JPS629671A - 半導体装置の製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、一般に、互いに協働する第１組の導電性スト
リップの下に第１組のストリップの形でイオン注入され
たドーピング剤を有する半導体装置を製造する方法弊＃
イ手に関する。このような方法は、電荷結合デバイスの
装作に有用である。

（従来の技術） 固体撮像デバイスは、絵素により吸収されたフォトン（
光量子）に対して応答して少数のキャリヤーを集める半
導体絵素を特徴とする。このようにして発生せしめられ
た電荷は、それらを電位のくぼみ、（ポテンシャル井戸
）の中に集めることによって蓄積される。蓄積された電
荷は、よく知られているように、行および列のシフトレ
ジスタにより出力回路の中に転送され、このことによっ
て電荷の転送が達成される０次に、電荷結合デバイス（
以下、ｒｃｃＤＪと記す）は好ましい形態の固体撮像デ
バイスであり、そして本発明はとくにこれを製造するこ
とに関す底。さらに詳しくは、ＣＣＤはＭＯＳコンデン
サを特徴とし、好ましくはイオン注入によりつくられた
埋め込みチャンネルを特徴とする。ＣＣＤ撮像デバイス
が高度に効率的であるか否かは、イオン注入および対応
する電極の形成によって支配される。

さらに詳しくは、２相の電荷結合デバイスの分野におい
て、イオン注入されたストリップによって形成されたポ
テンシャル井戸とその上に存在する電極との間のエツジ
が整列されるように、装置を製造することが必須である
。これに失敗すると、迷走ポテンシャル井戸および電荷
の効率的な送出に対するバリヤーが生成し、そして装置
の性能は低下する。

米国特許第４　、０３５　、９０６号にはＣＯＤを形成
する方法が記載されている。ここで、第１組の注入スト
リップのイオン注入に使用したマスクは、除去され、第
１組のポリシリコンのストリップの形成には利用されな
い。注入されたストリップに関して食い違い配置される
ように、ポリシリコンのストリップを同定されないベン
チマークによって位置決めさせ・る、第２Ｃ図および第
２Ｄ図。これには、分離酸化工程の間に下方に存在する
基体の中に拡散させることによって、注入されたイオン
を、ポリシリコンのストリップで被覆された注入基体の
部分から除去することが必要である（第２Ｃ図と第２Ｄ
図との間で行われる）。内方への拡散をコントロールす
ることは困難であるので、これは満足すべきものでない
。あるｎ型ドーピング剤は、それを必要としない、酸化
物の中に残留する。後にさらに説明するように、ドーピ
ング剤は下方に存在する電極のまさにそのエツジ（へり
）に、下方にかつ外方に、過度に拡散する傾向があると
いうことは、いっそう重大な欠点である。これは、第１
ｍの電極ならびにそれに隣接して形成された第２組の両
方のポテンシャル井戸を不都合に変更させる。この望ま
しくない電位の変更は、電荷の転送を非効率的とする。

したがって、このような技術において、外の拡散（アウ
ト・ディフュージョン）を精確にコントロールすること
は困難である。これらの困難はＣＣＤの寸法が減少する
につれて悪化し、集積回路の寸法が全体的に減少するこ
とにより、１つの工程を必要する。すなわち、分離酸化
層が薄くなることは酸化時間が短くなることを意味し、
こうして外の拡散を必要に応じて停止させることに対す
る感度が高くなることを意味する。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明によって処理する問題点は、ＣＯＤを製作すると
きにおけるように、半導体の基体における注入されたバ
リヤーのエツジをその上に存在する電極のエツジと精確
に整列させること（エツジアライメント）である。

〔発明の構成〕

本発明の目的は、下記の工程： ａ）半導体の基体の上に導電性材料の層を付着させ、 ｂ）前記導電性層の上にパターン化されたマスクを形成
し、その際、前記パターンによって、導電性層の間隔を
置いて位置する第１ストリップ部分を露出させ、 Ｃ）パターン化されたマスクにより露出された導電性層
のストリップの部分を通して、ドーピング剤のストリッ
プを前記基体の中にイオン注入し、ｄ）注入されたドー
ピング剤のストリップを含有スル前記基体の第１部分の
上および前記第１部分に隣接する前記基体の部分の上に
おける前記導電性層を露出させるように、前記マスクの
一部分のみを除去し、 ｅ）保持されたマスクの部分の間の導電性層上に、工程
ｆ）およびｇ）を実施する時に残留させるために有効な
物質または膜厚の第２ストリツプを形成し、 ｆ）保持されたマスクの部分を除去し、その下に存在す
る導電性層を露出させ、そしてｇ）第２ストリツプで被
覆されていない、上記のような下方に存在する導電性層
をエツチングにより除去する、 を含む方法によって達成される。

