明は、従来の三値出力回路のミ
ドルレベル出力用Pチャンネル型電界効果トランジスタ
tNチャンネル型電界効果トランジスタとし、そのバッ
クゲートx圧全コントロールすることにより低出力オン
抵抗が得られ、従来と同一出力オン抵抗ケ得ることので
きるトランジスタのディメンジョンr小ざくすることが
できる効果かりる。
ドルレベル出力用Pチャンネル型電界効果トランジスタ
tNチャンネル型電界効果トランジスタとし、そのバッ
クゲートx圧全コントロールすることにより低出力オン
抵抗が得られ、従来と同一出力オン抵抗ケ得ることので
きるトランジスタのディメンジョンr小ざくすることが
できる効果かりる。
第1図は本発明の一実施例によるC−MO8三値論理回
路の回路図、第2図は従来のC−MO8三値論理回路の
回路図である。 1.2.5・・・・・・Pチャンネル型M OS 電界
効果トランジスタ、3,4,6・・・・・・Nチャンネ
ル型MO8電界効果トランジスタ、7・・・・・・ナン
トゲート、8.9,16・・・・・・インバーター、1
0・・・−・・入力端子1.11・・・・・・入力端子
2.12・・・・・・出力端子、13・・・・・・高電
圧源(vDDl)、14・・・・・・中間電圧源(VD
D2)、15−・−−−−低電圧源(V8s)。 代理人 弁堆士 内 原 ニー;−・5・乙、−
゛ ゛(・小・・
路の回路図、第2図は従来のC−MO8三値論理回路の
回路図である。 1.2.5・・・・・・Pチャンネル型M OS 電界
効果トランジスタ、3,4,6・・・・・・Nチャンネ
ル型MO8電界効果トランジスタ、7・・・・・・ナン
トゲート、8.9,16・・・・・・インバーター、1
0・・・−・・入力端子1.11・・・・・・入力端子
2.12・・・・・・出力端子、13・・・・・・高電
圧源(vDDl)、14・・・・・・中間電圧源(VD
D2)、15−・−−−−低電圧源(V8s)。 代理人 弁堆士 内 原 ニー;−・5・乙、−
゛ ゛(・小・・
Claims (1)
- 高電圧源と出力端子間に接続されたPチャンネル型電界
効果トランジスタと、低電圧源と前記出力端子間に接続
されたNチャンネル型電界トランジスタと、中間電圧源
と前記出力端子間に接続されたNチャンネル型電界効果
トランジスタと、前記中間電圧源と前記出力端子との間
に直列接続されたPチャンネル型およびNチャンネル型
電界効果トランジスタからなる相補型MOSインバータ
回路とを有し、前記中間電圧源と前記出力端子間に接続
された前記Nチャンネル型電界効果トランジスタのバッ
クゲートが前記相補型MOSインバーター回路の出力に
接続されたことを特徴とする三値論理回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60238753A JPS6298828A (ja) | 1985-10-24 | 1985-10-24 | 三値論理回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60238753A JPS6298828A (ja) | 1985-10-24 | 1985-10-24 | 三値論理回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6298828A true JPS6298828A (ja) | 1987-05-08 |
Family
ID=17034748
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60238753A Pending JPS6298828A (ja) | 1985-10-24 | 1985-10-24 | 三値論理回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6298828A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03185923A (ja) * | 1989-12-14 | 1991-08-13 | Nec Corp | 半導体集積回路 |
-
1985
- 1985-10-24 JP JP60238753A patent/JPS6298828A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03185923A (ja) * | 1989-12-14 | 1991-08-13 | Nec Corp | 半導体集積回路 |
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