JPS629740Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS629740Y2 JPS629740Y2 JP1980133537U JP13353780U JPS629740Y2 JP S629740 Y2 JPS629740 Y2 JP S629740Y2 JP 1980133537 U JP1980133537 U JP 1980133537U JP 13353780 U JP13353780 U JP 13353780U JP S629740 Y2 JPS629740 Y2 JP S629740Y2
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- Japan
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- lead
- resin
- conductor
- conductors
- metal substrate
- Prior art date
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- Expired
Links
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Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は一つまたは複数の半導体素子を支持す
る金属基板と絶縁材料枠体とよりなる槽状容器に
樹脂を注入して封止した樹脂封止形半導体装置に
関する。
る金属基板と絶縁材料枠体とよりなる槽状容器に
樹脂を注入して封止した樹脂封止形半導体装置に
関する。
このような半導体装置は例えばパワートランジ
スタのような電力用半導体素子を含む半導体装置
に利用せられ、半導体素子に発生した熱は直接ま
たは熱良導性で電気絶縁性の中間板を介して金属
基板から外部へ放熱される。一方半導体素子への
接続導体は注入樹脂層を通つて外部へ引出され
る。この引出し接続導体は通電容器に対応する断
面積を必要するほか外部導体との接続も容易でな
ければならない。しかも半導体装置の外形寸法が
大きくなると不要な材料を必要とすることによつ
て高価になるばかりでなく、保存、輸送などにお
いて大きな空間を占有し、またこの半導体装置を
組込んだ装置も大形になるなどの不利が生ずる。
スタのような電力用半導体素子を含む半導体装置
に利用せられ、半導体素子に発生した熱は直接ま
たは熱良導性で電気絶縁性の中間板を介して金属
基板から外部へ放熱される。一方半導体素子への
接続導体は注入樹脂層を通つて外部へ引出され
る。この引出し接続導体は通電容器に対応する断
面積を必要するほか外部導体との接続も容易でな
ければならない。しかも半導体装置の外形寸法が
大きくなると不要な材料を必要とすることによつ
て高価になるばかりでなく、保存、輸送などにお
いて大きな空間を占有し、またこの半導体装置を
組込んだ装置も大形になるなどの不利が生ずる。
本考案は冒頭に述べたような樹脂封止半導体装
置内の複数の半導体素子の電極と引出し導体間の
接続作業を容易にし、かつ半導体装置を小形であ
つて外部導体との接続も容易な構造を提供するこ
とを目的とする。
置内の複数の半導体素子の電極と引出し導体間の
接続作業を容易にし、かつ半導体装置を小形であ
つて外部導体との接続も容易な構造を提供するこ
とを目的とする。
この目的は半導体素子に接続された複数本の条
状引出し導体を二列をなして、枠体の対向する両
壁面にそれぞれ近接させ、かつ該壁面にその面を
平行させて金属基板に対し垂直の方向に引出すこ
とによつて達成される。
状引出し導体を二列をなして、枠体の対向する両
壁面にそれぞれ近接させ、かつ該壁面にその面を
平行させて金属基板に対し垂直の方向に引出すこ
とによつて達成される。
以下図面を用いて本考案の実施例について説明
する。第１図において、金属基板１の上に２枚の
絶縁板２が接着されている。絶縁板２は例えば酸
化ベリリウムあるいは酸化アルミニウムのような
熱良導性セラミツクスからなる。絶縁板２の上に
それぞれ半導体チツプ３を固着する。半導体チツ
プ３は単一の半導体素子あるいは集積回路を形成
している。半導体チツプ３を直接絶縁板に固着せ
ず、支持板として例えばモリブデン板を介して絶
縁板２の上に固着してもよい。次に複数の条状引
出し導体４の端部４１を絶縁板２に固着する。固
着は、例えば予め絶縁板２の対応する箇所に金属
被覆を施し、引出し導体４をそれにろう付するこ
とによつて行われる。導体４は、例えば第２図に
示すようなリードフレームの形にし一体のまま絶
縁板との固着し、その後切離すこともできる。次