以下の説明の多くは、ポリシリコンの電極ストリップを
使用する、２相または仮想の相の型のＣＣＤの構成に関
する。さらに、本発明は、装置がＣＯＤであるか否かあ
るいは電極がポリシリコンであるか否かにかかわらず、
バリヤーの注入物（またはｐ型チャンネル装置のための
井戸注入物）を導電性電極ストリップの下に必要とし、
ここで注入物と電極ストリップが精確に整列される、い
かなる装置にも適用可能である。例えば、本発明は、注
入されるドーピング剤が、例えば、４相のＣＯＤまたは
横のオーバーフロードレインをもつＣＣＤを製作すると
き、ゲートのエツジと自己整列しなければならない、い
かなる場合においても有用である。

注入された部分および第１組の導電性ストリップの適切
なエツジの整列は、一部分、導電性ストリップのエツジ
を位置決めするために有効なマスクのエツジとして、イ
オン注入に使用されるマスキング材料の一部を使用する
ことによって達成される。

第１図は、先行技術の問題点を示す。注入されたドーピ
ング剤５は、酸化物層６の中から外に拡散するとき、第
１ポリシリコンのストリップ８のエツジ部分７に隣接す
る部分において過度に拡散し、基体中にスケッチされた
ポテンシャル井戸の中に望ましくないへこみり、をつく
る傾向がある。

さらに、過度の拡散は、９において、外方に起こって、
第１ストリツプに隣接して形成される電極の第２ストリ
ツプの井戸の中に望ましくないへこみＤ２をつくる。

本発明の方法の工程は、第２Ａ図〜第２に図の好ましい
実施態様によって例示される。半導体装置の基体１０、
最も好ましくは、埋め込まれたｎ型チャンネル（図示せ
ず）を有するｐ型の単結晶のシリコンは、その上に生長
したゲート層１２を有する、第２Ａ図。次いで、シリコ
ン、例えば、ドーピングしたポリシリコンの全体の導電
性層１４を付着させ、次いで、第２Ｂ図、Ｓｉ３Ｎ４の
第１の全体のマスク層１６を付着させる。層１４および
１６の付着は慣用手順に従い、より詳しい説明は不必要
であろう。次いで、酸化物、例えば、付着させた酸化物
の第２の全体のマスク層１８を、適当なイオンマスキン
グ厚、好ましくは約５０００人に付着させる。層１６お
よび１８を普通のホトレジストおよびエツチング技術に
従いパターン化してマスクのストリップ２０を形成し、
その下方に存在する層１４の露出された部分を残す。ス
トリップ２０は好ましくは平行であり、それらの間の間
隔は前もって決定されている。

その後、適当な物質の第３層３０を、その層３０を非平
面とさせる厚さで、全体に付着させる。

すなわち、ストリップ２０と接触している層３０の部分
３２は、好ましくは、このようなストリップ２０間に横
たわる層３０の部分より距ｍｙだけ突出している。この
ような部分の高さは、層３０Φ点線の部分がエツチング
除去され、第２Ｂ図、テイル（尾）部分３４はストリッ
プ２０の下に向かう側に厚さが大きいために残るであろ
う。ｙの代表的な例は５０００人である。このような性
質をもつ物質、例えば、化学的に蒸着させたＳｉｎｇが
有用であり、これは５０００人の公称厚さで被覆したと
き、突出部ｙを生成する。さらに、この物質は、テイル
部分３４のために、第２Ｃ図、十分なホウ素イオン停止
力（ｓｔｏｐｐｉｎｇ　ｐｏｗｅｒ）を提供すべきであ
る。

