JPS6298828A - 三値論理回路 - Google Patents

三値論理回路

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Publication number
JPS6298828A
JPS6298828A JP60238753A JP23875385A JPS6298828A JP S6298828 A JPS6298828 A JP S6298828A JP 60238753 A JP60238753 A JP 60238753A JP 23875385 A JP23875385 A JP 23875385A JP S6298828 A JPS6298828 A JP S6298828A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
field effect
effect transistor
output
electric field
transistor
Prior art date
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Pending
Application number
JP60238753A
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English (en)
Inventor
Tadashi Saito
正 斉藤
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、三値論理回路、特に、C−MO8三イ[〜論
理回路における出力オン抵抗の低域に関する4゜〔従来
の技術〕 第2図は従来のC−MO8三値論理回路であり、ハイレ
ベル出力用チャンネル型MO8電界効果トランジスタ1
とミドルレベル出力用Pチャンネル型MO8電界効果ト
ランジスタ2とローレベル出力用Nチャンネル型MO8
電界効果トランジスタlとがそれぞれハイレベル用電源
VDD□ ミドルレベル用電源vDD2  ローレベル
用電源■3.と出力端子12との間に接続されており、
また入力端子10゜11からの信号が直接又はナントゲ
ート7、インバータ8を通ってそれぞれのトランジスタ
のゲートに入力される。
〔発明が解決しようとする問題点〕
1述した従来の三値論理回路は、ミドルレベル出力用P
チャンネル型MO8%界効果トランジスタに;−、バッ
クゲート電、圧としてVDDIが印加されているため、
バックゲート電圧が印加されていない場合よシも、同一
ゲート電圧V。3での出力オン抵抗が大きくなる。した
がって、低出力オン抵抗にするためには、このミドルレ
ベル出力用Pチャンネル型MO8電界効果トランジスタ
のディメンジョンを太きくしなければならないという欠
点がある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明のC−MO8三値論理回路は、高電圧源と出力端
子間に接続されたPチャンネル型電界効果トランジスタ
と、低電圧源と出力端子間に接続されたNチャンネル型
電果効果トランジスタと、中間電圧源と出力端子間に接
続されたNチャンネル型電界効果トランジスタと、中間
電圧源と出力端子との間に直列接続されたPチャンネル
型およびNチャンネル型電界効果トランジスタからなる
相補型MOSインバータ回路とを有し、中間電圧源と出
力端子に接続されたNチャンネル型電界効果トランジス
タのバックゲートが相補型MOSインバーター回路の出
力に接続されたことを特徴とする。
〔実施例〕 次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例による回路図である。
Pチャンネル型MO8[界効果トランジスタ1はハイレ
ベル出力用、Nチャンネル型MO8電界効果トランジス
タ4はミドルレベル出力用、Nチャンネル型M08電界
効果トランジスタ3はローレベル出力用である。又、中
間電圧源■DD□と出力端子12との間に直列に接続さ
れたPチャンネル型MO5ill界効果トランジスタ5
とNチャンネル型MO8電界効果トランジスタ6で構成
されるインバータ16は入力がローレベル出力用Nチャ
ンネルMO8電界効果トランジスタのゲートに接続され
、出力がトランジスタ4のバックゲートに接続されてお
り、トランジスタ4のバックゲート電圧を制御するよう
になっている。
今、出力がハイレベルまたは、ミドルレベルにある時、
ローレベル出力用トランジスタ3はオフしているのでイ
ンバーター160入力電圧はv33チャン/r−ル■ソ
ゴO≦ であり、インバータの出力電圧、すd)フモラ掲i−ト
ランジスタ2のバックゲート電圧ハ■DD2 となり2
のバックゲート電圧はv、Sとなる。すなわち。
ミドルレベル出力用トランジスタがオンしているとき、
そのバックゲートに印加される電圧vDD2は、そのと
きの出力電圧vDD2と同じであり、いわゆるバックゲ
ート’4圧が印加されていないのと同じ状態となる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、従来の三値出力回路のミ
ドルレベル出力用Pチャンネル型電界効果トランジスタ
tNチャンネル型電界効果トランジスタとし、そのバッ
クゲートx圧全コントロールすることにより低出力オン
抵抗が得られ、従来と同一出力オン抵抗ケ得ることので
きるトランジスタのディメンジョンr小ざくすることが
できる効果かりる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例によるC−MO8三値論理回
路の回路図、第2図は従来のC−MO8三値論理回路の
回路図である。 1.2.5・・・・・・Pチャンネル型M OS 電界
効果トランジスタ、3,4,6・・・・・・Nチャンネ
ル型MO8電界効果トランジスタ、7・・・・・・ナン
トゲート、8.9,16・・・・・・インバーター、1
0・・・−・・入力端子1.11・・・・・・入力端子
2.12・・・・・・出力端子、13・・・・・・高電
圧源(vDDl)、14・・・・・・中間電圧源(VD
D2)、15−・−−−−低電圧源(V8s)。 代理人 弁堆士  内 原   ニー;−・5・乙、−
゛ ゛(・小・・

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 高電圧源と出力端子間に接続されたPチャンネル型電界
    効果トランジスタと、低電圧源と前記出力端子間に接続
    されたNチャンネル型電界トランジスタと、中間電圧源
    と前記出力端子間に接続されたNチャンネル型電界効果
    トランジスタと、前記中間電圧源と前記出力端子との間
    に直列接続されたPチャンネル型およびNチャンネル型
    電界効果トランジスタからなる相補型MOSインバータ
    回路とを有し、前記中間電圧源と前記出力端子間に接続
    された前記Nチャンネル型電界効果トランジスタのバッ
    クゲートが前記相補型MOSインバーター回路の出力に
    接続されたことを特徴とする三値論理回路。
JP60238753A 1985-10-24 1985-10-24 三値論理回路 Pending JPS6298828A (ja)

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JP60238753A JPS6298828A (ja) 1985-10-24 1985-10-24 三値論理回路

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JPS6298828A true JPS6298828A (ja) 1987-05-08

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03185923A (ja) * 1989-12-14 1991-08-13 Nec Corp 半導体集積回路

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03185923A (ja) * 1989-12-14 1991-08-13 Nec Corp 半導体集積回路

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