いで導体４の固着されない部分４２を折り曲げて
基板１に対し垂直に立てる。この場合立てられた
部分４２は対向して二列に両側に並ぶようにされ
る。さらに半導体チツプ３の上の電極と基板上の
導体部分４１との間を、例えばアルミニウム線５
によつて接続する。この基板１の上に、第３図に
示すように取り付け孔６の部分を除いて周辺を覆
い、絶縁板２、半導体チツプ３および引出し導体
４を囲む合成樹脂枠体７を接着する。この場合、
導体４の立上り部４２は枠体７の内壁面に近接
し、その面に対し導体面が平行であるように位置
する。この枠体７の中に半導体チツプ３および接
続導線５を保護する注型樹脂を注入した後、枠体
７の上に蓋体８をかぶせる。この際導体立上り部
４２は蓋体８の孔８１を貫通するが、第１図に示
す孔４３を有するその先端部はさらに基板１に平
行に折り曲げられて端子４４を形成する。この端
子孔４３に図示しない外部導体をねじ９によつて
ねじ止めする。ねじ９は端子４４の下側にあつて
図では見ることのできない蓋体の適合した形の凹
所に落し込むことによつて回り止めされたナツト
にねじ込まれている。
する。第１図において、金属基板１の上に２枚の
絶縁板２が接着されている。絶縁板２は例えば酸
化ベリリウムあるいは酸化アルミニウムのような
熱良導性セラミツクスからなる。絶縁板２の上に
それぞれ半導体チツプ３を固着する。半導体チツ
プ３は単一の半導体素子あるいは集積回路を形成
している。半導体チツプ３を直接絶縁板に固着せ
ず、支持板として例えばモリブデン板を介して絶
縁板２の上に固着してもよい。次に複数の条状引
出し導体４の端部４１を絶縁板２に固着する。固
着は、例えば予め絶縁板２の対応する箇所に金属
被覆を施し、引出し導体４をそれにろう付するこ
とによつて行われる。導体４は、例えば第２図に
示すようなリードフレームの形にし一体のまま絶
縁板との固着し、その後切離すこともできる。次
いで導体４の固着されない部分４２を折り曲げて
基板１に対し垂直に立てる。この場合立てられた
部分４２は対向して二列に両側に並ぶようにされ
る。さらに半導体チツプ３の上の電極と基板上の
導体部分４１との間を、例えばアルミニウム線５
によつて接続する。この基板１の上に、第３図に
示すように取り付け孔６の部分を除いて周辺を覆
い、絶縁板２、半導体チツプ３および引出し導体
４を囲む合成樹脂枠体７を接着する。この場合、
導体４の立上り部４２は枠体７の内壁面に近接
し、その面に対し導体面が平行であるように位置
する。この枠体７の中に半導体チツプ３および接
続導線５を保護する注型樹脂を注入した後、枠体
７の上に蓋体８をかぶせる。この際導体立上り部
４２は蓋体８の孔８１を貫通するが、第１図に示
す孔４３を有するその先端部はさらに基板１に平
行に折り曲げられて端子４４を形成する。この端
子孔４３に図示しない外部導体をねじ９によつて
ねじ止めする。ねじ９は端子４４の下側にあつて
図では見ることのできない蓋体の適合した形の凹
所に落し込むことによつて回り止めされたナツト
にねじ込まれている。
本考案による半導体装置に用いられる複数本の
引出し導体４を全て同じ幅の条状導体とすれば、
ねじ９は同一のものを用いることができるので組
立の上では好都合であるが、電流容量に応じて寸
法を変えることも半導体装置の小形化に対して有
利なことがある。
引出し導体４を全て同じ幅の条状導体とすれば、
ねじ９は同一のものを用いることができるので組
立の上では好都合であるが、電流容量に応じて寸
法を変えることも半導体装置の小形化に対して有
利なことがある。
本考案は金属基板と合成樹脂のような絶縁材料
枠体とよりなる容器内に封止される半導体素子か
らの引出し導体を枠体の対向する両壁面に近接し
て二列をなして立上らせたものであり、引出し導
体を一列に並べた場合に比して装置の長さが短く
小形になるばかりでなく、外部導体との接続端子
の間隔を大きくとることができるので、外部導体
の接続が容易であり、端子間の短絡などの起きる
おそれが少なくなる。また半導体素子の電極と引
出し導体間の接続作業も容易にできる十分な空間
を有する。しかも本考案による半導体装置は複雑
な部品あるいは特別の治具を必要とすることがな
いので低い費用で製造できるなど、本考案の効果
は極めて大きい。
枠体とよりなる容器内に封止される半導体素子か
らの引出し導体を枠体の対向する両壁面に近接し
て二列をなして立上らせたものであり、引出し導
体を一列に並べた場合に比して装置の長さが短く
小形になるばかりでなく、外部導体との接続端子
の間隔を大きくとることができるので、外部導体
の接続が容易であり、端子間の短絡などの起きる
おそれが少なくなる。また半導体素子の電極と引
出し導体間の接続作業も容易にできる十分な空間
を有する。しかも本考案による半導体装置は複雑