このような物質のためのい（つかの工・ノチング技術は
、点線部分を除去するために適当である、第２Ｂ図。例
えば、露光しかつ現像したホトレジスト（図示せず）を
介した反応性イオンエツチングまたはプラズマエツチン
グを用いることができる。ポリシリコンがこのような工
・ノチング剤のための完全なエツチング停止剤（エッチ
・スト・ノブ）でないかぎり、みぞ４０がポリシリコン
層１４に同様に生成するということは、このようなエツ
チングの１つの特徴である。このようなみぞは好ましく
は約１００Å以下である。

層３０のためにＳｉＯ□を使用しかつその上にホトレジ
ストを使用する代りに、ホトレジストが十分なイオン停
止力を有して注入されるホウ素を基体１０に到達させな
い場合、層３０はそれ自体そのホトレジストであること
ができる。

この時点で、第１イオン注入工程のためのマスクは完全
にパターン化される。第１組のバリヤーストリップのイ
オン注入は、第２Ｃ図、適当なドーピング剤、例えば、
ホウ素の慣用のイオン注入により、矢印５０で概略的に
示すように、実施される。普通に加えられる注入エネル
ギーは、ホウ素が層１０および１２の界面より下に注入
されるように、すなわち、所望のバリヤー領域の半分を
つくるように選択され、例えば、２００ｋｅＶ以下のエ
ネルギーは通常十分である。注入されたストリップは破
線５２で示されている。しかしながら、酸化物３０およ
びストリップ５２によりつくられたマスクは、ドーピン
グ剤をいかなる場所においても締め出すことにおいて有
効である。こうして、イオン注入されたストリップはみ
ぞ４０と一致しかつ整列し、そしてこの装置のそれらの
部分における電位（ポテンシャル）を変更する。

その後、前述のマスクの５ｉＪ４以外のすべての部分１
６を除去する。これは、例えば、緩衝ＨＦ溶液を用いて
付着酸化物を除去することによって容易に達成される。

これはポリシリコンのみぞの部分４０ばかりでなく、か
つまた前に酸化物３０と接触していた、それに隣接する
部分５４および５６、第２Ｄ図、をも露出させる。耐エ
ツチング性の物質、例えば熱的に生長させた５ｉｎ２ま
たは金属のケイ素化物のストリップ６０を、これらの露
出された表面４０　、５４および５６の上に形成して、
ポリシリコンのパターン化において耐エツチング物質と
して作用させる。このような酸化物のストリップは、ポ
リシリコンが注入されたストリップ５２の位置を描くた
めに前に使用された大きいマスクの部分１６によりおお
われていない場所に、形成される。ストリップ６０を形
成する普通の方法が有用である。ストリップ６０が金属
ケイ素化物であるとき、これはその金属ケイ素化物の金
属、例えば、Ｔｉの層を全体に付着することによって達
成される。次いで、この装置を十分な温度でアニーリン
グして、その金属が露出したポリシリコン層と接触して
いる場所だけにおいて、ケイ素化物を生成させる。次い
で、反応しなかった金属をエツチングにより除去して、
第２Ｄ図の装置の立体的配置を残す。

その後、前のマスクの保持された部分１６を、例えば、
熱Ｈ３ＰＯ４によりあるいは高度に異方性の反応性イオ
ンのエツチング剤により除去する。これは５ｉＯｚスト
リップ６０間のポリシリコンを適当なエツチング剤に対
して露出させるが、Ｓｉ０ｇストリップ６０はエツチン
グ剤に抵抗性でありかつ下方に存在するポリシリコンを
保護する。第２Ｅ図および第２Ｆ図は、ストリップ６０
間のこのような導電性ポリシリコンをエツチング除去し
た結果を示す。形成されるみぞ６５は、ストップ６０を
わずかにアンダーカットすることがある。導電性ポリシ
リコンのストリップ７０が後に残る。

第２Ｆ図は、このようなストリップ６０および７０の特
徴および寸法をいっそう明瞭に示す。ストリップの全体
の幅は“Ｘ”である。エツチングはストリップ７０の１
つの側に表面７５を生成する。使用するエツチング剤に
依存して、表面７５は保護用５ｉ（）□ストリップ６０
をアンダーカットし、そして表面７５の垂直部分から測
定したアンダーカットの量はｘ″である。注入されたバ
リヤーストリップ５２は幅“Ｗ”を有する。ストリップ
５２のエツジ８０は、表面７５の垂直部分との垂直方向
の整列から距離Ｗ′だけ離れるであろう。

前述の寸法の代表的値は、次の通りである：ｘ　　　＝
２〜２０μｍ ｗ　　　＝１〜７μｍ ｘ′＝０〜３０００人 Ｗ　’　＝５００〜２０００人 （アンダーカットを生成しないエツチング法を用いると
き、Ｘ′は０である。） 次いで、ストリップ６０は、例えば、このようなストリ
ップが二酸化ケイ素であるとき、エツチング剤として、
緩衝ＨＦを使用して除去できる。

ストリップ６０が金属ケイ素化物であるとき、それらは
保持され得る。

その後、各全体のポリシリコンのストリップ７０を、例
えば、適当な雰囲気中で加熱することによって酸化する
。代表的な例は、ストリップ７０を８２０を含有する周
囲雰囲気中で約９５０℃の温度に約２０分間加勢するこ
とである。これにより分離酸化物被膜９０が得られる、
第２Ｇ図。このような加熱は、ストリップ５２のエツジ
８０を加熱の苛酷性に依存して外方にわずかに拡散させ
、そして壁の表面７５の傾斜を変化させることがある。

この種の加熱工程の大部分について、拡散後・ヘリの整
列はポリシリコンのストリップ７０の表面７５の垂直部
分に比べてへり８０についてなお存在する、第２Ｇ図。

みぞ４０は表面７５に向かってすべての道のりを延びる
か、あるいは、第２Ｇ図に示すように、その手前で停止
することができる。前者の場合において、酸化工程後の
注入ストリップ５２のエツジと壁の表面７５のエツジと
の間の垂直方向の整列の差は無視することができる。

他の変更を注入マスクについておよび／またはポリシリ
コンのストリップ７０の形成に使用するエツチング剤抵
抗性材料について用いることができる。エツチング剤抵
抗性ストリップ６０の形成に付着する金属がタングステ
ンであり、かつストリップ１８が前述のように５ｉＯｚ
として残るとき、タングステンは、４００〜５００℃に
おいでＷＦｂ蒸気の中から、露出したポリシリコンの表
面４０　、５４および５６の上にのみ析出するであろう
。５ｉ（ｈのストリップ２０およびストリップ１６を除
去すると、ポリシリコンと接触するタングステンはこの
ような表面４０　、５４および５６にのみ残る。引き続
いてエツチングすると、第２Ｅ図の結果が得られ、ここ
でストリップ６０はタングステンでありそして第２Ｇ図
の結果を与える酸化工程前に除去される。

この時点で、第１組の注入バリヤーストリップのみが対
応する上に存在する電極とエツジにおいて整列している
。第２組の注入物および上に存在する電極は次のように
して整列される：第２Ｅ図、材料のＮ１００は第２Ｂ図
の層３０と実質的に同じ方法で、全体に付着される。こ
の材料は層３０と同じようにパターン化される。イオン
注入を矢印１１０、第２■図、で示すように実施して、
層１００の材料でおおわれていない基体の部分において
のみストリップ１２０を注入する。（第２注入のための
注入エネルギーは第１注入のそれよりも例えば約１５０
ｅＶだけ低いので、露出したポリシリコンのストリップ
７０の下において注入は起こらない。）次いで、ストリ
ップ１００を除去する、第２Ｊ図。

次いで、第２組のポリシリコンのストリップを、まず全
体の層として、付着させ、次いでこれをパターン化して
間隔を置いて位置するストリップ１３０を残す、第２に
図。ストリップ１２０は、マスクとしてストリップ７０
を使用するそれらの注入のため、ポリシリコンのストリ
ップ７０の五１辺表面とエツジが整列するため、これら
のストリップはそれらのエツジ１２２において電極スト
リップ１３０のそれぞれのエツジと整列する。