な部品あるいは特別の治具を必要とすることがな
いので低い費用で製造できるなど、本考案の効果
は極めて大きい。
第１図は本考案の一実施例の半導体装置の製造
工程の中間状態を示す斜視図、第２図はそれに用
いることのできるリードフレームの斜視図、第３
図はでき上つた半導体装置の外観の斜視図であ
る。 １……金属基板、３……半導体チツプ、４……
引出し接続導体、７……合成樹脂枠体。
工程の中間状態を示す斜視図、第２図はそれに用
いることのできるリードフレームの斜視図、第３
図はでき上つた半導体装置の外観の斜視図であ
る。 １……金属基板、３……半導体チツプ、４……
引出し接続導体、７……合成樹脂枠体。
Claims (1)
- 複数の半導体素子を支持する金属基板と絶縁材
料枠体とよりなる槽状容器に樹脂を注入するもの
において、前記素子に接続された複数本の条状引
出し導体が二列をなして、対向する両壁面にそれ
ぞれ近接し、かつ該壁面にその面を平行させて金
属基板に対し垂直の方向に引出され、さらにこの
引出し導体は前記注入樹脂を通つて外部へ引出さ
れた部分で互いに対向する側へ直角に折り曲げら
れていることを特徴とする樹脂封止形半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1980133537U JPS629740Y2 (ja) | 1980-09-19 | 1980-09-19 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1980133537U JPS629740Y2 (ja) | 1980-09-19 | 1980-09-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5757552U JPS5757552U (ja) | 1982-04-05 |
| JPS629740Y2 true JPS629740Y2 (ja) | 1987-03-06 |
Family
ID=29493761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1980133537U Expired JPS629740Y2 (ja) | 1980-09-19 | 1980-09-19 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS629740Y2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5128624A (ja) * | 1974-09-04 | 1976-03-11 | Semikron Gleichrichterbau | Handotaiseiryukisochi |
| JPS52129378A (en) * | 1976-04-21 | 1977-10-29 | Siemens Ag | Semiconductor device |
| JPS5488773A (en) * | 1977-09-19 | 1979-07-14 | Gentron Corp | Heat dissipation type controller and method of fabricating same |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5611400Y2 (ja) * | 1977-12-01 | 1981-03-14 |
-
1980
- 1980-09-19 JP JP1980133537U patent/JPS629740Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5128624A (ja) * | 1974-09-04 | 1976-03-11 | Semikron Gleichrichterbau | Handotaiseiryukisochi |
| JPS52129378A (en) * | 1976-04-21 | 1977-10-29 | Siemens Ag | Semiconductor device |
| JPS5488773A (en) * | 1977-09-19 | 1979-07-14 | Gentron Corp | Heat dissipation type controller and method of fabricating same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5757552U (ja) | 1982-04-05 |
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