第１組のストリップ７０を共通のターミナル２７０に配
線し、一方、第２組のストリップを共通のターミナル３
３０に配線し、こうして２相のＣＯＤを完成する。

いったん適切なエツジの整列が第１組の注入ストリップ
およびそれらのそれぞれの上に横たわる電極について達
成されると、仮想の相の電極の構成は、第１組のこのよ
うに形成した電極のみを用いて、可能である。これは第
２Ｊ図に示すようにこの方法が完結するときそれを取り
上げ、そして次の追加工程により達成される：１）全体
の露出したみぞ４００、第２Ｊ図、を通し、みぞ４００
、第３図、の全長を延びる受容体のドーピング剤、例え
ば、ホウ素のストリップ４１０をイオン注入する。

２）次いで、任意の加熱工程、例えば、９５０℃にオイ
て３０分間の加熱工程を実施する。これはストリップ１
２０および４１０を基体の中により深く拡散させる。３
）その後、供与体のドーピング剤、例えば、ヒ素の最後
のストリップ５００をみぞ４００を通して注入する。こ
れにより、線５１０で概略的に示す１系列の段階的ポテ
ンシャル井戸が得られる。

前述のように、この方法は横のオーバーフローのドレイ
ンをつくるために使用する注入されたバリヤーのエツジ
を整列させるために使用できる。

このような構造は第４図に示されている。基体６１０の
部分６００は、電源（図示せず）へ接続された、注入さ
れたドレインである。層６２０は分離酸化物層であり、
そしてバックグラウンド中に見える上昇したうね６３０
はＣＣｂの電極の１つからなる酸化物被覆ポリシリコン
のストリップである。

前述の方法は、ポリシリコンのストリップのエツジ６３
４をもつ、注入バリヤーのエツジ６３２のエツジの整列
において有効である。このようにしてつくられた注入物
は、基体の「内部に」破線６４０で概略的に示されてい
る。

テイル部分３４を用いるなお他の方法は、第５図に示さ
れている。この実施態様は、この方法が注入されたドー
ピング剤のストリップの横方向の恢散を起こすような引
き続く加熱を最小とする場合、と（に有用である。前述
のものに類似する部分は同一の参照番号を有し、それら
に添字“ａ”を付加している。こうして、ポリシリコン
の層１４ａは、前述のように、ストリップ２０ａを有す
る。次いで、多層レジストマスクを使用し、このマスク
は、このようなマスクにおいて普通であるように、平坦
化層６４０、バリヤ一層６５ｏ、例えばスパン−オン−
ガラス、および比較的薄いホトレジスト層６６０からな
る。第１４６６０を露光および現像し、そして層６５０
をエツチングすることにより、層６４０は異方的にエツ
チングして第５図の結果を生成することができる。処理
の残りは前述の実施態様の手順に同じであり、ストリッ
プの除去に適切なエツチング剤を使用する。

下方の注入されたドーピング剤のストリップとエツジが
整列したポリシリコンのストリップ７０を形成するため
に、さらに他の方法を利用することができる。この方法
は第６〜８図に示されている。前述のものに類似する部
分は同一の参照番号を有し、それらに添字“ｂ”を付加
している。この方法は前述の実施態様の第２Ａ〜２０図
と同一の工程を用いて出発するが、ただし層１４ｂは酸
化物層１２ｂ上に形成されたシリコン、例えば非晶質シ
リコンの非常に薄い層（１０００Å以下）であり、そし
てストリップ２０ｂは好ましくはすべてＳｉ３Ｎ、であ
る。この時点で、ポリシリコンまたは非晶質シリコンの
ストリップ７００をストリップ２０ｂ間に露出した層１
２ｂおよび１４ｂ上に付着させる。最も重要なことには
、ｌこれらのストリップは後述するエツチングのとき生
き残れるために十分な厚さを有する。５ｉｓＮａ上では
ないこれらの位置におけるシリコンの優先的な付着は、
約１／１００バールの圧力においてＳｉ◇１４＋Ｈ！が
らシリコンを蒸着させることによって得ることができる
。

、付着されたシリコンはすでにドーピングされているこ
とがあり、あるいはドーピングはイオン注入によって達
成することができる。その後、ストリップ２０ｂを選択
的にエツチング除去する、第７図。この時点において、
ストリップ７００間に露出された層１４ｂの部分をプラ
ズマまたは反応性イオンエツチングによりエツチング除
去する。ストリップ７００は層１４ｂに比べて十分な厚
さをもつので、このエツチング工程の結果、ストリップ
７００の破線の部分、第８図、のみが除去される。

その後、前述の実施態様の処理はＣＣＤを完成させるた
めに有用である。

あるいは、ストリップ２０ｂがＳｉＯ２からなり、そし
てリフト−オフ法のために十分に厚いとき、シリコンの
ストリップ７００をストリップ２０ｂの上およびそれら
の間の両方上に付着させることができ（図示せず）、そ
してストリップ２０ｂがエツチング除去されるとき、ス
トリップ２０ｂ上の部分は除去される。

〔実施例〕

次の実施例により、本発明をさらに説明する。

第２Ａ−２Ｄ図に示す手順に従い、膜厚が５００人であ
る５ｉＪ４のストリップ１６を３５００人のポリシリコ
ン層１４の上に形成した。その後、Ｓ　ｉ　Ｏ−２のス
トリップ１８を厚さ５０００人で付着した。

次いで、反応性イオンのエツチングを用いて、こ全体の
層３０で被覆した。前述のように露光しかつ現像したホ
トレジストのマスクを通して、層３０を反応性イオンで
エツチングしてテイル部分３４を残した。ドーピング剤
の注入は、２００Ｋｅ　Ｖのエネルギーおよび３μｍの
酸化物ストリップ３２間の露出ギャップを用いてホウ素
を特徴づけた。次いで、付着した酸化物層を緩衝ＨＦエ
ツチング剤で除去し、薄い５ｉＪ４ストリツプを残した
・緩衝ＨＦエツチング剤にさらされて残ったポリシリコ
ンを酸化することによって、エツチング剤に抵抗性のス
トリップ６０を形成した。その後、窒化物のストリップ
１６を１５０℃において３０分間リン酸で除去し、そし
て露出したポリシリコンのストリップをＳＦ＆含有プラ
ズマエツチング法に　。

よりエツチングした。

比較の目的で、米国特許第４．０３５．９０６号の第２
Ａ−２Ｆ図の方法を実施して、上記の如く製造したもの
に類似するＣＯＤを製造した。すなわち、いくつかの２
５Ω−ａｍのψ型ウェハーを標準のゲッターリングおよ
びチャンネルストップ法により処理した。その後、リン
をブランケット法で１．２ｘｌＱＩ！−の濃度において
１５０Ｋｅ　Ｖのイオン注入により注入して、埋め込み
チャンネル構造体を形成した。

次いで、膜厚１０００人の二酸化ケイ素の層を、湿った
周囲雰囲気中で９５０℃において生長させた。

この上にホトレジスト層を付着し、そしてパターン化し
た。ヒ素をこの酸化物の中に、レジストを通して１．３
　ｘ　１０Ｉ１０ｌ３”の濃度で、米国特許第４．０３
５，９０６号の第２Ｂ図の条件を反復して注入した。次
いで、ホトレジストのストリップを除去した。

次に、ポリシリコンの層を６２０℃で全体に付着させ、
そしてリンを９００℃で３分間ドーピングした。次いで
、ポリシリコン層をパターン化して、米国特許第４．０
３５，９０６号の第２Ｃ図のそれを本質的に反復した構
造体を形成した。

その後、ポリシリコンストリップ間の酸化物層をエツチ
ングして、ポリシリコンストリップ間のＡｓ注入物を除
去した。エツチング工程に引き続いて、分離酸化物を形
成し、そして残るＡｓ注入物を基体中に拡散させた。こ
れは次のようにして達成した。すなわち、米国特許第４
．０３５．９０６号の第２Ｄ図に示される条件を反復し
て、ウェハーを湿った周囲雰囲気中で９５０℃に２０分
間加熱した。

最後に、第２相の電極を米国特許第４．０３５，９０６
号に記載されるようにして作り、そして１０５０℃に・
おける最後のアニーリングを３０分間実施して、Ａｓを
基体の中にさらに推進させた。

望ましくない捕捉壁の存在または不存在を、本−発明の
上記実施例および比較例の両者について、次の手順によ
って決定した。

Ｏボルトのゲート電圧において、比較ウェハーの相１の
貯蔵区域は１２．８ｅＶであることがわかった。相１の
移送区域において、電位は５．２ｅＶであった。相１の
貯蔵区域と相２の転送区域との間の境界に、はぼ３ｅＶ
の深さおよび１１１ｍの井戸が存在した。この後者は劣
った電荷の転送効率を生成した。

対照的に、本発明の上記実施例は、相１の貯蔵区域と相
２の貯蔵区域との間に、あるいは相１の転送区域と相２
の貯蔵区域との間に、このような境界の井戸をもたない
ことがわかった。

以下余自 〔発明の効果〕 本発明の有利な技術的効果は、先行技術を用いて可能で
あったよりも、いっそう効果的な注入ドーピング剤と上
に重なる電極とのエツジの整列（エツジアライメント）
が得られるということである。。

本発明の関連する有利な技術的効果は、望ましくない電
子捕捉井戸を排除することにより、効率が増大したＣＯ
Ｄを製造する方法が提供されるとい第１図は、先行技術
の構成を示す、半導体装置の断片的部分的垂直断面図で
ある。

第２Ａ図−第２に図は、本発明の連続する工程をそれぞ
れ示す、半導体装置の断片的部分的垂直断面図である。

第３図は、本発明により製造される仮想の相のＣＯＤの
、最終装置として示す以外、第２に図に類似する図面で
ある。

第４図は、第２Ａ図〜第２に図に対して９０゜でとった
、ＣＯＤの断片の断面図である。

第５図は、第２Ｂ図に類似するが、それとは別の実施態
様を示す断片の断面図である。

第６〜８図は、他の実施態様が示されている以外、第２
Ａ図〜第２Ｃ図に類似する断片の断面図である。

図面において、参照番号は次の意味を有する：１０・・
・半導体の基体、１２　、１２ｂ・・・ゲート酸化物、
１４　、１４ａ　　、　１４ｂ・・・導電性層、例えば
、ボリシ・・・第３マスク層、５０・・・イオン注入方
向、５２・・・第１注入バリヤーストリツプ、６０・・
・耐エツチング物質、７０・・・導電性ストリップ、７
５および８０・・・整列された電極表面および注入物の
エツジ。

以下会合 ＦＩＧ　４ ＦＩＧ、　５ ＦＩＧ、　２Ａ ＦＩＧ　２８ ＦＩＧ　２Ｃ ＦＩＧ２Ｄ ＦＩＧ、　２Ｅ ＦＩＧ、　２Ｈ ＦＩＧ、　２Ｉ ＦＩＧ　２Ｊ ＦＩＧ　２Ｋ ＦＩＧ　３ ＦＩＧ、　６ ＦＩＧ、　７ ＦＩＧ、　８

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、半導体基体において注入ドーピング剤の精密に整列
   されたストリップを形成して、注入ストリップの上方に
   導電性ストリップを有する半導体装置を製造する方法で
   あって、下記の工程：ａ）前記半導体基体の上に導電性
   材料の層を付着させ、 ｂ）前記導電性層の上にパターン化されたマスクを形成
   し、その際、前記パターンにより前記導電性層の間隔を
   置いて位置する第１ストリップ部分を露出させ、 ｃ）前記パターン化マスクにより露出された導電性層の
   ストリップ部分を通して、前記ドーピング剤のストリッ
   プを前記基体中にイオン注入し、ｄ）前記マスクの一部
   分のみを除去して、注入されたドーピング剤のストリッ
   プを含有する前記基体の第１部分の上および前記第１部
   分に隣接する前記基体の部分の上における前記導電性層
   を露出させ、 ｅ）保持されたマスク部分の間の前記導電性層上に、工
   程ｆ）およびｇ）を実施する時に残置させるのに有効な
   物質または膜厚の第２のストリップを形成し、 ｆ）前記保持されたマスクの部分を除去して、その下に
   存在する導電性層を露出させ、そしてｇ）前記第２のス
   トリップで被覆されていない、上記のような下層の導電
   性層をエッチング除去すること、 を含むことを特徴とする半導体装置の製法。 ２、前記導電性材料はポリシリコンからなり、そして前
   記装置は電荷結合デバイスである、特許請求の範囲第１
   項に記載の方法。